JPH0567717A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPH0567717A JPH0567717A JP3227106A JP22710691A JPH0567717A JP H0567717 A JPH0567717 A JP H0567717A JP 3227106 A JP3227106 A JP 3227106A JP 22710691 A JP22710691 A JP 22710691A JP H0567717 A JPH0567717 A JP H0567717A
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- JP
- Japan
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- resin
- lead frame
- semiconductor device
- semiconductor chip
- sealed semiconductor
- Prior art date
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】放熱板とインナーリード部との電気的絶縁が確
保され、しかも容易に製造することができる樹脂封止型
半導体装置を提供することである。 【構成】放熱板11の表面上で、半導体チップ10が接着固
定されている領域を除くほぼ全面にアルミナ（酸化アル
ミニウム）等の絶縁物を溶射して絶縁膜17を形成する。
保され、しかも容易に製造することができる樹脂封止型
半導体装置を提供することである。 【構成】放熱板11の表面上で、半導体チップ10が接着固
定されている領域を除くほぼ全面にアルミナ（酸化アル
ミニウム）等の絶縁物を溶射して絶縁膜17を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は放熱板上に半導体チッ
プが固着され、半導体チップが放熱板の一部と共に樹脂
封止される樹脂封止型半導体装置に関する。
プが固着され、半導体チップが放熱板の一部と共に樹脂
封止される樹脂封止型半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】放熱フィンを有する従来の樹脂封止型半
導体装置の樹脂封止工程前の状態を図４に、図４におけ
るＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図を図５にそれぞれ示す。
多数の素子が形成されている半導体チップ10は放熱フィ
ン（放熱板）11に接着固定されている。また、リードフ
レーム13は４本のピン12により放熱フィン11に固定され
ている。この場合、放熱フィン11とリードフレーム13の
インナーリード部14とが接触しないように、インナーリ
ード部14と放熱フィン11との間には０．５〜０．６ｍｍ
程度のギャップが設定される。また、インナーリード部
14と半導体チップ10上の図示しない電極とはボンディン
グワイヤ（金属細線）15により電気的に接続されてい
る。
導体装置の樹脂封止工程前の状態を図４に、図４におけ
るＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図を図５にそれぞれ示す。
多数の素子が形成されている半導体チップ10は放熱フィ
ン（放熱板）11に接着固定されている。また、リードフ
レーム13は４本のピン12により放熱フィン11に固定され
ている。この場合、放熱フィン11とリードフレーム13の
インナーリード部14とが接触しないように、インナーリ
ード部14と放熱フィン11との間には０．５〜０．６ｍｍ
程度のギャップが設定される。また、インナーリード部
14と半導体チップ10上の図示しない電極とはボンディン
グワイヤ（金属細線）15により電気的に接続されてい
る。
【０００３】上記図４の状態から、リードフレーム13の
一部を残して樹脂により封止を行ってパッケージ16を形
成した後、リードフレーム13の所望部分を切断すること
によって図６に示すような外観形状を有する樹脂封止型
半導体装置が完成する。
一部を残して樹脂により封止を行ってパッケージ16を形
成した後、リードフレーム13の所望部分を切断すること
によって図６に示すような外観形状を有する樹脂封止型
半導体装置が完成する。
【０００４】上記のような樹脂封止型半導体装置では、
