JPH09270435A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ダイパッドの両面に、半導体チップを搭載し
てなる半導体装置を樹脂封止領域の位置ずれなしに良好
に形成するとともに反りを生じること無く信頼性の高い
半導体装置を提供する。 【解決手段】 複数の外部導出リードを具備した回路基
板の表裏両面に半導体チップを搭載した半導体装置の製
造方法において、前記回路基板１の第１の表面に第１の
半導体チップ２を搭載し、前記外部導出リードの少なく
とも１つと電気的接続を行った後、樹脂封止用金型を用
いて樹脂封止を行う第１の樹脂封止工程と、前記回路基
板の第２の表面に第２の半導体チップ３を搭載し、前記
外部導出リードの少なくとも１つと電気的接続を行った
後、ポッティングにより前記第２の半導体チップ３を覆
うように樹脂封止を行う第２の樹脂封止工程とを含む。
てなる半導体装置を樹脂封止領域の位置ずれなしに良好
に形成するとともに反りを生じること無く信頼性の高い
半導体装置を提供する。 【解決手段】 複数の外部導出リードを具備した回路基
板の表裏両面に半導体チップを搭載した半導体装置の製
造方法において、前記回路基板１の第１の表面に第１の
半導体チップ２を搭載し、前記外部導出リードの少なく
とも１つと電気的接続を行った後、樹脂封止用金型を用
いて樹脂封止を行う第１の樹脂封止工程と、前記回路基
板の第２の表面に第２の半導体チップ３を搭載し、前記
外部導出リードの少なくとも１つと電気的接続を行った
後、ポッティングにより前記第２の半導体チップ３を覆
うように樹脂封止を行う第２の樹脂封止工程とを含む。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
に係り、特に、リードフレームの両面に半導体チップを
搭載する両面実装型半導体装置の実装方法に関する。
に係り、特に、リードフレームの両面に半導体チップを
搭載する両面実装型半導体装置の実装方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】通常、半導体装置は、リードフレームの
ダイパッド（半導体素子搭載部）上に半導体チップを搭
載し、この半導体チップのボンディングパッドとリ―ド
フレ―ムのインナ―リ―ドとをボンディングワイヤ等に
よって結線し、更にこれらを樹脂やセラミック等の封止
材料で封止し、タイバ―やサイドバ―を切断し、アウタ
―リ―ドを所望の形状に折り曲げて完成せしめられる。
ダイパッド（半導体素子搭載部）上に半導体チップを搭
載し、この半導体チップのボンディングパッドとリ―ド
フレ―ムのインナ―リ―ドとをボンディングワイヤ等に
よって結線し、更にこれらを樹脂やセラミック等の封止
材料で封止し、タイバ―やサイドバ―を切断し、アウタ
―リ―ドを所望の形状に折り曲げて完成せしめられる。
【０００３】ところで近年、半導体装置の高密度化、薄
型化への要求は高まる一方であり、この要求に備えて、
リードフレームの表裏両面に半導体チップを搭載したも
のが提案されている（例えば、特開平５−１２１４６２
号）。この半導体装置では通常、ダイパッドの表面およ
び裏面にダイボンディング工程、ワイヤボンディング工
程、モールド工程を、それぞれ行うようにし、表裏両面
に半導体チップを搭載している。
型化への要求は高まる一方であり、この要求に備えて、
リードフレームの表裏両面に半導体チップを搭載したも
のが提案されている（例えば、特開平５−１２１４６２
号）。この半導体装置では通常、ダイパッドの表面およ
び裏面にダイボンディング工程、ワイヤボンディング工
程、モールド工程を、それぞれ行うようにし、表裏両面
に半導体チップを搭載している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この方
法では、第２のモールド工程で使用する樹脂封止用金型
に、既に形成した樹脂封止パッケージを逃がすための開
口を設ける必要があるばかりではなく、位置決め誤差に
よって表裏両面で樹脂封止領域のずれが生じ易いという
問題があった。
法では、第２のモールド工程で使用する樹脂封止用金型
に、既に形成した樹脂封止パッケージを逃がすための開
口を設ける必要があるばかりではなく、位置決め誤差に
よって表裏両面で樹脂封止領域のずれが生じ易いという
問題があった。
