JPS6367751A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS6367751A JPS6367751A JP61213120A JP21312086A JPS6367751A JP S6367751 A JPS6367751 A JP S6367751A JP 61213120 A JP61213120 A JP 61213120A JP 21312086 A JP21312086 A JP 21312086A JP S6367751 A JPS6367751 A JP S6367751A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- bonding pad
- silicon dioxide
- psg
- phosphorus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/921—Structures or relative sizes of bond pads
- H10W72/923—Bond pads having multiple stacked layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/951—Materials of bond pads
- H10W72/952—Materials of bond pads comprising metals or metalloids, e.g. PbSn, Ag or Cu
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/981—Auxiliary members, e.g. spacers
- H10W72/983—Reinforcing structures, e.g. collars
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に係り、特に半導体素子上のボンデ
ィングパッドの構造に関するものである。
ィングパッドの構造に関するものである。
従来、この種の牛導体ｆ装置け、そのボンディングパッ
ド部分の断面および平面図をそれぞれ第３図、第４図に
示すように、回路素子が組み込まれたシリコン基板１の
上にフィールド酸化膜（ＳｉＯ□）２およびリンを含有
する二酸化硅素膜（以下、ＰＳＧ膜と称す）３を順次形
成したうえ、このＰＳＧ膜３上に蒸着などによυアルミ
ニウム（以下、Ａｔと記す〕膜６を形成する。そして、
これをパターニングした後、絶縁保護膜７を被着してそ
のＡ ｔ 膜６上のボンディング部のみを開孔さぜるこ
とによ）、この開孔されたＡｔ膜６をボンディングパッ
ドとして金（Ａｕ）などのリード線（図示せず）にてボ
ンディングするものとなっている。なお、同図中、７Ｉ
Ｌは絶縁保護膜７に設けられた開孔部である。
ド部分の断面および平面図をそれぞれ第３図、第４図に
示すように、回路素子が組み込まれたシリコン基板１の
上にフィールド酸化膜（ＳｉＯ□）２およびリンを含有
する二酸化硅素膜（以下、ＰＳＧ膜と称す）３を順次形
成したうえ、このＰＳＧ膜３上に蒸着などによυアルミ
ニウム（以下、Ａｔと記す〕膜６を形成する。そして、
これをパターニングした後、絶縁保護膜７を被着してそ
のＡ ｔ 膜６上のボンディング部のみを開孔さぜるこ
とによ）、この開孔されたＡｔ膜６をボンディングパッ
ドとして金（Ａｕ）などのリード線（図示せず）にてボ
ンディングするものとなっている。なお、同図中、７Ｉ
Ｌは絶縁保護膜７に設けられた開孔部である。
しかし、従来の半導体装置は以上のような構造を有して
いるので、ＰＳＧ膜３中の不純物特にすンのＡｔ膜６中
への拡散が起こシ易く、このリンの影響による初期ボン
ディング性の低下、あるいは金−Ａｔ合金層の早期劣化
、侵入した水分とリンが反応することＫよ多発生するリ
ン酸がＡｔを腐食させる耐温性不良現象などを引き起こ
すという問題点があった。
いるので、ＰＳＧ膜３中の不純物特にすンのＡｔ膜６中
への拡散が起こシ易く、このリンの影響による初期ボン
ディング性の低下、あるいは金−Ａｔ合金層の早期劣化
、侵入した水分とリンが反応することＫよ多発生するリ
ン酸がＡｔを腐食させる耐温性不良現象などを引き起こ
すという問題点があった。
本発明は上記のような問題点を解消するためになされた
もので、その目的は、ボンディングパッドにＡｔを用い
る際にそのＡｔｉへのリンの拡散を抑制することによυ
、信頼性を向上させた半導体装置を提供することにある
。
もので、その目的は、ボンディングパッドにＡｔを用い
る際にそのＡｔｉへのリンの拡散を抑制することによυ
、信頼性を向上させた半導体装置を提供することにある
。
本発明に係る半導体装置は、シリコン基板上に形成され
たフィールド酸化膜の表面にリンを含有する二酸化硅素
膜を設置し、この二酸化硅素膜とボンディングパッドの
Ａｔ膜の中間に該Ａｔ膜と同等の外周を有しかつ能動域
のゲート部と同時に形成されたポリシリコン膜およびモ
リブデンシリサイド膜を設け、そのボンディングパッド
