JPS6025902B2 - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
- Publication number
- JPS6025902B2 JPS6025902B2 JP11770875A JP11770875A JPS6025902B2 JP S6025902 B2 JPS6025902 B2 JP S6025902B2 JP 11770875 A JP11770875 A JP 11770875A JP 11770875 A JP11770875 A JP 11770875A JP S6025902 B2 JPS6025902 B2 JP S6025902B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- semiconductor substrate
- piq
- present
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、樹脂封止型半導体装置に関するものである。
従来、樹脂封止型半導体装置として、半導体素子が水分
によって特性劣化を生じないよう半導体素子表面を溌水
性樹脂等でおおい、さらに素子全体をェポキシ樹脂等の
絶縁性樹脂でおおう構造が知られている（例えば実公昭
４１一２２５９び号公報）。ところで、この種の樹脂封
止型半導体菱直においては、耐湿性は優れているが、特
に高温動作時の特性においてリーク不良等の問題があっ
た。この原因としては、チップコート剤として使用され
るシリコン系樹脂中の○又はＯＣ２日５（ェトキシ基）
が高温中で分解し活発に運動し、その際素子に加えられ
たバイアスによってこれらの○又はＯＣ２日５が、電極
間または配線間にバイパスを形成し、それによって電極
間又は配線間にリーク蚤流が発生するためと考えられる
。本発明者は、この高温でのりーク電流を防止するため
に、チップコートとして、例えばＲＴＶ等のＳｉ系樹脂
の他に、新たな材料を検討した所、近年開発されたＰＩ
Ｑ樹脂（ポリィミドィソィンドロキ ナ ゾ リ ン
ジ オ ン ： Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ −ｉｓｏｉ風ｒ
叫ｕＩＭｚｏｌｉｎｅｄｉｏｎｅ）が素子の保護膜とし
て、特に高温動作時におけるリーク電流に対して有利で
あることがわかった。
によって特性劣化を生じないよう半導体素子表面を溌水
性樹脂等でおおい、さらに素子全体をェポキシ樹脂等の
絶縁性樹脂でおおう構造が知られている（例えば実公昭
４１一２２５９び号公報）。ところで、この種の樹脂封
止型半導体菱直においては、耐湿性は優れているが、特
に高温動作時の特性においてリーク不良等の問題があっ
た。この原因としては、チップコート剤として使用され
るシリコン系樹脂中の○又はＯＣ２日５（ェトキシ基）
が高温中で分解し活発に運動し、その際素子に加えられ
たバイアスによってこれらの○又はＯＣ２日５が、電極
間または配線間にバイパスを形成し、それによって電極
間又は配線間にリーク蚤流が発生するためと考えられる
。本発明者は、この高温でのりーク電流を防止するため
に、チップコートとして、例えばＲＴＶ等のＳｉ系樹脂
の他に、新たな材料を検討した所、近年開発されたＰＩ
Ｑ樹脂（ポリィミドィソィンドロキ ナ ゾ リ ン
ジ オ ン ： Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ −ｉｓｏｉ風ｒ
叫ｕＩＭｚｏｌｉｎｅｄｉｏｎｅ）が素子の保護膜とし
て、特に高温動作時におけるリーク電流に対して有利で
あることがわかった。
そこで、まず、このＰＩＱ樹脂を、チップコートとして
使用することを本離発明者は考えた。ところが、このＰ
ＩＱ樹脂は半導体素子、特に、素子上の絶縁膜との接着
性が、封止用の樹脂との接着性よりも悪いため、チップ
コート材として、ＰＩＱ樹脂のみを使用した場合ＰＩＱ
樹脂と素子間にｒ剥離」を生じ、その間隙から水分が素
子表面にまで侵透し、半導体素子の耐湿性をそこねる欠
点があった。本発明者は、上許ＰＩＱ樹脂が高温動作時
、有利である、という利点を生かして、それを半導体素
子の封止技術に応用する方法を考えた。
使用することを本離発明者は考えた。ところが、このＰ
ＩＱ樹脂は半導体素子、特に、素子上の絶縁膜との接着
