JPH0487354A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH0487354A JPH0487354A JP2202307A JP20230790A JPH0487354A JP H0487354 A JPH0487354 A JP H0487354A JP 2202307 A JP2202307 A JP 2202307A JP 20230790 A JP20230790 A JP 20230790A JP H0487354 A JPH0487354 A JP H0487354A
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- substrate
- semiconductor chip
- semiconductor device
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- Pending
Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 23
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
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- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73253—Bump and layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置に関し、特に、気密型半導体装置
における封止技術に適用して有効な技術に関するもので
ある6 〔従来技術〕 従来の気密型半導体装置、例えば、特開昭62−249
429号公報に記載されるように、基板の上に半導体チ
ップをバンプ電極を介して実装して両者を電気的に接続
し、パッケージの封止用キャップの裏面に熱良伝導性接
着層を介在させて半導体チップの背面を固定し、基板と
封止用キャップとの接合部に接着層を介在させて気密封
止したものである。
における封止技術に適用して有効な技術に関するもので
ある6 〔従来技術〕 従来の気密型半導体装置、例えば、特開昭62−249
429号公報に記載されるように、基板の上に半導体チ
ップをバンプ電極を介して実装して両者を電気的に接続
し、パッケージの封止用キャップの裏面に熱良伝導性接
着層を介在させて半導体チップの背面を固定し、基板と
封止用キャップとの接合部に接着層を介在させて気密封
止したものである。
しかしながら、本発明者は、前記従来の気密型半導体装
置を検討した結果、次の問題点を見い出した。
置を検討した結果、次の問題点を見い出した。
前記従来技術では、封止部のリーク経路が短く、リーク
不良が多く発生するという問題があった。
不良が多く発生するという問題があった。
本発明の目的は、半導体装置の封止部のリーク不良を低
減することができる技術を堤供することにある。
減することができる技術を堤供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う。
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う。
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
基板の上に半導体チップを実装して両者を電気的に接続
し、基板とキャップとの接合部に接着層を介在させて封
止する半導体装置において、基板とキャップとの封止部
の露出部を保護部材で覆ったものである。
し、基板とキャップとの接合部に接着層を介在させて封
止する半導体装置において、基板とキャップとの封止部
の露出部を保護部材で覆ったものである。
前記保護部材は、半田メッキ層、金属板、樹脂。
グリースのうち一つからなっている。
前記手段によれば、基板とキャップとの封止部の露出部
を半田メッキ等の保護部材で覆うことにより、封止部に
生じるリーク経路を塞ぐので、リーク不良の低減をはか
ることができ、気密性の高いパッケージを提供すること
ができる。
を半田メッキ等の保護部材で覆うことにより、封止部に
生じるリーク経路を塞ぐので、リーク不良の低減をはか
ることができ、気密性の高いパッケージを提供すること
ができる。
以下、本発明の一実施例を図面を用いて具体的に説明す
る。
る。
なお、実施例を説明するための全図において、同一機能
を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は
省略する。
を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は
省略する。
第1図は、本発明の半導体装置の一実施例の外観を示す
斜視図、 第2図は、第1図のX−X線で切った断面図である。
斜視図、 第2図は、第1図のX−X線で切った断面図である。
本実施例の半導体装置は、第1図及び第2図に示すよう
に、基板(ベース)1の上に半導体チップ2をバンプ電
極(例えば、半田バンプ)3を介して実装して両者を電
気的に接続し、キャップ4に半導体チップ2に対する位
置合せ用凹部5を設け、該キャップ4に設けられた位置
合せ用凹部5に熱良伝導性接着層6を介在させて半導体
チップ2の背面を固定し、基板1とキャップ4との接合
部に接着層(ろう材)7を介在させて封止し、該封止部
の露出部を半田メッキ層(保護部材)8で覆ったもので
ある。
に、基板(ベース)1の上に半導体チップ2をバンプ電
極(例えば、半田バンプ)3を介して実装して両者を電
気的に接続し、キャップ4に半導体チップ2に対する位