【０００５】また、第１のモールド工程でリードフレー
ムの片面だけに樹脂封止がなされるため、リードフレー
ム全体に反りが生じやすく、この反りが位置決め精度を
低下させる原因となっていた。
ムの片面だけに樹脂封止がなされるため、リードフレー
ム全体に反りが生じやすく、この反りが位置決め精度を
低下させる原因となっていた。
【０００６】本発明は前記実情に鑑みてなされたもの
で、ダイパッドの両面に、半導体チップを搭載してなる
半導体装置を樹脂封止領域の位置ずれなしに良好に形成
するとともに反りを生じること無く信頼性の高い半導体
装置を提供することを目的とする。
で、ダイパッドの両面に、半導体チップを搭載してなる
半導体装置を樹脂封止領域の位置ずれなしに良好に形成
するとともに反りを生じること無く信頼性の高い半導体
装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】そこで本発明では、複数
の外部導出リードを具備した回路基板の表裏両面に半導
体チップを搭載した半導体装置の製造方法において、前
記回路基板の第１の表面に第１の半導体チップを搭載
し、前記外部導出リードの少なくとも１つと電気的接続
を行った後、樹脂封止用金型を用いて樹脂封止を行う第
１の樹脂封止工程と、前記回路基板の第２の表面に第２
の半導体チップを搭載し、前記外部導出リードの少なく
とも１つと電気的接続を行った後、ポッティングにより
前記第２の半導体チップを覆うように樹脂封止を行う第
２の樹脂封止工程とを含むことを特徴とする。
の外部導出リードを具備した回路基板の表裏両面に半導
体チップを搭載した半導体装置の製造方法において、前
記回路基板の第１の表面に第１の半導体チップを搭載
し、前記外部導出リードの少なくとも１つと電気的接続
を行った後、樹脂封止用金型を用いて樹脂封止を行う第
１の樹脂封止工程と、前記回路基板の第２の表面に第２
の半導体チップを搭載し、前記外部導出リードの少なく
とも１つと電気的接続を行った後、ポッティングにより
前記第２の半導体チップを覆うように樹脂封止を行う第
２の樹脂封止工程とを含むことを特徴とする。
【０００８】
【作用】上記方法によれば、少なくとも裏面側の樹脂封
止工程がポッテイング法によって行われるため、専用の
モールド金型やプレス装置を必要とすることなく極めて
容易に作業性良く、両面実装が可能となる。
止工程がポッテイング法によって行われるため、専用の
モールド金型やプレス装置を必要とすることなく極めて
容易に作業性良く、両面実装が可能となる。
【０００９】また、第１のモールド工程でリードフレー
ム全体に反りが発生しても所望の箇所に樹脂封止を行う
ことが出来る。さらにまた、この反りは後のキュアー工
程で完全に除去することが出来る。
ム全体に反りが発生しても所望の箇所に樹脂封止を行う
ことが出来る。さらにまた、この反りは後のキュアー工
程で完全に除去することが出来る。
【００１０】さらにまた裏面側の樹脂封止工程で精細な
位置決め精度を要求されないため、自動化が極めて容易
である。
位置決め精度を要求されないため、自動化が極めて容易
である。
【００１１】なお本発明において回路基板は単層構造の
リードフレームに限定されること無く多層リードフレー
ムあるいはボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）基板等にも
適用可能である。
リードフレームに限定されること無く多層リードフレー
ムあるいはボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）基板等にも
適用可能である。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例について、図面を参照
しつつ詳細に説明する。
しつつ詳細に説明する。
【００１３】図１にこの半導体装置の断面図、図２に樹
脂封止前の同半導体装置を示す上面図を示す。
脂封止前の同半導体装置を示す上面図を示す。
【００１４】この半導体装置は、ダイパッド１のまわり
に先端が近接するように配列された複数のインナーリー
ド４を具備したリードフレームを用いたもので、このダ
イパッド１の表面に、第１の半導体チップ２を搭載する
とともに、モールド金型を用いて樹脂封止を行い、さら
に該ダイパッド１の裏面に、第２の半導体チップ３を搭
載しポッティングにより樹脂封止を行うようにしたこと
