JPS61147536A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS61147536A JPS61147536A JP26998084A JP26998084A JPS61147536A JP S61147536 A JPS61147536 A JP S61147536A JP 26998084 A JP26998084 A JP 26998084A JP 26998084 A JP26998084 A JP 26998084A JP S61147536 A JPS61147536 A JP S61147536A
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- semiconductor pellet
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- Pending
Links
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- 239000008188 pellet Substances 0.000 claims abstract description 29
- 208000025599 Heat Stress disease Diseases 0.000 abstract 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、半導体装置に関する。
従来、樹脂封止された高耐圧・大電力型の半導体装置と
して第２図に示すような構造のものが使用されている。
して第２図に示すような構造のものが使用されている。
図中１は、フレーム２の所定領域に半田層３を介して装
着された半導体ペレットである。半導体ペレット１の主
面には、所定パターンの酸化膜４が形成されている。酸
化膜４上には、コンタクトホールを介して半導体ペレッ
ト１内のガードリング層５に接続するガードリング配線
６及び半導体ペレット１内の高濃度領域７に接続する取
出配線８．半導体ペレット１上のゲート電極９に接続す
るゲート配線１０等の配線層が形成されている。これら
の配線層、酸化膜４を含む半導体ペレット１の主面及び
半導体ペレット１の側面は、エンキャップ層１１で覆わ
れている。フレーム２上にはエンキャップ層１１を覆う
ようにして樹脂封止体１２が被着されている。なお、同
図中１３は、フレーム２に形成されたコイニング溝であ
る０〔技術的背景の問題点〕 ット１の側面領域や主面の周辺部の領域がエンキャップ
層１ノで覆われない製品ができ易い。
着された半導体ペレットである。半導体ペレット１の主
面には、所定パターンの酸化膜４が形成されている。酸
化膜４上には、コンタクトホールを介して半導体ペレッ
ト１内のガードリング層５に接続するガードリング配線
６及び半導体ペレット１内の高濃度領域７に接続する取
出配線８．半導体ペレット１上のゲート電極９に接続す
るゲート配線１０等の配線層が形成されている。これら
の配線層、酸化膜４を含む半導体ペレット１の主面及び
半導体ペレット１の側面は、エンキャップ層１１で覆わ
れている。フレーム２上にはエンキャップ層１１を覆う
ようにして樹脂封止体１２が被着されている。なお、同
図中１３は、フレーム２に形成されたコイニング溝であ
る０〔技術的背景の問題点〕 ット１の側面領域や主面の周辺部の領域がエンキャップ
層１ノで覆われない製品ができ易い。
このように半導体ペレット１がエンキャップ層１ノで完
全に覆われていない場合には、熱疲労試験や熱ｉｓ試験
を施すと、樹脂封止体１２に加わる応力によって、露出
ガードリング配線６や取出配線８が移動して相互に接触
し、短絡による耐圧の劣化が起きる問題があった。この
問題を解消するためにエンキャップ層１ノを大きくする
と、コイニング溝１３がエンキャップ層１１によって塞
がれて外観不良を起こし、歩留を低下することＫなる。
全に覆われていない場合には、熱疲労試験や熱ｉｓ試験
を施すと、樹脂封止体１２に加わる応力によって、露出
ガードリング配線６や取出配線８が移動して相互に接触
し、短絡による耐圧の劣化が起きる問題があった。この
問題を解消するためにエンキャップ層１ノを大きくする
と、コイニング溝１３がエンキャップ層１１によって塞
がれて外観不良を起こし、歩留を低下することＫなる。
本発明拡、熱疲労特性及び熱衝撃特性を高めて耐圧の向
上を図った半導体装置を提供することをその目的とする
ものである。
上を図った半導体装置を提供することをその目的とする
ものである。
本発明は、半導体ペレットの側面領域を覆う第１エンキ
ャップ層と半導体ペレットの側面及び主面領域を覆う第
２エンキャップ層とを設けて、熱疲労特性及び熱衝撃特
性を高め、耐圧の向上を達成した半導体装置である。
ャップ層と半導体ペレットの側面及び主面領域を覆う第
２エンキャップ層とを設けて、熱疲労特性及び熱衝撃特
性を高め、耐圧の向上を達成した半導体装置である。
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。第１図は、本発明の一実施例の概略構成を示す説明図
である。図中２０は、フレーム２１上に半田層２２を介
して装着された半導体ペレットである。半導体ペレット
２ｏの側面領域の下部は、第１エンキャップ層２３で覆
われている。半導体ペレット２２の側面領域の上部及び
主面領域は第２エンキャップ層２４で覆われている。第
１エンキャップ層２３及び第２エンキャップ層２４は、
フレーム２１上に被着された樹脂封止体２５によって一
体に封止されている。なお、同図中２６は、フレーム２
１に形成されたコイニング溝である。
。第１図は、本発明の一実施例の概略構成を示す説明図
である。図中２０は、フレーム２１上に半田層２２を介
して装着された半導体ペレットである。半導体ペレット
２ｏの側面領域の下部は、第１エンキャップ層２３で覆
われている。半導体ペレット２２の側面領域の上部及び
