JPS6018845Y2 - Ｄｈｄガラス封止ダイオ−ド - Google Patents
Ｄｈｄガラス封止ダイオ−ドInfo
- Publication number
- JPS6018845Y2 JPS6018845Y2 JP3977579U JP3977579U JPS6018845Y2 JP S6018845 Y2 JPS6018845 Y2 JP S6018845Y2 JP 3977579 U JP3977579 U JP 3977579U JP 3977579 U JP3977579 U JP 3977579U JP S6018845 Y2 JPS6018845 Y2 JP S6018845Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pellet
- sealed
- glass
- glass tube
- dhd
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1015—Shape
- H01L2924/10155—Shape being other than a cuboid
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
この考案はＤＨＤガラス封止ダイオード、特に封止ガラ
ス管内に存在する異物による短絡を防止する半導体ダイ
オードの構造に関する。
ス管内に存在する異物による短絡を防止する半導体ダイ
オードの構造に関する。
ＤＨＤガラス封止ダイオードは半導体ペレットの両電極
面をビートシンクとなる一対のスラグリードによって挾
持しこれらをガラス管で封着して構成される。
面をビートシンクとなる一対のスラグリードによって挾
持しこれらをガラス管で封着して構成される。
半導体ペレットは、その一方の面に突起状バンプ電極、
他方の面に接触抵抗を小さくするに適するろう材層の積
層電極が形成されたシリコン半導体ウェーハからダイシ
ング、スクライビング及びブレーキング又はクラッキン
グの裁断手法を駆使して個別的に分離する。
他方の面に接触抵抗を小さくするに適するろう材層の積
層電極が形成されたシリコン半導体ウェーハからダイシ
ング、スクライビング及びブレーキング又はクラッキン
グの裁断手法を駆使して個別的に分離する。
しかし、シリコン基体の結晶方位依存性によってペレッ
ト裁断面やその周辺に裁断時の微細片が付着したり、割
れや欠片の生じ易い部分を生ずる。
ト裁断面やその周辺に裁断時の微細片が付着したり、割
れや欠片の生じ易い部分を生ずる。
このような場合、ガラス管への封止組立工程又は封止完
成後の製品に与えられる振動によって微細片が遊離した
り割れや欠片を生じたりしてガラス封止内に異物として
存在するこがあり、ダイオードショートの欠陥を伴なう
ことがある。
成後の製品に与えられる振動によって微細片が遊離した
り割れや欠片を生じたりしてガラス封止内に異物として
存在するこがあり、ダイオードショートの欠陥を伴なう
ことがある。
すなわち、第１図に示す従来のガラス封止ダイオードに
おいて、一対のスラグリード１，２の日出部３，４間に
挾持された半導体ペレット５はガラス管６の内部に封止
される。
おいて、一対のスラグリード１，２の日出部３，４間に
挾持された半導体ペレット５はガラス管６の内部に封止
される。
半導体ペレット５はその一方の面が絶縁被膜７で被覆さ
れその中央にバンプ電極８を形成し、その他方の面がろ
う材層としての金あるいは金を主体とする合金及びその
全面に銀メッキを施した積層電極９を形成している。
れその中央にバンプ電極８を形成し、その他方の面がろ
う材層としての金あるいは金を主体とする合金及びその
全面に銀メッキを施した積層電極９を形成している。
しかし、このような半導体ダイオードの構成においては
、ガラス管内部に異物１０が存在するとこの異物でペレ
ット裁断面とスラグリード口出部間にショートを誘発し
不良品になることがある。
、ガラス管内部に異物１０が存在するとこの異物でペレ
ット裁断面とスラグリード口出部間にショートを誘発し
不良品になることがある。
ここで異物１０は主にペレット５の割れ、欠片及びペレ
ット裁断時又は組立工程中に部品に付着した導電体の微
細片であり、一対のスラグリード１，２間に印加される
逆バイアス電圧で電界作用を受けてショート事故を誘発
し易く、それ故に高圧タイプのダイオード程この種の不
良発生頻度を増している。