を特徴とする。
に先端が近接するように配列された複数のインナーリー
ド４を具備したリードフレームを用いたもので、このダ
イパッド１の表面に、第１の半導体チップ２を搭載する
とともに、モールド金型を用いて樹脂封止を行い、さら
に該ダイパッド１の裏面に、第２の半導体チップ３を搭
載しポッティングにより樹脂封止を行うようにしたこと
を特徴とする。
【００１５】すなわちこの半導体装置では、ダイパッド
１の２辺の周縁に沿ってそれぞれ先端が千鳥状をなすよ
うに配列され、外方に伸長する複数のインナ−リ−ド４
と、各インナ−リ−ド４に連設されたアウタ−リ−ド８
とを具備したリードフレームと、前記ダイパッド１の表
面に固着された第１の半導体チップ２と、前記ダイパッ
ド１の裏面に固着された第２の半導体チップ３と、前記
第１の半導体チップ２と前記インナーリードのうちの少
なくとも１つのインナーリードとを接続する第１のボン
ディングワイヤ６ａと、前記第２の半導体チップ３と前
記インナーリード４のうちの少なくとも１つのインナー
リード４とを接続する第２のボンディングワイヤ６ｂと
を具備し、第１の半導体チップ２を覆うように封止樹脂
１１で封止するとともに裏面では、第２の半導体チップ
３をポッティング樹脂１２で被覆したことを特徴とす
る。ここでダイパッド１はサポートバー９によって２辺
を支持せしめられており、インナーリード４はタイバー
１０によって一体的に支持せしめられている。７はサイ
ドバーである。なおここで、電源ラインや接地ラインに
接続するインナーリードは、第１の半導体チップと第２
の半導体チップのボンディングパッドに共通して接続す
るようにしてもよい。
１の２辺の周縁に沿ってそれぞれ先端が千鳥状をなすよ
うに配列され、外方に伸長する複数のインナ−リ−ド４
と、各インナ−リ−ド４に連設されたアウタ−リ−ド８
とを具備したリードフレームと、前記ダイパッド１の表
面に固着された第１の半導体チップ２と、前記ダイパッ
ド１の裏面に固着された第２の半導体チップ３と、前記
第１の半導体チップ２と前記インナーリードのうちの少
なくとも１つのインナーリードとを接続する第１のボン
ディングワイヤ６ａと、前記第２の半導体チップ３と前
記インナーリード４のうちの少なくとも１つのインナー
リード４とを接続する第２のボンディングワイヤ６ｂと
を具備し、第１の半導体チップ２を覆うように封止樹脂
１１で封止するとともに裏面では、第２の半導体チップ
３をポッティング樹脂１２で被覆したことを特徴とす
る。ここでダイパッド１はサポートバー９によって２辺
を支持せしめられており、インナーリード４はタイバー
１０によって一体的に支持せしめられている。７はサイ
ドバーである。なおここで、電源ラインや接地ラインに
接続するインナーリードは、第１の半導体チップと第２
の半導体チップのボンディングパッドに共通して接続す
るようにしてもよい。
【００１６】次にこの半導体装置の製造方法について説
明する。
明する。
【００１７】まず、４２アロイ（Ｆｅ−Ｎｉ合金材）か
らなる条材等を出発材料とし、通常のプレス加工法によ
って形状加工を行った後、必要に応じてめっき工程やテ
ーピング工程を経て形成したリードフレームのダイパッ
ド１の表面側に図３(a)に示すように、絶縁性ペースト
５を介して第１の半導体チップ２を搭載する。そして、
第1のボンディングワイヤ６aを介してボンディングを行
った後、図３(b)に示すように、モールド金型を用いて
樹脂封止を行い該表面側を第１の樹脂パッケージ１１で
封止する。
らなる条材等を出発材料とし、通常のプレス加工法によ
って形状加工を行った後、必要に応じてめっき工程やテ
ーピング工程を経て形成したリードフレームのダイパッ
ド１の表面側に図３(a)に示すように、絶縁性ペースト
５を介して第１の半導体チップ２を搭載する。そして、
第1のボンディングワイヤ６aを介してボンディングを行
った後、図３(b)に示すように、モールド金型を用いて
樹脂封止を行い該表面側を第１の樹脂パッケージ１１で
封止する。
【００１８】この後、リードフレームを反転し、図３
(c) に示すように、リードフレームの表面側に第１の半
導体チップ２を搭載し、同様に、第２のボンディング６
ｂを介してボンディングを行い第２の樹脂パッケージ１
２で封止する。この工程では、ポッティングにより樹脂
封止を行う。この後１５０℃１２０分程度のキュア工程
を行う（図３(d) ）。この工程では、従来の方法のよう
