JPH0365898B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0365898B2 JPH0365898B2 JP14116485A JP14116485A JPH0365898B2 JP H0365898 B2 JPH0365898 B2 JP H0365898B2 JP 14116485 A JP14116485 A JP 14116485A JP 14116485 A JP14116485 A JP 14116485A JP H0365898 B2 JPH0365898 B2 JP H0365898B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor pellet
- electrodes
- semiconductor
- conductive paste
- pellet
- Prior art date
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- Expired
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 39
- 239000008188 pellet Substances 0.000 claims description 29
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 10
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 5
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- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
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- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
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- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、半導体整流装置に関する。
従来、例えば自動車のオルタネーター用ダイオ
ードとして使用される半導体整流装置は、第３図
に示すような構造を有している。図中１は、所定
の素子を形成した半導体ペレツトである。半導体
ペレツト１の表裏面には、半田等の導体ペースト
２を介して１対の電極３，４が接合するように装
着されている。電極３，４の装着面は、平坦面に
なつている。両電極３，４の対向する領域には、
半導体ペレツト１の周側縁部を覆うようにしてシ
リコーンゴム層５が埋められている。半導体ペレ
ツト１、導体ペースト２、シリコーンゴム層５及
び両電極３，４は、両電極３，４の夫々の端部が
外部に導出するようにしてエポキシ樹脂等からな
る樹脂封止体６によつて一体に封止されている。
ードとして使用される半導体整流装置は、第３図
に示すような構造を有している。図中１は、所定
の素子を形成した半導体ペレツトである。半導体
ペレツト１の表裏面には、半田等の導体ペースト
２を介して１対の電極３，４が接合するように装
着されている。電極３，４の装着面は、平坦面に
なつている。両電極３，４の対向する領域には、
半導体ペレツト１の周側縁部を覆うようにしてシ
リコーンゴム層５が埋められている。半導体ペレ
ツト１、導体ペースト２、シリコーンゴム層５及
び両電極３，４は、両電極３，４の夫々の端部が
外部に導出するようにしてエポキシ樹脂等からな
る樹脂封止体６によつて一体に封止されている。
このように構成された従来の半導体整流装置１
０は、電極３，４の半導体ペレツト１に装着する
端面が平坦面になつているので、次ぎのような欠
点を有する。
０は、電極３，４の半導体ペレツト１に装着する
端面が平坦面になつているので、次ぎのような欠
点を有する。
半導体ペレツト１は、電極３，４の端面より
も小さいので電極３，４を接合する際に半導体
ペレツト１を治具で固定しておくことができな
い。このため、電極３，４を接合する時に導体
ペースト２である半田が流動し、半導体ペレツ
ト１の表裏両面側の導体ペースト２がその周側
縁部で連結してブリジを形成し、シヨート不良
を起こす。
も小さいので電極３，４を接合する際に半導体
ペレツト１を治具で固定しておくことができな
い。このため、電極３，４を接合する時に導体
ペースト２である半田が流動し、半導体ペレツ