性が、封止用の樹脂との接着性よりも悪いため、チップ
コート材として、ＰＩＱ樹脂のみを使用した場合ＰＩＱ
樹脂と素子間にｒ剥離」を生じ、その間隙から水分が素
子表面にまで侵透し、半導体素子の耐湿性をそこねる欠
点があった。本発明者は、上許ＰＩＱ樹脂が高温動作時
、有利である、という利点を生かして、それを半導体素
子の封止技術に応用する方法を考えた。
従って、本発明の目的は、高温動作時の特性が向上し、
かつ耐湿性も劣化しない樹脂封止型半導体装置を提供す
ることである。以下に本発明の具体的な構造を示す。
かつ耐湿性も劣化しない樹脂封止型半導体装置を提供す
ることである。以下に本発明の具体的な構造を示す。
まず第１図に示すように、複数の素子領域２，３，４，
５が形成された半導体基体１の主表面上に、これら複数
の素子領域と電気的に接続するように形成された電極部
材の一部、すなわちボンディングパッド部８を残すよう
に、素子領域上にＰＩＱ樹脂７を塗布する。さらに、こ
のＰＩＱ樹脂７をおおし、かつ、上記ボンディングパッ
ド部も含む半導体基体１の一主表面全体にわたってシリ
コーン系樹脂の如きアンダーコート材９を形成する。こ
のようにして得られた半導体基体１は、タブリード１１
上に固着されるが、このタブリード１１の一部、外部取
出し用リード１２の一部及び、半導体基体１，Ｓｉ系の
アンダ−コート材９、アルミニウムのリード線１０をお
おつて、更に他の封止用樹脂１３で封止され、半導体装
置として完成される。次に本願発明の封止方法を、第１
図を基に、第２図ａ〜ｈｌこ従い述べる。まず、第１図
及び第２図ａ〜ｃに示すように、半導体基板１中に、周
知の技術により素子領域２，３，４，を複数個形成し、
該素子領域２，３，４上にアルミニウム電極６及びアル
ミニウム配線１４を形成する。さらに、同図ｄ，ｅに示
すように、素子領域上相当部分、いいかえれば、ボンデ
ィングパッド部８以外の場所に、ＰＩＱ樹脂７を約４山
程度塗布形成し、ボンディングパッド部８のＰＩＱ樹脂
７を選択的にエッチング処理して取にのぞく。そして、
ＰＩＱ樹脂７が塗布された半導体基板１を岡図ｆ，ｇに
示すように、タブリード１１へべレット付けを行ない、
そのあと、半導体基板１のボンディングパッド部８と、
外部取出し用リード１２とを、アルミニウム線１０で、
ワイヤボンディングにより接続する。そして、半導体基
板１の一主面上全面を、シリコーン系樹脂のアンダーコ
ート材９でチップコートする。そのあと、第２図ｈに示
したように、ェポキシ系の封止用樹脂により、半導体基
板１及びＳｉ系のチップコート材９、タブリード１１の
一部、外都取出し用リード１２の一部及び、アルミニウ
ム線１０を、完全に封止する。本願発明は、上記したも
のに限定されるものではなく、以下に示すような他の実
施例でも目的の達成は可能である。
５が形成された半導体基体１の主表面上に、これら複数
の素子領域と電気的に接続するように形成された電極部
材の一部、すなわちボンディングパッド部８を残すよう
に、素子領域上にＰＩＱ樹脂７を塗布する。さらに、こ
のＰＩＱ樹脂７をおおし、かつ、上記ボンディングパッ
ド部も含む半導体基体１の一主表面全体にわたってシリ
コーン系樹脂の如きアンダーコート材９を形成する。こ
のようにして得られた半導体基体１は、タブリード１１
上に固着されるが、このタブリード１１の一部、外部取
出し用リード１２の一部及び、半導体基体１，Ｓｉ系の
アンダ−コート材９、アルミニウムのリード線１０をお
おつて、更に他の封止用樹脂１３で封止され、半導体装
置として完成される。次に本願発明の封止方法を、第１
図を基に、第２図ａ〜ｈｌこ従い述べる。まず、第１図
及び第２図ａ〜ｃに示すように、半導体基板１中に、周
知の技術により素子領域２，３，４，を複数個形成し、
該素子領域２，３，４上にアルミニウム電極６及びアル
ミニウム配線１４を形成する。さらに、同図ｄ，ｅに示
すように、素子領域上相当部分、いいかえれば、ボンデ
ィングパッド部８以外の場所に、ＰＩＱ樹脂７を約４山
程度塗布形成し、ボンディングパッド部８のＰＩＱ樹脂
７を選択的にエッチング処理して取にのぞく。そして、
ＰＩＱ樹脂７が塗布された半導体基板１を岡図ｆ，ｇに
示すように、タブリード１１へべレット付けを行ない、
そのあと、半導体基板１のボンディングパッド部８と、
外部取出し用リード１２とを、アルミニウム線１０で、
ワイヤボンディングにより接続する。そして、半導体基