に金型を用いる必要がないため、既に形成されている第
１の樹脂パッケージ１１に対する位置合せを行う必要が
無く、叉モールド金型を用いる必要がないため樹脂封止
工程が極めて容易となる。このようにして高密度実装型
の薄型半導体装置が完成せしめられるが、専用の金型を
使用すること無く形成できるため、設備と作業の大幅な
簡素化が可能となる。叉、第１のモールド工程で、イン
ナーリード全体に反りが発生した場合にも、第２のモー
ルド工程では金型を必要としないため、所望の箇所に容
易に樹脂封止を行うことが出来る。叉、この反りは後の
キュアー工程で完全に除去することが出来る。叉、精細
な位置決め精度を要求されないため、自動化の実現が可
能である。
(c) に示すように、リードフレームの表面側に第１の半
導体チップ２を搭載し、同様に、第２のボンディング６
ｂを介してボンディングを行い第２の樹脂パッケージ１
２で封止する。この工程では、ポッティングにより樹脂
封止を行う。この後１５０℃１２０分程度のキュア工程
を行う（図３(d) ）。この工程では、従来の方法のよう
に金型を用いる必要がないため、既に形成されている第
１の樹脂パッケージ１１に対する位置合せを行う必要が
無く、叉モールド金型を用いる必要がないため樹脂封止
工程が極めて容易となる。このようにして高密度実装型
の薄型半導体装置が完成せしめられるが、専用の金型を
使用すること無く形成できるため、設備と作業の大幅な
簡素化が可能となる。叉、第１のモールド工程で、イン
ナーリード全体に反りが発生した場合にも、第２のモー
ルド工程では金型を必要としないため、所望の箇所に容
易に樹脂封止を行うことが出来る。叉、この反りは後の
キュアー工程で完全に除去することが出来る。叉、精細
な位置決め精度を要求されないため、自動化の実現が可
能である。
【００１９】なお、第１および第２の半導体チップの裏
面側すなわち、ボンディング面に対向する面は絶縁膜で
被覆されていてもよいし、半導体面のままでもよいし、
またオーミックコンタクトを構成していてもよい。また
電源ラインや接地ラインなどに対しては、表面側および
裏面側の半導体チップを同一インナーリードに接続して
もよい。さらにまた、第１および第２の半導体チップの
裏面側をアース電位に落とすような場合は、全面で電気
的接続を達成するようにすればよい。またダイパッドを
介して相互に密着しているため、放熱性もよくなり、さ
らに第１および第２の半導体チップの温度をダイパッド
を介して同一に維持することができ、温度特性の異なる
半導体チップを使用するような場合に、特性ばらつきを
低減することができ有効である。
面側すなわち、ボンディング面に対向する面は絶縁膜で
被覆されていてもよいし、半導体面のままでもよいし、
またオーミックコンタクトを構成していてもよい。また
電源ラインや接地ラインなどに対しては、表面側および
裏面側の半導体チップを同一インナーリードに接続して
もよい。さらにまた、第１および第２の半導体チップの
裏面側をアース電位に落とすような場合は、全面で電気
的接続を達成するようにすればよい。またダイパッドを
介して相互に密着しているため、放熱性もよくなり、さ
らに第１および第２の半導体チップの温度をダイパッド
を介して同一に維持することができ、温度特性の異なる
半導体チップを使用するような場合に、特性ばらつきを
低減することができ有効である。
【００２０】また、前記実施例では、リードフレームの
出発材料として４２アロイを用いたが、銅材等他の材料
を用いてもよく、また成型方法としてもプレス法に限定
されること無くエッチング法等他の方法を用いても良い
ことはいうまでもない。
出発材料として４２アロイを用いたが、銅材等他の材料
を用いてもよく、また成型方法としてもプレス法に限定
されること無くエッチング法等他の方法を用いても良い
ことはいうまでもない。
【００２１】さらにまた、前記実施例では、リードと同
一材料で形成されたダイパッドを用いたが、ダイパッド
をＣｕ系材料で構成して放熱性を高めるなど、リード部
とは別の材料で構成するようにしてもよい。また、リー
ドを多層構造で形成してもよい。さらに、前記実施例で
は、ワイヤボンディングで電気的接続を行うようにした
が、ダイレクトボンディングで電気的接続を達成しても
よい。
一材料で形成されたダイパッドを用いたが、ダイパッド
をＣｕ系材料で構成して放熱性を高めるなど、リード部