ト１の表裏両面側の導体ペースト２がその周側
縁部で連結してブリジを形成し、シヨート不良
を起こす。
導体ペースト２によつて電極３，４を半導体
ペレツト１に装着する際に、雰囲気ガスによつ
て半導体ペレツト１を震動（スクラブ）させて
導体ペースト２の活性な表面を露出させること
ができない。このため導体ペースト２の濡れ性
が悪くなる。
ペレツト１に装着する際に、雰囲気ガスによつ
て半導体ペレツト１を震動（スクラブ）させて
導体ペースト２の活性な表面を露出させること
ができない。このため導体ペースト２の濡れ性
が悪くなる。
本発明は、半導体ペレツトの上下面に被着した
導体ペーストが半導体ペレツトの側部で連結して
ブリツジを形成するのを防止すると共に、導体ペ
ーストの濡れ性を高めて信頼性の向上を図つた半
導体整流装置を提供することをその目的とするも
のである。
導体ペーストが半導体ペレツトの側部で連結して
ブリツジを形成するのを防止すると共に、導体ペ
ーストの濡れ性を高めて信頼性の向上を図つた半
導体整流装置を提供することをその目的とするも
のである。
本発明は、電極の半導体ペレツト装着部を略円
錐台上に突出してその突出部の端面に導体ペース
トを介して半導体ペレツトを装着するようにした
ことにより、半導体ペレツトの上下面に被着した
導体ペーストが半導体ペレツトの側部で連結して
ブリツジを形成するのを防止すると共に、導体ペ
ーストの濡れ性を高めて信頼性の向上を図つた半
導体整流装置である。
錐台上に突出してその突出部の端面に導体ペース
トを介して半導体ペレツトを装着するようにした
ことにより、半導体ペレツトの上下面に被着した
導体ペーストが半導体ペレツトの側部で連結して
ブリツジを形成するのを防止すると共に、導体ペ
ーストの濡れ性を高めて信頼性の向上を図つた半
導体整流装置である。
以下、本発明の実施例について図面を参照して
説明する。
説明する。
第１図は、本発明の一実施例の断面図である。
図中１１は、所定の素子を形成した半導体ペレツ
トである。半導体ペレツト１１の表裏面には、半
田等の導体ペースト１２を介して１対の電極１
３，１４が接合するように装着されている。電極
１３，１４の装着面は、第２図Ａ，Ｂに示す如
く、略円錐台状の突出部１３ａ，１４ａの端面に
なつている。突出部１３ａ，１４ａの寸法として
は、例えば第２図Ａ，Ｂに示す如く、突出高さＬ
１を0.1mm、突出端面の径Ｄ１を3.0mm、電極１
３，１４の厚さＬ２を2.95mm、突出部１３ａ，１
４ａの径Ｄ２を6.6mm、電極１３，１４の端部の
径Ｄ３を5.6mm、となるように設定するのが好ま
しい。両電極１３，１４の対向する領域には、半
導体ペレツト１１の周側縁部を覆うようにしてシ
リコーンゴム層１５が埋められている。半導体ペ
レツト１１、導体ペースト１２、シリコーンゴム
層１５及び両電極１３，１４は、両電極１３，１
４の夫々の端部が外部に導出するようにしてエポ
キシ樹脂等からなる樹脂封止体１６によつて一体
に封止されている。
図中１１は、所定の素子を形成した半導体ペレツ
トである。半導体ペレツト１１の表裏面には、半
田等の導体ペースト１２を介して１対の電極１
３，１４が接合するように装着されている。電極
１３，１４の装着面は、第２図Ａ，Ｂに示す如
く、略円錐台状の突出部１３ａ，１４ａの端面に
なつている。突出部１３ａ，１４ａの寸法として
は、例えば第２図Ａ，Ｂに示す如く、突出高さＬ
１を0.1mm、突出端面の径Ｄ１を3.0mm、電極１
３，１４の厚さＬ２を2.95mm、突出部１３ａ，１
４ａの径Ｄ２を6.6mm、電極１３，１４の端部の
径Ｄ３を5.6mm、となるように設定するのが好ま
しい。両電極１３，１４の対向する領域には、半
導体ペレツト１１の周側縁部を覆うようにしてシ
リコーンゴム層１５が埋められている。半導体ペ
レツト１１、導体ペースト１２、シリコーンゴム
層１５及び両電極１３，１４は、両電極１３，１
４の夫々の端部が外部に導出するようにしてエポ
キシ樹脂等からなる樹脂封止体１６によつて一体
に封止されている。
このように構成された半導体整流装置２０によ
れば、半導体ペレツト１１は突出部１３ａ，１４
ａの端面に導体ペースト１２を介して装着される
ので、電極１３，１４を接合する際に導体ペース
ト１２を突出部１３ａ，１４ａの裾側に流出させ
て、表裏面側の導体ペースト１２が、半導体ペレ
ツト１１の周側面で連結してブリツジを形成する
のを防止することができる。また、電極１３，１
４を接合する際の雰囲気ガスで半導体ペレツト１
１を震動（スクライブ）させて導体ペースト１２
の表面酸化物を潰して活性化しても、上述のブリ
ツジができないので導体ペースト１２の濡れ性を
向上させることができる。