部の周囲に対応する前記二酸化硅素膜をエツチングによ
シ除去したうえ、前記Ａｔ膜の周囲部を絶縁保護膜にて
被覆させて該Ａｔ膜と前記二酸化硅素膜を分離するよう
にしたものである。
たフィールド酸化膜の表面にリンを含有する二酸化硅素
膜を設置し、この二酸化硅素膜とボンディングパッドの
Ａｔ膜の中間に該Ａｔ膜と同等の外周を有しかつ能動域
のゲート部と同時に形成されたポリシリコン膜およびモ
リブデンシリサイド膜を設け、そのボンディングパッド
部の周囲に対応する前記二酸化硅素膜をエツチングによ
シ除去したうえ、前記Ａｔ膜の周囲部を絶縁保護膜にて
被覆させて該Ａｔ膜と前記二酸化硅素膜を分離するよう
にしたものである。
本発明においては、リンを含有する二酸化硅素膜つまＦ
）ＰＳＧ膜とボンディングパッドのＡｔ膜の中間に、ポ
リシリコン膜およびモリブデンシリサイド膜をバリアメ
タルとして設け、このボンディングパッド部の局面に対
応するＰＳＧ膜を除去することによシ、前記Ａｔ膜とＰ
ＳＧ膜が接触することはなくな夛、ＰＳＧ膜中のリンの
ＡｔＭへの拡散を防ぐことができる。
）ＰＳＧ膜とボンディングパッドのＡｔ膜の中間に、ポ
リシリコン膜およびモリブデンシリサイド膜をバリアメ
タルとして設け、このボンディングパッド部の局面に対
応するＰＳＧ膜を除去することによシ、前記Ａｔ膜とＰ
ＳＧ膜が接触することはなくな夛、ＰＳＧ膜中のリンの
ＡｔＭへの拡散を防ぐことができる。
以下、本発明を図面に示す実施例に基づいて詳細に説明
する。
する。
第１図は本発明の一笑施例による半導体装置のボンディ
ングパッド部分の概略断面図で、第２図はその平面図で
ある。この実施例では、シリコン基板１上に形成された
フィールド酸化膜２の表面にＰＳＧＳ２Ｏ２成したうえ
、とのＰＳＧＳ２Ｏ２に、トランジスタ素子っま）能動
域のゲート部と同時にボンディングパッド部に対応して
ポリシリコン膜４．モリブデンシリサイド膜５を形成す
る。そして、このモリブデンシリサイド膜５上にＡｔ膜
６を被着し、この人を膜６を所定の形状にパターニング
してそのボンディングパッド部の外周部およびそれに対
応するＰＳＧＳ２Ｏ２分をエツチングによシ除去して該
ＰＳＧ膜３に開孔部３ａ を形成する。しかる後、その
上に絶縁保護膜７を被着して、この膜７のボンディング
パッドとなる部分を開孔させることによシ、第１図に示
すように、Ａｔ膜６の周囲部を絶縁保護膜７にて被覆せ
しめて該Ａｔ膜６とＰＳＧＳ２Ｏ２分離するようにした
ものである。なお、図中、同一符号は同一または相当部
分を示している。
ングパッド部分の概略断面図で、第２図はその平面図で
ある。この実施例では、シリコン基板１上に形成された
フィールド酸化膜２の表面にＰＳＧＳ２Ｏ２成したうえ
、とのＰＳＧＳ２Ｏ２に、トランジスタ素子っま）能動
域のゲート部と同時にボンディングパッド部に対応して
ポリシリコン膜４．モリブデンシリサイド膜５を形成す
る。そして、このモリブデンシリサイド膜５上にＡｔ膜
６を被着し、この人を膜６を所定の形状にパターニング
してそのボンディングパッド部の外周部およびそれに対
応するＰＳＧＳ２Ｏ２分をエツチングによシ除去して該
ＰＳＧ膜３に開孔部３ａ を形成する。しかる後、その
上に絶縁保護膜７を被着して、この膜７のボンディング
パッドとなる部分を開孔させることによシ、第１図に示
すように、Ａｔ膜６の周囲部を絶縁保護膜７にて被覆せ
しめて該Ａｔ膜６とＰＳＧＳ２Ｏ２分離するようにした
ものである。なお、図中、同一符号は同一または相当部
分を示している。
ｊ（７）！うに上記実施例によると、ＰＳＧＳ２Ｏ２ｔ
、’ＥＩ６の中間に、該Ａｔ膜６と同等の外周を有する
バリアメタルとしての機能を持つポリシリコン膜４およ
びモリブデンシリサイド膜５を能動域のゲート部と同時
に形成し、さらにボンディングパッド部の外周のＰＳＧ
Ｕ３をエツチングにより除去することによ’） 、ＡＬ
Ｈ６とＰＳＧＳ２Ｏ２触することはなくなる。これよよ
って、ＰｓＧ膜３中のリンのＡＬＭＳ中への拡散が、＝
くｉシ、そのリンの影響による初期ボンディング性の低
下を防止できるとともに、膜の界面よ）侵入した水分と
ＰＳＧ膜３中のリンとの反応を防止することができる。
、’ＥＩ６の中間に、該Ａｔ膜６と同等の外周を有する
バリアメタルとしての機能を持つポリシリコン膜４およ
びモリブデンシリサイド膜５を能動域のゲート部と同時
に形成し、さらにボンディングパッド部の外周のＰＳＧ
Ｕ３をエツチングにより除去することによ’） 、ＡＬ
Ｈ６とＰＳＧＳ２Ｏ２触することはなくなる。これよよ
って、ＰｓＧ膜３中のリンのＡＬＭＳ中への拡散が、＝
くｉシ、そのリンの影響による初期ボンディング性の低
下を防止できるとともに、膜の界面よ）侵入した水分と
ＰＳＧ膜３中のリンとの反応を防止することができる。
さらに１ボンディング部の金−Ａｔ金属間化合物層の劣
化現象を促進するリンの拡散を防ぐことができるなど、
長期的信頼性の向上がはがれる利点を奏する。
化現象を促進するリンの拡散を防ぐことができるなど、
長期的信頼性の向上がはがれる利点を奏する。
以上のように本発明によれば、ボンディングパッドの構