とは別の材料で構成するようにしてもよい。また、リー
ドを多層構造で形成してもよい。さらに、前記実施例で
は、ワイヤボンディングで電気的接続を行うようにした
が、ダイレクトボンディングで電気的接続を達成しても
よい。
【００２２】次に本発明の第２の実施例について説明す
る。
る。
【００２３】前記実施例ではリードフレームを用いた半
導体装置の実装方法について説明したがこの例では外部
導出リードとして基板裏面から突出するように構成され
たボールを用いたボールグリッドアレイによる実装方法
について説明する。
導体装置の実装方法について説明したがこの例では外部
導出リードとして基板裏面から突出するように構成され
たボールを用いたボールグリッドアレイによる実装方法
について説明する。
【００２４】この半導体装置は、図４に示すように、ダ
イパッド１を構成する金属板の裏面側に、ポリイミド樹
脂からなりさらにこの裏面側に導体パターン１４を形成
してなる絶縁性テープ１５を絶縁性接着剤５を介して貼
着し、この導体パターン１４に接続するように半田ボー
ル１８を配列し、ボールグリッドアレイ構造をなすもの
である。そして、このダイパッド１の表面及び裏面に第
１及び第２の半導体チップ２、３を搭載しそれぞれ第１
および第２のボンディングワイヤ６ａ，６ｂを介して第
１および第２の半導体チップ２、３と導体パターン１４
との電気的接続を行うとともに、表面側はモールド金型
を用いて樹脂封止を行い、さらに該ダイパッド１の裏面
側は、ポッティングにより樹脂封止を行うようにしたこ
とを特徴とする。ここで半田ボール１８は、導体パター
ン１４の表面を覆うポリイミド膜１７に形成された孔H
を介してこの導体パターン１４との電気的接続がなされ
る。
イパッド１を構成する金属板の裏面側に、ポリイミド樹
脂からなりさらにこの裏面側に導体パターン１４を形成
してなる絶縁性テープ１５を絶縁性接着剤５を介して貼
着し、この導体パターン１４に接続するように半田ボー
ル１８を配列し、ボールグリッドアレイ構造をなすもの
である。そして、このダイパッド１の表面及び裏面に第
１及び第２の半導体チップ２、３を搭載しそれぞれ第１
および第２のボンディングワイヤ６ａ，６ｂを介して第
１および第２の半導体チップ２、３と導体パターン１４
との電気的接続を行うとともに、表面側はモールド金型
を用いて樹脂封止を行い、さらに該ダイパッド１の裏面
側は、ポッティングにより樹脂封止を行うようにしたこ
とを特徴とする。ここで半田ボール１８は、導体パター
ン１４の表面を覆うポリイミド膜１７に形成された孔H
を介してこの導体パターン１４との電気的接続がなされ
る。
【００２５】すなわち、中央にダイパッド１が形成され
た金属基板Ｍと、このダイパッド１の表面および裏面に
搭載された第１および第２の半導体チップ２、３と、金
属基板Ｍの裏面側に貼着され、導体パターン１４を表面
に形成した絶縁性テープ１５からなるＴＡＢ基板と，Ｔ
ＡＢ基板の裏面側に突出せしめられた半田ボール１８
と、この第１の半導体チップ２を覆うようにモールド金
型を用いて形成された樹脂封止容器１１、第２の半導体
チップ３を覆うようにポッティングにより形成された樹
脂封止容器１２とから構成されたことを特徴とするもの
である。ここでＴＡＢ基板は、絶縁性テープ１５の片面
に導体パターン１４を形成して構成されている。そして
このＴＡＢ基板は絶縁性テープ側の面を金属基板Ｍに固
着され、この金属基板Ｍと絶縁性テープ１５には導体パ
ターン１４のボンディングエリアに相当する領域に配線
孔ｈが形成され、この配線孔ｈに相当する領域の導体パ
ターン１４が露呈せしめられる。また、ＴＡＢ基板の裏
面側は孔Ｈを有するポリイミド樹脂膜１７で覆われ、こ
の孔Ｈを介して、表面側の前記導体パターン１４に接続
するように半田ボール１８が配設されポリイミド樹脂膜
１７上に突出せしめられている。更に第１および第２の
半導体チップ２、３は金からなるボンディングワイヤ６
ａ、６ｂを介して導体パターン１４に接続されている。
また金属基板Ｍはポリイミド樹脂からなる絶縁性接着剤
５を介してＴＡＢ基板に固着されており、また、中央部
でもこの絶縁性接着剤を介して第１および第２の半導体
チップ２、３に固着せしめられている。
た金属基板Ｍと、このダイパッド１の表面および裏面に
搭載された第１および第２の半導体チップ２、３と、金
属基板Ｍの裏面側に貼着され、導体パターン１４を表面