半導体チップにおける素子の集積度が高くなるのに伴っ
て、パッケージから導出されるリードの本数は増加する
傾向にある。また、市場要求としてパッケージの小型化
があり、リードの本数の増加に伴ってリードフレームの
パターンが微細化する傾向にある。
半導体チップにおける素子の集積度が高くなるのに伴っ
て、パッケージから導出されるリードの本数は増加する
傾向にある。また、市場要求としてパッケージの小型化
があり、リードの本数の増加に伴ってリードフレームの
パターンが微細化する傾向にある。
【０００５】ところで、樹脂による封止は、図４の状態
のものを上型及び下型からなる一対の樹脂封止用金型の
間に挟み込み、金型の空洞部に硬化前の樹脂を圧入する
ことにより行われる。このとき、リードフレームのパタ
ーンが微細化されていると、リードフレームが変形しや
すくなる。また、放熱フィンの反りも影響し、樹脂の圧
入の際にインナーリード部と放熱板とが接触するように
なり、完成後に電源電圧を印加して動作させたときに短
絡事故が発生する。
のものを上型及び下型からなる一対の樹脂封止用金型の
間に挟み込み、金型の空洞部に硬化前の樹脂を圧入する
ことにより行われる。このとき、リードフレームのパタ
ーンが微細化されていると、リードフレームが変形しや
すくなる。また、放熱フィンの反りも影響し、樹脂の圧
入の際にインナーリード部と放熱板とが接触するように
なり、完成後に電源電圧を印加して動作させたときに短
絡事故が発生する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】そこで、従来では、樹
脂封止前の放熱フィンの反り量の検査やインナーリード
部と放熱フィンとの間のギャップ量の検査、樹脂封止後
のＸ線による放熱フィンとインナーリード部との間のギ
ャップ量の検査等を全数に渡って行なうことにより、良
品と不良品との選別を行っている。しかしながら、物理
的に短絡する可能性のある構造である限り、検査での選
別は完全であるとはいい難く高信頼性が確保できない。
また、全数を検査することにより、検査コストが製品価
格に影響を与え、製造価格が高価となる欠点がある。
脂封止前の放熱フィンの反り量の検査やインナーリード
部と放熱フィンとの間のギャップ量の検査、樹脂封止後
のＸ線による放熱フィンとインナーリード部との間のギ
ャップ量の検査等を全数に渡って行なうことにより、良
品と不良品との選別を行っている。しかしながら、物理
的に短絡する可能性のある構造である限り、検査での選
別は完全であるとはいい難く高信頼性が確保できない。
また、全数を検査することにより、検査コストが製品価
格に影響を与え、製造価格が高価となる欠点がある。
【０００７】この発明は上記のような事情を考慮してな
されたものであり、その目的は、リードフレームと放熱
板が接触しない構造を持ち、信頼性が高く、しかも容易
に製造することができる樹脂封止型半導体装置を提供す
ることである。
されたものであり、その目的は、リードフレームと放熱
板が接触しない構造を持ち、信頼性が高く、しかも容易
に製造することができる樹脂封止型半導体装置を提供す
ることである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の樹脂封止型半導
体装置は、半導体チップが固着された放熱板と、上記放
熱板に対して所定間隔を保って固定されるリードフレー
ムと、上記半導体チップ上に形成された電極と上記リー
ドフレームとを電気的に接続する金属細線と、上記放熱
板と上記リードフレームとの間に設けられた絶縁層と、
上記半導体チップと上記放熱板の一部と上記リードフレ
ームの一部とを含んで封止する封止樹脂とを具備するこ
とを特徴とする。
体装置は、半導体チップが固着された放熱板と、上記放
熱板に対して所定間隔を保って固定されるリードフレー
ムと、上記半導体チップ上に形成された電極と上記リー
ドフレームとを電気的に接続する金属細線と、上記放熱
板と上記リードフレームとの間に設けられた絶縁層と、
上記半導体チップと上記放熱板の一部と上記リードフレ
ームの一部とを含んで封止する封止樹脂とを具備するこ
とを特徴とする。
【０００９】
【作用】放熱板とリードフレームとの間に絶縁層を設け
ることにより、両者間の電気的絶縁が確保される。
ることにより、両者間の電気的絶縁が確保される。
【００１０】
【実施例】以下、図面を参照してこの発明を実施例によ
り説明する。図１はこの発明の第１の実施例に係る樹脂
封止型半導体装置の樹脂封止工程前の構造を示す平面図
