JPS63174359A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPS63174359A JPS63174359A JP62004805A JP480587A JPS63174359A JP S63174359 A JPS63174359 A JP S63174359A JP 62004805 A JP62004805 A JP 62004805A JP 480587 A JP480587 A JP 480587A JP S63174359 A JPS63174359 A JP S63174359A
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Links
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- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 claims abstract description 12
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は固体撮像装置に関し、特に受光部以外の領域を
金属遮光膜で覆った固体撮像装置に関する。
金属遮光膜で覆った固体撮像装置に関する。
従来の固体撮像装置では、受光部以外の領域をアルミニ
ウム等の金属膜からなる遮光膜で覆い、これをオプティ
カルブラック部として構成している０例えば、第２図に
示す固体撮像装置は、Ｎ型基板１１にＰ型ウェル１２を
形成し、ここにＮ型不純物層１３を形成して受光部とし
てのフォトダイオードを形成している。このフォトダイ
オードに隣接する位置にはＭＯＳ Ｆ ＥＴを構成する
ゲート電極及び下層配線としてのポリシリコン層１４を
第１絶縁膜１５上に形成し、更にこのポリシリコン層１
４をＰＳＧ （リンガラス）等の第２絶縁膜１６で被覆
している。そして、このポリシリコン層１４を含む前記
受光部以外の領域では、前記第２絶縁膜１６上にアルミ
ニウム膜１８を形成し、これを遮光膜としてオプティカ
ルブラック部を構成している。
ウム等の金属膜からなる遮光膜で覆い、これをオプティ
カルブラック部として構成している０例えば、第２図に
示す固体撮像装置は、Ｎ型基板１１にＰ型ウェル１２を
形成し、ここにＮ型不純物層１３を形成して受光部とし
てのフォトダイオードを形成している。このフォトダイ
オードに隣接する位置にはＭＯＳ Ｆ ＥＴを構成する
ゲート電極及び下層配線としてのポリシリコン層１４を
第１絶縁膜１５上に形成し、更にこのポリシリコン層１
４をＰＳＧ （リンガラス）等の第２絶縁膜１６で被覆
している。そして、このポリシリコン層１４を含む前記
受光部以外の領域では、前記第２絶縁膜１６上にアルミ
ニウム膜１８を形成し、これを遮光膜としてオプティカ
ルブラック部を構成している。
なお、この種の固体撮像装置としては、例えば特開昭６
１−４９５６３号公報に記載のものがある。
１−４９５６３号公報に記載のものがある。
このような従来の固体撮像装置では、第２絶縁膜１６を
構成するＰＳＧｌｉは下地段差を強調した形状に形成さ
れ易いため、図示のようにポリシリコン層１４の両側位
置において断面形状がオーバハング状態とされる。この
ため、この第２．絶縁膜１６上に蒸着法或いはスパッタ
法等によりアルミニウム膜１８を被着させるとオーバハ
ング部においてアルミニウム膜１８の段切れが生じ、こ
の部分から光が洩れてオプティカルブラック部に侵入さ
れ、クランプエラーの発生等画質の劣化を招くという問
題が生じている。
構成するＰＳＧｌｉは下地段差を強調した形状に形成さ
れ易いため、図示のようにポリシリコン層１４の両側位
置において断面形状がオーバハング状態とされる。この
ため、この第２．絶縁膜１６上に蒸着法或いはスパッタ
法等によりアルミニウム膜１８を被着させるとオーバハ
ング部においてアルミニウム膜１８の段切れが生じ、こ
の部分から光が洩れてオプティカルブラック部に侵入さ
れ、クランプエラーの発生等画質の劣化を招くという問
題が生じている。
本発明の目的は、絶縁膜における段差を緩和して遮光膜
の段切れを防止し、画質の良好な固体撮像装置を提供す
ることにある。
の段切れを防止し、画質の良好な固体撮像装置を提供す
ることにある。
本発明の固体撮像装置は、絶縁膜上に樹脂等を塗布して
被膜を形成し、この被膜によって絶縁膜の段差を平坦化
し、この上に遮光膜を形成する構成としている。
被膜を形成し、この被膜によって絶縁膜の段差を平坦化
し、この上に遮光膜を形成する構成としている。
なお、塗布樹脂には好ましくはポリイミド樹脂を用いる
。
。
この固体撮像装置では、塗布した樹脂被膜が絶縁膜のオ
ーバハング部に充填されてこの部分の段差を緩和し、ア
ルミニウム等の遮光膜の段切れを防止してこの部分から
の光の洩れを防止でき、クランプエラー等を防いで画質
の向上を達成できる。
ーバハング部に充填されてこの部分の段差を緩和し、ア
ルミニウム等の遮光膜の段切れを防止してこの部分から
の光の洩れを防止でき、クランプエラー等を防いで画質
の向上を達成できる。
以下、本発明を図面に示す実施例により説明する。
第１図は本発明の一実施例の断面図である。図示のよう
にＮ型基板１にＰ型ウェル２を形成し、ここにＮ型不純
物層３を形成してフォトダイオードを構成し、受光部を
構成する。また、この基板１の全面にシリコン酸化膜等
で第１絶縁膜５を形成し、この上にフォトダイオード以
外の領域にＭＯＳＦＥＴのゲート電極及び下層配線とし
てのポリシリコン層４を所要パターンに形成する。更に
、このポリシリコン層４上には、ＰＳＧで第２絶縁膜６
を形成し、前記ポリシリコン４を被覆する。
にＮ型基板１にＰ型ウェル２を形成し、ここにＮ型不純