に形成した絶縁性テープ１５からなるＴＡＢ基板と，Ｔ
ＡＢ基板の裏面側に突出せしめられた半田ボール１８
と、この第１の半導体チップ２を覆うようにモールド金
型を用いて形成された樹脂封止容器１１、第２の半導体
チップ３を覆うようにポッティングにより形成された樹
脂封止容器１２とから構成されたことを特徴とするもの
である。ここでＴＡＢ基板は、絶縁性テープ１５の片面
に導体パターン１４を形成して構成されている。そして
このＴＡＢ基板は絶縁性テープ側の面を金属基板Ｍに固
着され、この金属基板Ｍと絶縁性テープ１５には導体パ
ターン１４のボンディングエリアに相当する領域に配線
孔ｈが形成され、この配線孔ｈに相当する領域の導体パ
ターン１４が露呈せしめられる。また、ＴＡＢ基板の裏
面側は孔Ｈを有するポリイミド樹脂膜１７で覆われ、こ
の孔Ｈを介して、表面側の前記導体パターン１４に接続
するように半田ボール１８が配設されポリイミド樹脂膜
１７上に突出せしめられている。更に第１および第２の
半導体チップ２、３は金からなるボンディングワイヤ６
ａ、６ｂを介して導体パターン１４に接続されている。
また金属基板Ｍはポリイミド樹脂からなる絶縁性接着剤
５を介してＴＡＢ基板に固着されており、また、中央部
でもこの絶縁性接着剤を介して第１および第２の半導体
チップ２、３に固着せしめられている。
【００２６】図５および図６はこの半導体装置の製造工
程を示す図である。
程を示す図である。
【００２７】まず、膜厚５０μｍのポリイミド樹脂から
なる絶縁性テープ１５に、厚さ１８μｍの銅箔を貼着
し、この銅箔をフォトリソグラフィによりパターニング
した後、更にこの上層に膜厚０．５μｍのニッケルめっ
き層および膜厚０．５μｍの金めっき層を順次形成する
ことにより、導体パターン１４を有するＴＡＢ基板を形
成する。このとき絶縁性テープ１５には配線孔ｈが形成
されボンディングエリアに相当する領域（破線）の導体
パターン１４が露呈している。そして更にこの上層は、
導体パターン１４を覆うように孔Ｈを有するポリイミド
樹脂膜１７で覆われている。このポリイミド樹脂膜１７
はスクリーン印刷法あるいは塗布後フォトリソグラフィ
でパターニングするなどの方法で形成される。またここ
では半導体チップ搭載領域では放熱性の向上のために絶
縁性テープは除去され孔ｈを構成している。など導体パ
ターン１４は絶縁性テープ１５とポリイミド樹脂膜１７
との間に張り巡らされており、孔ｈには露呈している。
なる絶縁性テープ１５に、厚さ１８μｍの銅箔を貼着
し、この銅箔をフォトリソグラフィによりパターニング
した後、更にこの上層に膜厚０．５μｍのニッケルめっ
き層および膜厚０．５μｍの金めっき層を順次形成する
ことにより、導体パターン１４を有するＴＡＢ基板を形
成する。このとき絶縁性テープ１５には配線孔ｈが形成
されボンディングエリアに相当する領域（破線）の導体
パターン１４が露呈している。そして更にこの上層は、
導体パターン１４を覆うように孔Ｈを有するポリイミド
樹脂膜１７で覆われている。このポリイミド樹脂膜１７
はスクリーン印刷法あるいは塗布後フォトリソグラフィ
でパターニングするなどの方法で形成される。またここ
では半導体チップ搭載領域では放熱性の向上のために絶
縁性テープは除去され孔ｈを構成している。など導体パ
ターン１４は絶縁性テープ１５とポリイミド樹脂膜１７
との間に張り巡らされており、孔ｈには露呈している。
【００２８】そしてあらかじめ配線孔ｈなどの所定の形
状がプレス加工で形成された金属基板Ｍを連設してなる
条材Ａを所定の方向に搬送し、条材Ａの送り方向とは直
交する方向からＴＡＢ基板を連設してなる条材Ｂを搬送
し、丁度直交する部分にプレス装置Ｃを配置し、ダイ３
１とパンチ３２によって条材ＢからＴＡＢ基板を打ち抜
き、下部にある金属基板Ｍの所定位置に押圧する。この
場合、金属基板Ｍは下部のヒータ３３によって加熱さ
れ、接着剤が塗布されたＴＡＢ基板の接合面がこの金属
基板Ｍの所定位置に仮接合される。なお仮接合のみでは
接着が不十分であるため、金属基板Ｍを次の工程に送っ
た時点で、加熱・押圧してＴＡＢ基板と金属基板Ｍとの
本接合が達成される。なお、図６におけるハッチング部
分は抜き孔を示し、ＰＨはパイロット孔を示す。
状がプレス加工で形成された金属基板Ｍを連設してなる
条材Ａを所定の方向に搬送し、条材Ａの送り方向とは直
交する方向からＴＡＢ基板を連設してなる条材Ｂを搬送
