JPH01183126A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH01183126A JPH01183126A JP875788A JP875788A JPH01183126A JP H01183126 A JPH01183126 A JP H01183126A JP 875788 A JP875788 A JP 875788A JP 875788 A JP875788 A JP 875788A JP H01183126 A JPH01183126 A JP H01183126A
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- JP
- Japan
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- atoms
- passivation film
- passivation
- aluminum
- moisture resistance
- Prior art date
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- Pending
Links
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Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特に半導体素子のパッシベ
ーションの構造に関する。
ーションの構造に関する。
従来、この種の半導体素子は第３図に１例を示す様にア
ルミ配線部（３）及び絶縁膜（２）の上部を酸化シリコ
ン等のパッシベーション膜（５）カ覆つ構造トなってい
る。
ルミ配線部（３）及び絶縁膜（２）の上部を酸化シリコ
ン等のパッシベーション膜（５）カ覆つ構造トなってい
る。
上述した従来の半導体素子のパッシベーション構造では
、耐湿性に関し完全ではなく、今日量も一般的である樹
脂封止型のパッケージに組み込んだ時には封止樹脂を透
過した水分子は半導体素子最上部のパッシベーション表
面に達し、さらにこのうちの何割かは内部の金属配線ま
で侵入し、この配線金属と反応し金属腐蝕を生じさせる
という欠点がある。
、耐湿性に関し完全ではなく、今日量も一般的である樹
脂封止型のパッケージに組み込んだ時には封止樹脂を透
過した水分子は半導体素子最上部のパッシベーション表
面に達し、さらにこのうちの何割かは内部の金属配線ま
で侵入し、この配線金属と反応し金属腐蝕を生じさせる
という欠点がある。
本発明の半導体素子のパッシベーションは、素子内部の
電極配線金属と同種の原子を含む領域をパッシベーショ
ン表面下に有している。
電極配線金属と同種の原子を含む領域をパッシベーショ
ン表面下に有している。
次に、本発明について図面を参照して説明する′。
第１図は本発明の一実施例の縦断面図である。アルミ配
線部（３）及び絶縁膜（２）の上部に酸化シリコン、窒
化シリコン等から成るパッシベーション膜（４）が在る
が、パッシベーション膜の表面直下数１００人はアルミ
原子を含んだ組成になっている。
線部（３）及び絶縁膜（２）の上部に酸化シリコン、窒
化シリコン等から成るパッシベーション膜（４）が在る
が、パッシベーション膜の表面直下数１００人はアルミ
原子を含んだ組成になっている。
ところで製造法の一例としては通常のパッシベーション
膜形成後に、数ＩＫｅＶ程度の低エネルギーでのアルミ
原子のイオン注入を行う等の方法がある。
膜形成後に、数ＩＫｅＶ程度の低エネルギーでのアルミ
原子のイオン注入を行う等の方法がある。
第２図は本発明の実施例２の断面図である。第１の実施
例の構造上部に、更に第２のパッシベーション（６）カ
アリ、第２のパッシベーション表面側にもアルミ原子を
含んだ領域がある。この実施例では水分子と反応する領
域が２ケ所となる為、より高い耐湿性を有するという利
点がある。
例の構造上部に、更に第２のパッシベーション（６）カ
アリ、第２のパッシベーション表面側にもアルミ原子を
含んだ領域がある。この実施例では水分子と反応する領
域が２ケ所となる為、より高い耐湿性を有するという利
点がある。
以上説明したように本発明は、パッシベーション膜の内
部の表面にごく近い領域が、配線金属と同種の原子を含
む犠牲層となる領域となっているために、封止樹脂中を
透過してきた水分子は、前記領域の原子により捕獲され
反応するために、半導体素子内部の配線金属とは反応で
きなくなり、つまり金属腐蝕が発生しなくなり、より高
い耐湿性を得られるという効果がある。
部の表面にごく近い領域が、配線金属と同種の原子を含
む犠牲層となる領域となっているために、封止樹脂中を
透過してきた水分子は、前記領域の原子により捕獲され
反応するために、半導体素子内部の配線金属とは反応で
きなくなり、つまり金属腐蝕が発生しなくなり、より高
い耐湿性を得られるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の半導体素子の縦断面図、第２図は第２
の実施例の従断面図、第３図は従来の半導体素子の縦断
面図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・絶縁膜、３
・・・・・・アルミ配線ｉ、４・・・・・・パッシベー
ション膜、訃・・・・・アルミ原子、６・・・・・・第
２のパッシベーション膜。 代理人 弁理士 内 原 音
の実施例の従断面図、第３図は従来の半導体素子の縦断
面図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・絶縁膜、３
・・・・・・アルミ配線ｉ、４・・・・・・パッシベー
ション膜、訃・・・・・アルミ原子、６・・・・・・第
２のパッシベーション膜。 代理人 弁理士 内 原 音
Claims (1)
- 半導体素子のパッシベーション膜の表面の内側が前記
半導体素子内部の配線金属と同種の原子を含む領域であ
る事を特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP875788A JPH01183126A (ja) | 1988-01-18 | 1988-01-18 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP875788A JPH01183126A (ja) | 1988-01-18 | 1988-01-18 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01183126A true JPH01183126A (ja) | 1989-07-20 |
Family
ID=11701800
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP875788A Pending JPH01183126A (ja) | 1988-01-18 | 1988-01-18 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01183126A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0453232A (ja) * | 1990-06-20 | 1992-02-20 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1988
- 1988-01-18 JP JP875788A patent/JPH01183126A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0453232A (ja) * | 1990-06-20 | 1992-02-20 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
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