JPS62269332A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置に係わシ、特に半導体素子上に形
成されるボンディングパッドの構造に関するものである
。
成されるボンディングパッドの構造に関するものである
。
第５図は従来の半導体装置を構成する半導体素子のボン
ディングパッド部を示す断面図である。
ディングパッド部を示す断面図である。
同図において、１はシリコン基板、２はこの上に形成さ
れたフィールド酸化膜、３は二酸化硅素膜（ＰＳＧｉ）
、４はアルミニウム蒸着膜、５はアルミニウム蒸着膜４
上のボンディング部のみ開孔部を設けた絶縁保護膜であ
る。
れたフィールド酸化膜、３は二酸化硅素膜（ＰＳＧｉ）
、４はアルミニウム蒸着膜、５はアルミニウム蒸着膜４
上のボンディング部のみ開孔部を設けた絶縁保護膜であ
る。
従来の半導体装置は、以上のような構造を有しているの
で、ＰＳＧ膜３中の不純物、特にリンのアルミニウム膜
４中への拡散が起こシ、初期ボンディング性の低下、金
−アルミニウム合金の早期劣化あるいは水分の浸入によ
シ、リン酸が発生しアルミニウム膜を腐食させる耐湿性
不良を引き起こすなどの問題点があった。
で、ＰＳＧ膜３中の不純物、特にリンのアルミニウム膜
４中への拡散が起こシ、初期ボンディング性の低下、金
−アルミニウム合金の早期劣化あるいは水分の浸入によ
シ、リン酸が発生しアルミニウム膜を腐食させる耐湿性
不良を引き起こすなどの問題点があった。
本発明は、上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、初期ボンディング性の低下を防げるとともに
、膜の界面を通じて浸入した水とＰＳＧ膜中のリンとの
反応を防止することが出来、さらに金−アルミニウム合
金層に悪影響を及はすリンの拡散を防ぐことが出来る半
導体装置を得ることを目的とする。
たもので、初期ボンディング性の低下を防げるとともに
、膜の界面を通じて浸入した水とＰＳＧ膜中のリンとの
反応を防止することが出来、さらに金−アルミニウム合
金層に悪影響を及はすリンの拡散を防ぐことが出来る半
導体装置を得ることを目的とする。
本発明に係る半導体装置は、リンを含有する二酸化硅素
膜とアルミニウム膜との間に、アルミニウム膜の形状と
同等もしくはそれよりも大きいチタンナイトライド膜を
形成したものである。
膜とアルミニウム膜との間に、アルミニウム膜の形状と
同等もしくはそれよりも大きいチタンナイトライド膜を
形成したものである。
本発明におけるチタンナイトライド膜は、ＰＳＧ膜中に
含まれる不純物のアルミニウム膜への拡散および水分の
浸入を軽減させる。
含まれる不純物のアルミニウム膜への拡散および水分の
浸入を軽減させる。
以下、図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。
第１図は本発明による半導体装置の一実施例を示す半導
体素子のボンディングパッド部の要部断面図でちゃ、前
述の図と同一部分には同一符号を付しである。同図にお
いて、リンを含有するＰＳＧ膜３とボンディングパッド
を形成するアルミニウム膜４との間にはチタンナイトラ
イド膜６が形成配置されている。この場合、このチタン
ナイトライド膜６は第２図に平面図で示すようにアルミ
ニウム膜４とほぼ同等の外形形状を有して形成されてい
る。
体素子のボンディングパッド部の要部断面図でちゃ、前
述の図と同一部分には同一符号を付しである。同図にお
いて、リンを含有するＰＳＧ膜３とボンディングパッド
を形成するアルミニウム膜４との間にはチタンナイトラ
イド膜６が形成配置されている。この場合、このチタン
ナイトライド膜６は第２図に平面図で示すようにアルミ
ニウム膜４とほぼ同等の外形形状を有して形成されてい
る。
このような構成によれば、チタンナイトライド膜６がバ
リアメタルとして作用し、ＰＳＧ膜３中に含有されてい
るリン等の不純物のアルミニウム膜４中への仏敦全防止
することができるとともに、ＰＳＧ膜３への水分の浸入
を防止することができる。
リアメタルとして作用し、ＰＳＧ膜３中に含有されてい
るリン等の不純物のアルミニウム膜４中への仏敦全防止
することができるとともに、ＰＳＧ膜３への水分の浸入
を防止することができる。
第３図は本発明の他の実施例を示すボンディングパッド
部の要部断面図であシ、前述の図と同一部分には同一符
号を付しである。同図において、第１図と異なる点は、
ＰＳＧ膜３とアルミニウム膜４との間に形成されるチタ
ンナイトライド膜６は、第４図に平面図で示すようにア
ルミニウム膜４の外形形状よりも大きくして形成されて
いる。
部の要部断面図であシ、前述の図と同一部分には同一符
号を付しである。同図において、第１図と異なる点は、
ＰＳＧ膜３とアルミニウム膜４との間に形成されるチタ
ンナイトライド膜６は、第４図に平面図で示すようにア
ルミニウム膜４の外形形状よりも大きくして形成されて
いる。
このような構成によれば、ＰＳＧ膜３中に含有されてい
るリン酸等の不純物のアルミニウム膜〕中への拡散およ
びＰＳＧ膜３への水分の浸入をさらに確実に防止するこ
とができる。
るリン酸等の不純物のアルミニウム膜〕中への拡散およ
びＰＳＧ膜３への水分の浸入をさらに確実に防止するこ
とができる。
以上説明したように本発明によれば、ボンディングパッ
ド部’１ＰｓＧ膜とアルミニウム膜との間にチタンナイ
トライド膜を設けたことによシ、ＰＳＧ膜中の不純物の
アルミニウム膜への拡散およびＰＳＧ膜中への水分の浸
入を防止できるので、ボンディング性の向上がはかれ、
金−アルミニウム接合部の早期劣化を防ぐことができ、
したがって半導体素子の長期にわたる信頼性を確保する
ことができるという極めて優れた効果が得られる。
ド部’１ＰｓＧ膜とアルミニウム膜との間にチタンナイ