であり、図２は図１中のＩ−Ｉ線に沿った断面図であ
る。図において、多数の素子が形成されている半導体チ
ップ10は放熱フィン（放熱板）11に接着固定されてい
る。そして、リードフレーム13は４本のピン12により放
熱フィン11に固定されている。この場合、放熱フィン11
とリードフレーム13のインナーリード部14とが接触しな
いように、放熱フィン11とインナーリード部14との間に
は０．５〜０．６ｍｍ程度のギャップが設定されてい
る。さらに放熱フィン11の表面上には、半導体チップ10
が接着固定されている領域を除くほぼ全面にＡｌ2 Ｏ3
を主成分とするアルミナ（酸化アルミニウム）からなる
絶縁層17が溶射等の方法によって形成されている。この
アルミナからなる絶縁層17の厚さは例えば２５〜５０μ
ｍの範囲にされる。また、上記インナーリード部14と半
導体チップ10上の図示しない電極とはボンディングワイ
ヤ（金属細線）15により電気的に接続されている。
り説明する。図１はこの発明の第１の実施例に係る樹脂
封止型半導体装置の樹脂封止工程前の構造を示す平面図
であり、図２は図１中のＩ−Ｉ線に沿った断面図であ
る。図において、多数の素子が形成されている半導体チ
ップ10は放熱フィン（放熱板）11に接着固定されてい
る。そして、リードフレーム13は４本のピン12により放
熱フィン11に固定されている。この場合、放熱フィン11
とリードフレーム13のインナーリード部14とが接触しな
いように、放熱フィン11とインナーリード部14との間に
は０．５〜０．６ｍｍ程度のギャップが設定されてい
る。さらに放熱フィン11の表面上には、半導体チップ10
が接着固定されている領域を除くほぼ全面にＡｌ2 Ｏ3
を主成分とするアルミナ（酸化アルミニウム）からなる
絶縁層17が溶射等の方法によって形成されている。この
アルミナからなる絶縁層17の厚さは例えば２５〜５０μ
ｍの範囲にされる。また、上記インナーリード部14と半
導体チップ10上の図示しない電極とはボンディングワイ
ヤ（金属細線）15により電気的に接続されている。
【００１１】そして、上記図１の状態のから、放熱フィ
ン11の一部とリードフレーム13の一部を残して樹脂によ
り封止を行ってパッケージ16を形成した後、リードフレ
ーム13の所望部分を切断することにより前記図６に示す
ような外観形状を有する樹脂封止型半導体装置が完成す
る。
ン11の一部とリードフレーム13の一部を残して樹脂によ
り封止を行ってパッケージ16を形成した後、リードフレ
ーム13の所望部分を切断することにより前記図６に示す
ような外観形状を有する樹脂封止型半導体装置が完成す
る。
【００１２】上記実施例のような樹脂封止型半導体装置
では、リードフレームのパターンが微細化され、リード
フレームに変形や放熱フィンに反りが発生し、樹脂の圧
入の際にインナーリード部と放熱フィンとが接触したと
しても、両者は絶縁層17を介して接触することになり、
両者間の絶縁性は完全に確保される。このため、樹脂封
止前の放熱フィンの反り量の検査やインナーリード部と
放熱フィンとの間のギャップ量の検査、樹脂封止後のＸ
線による放熱フィンとインナーリード部との間のギャッ
プ量の検査等を行う必要がなくなる。この結果、複雑な
工程管理を必要とせずに高信頼性の半導体装置が容易に
製造でき、かつ検査コストを大幅に削減することができ
るため製造価格を低減させることができる。
では、リードフレームのパターンが微細化され、リード
フレームに変形や放熱フィンに反りが発生し、樹脂の圧
入の際にインナーリード部と放熱フィンとが接触したと
しても、両者は絶縁層17を介して接触することになり、
両者間の絶縁性は完全に確保される。このため、樹脂封
止前の放熱フィンの反り量の検査やインナーリード部と
放熱フィンとの間のギャップ量の検査、樹脂封止後のＸ
線による放熱フィンとインナーリード部との間のギャッ
プ量の検査等を行う必要がなくなる。この結果、複雑な
工程管理を必要とせずに高信頼性の半導体装置が容易に
製造でき、かつ検査コストを大幅に削減することができ
るため製造価格を低減させることができる。
【００１３】図３はこの発明の第２の実施例に係る樹脂
封止型半導体装置の前記図２に対応した断面図である。
上記第１の実施例ではアルミナからなる絶縁層17を前記
放熱フィン11の表面上に形成している。しかし、この実
施例の場合にはインナーリード部14の放熱フィン11と対
向する側の表面上にアルミナからなる絶縁層17を形成す