ット裁断時又は組立工程中に部品に付着した導電体の微
細片であり、一対のスラグリード１，２間に印加される
逆バイアス電圧で電界作用を受けてショート事故を誘発
し易く、それ故に高圧タイプのダイオード程この種の不
良発生頻度を増している。
従って、本考案は上記欠陥に鑑み提案されたものであり
、ガラス封止形ダイオードにおけるショート不良を排除
するに有効なダイオード構造を提供することにある。
、ガラス封止形ダイオードにおけるショート不良を排除
するに有効なダイオード構造を提供することにある。
本考案によれば、半導体ペレットはその断面形状が台形
に裁断され、その長辺側が絶縁被膜Ｓｉｏ２に覆われる
と共にその鴨中央部に盛り上げしたバンブ電極が形成さ
れている。
に裁断され、その長辺側が絶縁被膜Ｓｉｏ２に覆われる
と共にその鴨中央部に盛り上げしたバンブ電極が形成さ
れている。
すなわち、バンブ電極側であるペレットの一方の面が積
層電極側である他方の面に比べ大きな面積になるように
裁断した半導体ペレットを用いると共に、少なくともこ
の一方の面の周辺側部に封止用ガラス管の内壁を当接し
たＤＨＤガラス封止ダイオードが提供される。
層電極側である他方の面に比べ大きな面積になるように
裁断した半導体ペレットを用いると共に、少なくともこ
の一方の面の周辺側部に封止用ガラス管の内壁を当接し
たＤＨＤガラス封止ダイオードが提供される。
従って、ガラス管内に封止された半導体ペレットの導電
性裁断面とこれに対向するスラグリード口出部との間は
ペレットの絶縁被膜とガラス管との絶縁材により実質的
に遮断されショート不良の発生を防止する。
性裁断面とこれに対向するスラグリード口出部との間は
ペレットの絶縁被膜とガラス管との絶縁材により実質的
に遮断されショート不良の発生を防止する。
以下、本考案に係る実施例について図面を参照しつつ詳
述する。
述する。
第２図は本考案に係るＤ）［）ガラス封止ダイオードの
断面図であり、一対のスラグリード１１゜１２のビート
シンクロ山部１３，１４間に挟着された半導体ペレット
１５と両目山部側面に封着しペレット側面に当接するガ
ラス管１６とにより構成される。
断面図であり、一対のスラグリード１１゜１２のビート
シンクロ山部１３，１４間に挟着された半導体ペレット
１５と両目山部側面に封着しペレット側面に当接するガ
ラス管１６とにより構成される。
半導体ペレット１５は、第３図に示すように、その一方
の面にＳｉＯ２膜など絶縁被膜１７の所定位置にバンブ
電極１８を形成し、その他方の面にＮｉ−Ｃｒ−Ａｇの
順次積層して積層電極１９を形成したシリコン基体２０
から成るシリコン半導体ウェーバ２１を裁断して個々に
分離される。
の面にＳｉＯ２膜など絶縁被膜１７の所定位置にバンブ
電極１８を形成し、その他方の面にＮｉ−Ｃｒ−Ａｇの
順次積層して積層電極１９を形成したシリコン基体２０
から成るシリコン半導体ウェーバ２１を裁断して個々に
分離される。
例えば、半導体ウェーバ２１のバンブ電極側の一方の面
を樹脂材で固定させ他方の面、すなわち積層電極側から
ダイ２ング又はスクライビング及びブレーキングにより
裁断する。
を樹脂材で固定させ他方の面、すなわち積層電極側から
ダイ２ング又はスクライビング及びブレーキングにより
裁断する。
裁断したペレット１５は、通常のＤＨＤガラス封止ダイ
オードと同様に封着装置によりガラス管１６で封止され
るが、その封着工程時のガラス管１６の変形によりガラ
ス管の内方突出部２２は、先ず、優先的に半導体ペレッ
ト１５の長辺側に当接する。
オードと同様に封着装置によりガラス管１６で封止され
るが、その封着工程時のガラス管１６の変形によりガラ
ス管の内方突出部２２は、先ず、優先的に半導体ペレッ
ト１５の長辺側に当接する。
すなわち、ガラス管１６はペレット１５の対応位置で内
方突出部２２を形成するが本考案においてはペレット絶
縁被膜１７の周辺側部が最も接近した距離となってこの
部分での当接が達成できる。
方突出部２２を形成するが本考案においてはペレット絶
縁被膜１７の周辺側部が最も接近した距離となってこの
部分での当接が達成できる。
従って、この絶縁被膜１７とガラス管の内方突出部２２
はスラグリード１１の日出部１３とペレット５の導電性
裁断面との間に完全な絶縁障壁を形成する。
はスラグリード１１の日出部１３とペレット５の導電性
裁断面との間に完全な絶縁障壁を形成する。
この絶縁障壁は異物混入に伴なうショート不良を排除す
る上で極めて顕著な効果を奏する。
る上で極めて顕著な効果を奏する。