物層３を形成してフォトダイオードを構成し、受光部を
構成する。また、この基板１の全面にシリコン酸化膜等
で第１絶縁膜５を形成し、この上にフォトダイオード以
外の領域にＭＯＳＦＥＴのゲート電極及び下層配線とし
てのポリシリコン層４を所要パターンに形成する。更に
、このポリシリコン層４上には、ＰＳＧで第２絶縁膜６
を形成し、前記ポリシリコン４を被覆する。
なお、ボンディングバンドを構成するポリシリコン層４
の一部位置では第２絶縁膜６を除去しておく。
の一部位置では第２絶縁膜６を除去しておく。
そして、この第２絶縁膜６上の全面にはポリイミド樹脂
を塗布してポリイミド樹脂の被膜７を形成し、かつこの
ポリイミド樹脂被膜７は前記受光部及びポンディングパ
ッド部をエツチング除去させる。この結果、ポリイミド
樹脂被膜７は特に第２絶縁膜６のオーバハング部に充填
され、第２絶縁膜６の段差を緩和してこの部分を平坦化
する。
を塗布してポリイミド樹脂の被膜７を形成し、かつこの
ポリイミド樹脂被膜７は前記受光部及びポンディングパ
ッド部をエツチング除去させる。この結果、ポリイミド
樹脂被膜７は特に第２絶縁膜６のオーバハング部に充填
され、第２絶縁膜６の段差を緩和してこの部分を平坦化
する。
したがって、この上に蒸着法或いはスパッタ法゛等によ
りアルミニウム膜を被着し、かつこれを少なくとも受光
部の領域を選択エツチングすることにより、アルミニウ
ム遮光膜８を形成してオプティカルブラック部を画成す
る。なお、アルミニウム膜の一部はポンディングパッド
８ａとして構成されることになる。
りアルミニウム膜を被着し、かつこれを少なくとも受光
部の領域を選択エツチングすることにより、アルミニウ
ム遮光膜８を形成してオプティカルブラック部を画成す
る。なお、アルミニウム膜の一部はポンディングパッド
８ａとして構成されることになる。
この構成の固体撮像装置によれば、第２絶縁膜６上に塗
布したポリイミド樹脂被膜７によって第２絶縁膜６のオ
ーバハング部の段差が緩和されて平坦化されるのは前述
の通りであり、これによりこの部分におけるアルミニウ
ムの被着性を改善してアルミニウム遮光膜８の段切れが
防止でき、オプティカルブラック部における光の洩れが
確実に防止できる。したがって、クランプエラーの発生
を防止でき、画質の向上を図ることができる。
布したポリイミド樹脂被膜７によって第２絶縁膜６のオ
ーバハング部の段差が緩和されて平坦化されるのは前述
の通りであり、これによりこの部分におけるアルミニウ
ムの被着性を改善してアルミニウム遮光膜８の段切れが
防止でき、オプティカルブラック部における光の洩れが
確実に防止できる。したがって、クランプエラーの発生
を防止でき、画質の向上を図ることができる。
ここで、ポンディングパッドをアルミニウム遮光膜とは
別工程で製造する場合には、ポリイミド樹脂被膜７及び
アルミニウム膜８を順次積層形成した後にアルミニウム
膜８を先にパターン形成し、その後にこのアルミニウム
膜８をマスクにして自己整合法によりポリイミド樹脂被
膜７をエツチングする製造工程を採用してもよい。
別工程で製造する場合には、ポリイミド樹脂被膜７及び
アルミニウム膜８を順次積層形成した後にアルミニウム
膜８を先にパターン形成し、その後にこのアルミニウム
膜８をマスクにして自己整合法によりポリイミド樹脂被
膜７をエツチングする製造工程を採用してもよい。
なお、本発明は前記実施例に限られるものではなく、第
１．第２絶縁膜の材質、塗布樹脂膜の材質及び遮光膜の
材質等は種々に変更できることは言うまでもない。
１．第２絶縁膜の材質、塗布樹脂膜の材質及び遮光膜の
材質等は種々に変更できることは言うまでもない。
以上説明したように本発明の固体撮像装置は、絶縁膜上
にポリイミド樹脂等を塗布して被膜を形成し、この上に
遮光膜を被着形成した構成としているので、塗布した樹
脂が絶縁膜のオーバハング部に充填されてこの部分の段
差を緩和しかつこれを平坦化し、この上に被着したアル
ミニウム等の遮光膜の段切れを防止することができる。
にポリイミド樹脂等を塗布して被膜を形成し、この上に
遮光膜を被着形成した構成としているので、塗布した樹
脂が絶縁膜のオーバハング部に充填されてこの部分の段
差を緩和しかつこれを平坦化し、この上に被着したアル
ミニウム等の遮光膜の段切れを防止することができる。
これにより、オプティカルブラック部における光の洩れ
を確実に防止でき、クランプエラー等を防いで画質の向
上を達成できる。
を確実に防止でき、クランプエラー等を防いで画質の向
上を達成できる。
第１図は本発明の固体撮像装置の断面図、第２図は従来
構造の断面図である。 １・・・Ｎ型基板、２・・・Ｐ型ウェル、３・・・Ｎ型
不純物層、４・・・ポリシリコン層、５・・・第１絶縁
膜、６・・・ｖＪ２絶縁膜、７・・・塗布した樹脂被膜
、８・・・アルミニウム遮光膜、８ａ・・・ポンディン
グパッド、１１・・・Ｎ型基板、１２・・・Ｐ型ウェル
、１３・・・Ｎ型不純物層、１４・・・ポリシリコン層
、１５・・・第１絶縁膜、１・・・Ｎ型基板 ２・・・Ｐ型ウェル ３・・・Ｎ型不純物層 ４・・り一ノシリコン層 ５・・・第１絶縁膜 ６・・・第２絶縁膜 ７・・・樹脂被膜 ８・・・アルミニウム遮光膜
構造の断面図である。 １・・・Ｎ型基板、２・・・Ｐ型ウェル、３・・・Ｎ型
不純物層、４・・・ポリシリコン層、５・・・第１絶縁
膜、６・・・ｖＪ２絶縁膜、７・・・塗布した樹脂被膜
、８・・・アルミニウム遮光膜、８ａ・・・ポンディン
グパッド、１１・・・Ｎ型基板、１２・・・Ｐ型ウェル
、１３・・・Ｎ型不純物層、１４・・・ポリシリコン層
、１５・・・第１絶縁膜、１・・・Ｎ型基板 ２・・・Ｐ型ウェル ３・・・Ｎ型不純物層 ４・・り一ノシリコン層 ５・・・第１絶縁膜 ６・・・第２絶縁膜 ７・・・樹脂被膜 ８・・・アルミニウム遮光膜