トライド膜を設けたことによシ、ＰＳＧ膜中の不純物の
アルミニウム膜への拡散およびＰＳＧ膜中への水分の浸
入を防止できるので、ボンディング性の向上がはかれ、
金−アルミニウム接合部の早期劣化を防ぐことができ、
したがって半導体素子の長期にわたる信頼性を確保する
ことができるという極めて優れた効果が得られる。
第１図は本発明による半導体装置の一実施例を示す半導
体素子のボンディングパッド部の要部断面図、第２図は
第１図の要部平面図、第３図は本発明の他の実施例を示
す半導体素子のボンディングパッド部の要部断面図、第
４図は第３図の要部平面図、第５図は従来の半導体素子
のボンディングパッド部の要部断面図である。 １ ・・・会シリコン半導体基板、２・・・・フィール
ド酸化膜、３・・・・リンを含有する二酸化硅素膜（Ｐ
ＳＧ膜）、４・・・・アルミニウム膜、５・・・・絶縁
保護膜、６・・・・チタンナイトライド膜。 代 理 人 大 岩 増 雄第１図 第２図 第３図 第４図 ！ｄｅ ＣＧ（オ 第″Ｄ図
体素子のボンディングパッド部の要部断面図、第２図は
第１図の要部平面図、第３図は本発明の他の実施例を示
す半導体素子のボンディングパッド部の要部断面図、第
４図は第３図の要部平面図、第５図は従来の半導体素子
のボンディングパッド部の要部断面図である。 １ ・・・会シリコン半導体基板、２・・・・フィール
ド酸化膜、３・・・・リンを含有する二酸化硅素膜（Ｐ
ＳＧ膜）、４・・・・アルミニウム膜、５・・・・絶縁
保護膜、６・・・・チタンナイトライド膜。 代 理 人 大 岩 増 雄第１図 第２図 第３図 第４図 ！ｄｅ ＣＧ（オ 第″Ｄ図
Claims (2)
- （１）シリコン半導体基板上にフィールド酸化膜を形成
しさらにその上に形成されるリンを含有する二酸化硅素
膜とボンディングパッドのアルミニウム膜との間にチタ
ンナイトライド膜を形成することを特徴とする半導体装
置。 - （２）チタンナイトライド膜をアルミニウム膜の外形形
状よりも大きく形成したことを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11307186A JPS62269332A (ja) | 1986-05-16 | 1986-05-16 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11307186A JPS62269332A (ja) | 1986-05-16 | 1986-05-16 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62269332A true JPS62269332A (ja) | 1987-11-21 |
| JPH0451055B2 JPH0451055B2 (ja) | 1992-08-18 |
Family
ID=14602755
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11307186A Granted JPS62269332A (ja) | 1986-05-16 | 1986-05-16 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62269332A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016024387A1 (ja) * | 2014-08-11 | 2016-02-18 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 半導体装置 |
| US20220148904A1 (en) * | 2017-08-14 | 2022-05-12 | Watlow Electric Manufacturing Company | Method for joining quartz pieces and quartz electrodes and other devices of joined quartz |
-
1986
- 1986-05-16 JP JP11307186A patent/JPS62269332A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016024387A1 (ja) * | 2014-08-11 | 2016-02-18 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 半導体装置 |
| JPWO2016024387A1 (ja) * | 2014-08-11 | 2017-06-01 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 半導体装置 |
| US10090220B2 (en) | 2014-08-11 | 2018-10-02 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US20220148904A1 (en) * | 2017-08-14 | 2022-05-12 | Watlow Electric Manufacturing Company | Method for joining quartz pieces and quartz electrodes and other devices of joined quartz |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0451055B2 (ja) | 1992-08-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |