JPS6340333A - 半導体装置 - Google Patents
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- JPS6340333A JPS6340333A JP18442886A JP18442886A JPS6340333A JP S6340333 A JPS6340333 A JP S6340333A JP 18442886 A JP18442886 A JP 18442886A JP 18442886 A JP18442886 A JP 18442886A JP S6340333 A JPS6340333 A JP S6340333A
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-
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- H01L2924/01074—Tungsten [W]
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明は半導体装置に関し、特にボンディングパッド
を有する半導体装置の耐湿性の改良に関するものである
。
を有する半導体装置の耐湿性の改良に関するものである
。
[従来の技術]
第3図は従来装置におけるボンディングパッドまわりの
断面図である。
断面図である。
図において、半導体基板1上にフィールド酸化膜2が形
成されており、その上にシカケートガラス膜3が形成さ
れている。さらに、シリケートガラス膜3上に、アルミ
合金ボンディングパッド4とアルミ合金よりなる配線部
7とが接続されて形成されている。また、アルミ合金ボ
ンディングパッド4上に開口を有する窒化シリコン膜5
はアルミ合金ボンディングパッド4および配線部7上を
含み、シリケートガラス膜3上を被覆している。
成されており、その上にシカケートガラス膜3が形成さ
れている。さらに、シリケートガラス膜3上に、アルミ
合金ボンディングパッド4とアルミ合金よりなる配線部
7とが接続されて形成されている。また、アルミ合金ボ
ンディングパッド4上に開口を有する窒化シリコン膜5
はアルミ合金ボンディングパッド4および配線部7上を
含み、シリケートガラス膜3上を被覆している。
最近の半導体装置の動向として、^機能化、高速化およ
び高集積化が要求されており、高集積化に伴なうパター
ンの微細化、すなわち多層配線構造が益々進展している
。・ 上記従来装置におけるシリケートガラス113は、たと
えばポリシリコンまたは二酸化シリコン膜上に気相成長
法等で形成され、高温の熱処理によって溶融状態となる
のでポリシリコンまたは二酸化シリコン膜の形成時に存
在した急激な段差を緩和し、また、その後に形成される
配線部7等のステップカバレッジの改良に用いられ、さ
らに、封止樹脂等に含まれるNaイオン等の可動イオン
に対するトラップ効果を有し、電気的特性の安定化に極
めて有効であるので、高集積化を目指す半導体装置にと
って必要不可欠なものとなっている。
び高集積化が要求されており、高集積化に伴なうパター
ンの微細化、すなわち多層配線構造が益々進展している
。・ 上記従来装置におけるシリケートガラス113は、たと
えばポリシリコンまたは二酸化シリコン膜上に気相成長
法等で形成され、高温の熱処理によって溶融状態となる
のでポリシリコンまたは二酸化シリコン膜の形成時に存
在した急激な段差を緩和し、また、その後に形成される
配線部7等のステップカバレッジの改良に用いられ、さ
らに、封止樹脂等に含まれるNaイオン等の可動イオン
に対するトラップ効果を有し、電気的特性の安定化に極
めて有効であるので、高集積化を目指す半導体装置にと
って必要不可欠なものとなっている。
また窒化シリコン115は可動イオンおよび水分等の侵
入を阻止する性質を有し、シリケートガラス113の絶
縁性保rallとして非常に適している。
入を阻止する性質を有し、シリケートガラス113の絶
縁性保rallとして非常に適している。
[発明が解決しようとする問題点]
上記のような従来の半導体装置では、窒化シリコン膜5
とアルミ合金ボンディングパッド4との@着性の不良に
問題がある。すなわち、この密着性の不良のため水分が
窒化シリコンll15とアルミ合金ボンディングパッド
4との境界部から侵入し、シリケートガラス[13に到
達する。シリケートガラス[13はその成分としてリン
またはホウ素を含んでいるため、この水分と反応してリ
ン酸またはホウ酸となりアルミ合金よりなる配線部7を
m蝕するため、動作上信頼性に欠ける半導体装置となっ
ていた。
とアルミ合金ボンディングパッド4との@着性の不良に
問題がある。すなわち、この密着性の不良のため水分が
窒化シリコンll15とアルミ合金ボンディングパッド
4との境界部から侵入し、シリケートガラス[13に到
達する。シリケートガラス[13はその成分としてリン
またはホウ素を含んでいるため、この水分と反応してリ
ン酸またはホウ酸となりアルミ合金よりなる配線部7を
m蝕するため、動作上信頼性に欠ける半導体装置となっ
ていた。
この発明はかかる問題点を解決するためになされたもの
で、このような水分の侵入を防ぐ耐湿性に優れた半導体
装置を得ることを目的とする。
で、このような水分の侵入を防ぐ耐湿性に優れた半導体
装置を得ることを目的とする。
[問題点を解決するための手段]
この発明に係る半導体装置は、ボンディングパッドに窒
化シリコン膜と密着性の良いポリシリコンまたはタング
ステンを使用するものである。
化シリコン膜と密着性の良いポリシリコンまたはタング
ステンを使用するものである。
[作用]
この発明においてはボンディングパッドと窒化シリコン
膜との密着性が向上し、水分の侵入を阻止するので配線
部の腐蝕を防止することができる。
膜との密着性が向上し、水分の侵入を阻止するので配線
部の腐蝕を防止することができる。
[発明の実施例]
第1図はこの発明の一実施例を示す平面図、および第2
図はこの断面図である。
図はこの断面図である。
図において、符号1〜3は従来装置と同一である。シリ
ケートガラス膜3上に形成されているポリシリコンボン
ディングバッド6がバッド開口部より離れた位置まで延
長されて形成され、この離れた位置においてアルミ合金
よりなる配線部7を一部重ねて形成することによって1
2線部と接続されており、また、ポリシリコンボンディ
ングパッド6上に開口を有する窒化シリコン膜5によっ
て、ポリシリコンボンディングパッド6と配線部7上を
含み、シリケートガラスg13上を被覆している。
ケートガラス膜3上に形成されているポリシリコンボン
ディングバッド6がバッド開口部より離れた位置まで延
長されて形成され、この離れた位置においてアルミ合金
よりなる配線部7を一部重ねて形成することによって1
2線部と接続されており、また、ポリシリコンボンディ
ングパッド6上に開口を有する窒化シリコン膜5によっ
て、ポリシリコンボンディングパッド6と配線部7上を
含み、シリケートガラスg13上を被覆している。
上記のように構成された半導体装置においては、ポリシ