造を、ＰＳＧＵとＡｔ膜の中間にポリシリコン膜および
モリブデンシリサイド膜を設けて、その人を膜とＰＳＧ
膜が接触しないように構成したので、ボンディング性の
同上が計れるとともに、金−Ａｔ接合部の早期劣化を防
ぐことができ、これによって、半導体素子の長期信頼性
を確保することが可能となる。
造を、ＰＳＧＵとＡｔ膜の中間にポリシリコン膜および
モリブデンシリサイド膜を設けて、その人を膜とＰＳＧ
膜が接触しないように構成したので、ボンディング性の
同上が計れるとともに、金−Ａｔ接合部の早期劣化を防
ぐことができ、これによって、半導体素子の長期信頼性
を確保することが可能となる。
第１図は本発明の一実施例による半導体装置のボンディ
ングパッド部を示す要部断面図、第２図は第１図の平面
図、第３図は従来の半導体装置のボンディングパッド部
の要部断面図、第４図は第３図の平面図である。 １・・・・シリコン基板、２・・・・フィールド酸化膜
、３・・・・ＰＳＧ膜、３１・・・・開孔部、４・・・
・ポリシリコン膜、５・・・・モリブデンシリサイド膜
、６・・・・アルミニウム（Ａｔ）膜、７・・・・絶縁
保護膜、７ａ ・・・・開孔部。
ングパッド部を示す要部断面図、第２図は第１図の平面
図、第３図は従来の半導体装置のボンディングパッド部
の要部断面図、第４図は第３図の平面図である。 １・・・・シリコン基板、２・・・・フィールド酸化膜
、３・・・・ＰＳＧ膜、３１・・・・開孔部、４・・・
・ポリシリコン膜、５・・・・モリブデンシリサイド膜
、６・・・・アルミニウム（Ａｔ）膜、７・・・・絶縁
保護膜、７ａ ・・・・開孔部。
Claims (1)
- アルミニウム膜をボンディングパッドとして用いる半導
体装置において、シリコン基板上に形成されたフィール
ド酸化膜の表面にリンを含有する二酸化硅素膜を設置し
、この二酸化硅素膜とボンディングパッドのアルミニウ
ム膜の中間に、該アルミニウム膜と同等の外周を有しか
つ能動域のゲート部と同時に形成されたポリシリコン膜
およびモリブデンシリサイド膜を設け、そのボンディン
グパッド部の周囲に対応する前記二酸化硅素膜をエッチ
ングにより除去したうえ、前記アルミニウム膜の周囲部
を絶縁保護膜にて被覆させて該アルミニウム膜と前記二
酸化硅素膜を分離するようにしたことを特徴とする半導
体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61213120A JPS6367751A (ja) | 1986-09-09 | 1986-09-09 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61213120A JPS6367751A (ja) | 1986-09-09 | 1986-09-09 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6367751A true JPS6367751A (ja) | 1988-03-26 |
Family
ID=16633907
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61213120A Pending JPS6367751A (ja) | 1986-09-09 | 1986-09-09 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6367751A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01239557A (ja) * | 1988-03-22 | 1989-09-25 | Toppan Printing Co Ltd | 集版読取り用平面型イメージスキャナ |
| KR100475734B1 (ko) * | 1997-10-14 | 2005-06-23 | 삼성전자주식회사 | 와이어본딩충격에대한완충특성을갖는반도체장치의패드및그제조방법 |
| WO2014119045A1 (ja) * | 2013-02-01 | 2014-08-07 | 株式会社村田製作所 | 半導体装置 |
-
1986
- 1986-09-09 JP JP61213120A patent/JPS6367751A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01239557A (ja) * | 1988-03-22 | 1989-09-25 | Toppan Printing Co Ltd | 集版読取り用平面型イメージスキャナ |
| KR100475734B1 (ko) * | 1997-10-14 | 2005-06-23 | 삼성전자주식회사 | 와이어본딩충격에대한완충특성을갖는반도체장치의패드및그제조방법 |
| WO2014119045A1 (ja) * | 2013-02-01 | 2014-08-07 | 株式会社村田製作所 | 半導体装置 |
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