JPH02165646A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH02165646A JPH02165646A JP32245188A JP32245188A JPH02165646A JP H02165646 A JPH02165646 A JP H02165646A JP 32245188 A JP32245188 A JP 32245188A JP 32245188 A JP32245188 A JP 32245188A JP H02165646 A JPH02165646 A JP H02165646A
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の構造に関し、特にワイヤーボン
ディング用パッドの構造及び材質に関する。
ディング用パッドの構造及び材質に関する。
従来の半導体装置に於けるワイヤーボンディングパッド
は内部の配線を形成する工程と、同一工程によって形成
する為、−層又は、複数層の金属層構造を有していた。
は内部の配線を形成する工程と、同一工程によって形成
する為、−層又は、複数層の金属層構造を有していた。
上述した従来のワイヤーボンディングパッドに対し、本
発明は、ワイヤーボンディングパッドが非金属により形
成されているか、−または、非金属によりカバーされた
金属との２層構造であると言う、明らかな相違点を有し
ている。
発明は、ワイヤーボンディングパッドが非金属により形
成されているか、−または、非金属によりカバーされた
金属との２層構造であると言う、明らかな相違点を有し
ている。
上述した従来のワイヤーボンディングパッドは、金属に
より形成されているので、モールド封止、プラスチック
パッケージに使用された場合、外部からの水分の浸入に
より、水分と、ボンディングパッド部の金属が反応し、
パッド部が腐食し、電気的接続不良を起こすという欠点
があった。
より形成されているので、モールド封止、プラスチック
パッケージに使用された場合、外部からの水分の浸入に
より、水分と、ボンディングパッド部の金属が反応し、
パッド部が腐食し、電気的接続不良を起こすという欠点
があった。
本発明のワイヤーボンディングパッドは、導電性を有す
る非金属のみで形成するか、あるいは従来の金属パッド
表面を導電性の非金属で被った構造を有している。
る非金属のみで形成するか、あるいは従来の金属パッド
表面を導電性の非金属で被った構造を有している。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例で、第１図（Ａ）は正面図、
第１図（Ｂ）は、縦断面図である。１は導電性非金属の
ワイヤーボンディングパッド、この場合、ポリシリコン
、２はカバー膜、一般に酸化硅素膜や窒化硅素膜である
。３は層間膜でありその構造及び材質は問わない。４は
シリコン基板である。
第１図（Ｂ）は、縦断面図である。１は導電性非金属の
ワイヤーボンディングパッド、この場合、ポリシリコン
、２はカバー膜、一般に酸化硅素膜や窒化硅素膜である
。３は層間膜でありその構造及び材質は問わない。４は
シリコン基板である。
第２図は、本発明の実施例２の正面図・・・（Ａ）及び
縦断面図・・・（Ｂ）である。ワイヤーボンディングパ
ッドの基本構成材料５は、従来使用されている金属であ
り、一般にはアルミニュームが使用される。第２図（Ｂ
）に於ける非金属膜１は金属層・・・５０表面を被覆す
る構造を有している。この実施例では非金属のみでボン
ディングパッドを構成する場合に比較して電気抵抗を低
くおさえることができる利点がある。
縦断面図・・・（Ｂ）である。ワイヤーボンディングパ
ッドの基本構成材料５は、従来使用されている金属であ
り、一般にはアルミニュームが使用される。第２図（Ｂ
）に於ける非金属膜１は金属層・・・５０表面を被覆す
る構造を有している。この実施例では非金属のみでボン
ディングパッドを構成する場合に比較して電気抵抗を低
くおさえることができる利点がある。
以上説明した様に半導体装置に於けるワイヤーボンディ
ングパッドを導電性、非金属（ポリシリコンなど）で形
成するか、あるいは、金属パッド表面を導電性非金属で
カバーすることにより、外部から浸入する水分と、ボン
ディングパッドが反応して腐食し、電気的接続不良を起
すことを回避できる効果がある。
ングパッドを導電性、非金属（ポリシリコンなど）で形
成するか、あるいは、金属パッド表面を導電性非金属で
カバーすることにより、外部から浸入する水分と、ボン
ディングパッドが反応して腐食し、電気的接続不良を起
すことを回避できる効果がある。
第１図（Ａ） 、 （Ｂ）は本発明の実施例１の平面図
および縦断面図、第２図（Ａ） 、 （Ｂ）は、本発明
の実施例２、第３図（Ａ） 、 （Ｂ）は従来のワイヤ
ーボンディングパッド部の平面図及び縦断面図である。 １・・・・・・導電性非金属パッド（ポリシリコンパッ
ド）、２・・・・・・カバー膜、３・・・・・・絶縁層
間膜、４・・・・・・シリコン基板、５・・・・・・金
属パッド（ＡＡパッド）。 代理人 弁理士 内 原 晋 ζＡ） 茅 （Ｂ） １ 凹 （−Ａ） 茅 （Ｂ） ２ 図 矛 ３ 閏
および縦断面図、第２図（Ａ） 、 （Ｂ）は、本発明
の実施例２、第３図（Ａ） 、 （Ｂ）は従来のワイヤ
ーボンディングパッド部の平面図及び縦断面図である。 １・・・・・・導電性非金属パッド（ポリシリコンパッ
ド）、２・・・・・・カバー膜、３・・・・・・絶縁層
間膜、４・・・・・・シリコン基板、５・・・・・・金
属パッド（ＡＡパッド）。 代理人 弁理士 内 原 晋 ζＡ） 茅 （Ｂ） １ 凹 （−Ａ） 茅 （Ｂ） ２ 図 矛 ３ 閏
Claims (1)
- ボンディング用パッドを導電性非金属のみで形成するか
、あるいは金属性ワイヤーボンディングパッド表面を導
電性非金属で被った構造を有することを特徴とする半導
体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32245188A JPH02165646A (ja) | 1988-12-20 | 1988-12-20 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32245188A JPH02165646A (ja) | 1988-12-20 | 1988-12-20 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02165646A true JPH02165646A (ja) | 1990-06-26 |
Family
ID=18143811
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32245188A Pending JPH02165646A (ja) | 1988-12-20 | 1988-12-20 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02165646A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006025210A1 (ja) * | 2004-08-31 | 2006-03-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | マイクロマシンデバイス |
| JP2007053130A (ja) * | 2005-08-15 | 2007-03-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 接合構造および接合方法 |
| JP2007220822A (ja) * | 2006-02-15 | 2007-08-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 接続構造体および接続構造体の製造方法 |
| US7982254B2 (en) | 2005-07-04 | 2011-07-19 | Fujitsu Semiconductor Limited | Semiconductor device and method of fabricating the same |
-
1988
- 1988-12-20 JP JP32245188A patent/JPH02165646A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006025210A1 (ja) * | 2004-08-31 | 2006-03-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | マイクロマシンデバイス |
| JPWO2006025210A1 (ja) * | 2004-08-31 | 2008-05-08 | 松下電器産業株式会社 | マイクロマシンデバイス |
| US7982254B2 (en) | 2005-07-04 | 2011-07-19 | Fujitsu Semiconductor Limited | Semiconductor device and method of fabricating the same |
| JP2007053130A (ja) * | 2005-08-15 | 2007-03-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 接合構造および接合方法 |
| US8012869B2 (en) | 2005-08-15 | 2011-09-06 | Panasonic Corporation | Bonded structure and bonding method |
| JP2007220822A (ja) * | 2006-02-15 | 2007-08-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 接続構造体および接続構造体の製造方法 |
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