し、丁度直交する部分にプレス装置Ｃを配置し、ダイ３
１とパンチ３２によって条材ＢからＴＡＢ基板を打ち抜
き、下部にある金属基板Ｍの所定位置に押圧する。この
場合、金属基板Ｍは下部のヒータ３３によって加熱さ
れ、接着剤が塗布されたＴＡＢ基板の接合面がこの金属
基板Ｍの所定位置に仮接合される。なお仮接合のみでは
接着が不十分であるため、金属基板Ｍを次の工程に送っ
た時点で、加熱・押圧してＴＡＢ基板と金属基板Ｍとの
本接合が達成される。なお、図６におけるハッチング部
分は抜き孔を示し、ＰＨはパイロット孔を示す。
【００２９】このようにして形成された金属基板Ｍの中
央部のダイパッド１に第１の半導体チップ２を導電性接
着剤で接合し、ボンディングワイヤ６ａを介して第１の
半導体チップ２と、配線孔ｈに露呈する導体パターン１
４とを電気的に接続する。そして、モールド金型に、樹
脂封止領域に相当する部分をセットし、エポキシ樹脂を
注入して樹脂封止を行う。
央部のダイパッド１に第１の半導体チップ２を導電性接
着剤で接合し、ボンディングワイヤ６ａを介して第１の
半導体チップ２と、配線孔ｈに露呈する導体パターン１
４とを電気的に接続する。そして、モールド金型に、樹
脂封止領域に相当する部分をセットし、エポキシ樹脂を
注入して樹脂封止を行う。
【００３０】ついで、この金属基板の裏面側に第２の半
導体チップ２を導電性接着剤で接合し、ボンディングワ
イヤ６ｂを介して電気的接続をおこないう、ポッティン
グ樹脂１２を充填する。
導体チップ２を導電性接着剤で接合し、ボンディングワ
イヤ６ｂを介して電気的接続をおこないう、ポッティン
グ樹脂１２を充填する。
【００３１】最後に、格子状に露出している孔Ｈにクリ
ーム半田法などにより半田ボール１８を形成し、条材か
ら分離して樹脂封止型半導体装置が完成する。
ーム半田法などにより半田ボール１８を形成し、条材か
ら分離して樹脂封止型半導体装置が完成する。
【００３２】この方法によればかかる構成極めて容易に
薄型で信頼性の高い半導体装置を提供することが可能と
なる。
薄型で信頼性の高い半導体装置を提供することが可能と
なる。
【００３３】さらにまた、前記実施例では一方の面のみ
ポッティングにより樹脂封止をおこなうようにしたが、
両面をポッティングにより樹脂封止するようにしてもよ
い。
ポッティングにより樹脂封止をおこなうようにしたが、
両面をポッティングにより樹脂封止するようにしてもよ
い。
【００３４】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、半導体チップをダイパッドの両面に搭載する場合
に、特別のモールド金型を使用することなく極めて容易
に信頼性の高い半導体装置を形成することが可能とな
る。
ば、半導体チップをダイパッドの両面に搭載する場合
に、特別のモールド金型を使用することなく極めて容易
に信頼性の高い半導体装置を形成することが可能とな
る。
【図１】本発明実施例の半導体装置断面図
【図２】本発明実施例の半導体装置の表面を示す図
【図３】本発明実施例の半導体装置の製造工程を示す図
【図４】本発明の第２の実施例の半導体装置を示す図
【図５】本発明の第２の実施例の半導体装置の製造工程
を示す図
を示す図
【図６】本発明の第２の実施例の半導体装置の製造工程
を示す図
を示す図
１ ダイパッド ２ 半導体チップ ３ 半導体チップ ４ インナーリード ５ 絶縁性ペースト ６ａ，６ｂ ボンディングワイヤ ７ サイドバー ８ アウターリード ９ サポートバー １０ タイバー １１ 第１の樹脂パッケージ １２ 第２の樹脂パッケージ（ポッティング樹脂） １４ 導体パターン １５ ポリイミドフィルム １７ ポリイミド膜 １８ 半田ボール
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/50 Ｈ０１Ｌ 23/50 Ｕ 25/065 25/08 Ｚ 25/07 25/18
Claims (1)
- 【請求項１】 複数の外部導出リードを具備した回路基
板の表裏両面に半導体チップを搭載した半導体装置の製
造方法において、 前記回路基板の第１の表面に第１の半導体チップを搭載
し、前記外部導出リードの少なくとも１つと電気的接続
を行った後、樹脂封止用金型を用いて樹脂封止を行う第
１の樹脂封止工程と、 前記回路基板の第２の表面に第２の半導体チップを搭載