特に、混入異物が製品完了後の振動又は高耐圧形ダイオ
ードの高圧印加に際して発生する異物によるショート対
策として本考案は極めて実用的でありその工業的価値が
大きい。
ードの高圧印加に際して発生する異物によるショート対
策として本考案は極めて実用的でありその工業的価値が
大きい。
尚第４図は本考案に係るダイオードに用いる半導体ペレ
ットの他の断面形状であり、バンブ電極側に段状部を設
けて積層電極側より広い面積を得るようにした。
ットの他の断面形状であり、バンブ電極側に段状部を設
けて積層電極側より広い面積を得るようにした。
第１図は従来のダイオードの断面図、第２図は本考案の
ＤＨＤガラスダイオードの断面図、第３図は第２図の半
導体ペレットを示す断面図、及び第４図は第３図の他の
具体例であるペレットの断面図である。 １１．１２・・・・・・スラグリード、１５・・・・・
・半導体ペレット、１６・・・・・・ガラス管、１７・
・・・・・絶縁被膜、１８・・・・・・バンブ電極、１
９・・・・・・積層電極、２１・・・・・・シリコン半
導体ウェーバ、２２・・・・・・内方突出部。
ＤＨＤガラスダイオードの断面図、第３図は第２図の半
導体ペレットを示す断面図、及び第４図は第３図の他の
具体例であるペレットの断面図である。 １１．１２・・・・・・スラグリード、１５・・・・・
・半導体ペレット、１６・・・・・・ガラス管、１７・
・・・・・絶縁被膜、１８・・・・・・バンブ電極、１
９・・・・・・積層電極、２１・・・・・・シリコン半
導体ウェーバ、２２・・・・・・内方突出部。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 １ 絶縁被膜とその所定位置にバンプ電極を形成した一
方の面と全面に積層電極を形成した他方の面とを有する
シリコン半導体ウェーハを一方の面が他方の面より広い
面積にして裁断した半導体ペレット、このペレットをそ
の両面電極に対する圧着力で挾持した一対のスラグリー
ド、及びスラグリードの側面に封着すると共に前記ペレ
ットをその一方の面の周辺側部に当接して封止したガラ
ス管により構成し、前記ペレットのバンプ電極と裁断面
とを前記ガラス管の当接部により絶縁したことを特徴と
するＤＨＤガラス封止ダイオード。 ２ 前記ペレットはその断面形状を台形に裁断し、前記
バンプ電極が設けられた一方の面がこの台形の長辺側に
形成した実用新案登録請求の範囲第１項記載のＤＨＤガ
ラス封止ダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3977579U JPS6018845Y2 (ja) | 1979-03-26 | 1979-03-26 | Ｄｈｄガラス封止ダイオ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3977579U JPS6018845Y2 (ja) | 1979-03-26 | 1979-03-26 | Ｄｈｄガラス封止ダイオ−ド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55139556U JPS55139556U (ja) | 1980-10-04 |
| JPS6018845Y2 true JPS6018845Y2 (ja) | 1985-06-07 |
Family
ID=28907228
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3977579U Expired JPS6018845Y2 (ja) | 1979-03-26 | 1979-03-26 | Ｄｈｄガラス封止ダイオ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6018845Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6223095Y2 (ja) * | 1981-02-20 | 1987-06-12 |
-
1979
- 1979-03-26 JP JP3977579U patent/JPS6018845Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55139556U (ja) | 1980-10-04 |
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