JPH04171751A - 半導体装置のリードフレーム - Google Patents

半導体装置のリードフレーム

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JPH04171751A
JPH04171751A JP2299308A JP29930890A JPH04171751A JP H04171751 A JPH04171751 A JP H04171751A JP 2299308 A JP2299308 A JP 2299308A JP 29930890 A JP29930890 A JP 29930890A JP H04171751 A JPH04171751 A JP H04171751A
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JP
Japan
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lead frame
semiconductor device
resin
island
mold
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Pending
Application number
JP2299308A
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English (en)
Inventor
Shohei Okazaki
岡崎　祥平
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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    • H01L2924/181—Encapsulation

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  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置のリードフレームに関し、特にモー
ルド樹脂で封入されるリードフレームに関する。
〔従来の技術〕
従来の半導体装置のリードフレームは、ニッケルと鉄の
合金又は鋼材等の薄板を所定のリードフレームの形状と
なるような金型を用いてプレスにより打ち抜き、又は所
定のリードフレームの形状となるようなマスク材でニッ
ケルと鉄の合金、又は鋼材等の薄板を覆い、エツチング
法によりリードフレームを溶かすことにより、所定のリ
ードフレームの形状を作成していた。
これらプレス法又はエツチング法により構成した半導体
装置のリードフレームのアイランド部およびリード部の
切断面は半導体装置を搭載するアイランド表面に対して
、９０°の角度を持つような構造となっている。
〔発明が解決しようとする課題〕
これら従来のリードフレームは、ニッケルと鉄の合金又
は鋼材等の薄板をプレスによる打ち抜き、又はエツチン
グによりパターニングして形成しているので、このリー
ドフレームの表面に半導体装置をマウントし、リードフ
レームと半導体装置とをボンディングワイヤで切断した
後、モールド等の樹脂で封止した場合、リードフレーム
と封非樹脂の熱膨張率の違いにより、この封止樹脂上に
ストレスがかかり、特にリードフレームのアイランドの
角から樹脂の表面方向へクラックが入るという欠点があ
る。
本発明の目的は、このような欠点を除き、封止樹脂への
ストレスを除き、アイランドから樹脂表面にクラックを
生じないようにした半導体装置のリードフレームを提供
することにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の構成は、半導体装置を搭載しモールド等の樹脂
で封止される半導体装置のリードフレームにおいて、こ
のリードフレーム上のアイランドを形成する面どおしの
角度が、すべて９０°以上の角度を持つように、または
曲面となるように形成されたことを特徴とする。
〔実施例〕
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例のリードフレームを樹脂て封
止した後の断面図である。ここでは、リードフレームの
アイランド１の上に半導体装置２をマウントし、この半
導体装置２とリードフレームのり一ド３とをホンディン
グワイヤ４で切断し、モールド等の樹脂５て封止してい
る。この構成において、リードフレームのアイランド１
の切断面の内角は、すべて９０°以上の角度を持つよう
な形状となっているため、封止樹脂５にかかるストレス
が分散され、封止樹脂５にクラックが生じないという効
果を有する。
第２図は本発明の第２の実施例のリードフレームを樹脂
で封止した後の断面図である。この実施例では、リード
フレームのアイランド１の切断面が曲面となっているた
め、封止樹脂５にかかるストレスが曲面で分散され、ク
ラックか入ることはない。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、リードフレームのアイラ
ンド部の角がすべて９０°以上の角度であったり、曲面
により形成される形状としなので、封止樹脂にかかるス
トレスが分散され、この封止樹脂にクラックが生じない
という効果を有する。
【図面の簡単な説明】
第１図、第２図は本発明の第１および第２の実施例のリ
ードフレームを樹脂で封止した後の断面図である。 １・・・リードフレームのアイランド、２・・・半導体
装置、３・・・リードフレームのリード、４・・・ボン
ディングワイヤ、５・・・封止樹脂。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　半導体装置を搭載しモールド等の樹脂で封止される半
    導体装置のリードフレームにおいて、このリードフレー
    ム上のアイランドを形成する面どおしの角度が、すべて
    ９０゜以上の角度を持つように、または曲面となるよう
    に形成されたことを特徴とする半導体装置のリードフレ
    ーム。
JP2299308A 1990-11-05 1990-11-05 半導体装置のリードフレーム Pending JPH04171751A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0628997A2 (en) * 1993-06-10 1994-12-14 Texas Instruments Incorporated Semiconductor device with small die pad and method of making same

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0628997A2 (en) * 1993-06-10 1994-12-14 Texas Instruments Incorporated Semiconductor device with small die pad and method of making same
EP0628997B1 (en) * 1993-06-10 2002-04-10 Texas Instruments Incorporated Semiconductor device with small die pad and method of making same

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