し、前記外部導出リードの少なくとも１つと電気的接続
を行った後、ポッティングにより前記第２の半導体チッ
プを覆うように樹脂封止を行う第２の樹脂封止工程とを
含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7662096A JPH09270435A (ja) | 1996-03-29 | 1996-03-29 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7662096A JPH09270435A (ja) | 1996-03-29 | 1996-03-29 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09270435A true JPH09270435A (ja) | 1997-10-14 |
Family
ID=13610402
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7662096A Pending JPH09270435A (ja) | 1996-03-29 | 1996-03-29 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09270435A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001026155A1 (fr) * | 1999-10-01 | 2001-04-12 | Seiko Epson Corporation | Dispositif a semi-conducteur, procede et dispositif permettant d'obtenir ce dernier, carte de circuit imprime et equipement electronique |
| KR100690247B1 (ko) * | 2006-01-16 | 2007-03-12 | 삼성전자주식회사 | 이중 봉합된 반도체 패키지 및 그의 제조 방법 |
| JP2017126774A (ja) * | 2011-04-04 | 2017-07-20 | ローム株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
-
1996
- 1996-03-29 JP JP7662096A patent/JPH09270435A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001026155A1 (fr) * | 1999-10-01 | 2001-04-12 | Seiko Epson Corporation | Dispositif a semi-conducteur, procede et dispositif permettant d'obtenir ce dernier, carte de circuit imprime et equipement electronique |
| US6489687B1 (en) | 1999-10-01 | 2002-12-03 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same, manufacturing device, circuit board, and electronic equipment |
| KR100459971B1 (ko) * | 1999-10-01 | 2004-12-04 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 반도체 장치 및 그 제조 방법, 제조 장치, 회로 기판 및전자기기 |
| KR100690247B1 (ko) * | 2006-01-16 | 2007-03-12 | 삼성전자주식회사 | 이중 봉합된 반도체 패키지 및 그의 제조 방법 |
| JP2017126774A (ja) * | 2011-04-04 | 2017-07-20 | ローム株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
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