板１の一主面上全面を、シリコーン系樹脂のアンダーコ
ート材９でチップコートする。そのあと、第２図ｈに示
したように、ェポキシ系の封止用樹脂により、半導体基
板１及びＳｉ系のチップコート材９、タブリード１１の
一部、外都取出し用リード１２の一部及び、アルミニウ
ム線１０を、完全に封止する。本願発明は、上記したも
のに限定されるものではなく、以下に示すような他の実
施例でも目的の達成は可能である。
まず、第３図に示すように、素子領域２１，２２，２３
が形成された半導体基板２４の一主面上全体に、ボンデ
ィングパッド部３３もおおつて、ＰＩＱ樹脂２７を塗布
形成する。この形成されたＰＩＱ樹脂２７上全面及び半
導体基板２４の側面をおおし、、タブリード２８の一部
上をおおうように、シリコーン系樹脂２０を塗布形成す
る。そのあと、この半導体基板２４、ＰＩＱ樹脂２７、
Ｓｊ系アンダーコート材２０、タブリード２８の一部及
び、外部取出し用リード２９の一部をシリコーン系及び
ェポキシ系の封止用樹脂３２で完全に封止する。上述し
てきたように、本願発明は、樹脂封止型半導体装置に関
するもので、本発明は単体、集積回路を問わず、半導体
装置全般に広く応用される。
が形成された半導体基板２４の一主面上全体に、ボンデ
ィングパッド部３３もおおつて、ＰＩＱ樹脂２７を塗布
形成する。この形成されたＰＩＱ樹脂２７上全面及び半
導体基板２４の側面をおおし、、タブリード２８の一部
上をおおうように、シリコーン系樹脂２０を塗布形成す
る。そのあと、この半導体基板２４、ＰＩＱ樹脂２７、
Ｓｊ系アンダーコート材２０、タブリード２８の一部及
び、外部取出し用リード２９の一部をシリコーン系及び
ェポキシ系の封止用樹脂３２で完全に封止する。上述し
てきたように、本願発明は、樹脂封止型半導体装置に関
するもので、本発明は単体、集積回路を問わず、半導体
装置全般に広く応用される。
尚、本願明細書中、実施例に記載した、第１図はバィポ
ーラ型集積回路装置を、第２図はバィポーラ型トランジ
スタを対象とした。さらにい本願発明の他の応用例とし
て、又、シリコーン系樹脂のコート材は、ＰＩＱ樹脂上
全体におおわなくても、第４図ａに示すように、ＰＩＱ
樹脂４９の間端部を取り囲むように、シリコーン系樹脂
コート材５０を形成してもよい。第４図ｂに、その破断
面を示す。シリコーン系樹脂のコート材５０が、ＰＩＱ
樹脂４９の周端をおおつて、半導体基板４０上に延びて
いるのがわかる。次に、本発明によれば、目的が達成で
きる理由は、以下に示すことからである。
ーラ型集積回路装置を、第２図はバィポーラ型トランジ
スタを対象とした。さらにい本願発明の他の応用例とし
て、又、シリコーン系樹脂のコート材は、ＰＩＱ樹脂上
全体におおわなくても、第４図ａに示すように、ＰＩＱ
樹脂４９の間端部を取り囲むように、シリコーン系樹脂
コート材５０を形成してもよい。第４図ｂに、その破断
面を示す。シリコーン系樹脂のコート材５０が、ＰＩＱ
樹脂４９の周端をおおつて、半導体基板４０上に延びて
いるのがわかる。次に、本発明によれば、目的が達成で
きる理由は、以下に示すことからである。
少なくとも、素子領域上は、熱的に安定なＰＩＱ樹脂で
おおわれているため、高温動作時ＰＩＱ樹脂中の分子の
影響によって電極間、配線間で、リーク電流が発生する
ことはない。
おおわれているため、高温動作時ＰＩＱ樹脂中の分子の
影響によって電極間、配線間で、リーク電流が発生する
ことはない。
さらに、このＰＩＱ樹脂上から、半導体基板にかけて、
半導体基板との接着性が良いシリコーン系樹脂のコート
材で、ＰＩＱ樹脂とおおつてアンダーコートとしている
ため、ＰＩＱ樹脂と半導体基板との接着性が良くなくて
も半導体基板表面への水分の侵透は防げる。従って、従
来よりも耐湿樺が劣化することはない。
半導体基板との接着性が良いシリコーン系樹脂のコート
材で、ＰＩＱ樹脂とおおつてアンダーコートとしている
ため、ＰＩＱ樹脂と半導体基板との接着性が良くなくて
も半導体基板表面への水分の侵透は防げる。従って、従
来よりも耐湿樺が劣化することはない。
第１図は、本発明をバィポーラ型集積回路装置に実施し
た場合を示す。 第２図ａ〜ｈは、第１図の構造のものを本発明の製造方
法に従って製造する工程を示したものである。第３図は
、本発明をバィポーラトランジスタに応用した場合を示
す。第４図ａ，ｂは、本発明の他の実施例を示す。１，
