JPH04277670A - 半導体装置用リードフレーム - Google Patents
半導体装置用リードフレームInfo
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- JPH04277670A JPH04277670A JP3065602A JP6560291A JPH04277670A JP H04277670 A JPH04277670 A JP H04277670A JP 3065602 A JP3065602 A JP 3065602A JP 6560291 A JP6560291 A JP 6560291A JP H04277670 A JPH04277670 A JP H04277670A
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- lead frame
- lead
- metal layer
- semiconductor device
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- Pending
Links
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- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 20
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 14
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 claims abstract description 5
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 claims abstract description 5
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- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
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- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体素子を実装す
る半導体装置用リードフレームに関するものである。
る半導体装置用リードフレームに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２は従来の樹脂モールド型半導体装置
を示す断面図である。図において、１は半導体素子であ
り、リードフレームダイパッド部２に接着材３を介して
接合されている。４はリードフレームのインナーリード
部、５は同アウターリード部、６はダイパッド２及びイ
ンナーリード４に施された内部めっき、７は外部リード
５に施された外装めっきである。８は半導体素子１とイ
ンナーリード４とを接続する金属細線、９は半導体素子
１の保護のために施した封止樹脂である。なお上記リー
ドフレームは金属で製作されている。
を示す断面図である。図において、１は半導体素子であ
り、リードフレームダイパッド部２に接着材３を介して
接合されている。４はリードフレームのインナーリード
部、５は同アウターリード部、６はダイパッド２及びイ
ンナーリード４に施された内部めっき、７は外部リード
５に施された外装めっきである。８は半導体素子１とイ
ンナーリード４とを接続する金属細線、９は半導体素子
１の保護のために施した封止樹脂である。なお上記リー
ドフレームは金属で製作されている。
【０００３】次に製作工程について説明する。半導体素
子１はリードフレームのダイパッド部２に接着材３を介
して接合され、さらに、半導体素子１とインナーリード
部４とが金属細線８により接続され、その後半導体素子
１は封止用樹脂９により封止される。そして外部リード
５に外装めっき７が施されて１個の半導体装置となる。
子１はリードフレームのダイパッド部２に接着材３を介
して接合され、さらに、半導体素子１とインナーリード
部４とが金属細線８により接続され、その後半導体素子
１は封止用樹脂９により封止される。そして外部リード
５に外装めっき７が施されて１個の半導体装置となる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで従来のリード
フレームは金属で製作されているため、封止樹脂との熱
膨張係数が大きく異なり、これが原因でパッケージとリ
ードフレーム間にクラックを発生させるおそれがある。
フレームは金属で製作されているため、封止樹脂との熱
膨張係数が大きく異なり、これが原因でパッケージとリ
ードフレーム間にクラックを発生させるおそれがある。
【０００５】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、リードフレーム材として樹脂を
用いることで、熱膨張係数の差をなくすとともに、リー
ドフレームに金属層を全面に施すことで、半導体素子と
の電気的接続ができる半導体リードフレームを得ること
を目的とする。
ためになされたもので、リードフレーム材として樹脂を
用いることで、熱膨張係数の差をなくすとともに、リー
ドフレームに金属層を全面に施すことで、半導体素子と
の電気的接続ができる半導体リードフレームを得ること
を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体装
置用リードフレームは、合成樹脂を基材として、その全
面を金属層で被覆したものである。
置用リードフレームは、合成樹脂を基材として、その全
面を金属層で被覆したものである。
【０００７】
【作用】この発明におけるリードフレームは、基材を合
成樹脂で構成されているので、封止樹脂との熱膨張係数
の差が殆どなくなる。
成樹脂で構成されているので、封止樹脂との熱膨張係数
の差が殆どなくなる。
【０００８】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図１について説
明する。図１において、上記従来例のものと異なるとこ
ろは、リードフレーム２，４，５の材料に樹脂を用い、
その全面を金属層１０で被覆したものである。
明する。図１において、上記従来例のものと異なるとこ
ろは、リードフレーム２，４，５の材料に樹脂を用い、
その全面を金属層１０で被覆したものである。
【０００９】なおアウターリード部は、最初に構成され
た金属層の上にさらにアウターリードに適した金属層を
施しても良く、又逆に、アウターリードに適した金属層
を先に形成し、その上でインナーリード部はインナーリ
ードに適した金属層を施してもよい。さらには全面に金
属層を形成した上で、インナーリード、アウターリード
各々に適した金属層をそれぞれ施してもよい。
た金属層の上にさらにアウターリードに適した金属層を
施しても良く、又逆に、アウターリードに適した金属層
を先に形成し、その上でインナーリード部はインナーリ
ードに適した金属層を施してもよい。さらには全面に金
属層を形成した上で、インナーリード、アウターリード
各々に適した金属層をそれぞれ施してもよい。
【００１０】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、リード
フレーム材を樹脂により構成したので、封止樹脂とほぼ
同じ熱膨張係数にすることができ、熱歪の起きないパッ
ケージが得られる効果がある。
フレーム材を樹脂により構成したので、封止樹脂とほぼ
同じ熱膨張係数にすることができ、熱歪の起きないパッ
ケージが得られる効果がある。
【図１】この発明の一実施例を示す断面図である。
【図２】従来の樹脂モールド型半導体装置を示す断面図
である。
である。
１ 半導体素子
２ ダイパッド部
４ インナーリード部
５ アウターリード部
８ 金属細線
９ 封止樹脂
１０ 金属層
Claims (1)
- 【請求項１】 リードフレーム上に半導体素子を実装
し、この半導体素子を樹脂封止するものにおいて、合成
樹脂を基材とするリードフレームの全面に金属層を形成
したことを特徴とする半導体装置用リードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3065602A JPH04277670A (ja) | 1991-03-05 | 1991-03-05 | 半導体装置用リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3065602A JPH04277670A (ja) | 1991-03-05 | 1991-03-05 | 半導体装置用リードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04277670A true JPH04277670A (ja) | 1992-10-02 |
Family
ID=13291734
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3065602A Pending JPH04277670A (ja) | 1991-03-05 | 1991-03-05 | 半導体装置用リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04277670A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8389307B2 (en) | 2009-02-04 | 2013-03-05 | Everlight Electronics Co., Ltd. | Light emitting diode package and fabrication method thereof |
-
1991
- 1991-03-05 JP JP3065602A patent/JPH04277670A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8389307B2 (en) | 2009-02-04 | 2013-03-05 | Everlight Electronics Co., Ltd. | Light emitting diode package and fabrication method thereof |
| US8431948B2 (en) | 2009-02-04 | 2013-04-30 | Everlight Electronics Co., Ltd. | Light emitting diode package and fabrication method thereof |
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