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、フォトダイオード等で構成した受光部と、少なくと
も下層配線及びこれを覆う絶縁膜を有するオプティカル
ブラック部とを有し、かつこのオプティカルブラック部
の前記絶縁膜上には遮光膜を被着形成してなる固体撮像
装置において、前記絶縁膜上には樹脂等の被膜を塗布形
成し、この被膜上に前記遮光膜を被着形成したことを特
徴とする固体撮像装置。 ２、前記被膜を構成する樹脂膜はポリイミド樹脂膜であ
る特許請求の範囲第１項記載の固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62004805A JPS63174359A (ja) | 1987-01-14 | 1987-01-14 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62004805A JPS63174359A (ja) | 1987-01-14 | 1987-01-14 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63174359A true JPS63174359A (ja) | 1988-07-18 |
Family
ID=11593978
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62004805A Pending JPS63174359A (ja) | 1987-01-14 | 1987-01-14 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63174359A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03108761A (ja) * | 1989-09-22 | 1991-05-08 | Nec Corp | 固体撮像素子の製造方法 |
| US5448097A (en) * | 1992-02-20 | 1995-09-05 | Matsushita Electronics Corporation | Interlayer dielectric film, and semiconductor device and solid-state image pickup device using the same, and method of manufacturing the same |
| US5895944A (en) * | 1996-11-08 | 1999-04-20 | Nec Corporation | Charge coupled device image sensor and method of driving the same |
| JP2009272650A (ja) * | 2003-05-28 | 2009-11-19 | Canon Inc | 光電変換装置 |
| US7709918B2 (en) | 2003-05-28 | 2010-05-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof |
-
1987
- 1987-01-14 JP JP62004805A patent/JPS63174359A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03108761A (ja) * | 1989-09-22 | 1991-05-08 | Nec Corp | 固体撮像素子の製造方法 |
| US5448097A (en) * | 1992-02-20 | 1995-09-05 | Matsushita Electronics Corporation | Interlayer dielectric film, and semiconductor device and solid-state image pickup device using the same, and method of manufacturing the same |
| US5895944A (en) * | 1996-11-08 | 1999-04-20 | Nec Corporation | Charge coupled device image sensor and method of driving the same |
| JP2009272650A (ja) * | 2003-05-28 | 2009-11-19 | Canon Inc | 光電変換装置 |
| US7709918B2 (en) | 2003-05-28 | 2010-05-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof |
| US8299557B2 (en) | 2003-05-28 | 2012-10-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device and manufacturing method |
| US8581358B2 (en) | 2003-05-28 | 2013-11-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device and manufacturing method |
| US8866249B2 (en) | 2003-05-28 | 2014-10-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof |
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