JPS5842246A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS5842246A
JPS5842246A JP56140762A JP14076281A JPS5842246A JP S5842246 A JPS5842246 A JP S5842246A JP 56140762 A JP56140762 A JP 56140762A JP 14076281 A JP14076281 A JP 14076281A JP S5842246 A JPS5842246 A JP S5842246A
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JP
Japan
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resin
lead
outside
semiconductor device
hole
Prior art date
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JP56140762A
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English (en)
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Masaru Katagiri
優 片桐
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明状樹脂封止ＳｔＯ半導体装置に係シ、４１にそ
Ｏリードの構造に関する。
一般に１第１図に示すような樹脂封止層の半導体装置ｒ
、　ｌ　’）は、半導体素子（１ｃ？、７０　）を第２
１１（ａ）に示すようなり−ｒ７Ｌ／−ム１１の素子固
着部（ｂ＠ｄ）ＪｊＫ固着した後、素子内部端子（Ｐａ
ｄ　）とインナーリード１１．１１・・・間を金（ム１
１）、Ａ！（アルミニウム）等の一ンディングワイヤで
接続した後、第２図伽）に示すように合成樹脂例えば工
ｌキシン樹９１４によって封止し、アラターリ−ｒ１６
，１５・・・を切断成形（リードツォーンング）して作
られる。
ところで、従来、このようＫして作られ九半導体装置の
一つの欠点として耐湿性の問題がありた。その要因の一
つとして、第３図−）Ｋ示すようにインナーリード１３
及ヒ＆ンデイングワイヤ１６のエポキシ樹脂１４との境
界部分に沿りた侵入経路１１を通〕外部から水分が侵入
し、これによシ内郁素子１１の配線が腐食する仁とが考
えられる。
仁のような侵入経路ＪＦＫ沿った外部からの水分の侵入
に対して杜、インナーリーＰ　Ｉ　Ｊ　０ＩＩＷｓ　　
＃　Ｗｔ　Ｂ狭く、（第３図（ｂ））厚１１ｔは薄＜、
Ｚンディングワイヤ１６の径は小さくしてエポキシ樹脂
１４との接触領域を少なくシ、さらに侵入経路１１の長
さｔａ長ｉ方がよいことは言うまでもない。
しかしながら、−ンディングワイヤ１６の径は電流容量
及びモールド形成時のワイヤ流れ等からして現状（２０
〜３ｏμφ）よシ精度及びリード強度との兼合いで小さ
くすることは困難である。
この発明は上記実情に鑑みてなされたもので、その目的
は、リード強度を損うことなく、外部からの水分侵入を
効果的に防止し得る半導体装置を提供することに６る。
以下、図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。
第４図（、）はリードフレーム２１の平面図、第４図伽
）はこのリードフレーム２１の素子固着部２２に半導体
素子（図示せず）を固着し、さらにがンディングを行っ
た後、例えばエポキシ樹脂ｊＪＫよシ封止した状態を示
す平面図である。このリードフレーム２１において、ア
ウターリード２４部近傍のインナーリード２５部には矩
形状の孔２６が形成されておシ、従来形状に比べて孔の
分だけ実質的にはり−Ｐ＠Ｗｍが狭くなっている。この
リードフレームｔｉＯ孔２ξは、樹脂封止後、第５図に
一部を拡大して示すようにその一辺が工４キシ樹脂２１
外に位置するよう罠なっている。
従って、このようなリードフレーム２１によシ成形され
た半導体装置では、リードの取出部において、インナー
リード２５と工４キシ樹脂２Ｊとの接触領域が従来に比
べて少なくなシ、水分の侵入防止効果が向上する。ｉえ
、孔２＃の大部分はエポキシ樹脂ｊＪＫより固定されて
いるため、リード強度を損うこともなく、リードの引き
抜けに対しても有効である。
第６図及び第７図はそれぞれ他の実施例を示すものであ
る。第６図においては、インナーリード２１に幅広部２
１ｍを設ゆると共に１これに対応した広がシを有する孔
１１を形成し丸もので、第５図の実施例に比べてリード
の引き抜は強度が向上する。
また、第７図においては、インナーリード２５部孔２６
を形成すると共にインナーリード２５の一部を折−形成
したもので、第５図の１！施例に比べて、侵入経路長が
長くなシ、さらに水分の侵入防止効果が向上する。
崗、上記実施例においては、インナーリード２５の孔ｊ
　６　ｅ　ｊ　Ｆの形状を矩形とし、その−辺が樹脂封
止後、ニーキシ樹Ｈｘｚ外に位置するようＫしたが、そ
の−辺が工ｌキシ樹脂２３の側面部に一致するようにし
てもよい。ま九、孔の形状は矩形に限定するものではな
く、例えば円形、慌円形等にして、その一端が樹脂外に
位置し、あるいは樹脂側面部と一致するような構成とし
てもよい。
以上のようにこの発明によれば、インナーリードに対し
、樹脂封止後、その−辺あるい紘一端が樹脂外に位置し
、あるい紘樹脂側面に一致するような孔を形成するよう
にしたので、リード取シ出し部における樹脂とインナー
リードとの接触面積が従来に比べて減少し、リード強度
を損うことなく、外部からの水分の侵入を効果的に防止
できる０
【図面の簡単な説明】
第１図は樹脂封止屋半導体装置の側面図、第２図（ａ）
　（ｂ）は上記装置の製造工程を示す平面図、第３図（
ａ）　（＆１）は上記装置の一部を取シ出して示す図で
、（ａ）は断面図、伽）は平面図、第４図（ａ）伽）拡
この発明の一実施例に係る樹脂封止部半導体装置の製造
１鵬を示す平面に係る平面図である。 ２１・・・リード）レーム、２Ｓ・・・工ｌキシ樹脂、
Ｊ　Ｊ−・・インナーリード、２　ｇ　−・・孔。　。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 樹脂封止ｇｏ半導体装置Ｋ＞いて、その−辺あるいは一
    端が樹脂外に位置し、あるいは樹脂側面に一致するよう
    な孔が形成されたインナーリードを具備し九辷とを特徴
    とする半導体装置中
JP56140762A 1981-09-07 1981-09-07 半導体装置 Pending JPS5842246A (ja)

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