置合せ用凹部5を設け、該キャップ4に設けられた位置
合せ用凹部5に熱良伝導性接着層6を介在させて半導体
チップ2の背面を固定し、基板1とキャップ4との接合
部に接着層(ろう材)7を介在させて封止し、該封止部
の露出部を半田メッキ層(保護部材)8で覆ったもので
ある。
基板1とキャップ4との接合部の接着層7を半田メッキ
層8で覆うことにより、封止部に生じるリーク経路を塞
ぐので、リーク不良の低減をはかることができ、気密性
の高いパッケージを提供することかできる。
層8で覆うことにより、封止部に生じるリーク経路を塞
ぐので、リーク不良の低減をはかることができ、気密性
の高いパッケージを提供することかできる。
次に、本実施例の半導体装置の組み立て製造方法につい
て説明する。
て説明する。
第3図に示すように、まず最初に、キャップ4に設けら
れている位置合せ用凹部5に熱良伝導性接着剤(熱良伝
導性接着層6)により、半導体チップ2の背面が接着固
定される。次に、基板1の上に半導体チップ2がバンプ
電極(例えば、半田バンプ)3を介して電気的に接続さ
れるとともに、基板1とキャップとの接合部が接着剤(
接着層7)により接着(封止)される。
れている位置合せ用凹部5に熱良伝導性接着剤(熱良伝
導性接着層6)により、半導体チップ2の背面が接着固
定される。次に、基板1の上に半導体チップ2がバンプ
電極(例えば、半田バンプ)3を介して電気的に接続さ
れるとともに、基板1とキャップとの接合部が接着剤(
接着層7)により接着(封止)される。
次に、第4図の(a)に示すように、基板1とキャップ
4との接合部が接着剤(接着層7)により接着(封止)
された後、第4図の(b)に示すように、半田メッキに
より不具合が生じる部分をレジスト10で覆って半田の
無電解メッキを行い、半田メッキ層8で接着M7の露出
部を覆う。次に、第4図の(C)に示すように、前記レ
ジスト10を除去して組み立てを完了する。
4との接合部が接着剤(接着層7)により接着(封止)
された後、第4図の(b)に示すように、半田メッキに
より不具合が生じる部分をレジスト10で覆って半田の
無電解メッキを行い、半田メッキ層8で接着M7の露出
部を覆う。次に、第4図の(C)に示すように、前記レ
ジスト10を除去して組み立てを完了する。
前記半田メッキにより不具合が生じる部分について説明
する。
する。
例えば、キャップ4の表面に半田が付着すると、冷却フ
ィン等を載置する場合に、キャップ4とフィンとの間に
空間が発生し、放熱性が悪化する。
ィン等を載置する場合に、キャップ4とフィンとの間に
空間が発生し、放熱性が悪化する。
また、基板1に設けられている外部端子(バンプ電極)
9に半田が付着すると、外部端子9間のショートを起す
。
9に半田が付着すると、外部端子9間のショートを起す
。
前記実施例の変形例を第5図に示す。第5図の(a)は
前記封止部の半田メッキ層8の部分に半田メッキ層8の
代りに金属板11を熱圧着したものである。(b)は前
記封止部の半田メッキWJ8の部分に半田メッキ層8の
代りに樹脂12で覆ったものであり、(C)は前記封止
部の半田メッキ層8の部分に半田メッキ層8の代りにグ
リース13で覆ったものである。
前記封止部の半田メッキ層8の部分に半田メッキ層8の
代りに金属板11を熱圧着したものである。(b)は前
記封止部の半田メッキWJ8の部分に半田メッキ層8の
代りに樹脂12で覆ったものであり、(C)は前記封止
部の半田メッキ層8の部分に半田メッキ層8の代りにグ
リース13で覆ったものである。
このように、基板1とキャップ4との封止部の露出部を
金属板11.樹脂12.グリース13で覆うことにより
、封止部に生じるリーク経路を塞ぐので、リーク不良の
低減をはかることができ、気密性の高いパッケージを提
供することができる。
金属板11.樹脂12.グリース13で覆うことにより
、封止部に生じるリーク経路を塞ぐので、リーク不良の
低減をはかることができ、気密性の高いパッケージを提
供することができる。
以上、本発明を実施例にもとづき具体的に説明したが、
本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であること
は言うまでもない。
本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であること
は言うまでもない。
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。
封圧部に生じるリーク経路を保護部材で塞ぐので、リー
ク不良の低減をはかることができ、気密性の高いパッケ
ージを提供することができる。
ク不良の低減をはかることができ、気密性の高いパッケ
ージを提供することができる。
第1図は、本発明の半導体装置の一実施例の外観を示す
斜視図。 第2図は、第1図のX−X線で切った断面図第3図及び
第4図は1本実施例の組み立て製造方法を説明するため
の図、 第5図は、第1図に示す実施例の変形例を説明するため
の図である。 図中、 1・・・基板(ベース)、2・・・半導体チップ、3・
・バンプ電極、4・・・キャップ、5・・・位置合せ用
凹部、6・・・熱良伝導性接着層、7・・・接着層(ろ
う材)、8・・・半田メッキ層(保護部材)、10・・
・レジスト、11・・金属板、12・・・樹脂、13・
・・グリース。
斜視図。 第2図は、第1図のX−X線で切った断面図第3図及び
第4図は1本実施例の組み立て製造方法を説明するため
の図、 第5図は、第1図に示す実施例の変形例を説明するため
の図である。 図中、 1・・・基板(ベース)、2・・・半導体チップ、3・
・バンプ電極、4・・・キャップ、5・・・位置合せ用
凹部、6・・・熱良伝導性接着層、7・・・接着層(ろ