リコンボンディングパッド6と窒化シリコン膜5との密
着性が優れているので、水分の流入を防止でき水分とシ
リケートガラス113との反応物による配線部7の腐蝕
が発生しない。
リコンボンディングパッド6と窒化シリコン膜5との密
着性が優れているので、水分の流入を防止でき水分とシ
リケートガラス113との反応物による配線部7の腐蝕
が発生しない。
なお、上記実施例ではボンディングパッドにポリシリコ
ンを使用したが、タングステンを使用しても同様の効果
を奏する。
ンを使用したが、タングステンを使用しても同様の効果
を奏する。
[発明の効果〕
この発明は以上説明したとおり、ボンディングパッド部
を通してのシリケートガラス膜への水分の流入を防止す
るので、これらの反応物による配線部の腐蝕は発生せず
、動作上信頼のおける半導体装置を得る効果がある。
を通してのシリケートガラス膜への水分の流入を防止す
るので、これらの反応物による配線部の腐蝕は発生せず
、動作上信頼のおける半導体装置を得る効果がある。
また、ボンディングパッドの大きさは従来と同じである
ので、装置の製造工程を変える必要もなく、しかも、ボ
ンディングワイヤとの接合力の強いボンディングパッド
となる効果がある。
ので、装置の製造工程を変える必要もなく、しかも、ボ
ンディングワイヤとの接合力の強いボンディングパッド
となる効果がある。
第1図はこの発明の一実施例を示す平面図、第2図はこ
の断面図、および第3図は従来装置の断面図である。 図において、1は半導体基板、2はフィールド酸化膜、
3はシリク−トガラス膜、4はアルミ合金ボンディング
パッド、5は富化シリコン膜、6はポリシリコンボンデ
ィングバッド、7は配ね部である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 も1図 4:了Jレミ壮 不゛ンティン7゛パ・・l) 弔3図
の断面図、および第3図は従来装置の断面図である。 図において、1は半導体基板、2はフィールド酸化膜、
3はシリク−トガラス膜、4はアルミ合金ボンディング
パッド、5は富化シリコン膜、6はポリシリコンボンデ
ィングバッド、7は配ね部である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 も1図 4:了Jレミ壮 不゛ンティン7゛パ・・l) 弔3図
Claims (5)
- (1)半導体基板と、 前記半導体基板上に形成されるフィールド酸化膜と、 前記フィールド酸化膜上に形成されるシリケートガラス
膜と、 前記シリケートガラス膜上に形成されるボンディングパ
ッドと、 前記ボンディングパッド上に開口を有し、前記シリケー
トガラス膜および前記ボンディングパッド表面を被覆す
る絶縁性保護膜とを備え、 前記ボンディングパッドは、水分の侵入を阻止する目的
において前記絶縁性保護膜と密着性の良い材料であるこ
とを特徴とする、半導体装置。 - (2)前記ボンディングパッドは、ポリシリコンである
ことを特徴とする、特許請求の範囲第1項記載の半導体
装置。 - (3)前記ボンディングパッドは、タングステンである
ことを特徴とする、特許請求の範囲第1項記載の半導体
装置。 - (4)前記シリケートガラス膜は、リン珪酸ガラス(P
SG)であることを特徴とする、特許請求の範囲第1項
記載の半導体装置。 - (5)前記シリケートガラス膜は、ホウ珪酸ガラス(B
SG)であることを特徴とする、特許請求の範囲第1項
記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18442886A JPS6340333A (ja) | 1986-08-05 | 1986-08-05 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18442886A JPS6340333A (ja) | 1986-08-05 | 1986-08-05 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6340333A true JPS6340333A (ja) | 1988-02-20 |
Family
ID=16152980
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18442886A Pending JPS6340333A (ja) | 1986-08-05 | 1986-08-05 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6340333A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006025210A1 (ja) * | 2004-08-31 | 2006-03-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | マイクロマシンデバイス |
JP2007053130A (ja) * | 2005-08-15 | 2007-03-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 接合構造および接合方法 |
JP2007220822A (ja) * | 2006-02-15 | 2007-08-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 接続構造体および接続構造体の製造方法 |
-
1986
- 1986-08-05 JP JP18442886A patent/JPS6340333A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006025210A1 (ja) * | 2004-08-31 | 2006-03-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | マイクロマシンデバイス |
JPWO2006025210A1 (ja) * | 2004-08-31 | 2008-05-08 | 松下電器産業株式会社 | マイクロマシンデバイス |
JP2007053130A (ja) * | 2005-08-15 | 2007-03-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 接合構造および接合方法 |
US8012869B2 (en) | 2005-08-15 | 2011-09-06 | Panasonic Corporation | Bonded structure and bonding method |
JP2007220822A (ja) * | 2006-02-15 | 2007-08-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 接続構造体および接続構造体の製造方法 |
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