２４，４０・・・・・・半導体基板、２，３，４，２１
，２２，２３，４１．４２，４３・・・・・・半導体素
子領域、５，２５，４４・・・・・・絶縁膜、１４，２
６，４８…・・・アルミニウム配線、７，２７，４９・
・・・・・ＰＩＱ樹脂、９，２０，５０・・・・・・シ
リコーン系樹脂コート材、８，３３，４７……ボンディ
ングパッド部、１３，３２，５２・・・・・・封止用樹
脂、１０，３１，５１……アルミニウムリード線。 桁乙図図 蛤 図 り 湊 舟へ図
た場合を示す。 第２図ａ〜ｈは、第１図の構造のものを本発明の製造方
法に従って製造する工程を示したものである。第３図は
、本発明をバィポーラトランジスタに応用した場合を示
す。第４図ａ，ｂは、本発明の他の実施例を示す。１，
２４，４０・・・・・・半導体基板、２，３，４，２１
，２２，２３，４１．４２，４３・・・・・・半導体素
子領域、５，２５，４４・・・・・・絶縁膜、１４，２
６，４８…・・・アルミニウム配線、７，２７，４９・
・・・・・ＰＩＱ樹脂、９，２０，５０・・・・・・シ
リコーン系樹脂コート材、８，３３，４７……ボンディ
ングパッド部、１３，３２，５２・・・・・・封止用樹
脂、１０，３１，５１……アルミニウムリード線。 桁乙図図 蛤 図 り 湊 舟へ図
Claims (1)
- １ 少なくとも１つの素子領域を有する半導体基板、上
記素子領域上をおおうように形成されたポリイミドイソ
インドロキナゾリンジオンより成る第１被覆層、該第１
被覆層をおおうように形成されたシリコーン系樹脂より
成る第２被覆層および該第１被覆層と第２被覆層とを含
む半導体基板全体をおおうように形成された樹脂封止体
とから成ることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11770875A JPS6025902B2 (ja) | 1975-10-01 | 1975-10-01 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11770875A JPS6025902B2 (ja) | 1975-10-01 | 1975-10-01 | 樹脂封止型半導体装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59083702A Division JPS6034256B2 (ja) | 1984-04-27 | 1984-04-27 | 樹脂封止型半導体装置の製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5243367A JPS5243367A (en) | 1977-04-05 |
| JPS6025902B2 true JPS6025902B2 (ja) | 1985-06-20 |
Family
ID=14718331
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11770875A Expired JPS6025902B2 (ja) | 1975-10-01 | 1975-10-01 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6025902B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5693574A (en) * | 1979-12-27 | 1981-07-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Thermal head |
| JPS6034256B2 (ja) * | 1984-04-27 | 1985-08-07 | 株式会社日立製作所 | 樹脂封止型半導体装置の製法 |
| TWI475594B (zh) | 2008-05-19 | 2015-03-01 | Entegris Inc | 靜電夾頭 |
-
1975
- 1975-10-01 JP JP11770875A patent/JPS6025902B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5243367A (en) | 1977-04-05 |
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