う材)、8・・・半田メッキ層(保護部材)、10・・
・レジスト、11・・金属板、12・・・樹脂、13・
・・グリース。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、基板の上に半導体チップを実装して両者を電気的に
接続し、基板とキャップとの接合部に接着層を介在させ
て封止する半導体装置において、基板とキャップとの封
止部の露出部を保護部材で覆ったことを特徴とする半導
体装置。 2、前記保護部材は、半田メッキ層、金属板、樹脂、グ
リースのうち一つからなっていることを特徴とする請求
項1に記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2202307A JPH0487354A (ja) | 1990-07-30 | 1990-07-30 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2202307A JPH0487354A (ja) | 1990-07-30 | 1990-07-30 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0487354A true JPH0487354A (ja) | 1992-03-19 |
Family
ID=16455381
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2202307A Pending JPH0487354A (ja) | 1990-07-30 | 1990-07-30 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0487354A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5883425A (en) * | 1995-10-27 | 1999-03-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Circuit device |
US6075289A (en) * | 1996-10-24 | 2000-06-13 | Tessera, Inc. | Thermally enhanced packaged semiconductor assemblies |
US6118177A (en) * | 1998-11-17 | 2000-09-12 | Lucent Technologies, Inc. | Heatspreader for a flip chip device, and method for connecting the heatspreader |
JP2004500249A (ja) * | 2000-02-14 | 2004-01-08 | レッドウッド マイクロシステムズ インコーポレイテッド | マイクロメカニカル装置をマニホルドに取付ける方法、およびそれによって製造された流体制御システム。 |
JP2009158962A (ja) * | 2009-01-26 | 2009-07-16 | Fujikura Ltd | 半導体パッケージ及びその製造方法 |
JP2009206253A (ja) * | 2008-02-27 | 2009-09-10 | Zycube:Kk | 半導体装置 |
JP2020136674A (ja) * | 2019-02-12 | 2020-08-31 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 半導体モジュール及び半導体デバイス収容体 |
-
1990
- 1990-07-30 JP JP2202307A patent/JPH0487354A/ja active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5883425A (en) * | 1995-10-27 | 1999-03-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Circuit device |
US6075289A (en) * | 1996-10-24 | 2000-06-13 | Tessera, Inc. | Thermally enhanced packaged semiconductor assemblies |
US6354485B1 (en) | 1996-10-24 | 2002-03-12 | Tessera, Inc. | Thermally enhanced packaged semiconductor assemblies |
US6118177A (en) * | 1998-11-17 | 2000-09-12 | Lucent Technologies, Inc. | Heatspreader for a flip chip device, and method for connecting the heatspreader |
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JP5019277B2 (ja) * | 2000-02-14 | 2012-09-05 | Smc株式会社 | マイクロメカニカル装置をマニホルドに取付ける方法、およびそれによって製造された流体制御システム。 |
JP2009206253A (ja) * | 2008-02-27 | 2009-09-10 | Zycube:Kk | 半導体装置 |
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