るようにしたものである。
封止型半導体装置の前記図２に対応した断面図である。
上記第１の実施例ではアルミナからなる絶縁層17を前記
放熱フィン11の表面上に形成している。しかし、この実
施例の場合にはインナーリード部14の放熱フィン11と対
向する側の表面上にアルミナからなる絶縁層17を形成す
るようにしたものである。
【００１４】そして、この実施例の場合にも上記第１の
実施例の場合と同様に、インナーリード部と半導体チッ
プとの間の絶縁性は、複雑な工程管理を必要せずに十分
確保される。
実施例の場合と同様に、インナーリード部と半導体チッ
プとの間の絶縁性は、複雑な工程管理を必要せずに十分
確保される。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したようにこの発明によれば、
リードフレームと半導体チップが接触しない構造を持
ち、高い信頼性を有し、且つ容易に製造することができ
る樹脂封止型半導体装置を提供することができる。
リードフレームと半導体チップが接触しない構造を持
ち、高い信頼性を有し、且つ容易に製造することができ
る樹脂封止型半導体装置を提供することができる。
【図１】この発明の第１の実施例に係る樹脂封止型半導
体装置の樹脂封止工程前の構造を示す平面図。
体装置の樹脂封止工程前の構造を示す平面図。
【図２】図１中の − 線に沿った断面図。
【図３】この発明の第２の実施例に係る樹脂封止型半導
体装置の樹脂封止工程前の構造を示す断面図。
体装置の樹脂封止工程前の構造を示す断面図。
【図４】従来の樹脂封止型半導体装置の樹脂封止工程前
の構造を示す平面図。
の構造を示す平面図。
【図５】図４中のＩＩ−ＩＩ線に沿ったの断面図。
【図６】樹脂封止型半導体装置の斜視図。
10…半導体チップ、11…放熱板、12…ピン、13…リード
フレーム、14…インナーリード部、15…金属細線、16…
パッケージ、17，18…絶縁層。
フレーム、14…インナーリード部、15…金属細線、16…
パッケージ、17，18…絶縁層。
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体チップが固着された放熱板と、 上記放熱板に対して所定間隔を保って固定されるリード
フレームと、 上記半導体チップ上に形成された電極と上記リードフレ
ームとを電気的に接続する金属細線と、 上記放熱板と上記リードフレームとの間に設けられた絶
縁層と、 上記半導体チップと上記放熱板の一部と上記リードフレ
ームの一部とを含んで封止する封止樹脂とを具備したこ
とを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3227106A JPH0567717A (ja) | 1991-09-06 | 1991-09-06 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3227106A JPH0567717A (ja) | 1991-09-06 | 1991-09-06 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0567717A true JPH0567717A (ja) | 1993-03-19 |
Family
ID=16855574
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3227106A Pending JPH0567717A (ja) | 1991-09-06 | 1991-09-06 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0567717A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI585234B (zh) * | 2013-06-14 | 2017-06-01 | 東京威力科創股份有限公司 | 氣體處理裝置 |
-
1991
- 1991-09-06 JP JP3227106A patent/JPH0567717A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI585234B (zh) * | 2013-06-14 | 2017-06-01 | 東京威力科創股份有限公司 | 氣體處理裝置 |
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