主面領域は第２エンキャップ層２４で覆われている。第
１エンキャップ層２３及び第２エンキャップ層２４は、
フレーム２１上に被着された樹脂封止体２５によって一
体に封止されている。なお、同図中２６は、フレーム２
１に形成されたコイニング溝である。
ここで、ｔＸｌエンキャップ層２３及び第２エンキャッ
プ層２４は、例えばＪＣＲ６１０６（東京応化社商品名
）からなる樹脂で形成されており、このエンキャップ樹
脂の被着後にエアー雰囲気下で１５０℃／６時間のキエ
ア処理を施すことにより硬化されている。
プ層２４は、例えばＪＣＲ６１０６（東京応化社商品名
）からなる樹脂で形成されており、このエンキャップ樹
脂の被着後にエアー雰囲気下で１５０℃／６時間のキエ
ア処理を施すことにより硬化されている。
このように構成された半導体装置３０にょれば、半導体
ペレット２２が第１エンキャップ層２３及び第２エンキ
ャップ層２４で覆われているため、半導体ペレット２２
が大型になっても半導体ペレット２２の主面を第２エン
キャップ層２４で常に完全に覆うことができる。この丸
め、熱疲労試験や熱衝撃試験によって半導体ペレット２
２に応力が加わってもその応力が半導体ペレット２２の
主面の配着層等に作用するのを抑制することができる。
ペレット２２が第１エンキャップ層２３及び第２エンキ
ャップ層２４で覆われているため、半導体ペレット２２
が大型になっても半導体ペレット２２の主面を第２エン
キャップ層２４で常に完全に覆うことができる。この丸
め、熱疲労試験や熱衝撃試験によって半導体ペレット２
２に応力が加わってもその応力が半導体ペレット２２の
主面の配着層等に作用するのを抑制することができる。
その結果、耐圧を向上させることができる。因みに、熱
衝撃試験後に発生する耐圧不良品の発生率は実施例の半
導体装置３−０では０．０１％以下にできたが、従来の
半導体装置では約１％であることが確認された。
衝撃試験後に発生する耐圧不良品の発生率は実施例の半
導体装置３−０では０．０１％以下にできたが、従来の
半導体装置では約１％であることが確認された。
また、実施例の半導体装置３−０では、コイニング溝２
６がエンキャンプ層で塞がれるために発生する外観不良
の発生率を低下して、歩留を約３％向上できることが判
った。
６がエンキャンプ層で塞がれるために発生する外観不良
の発生率を低下して、歩留を約３％向上できることが判
った。
以上説明した如く、本発明に係る半導体装置によれば、
熱疲労特性及び熱衝撃特性を高めて耐圧を向上させるこ
とができるものである。
熱疲労特性及び熱衝撃特性を高めて耐圧を向上させるこ
とができるものである。
第１図は本発明の一実施例の概略構成を示す説明図、第
２図は従来の半導体装置の断面図、第３図は従来の半導
体装置の問題点を示す説明図である。 ２０・・・半導体ベレット、２ノ・・・フレーム、２２
°°・半田層、２３・・・第１エンキャップ層、２４・
・・第２エンキャップ層、２５・・・樹脂封止体、２６
・・・コイニング溝、υ・・・半導体装置。
２図は従来の半導体装置の断面図、第３図は従来の半導
体装置の問題点を示す説明図である。 ２０・・・半導体ベレット、２ノ・・・フレーム、２２
°°・半田層、２３・・・第１エンキャップ層、２４・
・・第２エンキャップ層、２５・・・樹脂封止体、２６
・・・コイニング溝、υ・・・半導体装置。
Claims (1)
- フレームの所定領域に装着された半導体ペレットと、該
半導体ペレットの側面領域を覆うようにして前記フレー
ム上に被着された第１エンキャツプ層と、前記半導体ペ
レットの側面領域及び主面領域を覆うようにして前記半
導体ペレット及び前記第１エンキャツプ層上に被着され
た第２エンキャツプ層とを具備することを特徴とする半
導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26998084A JPS61147536A (ja) | 1984-12-21 | 1984-12-21 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26998084A JPS61147536A (ja) | 1984-12-21 | 1984-12-21 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61147536A true JPS61147536A (ja) | 1986-07-05 |
Family
ID=17479894
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26998084A Pending JPS61147536A (ja) | 1984-12-21 | 1984-12-21 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61147536A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5169056A (en) * | 1992-02-21 | 1992-12-08 | Eastman Kodak Company | Connecting of semiconductor chips to circuit substrates |
-
1984
- 1984-12-21 JP JP26998084A patent/JPS61147536A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5169056A (en) * | 1992-02-21 | 1992-12-08 | Eastman Kodak Company | Connecting of semiconductor chips to circuit substrates |
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