れば、半導体ペレツト１１は突出部１３ａ，１４
ａの端面に導体ペースト１２を介して装着される
ので、電極１３，１４を接合する際に導体ペース
ト１２を突出部１３ａ，１４ａの裾側に流出させ
て、表裏面側の導体ペースト１２が、半導体ペレ
ツト１１の周側面で連結してブリツジを形成する
のを防止することができる。また、電極１３，１
４を接合する際の雰囲気ガスで半導体ペレツト１
１を震動（スクライブ）させて導体ペースト１２
の表面酸化物を潰して活性化しても、上述のブリ
ツジができないので導体ペースト１２の濡れ性を
向上させることができる。
以上説明した如く、本発明に係る半導体整流装
置によれば、半導体ペレツトの上下面に被着した
導体ペーストが半導体ペレツトの側部で連結して
ブリツジを形成するのを防止すると共に、導体ペ
ーストのぬれ性を高めて信頼性を向上させること
ができるものである。
置によれば、半導体ペレツトの上下面に被着した
導体ペーストが半導体ペレツトの側部で連結して
ブリツジを形成するのを防止すると共に、導体ペ
ーストのぬれ性を高めて信頼性を向上させること
ができるものである。
第１図は、本発明の一実施例の断面図、第２図
Ａ，Ｂは、同実施例の要部の説明図、第３図は、
従来の半導体整流装置の断面図である。 １１……半導体ペレツト、１２導体ペースト、
１３，１４……電極、１３ａ，１４ａ……突出
部、１５……シリコーンゴム層、１６……樹脂封
止体、２０……半導体整流素子。
Ａ，Ｂは、同実施例の要部の説明図、第３図は、
従来の半導体整流装置の断面図である。 １１……半導体ペレツト、１２導体ペースト、
１３，１４……電極、１３ａ，１４ａ……突出
部、１５……シリコーンゴム層、１６……樹脂封
止体、２０……半導体整流素子。
Claims (1)
- １ 所定の素子を形成した半導体ペレツトと、該
半導体ペレツトの表裏面に導体ペーストを介して
略円錐台状の突出部の端面を接合するように装着
された１対の電極と、該電極に対向する領域に前
記半導体ペレツトの周側縁部を覆うようにして設
けられた保護層と、前記電極の夫々の端部を外部
に導出するようにして前記電極、前記半導体ペレ
ツト、前記導体ペースト及び前記保護層を一体に
封止する樹脂封止体とを具備することを特徴とす
る半導体整流装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14116485A JPS622558A (ja) | 1985-06-27 | 1985-06-27 | 半導体整流装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14116485A JPS622558A (ja) | 1985-06-27 | 1985-06-27 | 半導体整流装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS622558A JPS622558A (ja) | 1987-01-08 |
| JPH0365898B2 true JPH0365898B2 (ja) | 1991-10-15 |
Family
ID=15285622
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14116485A Granted JPS622558A (ja) | 1985-06-27 | 1985-06-27 | 半導体整流装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS622558A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5521124A (en) * | 1995-04-04 | 1996-05-28 | Tai; Chao-Chi | Method of fabricating plastic transfer molded semiconductor silicone bridge rectifiers with radial terminals |
| JP4479121B2 (ja) | 2001-04-25 | 2010-06-09 | 株式会社デンソー | 半導体装置の製造方法 |
-
1985
- 1985-06-27 JP JP14116485A patent/JPS622558A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS622558A (ja) | 1987-01-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |