JPH04106963A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、超薄型半導体装置及びその製造方法に関する
ものである。
ものである。
（従来の技術）
従来、このような分野の技術としては、例えば以下に示
すようなものがあった。
すようなものがあった。
第５回はかかる従来の薄型半導体装置の断面図である。
この図に示すように、リードフレーム１のアイランド３
上に半導体素子（千ノブ）４を搭載し、該半導体素子４
のバッドとリードフレーム１のインナリード２との間を
、ワイヤ５でワイヤボンディングを行った後、封止樹脂
６によって封止するようにしていた。
上に半導体素子（千ノブ）４を搭載し、該半導体素子４
のバッドとリードフレーム１のインナリード２との間を
、ワイヤ５でワイヤボンディングを行った後、封止樹脂
６によって封止するようにしていた。
（発明が解決しようとする課Ｒ）
しかしながら、上記した従来の薄型半導体装置では、ワ
イヤ５のループ高さ、半導体素子４及びリードフレーム
１の厚みの関係から、パッケージの薄型化に限界があり
、また、封止樹脂注入時に発生する僅かなアイランド３
の傾き、浮きが原因となって、外部ボイド、未充填が発
生し易い。
イヤ５のループ高さ、半導体素子４及びリードフレーム
１の厚みの関係から、パッケージの薄型化に限界があり
、また、封止樹脂注入時に発生する僅かなアイランド３
の傾き、浮きが原因となって、外部ボイド、未充填が発
生し易い。
本発明は、以上述べたパッケージの薄型化と封止樹脂圧
入時のアイランドの浮き、傾きによる成形不良の問題点
を除去し、優れた超薄型半導体装置及びその製造方法を
提供することを目的とする。
入時のアイランドの浮き、傾きによる成形不良の問題点
を除去し、優れた超薄型半導体装置及びその製造方法を
提供することを目的とする。
（課題を解決するための手段）
本発明は、上記目的を達成するために、半導体素子を封
止する半導体装置において、第１の封止工程により半導
体素子搭載面側を封止する熱硬化性樹脂と、第２の封止
工程により半導体素子搭載面の反対側に薄い絶縁性の封
止樹脂を設けるようにしたものである。
止する半導体装置において、第１の封止工程により半導
体素子搭載面側を封止する熱硬化性樹脂と、第２の封止
工程により半導体素子搭載面の反対側に薄い絶縁性の封
止樹脂を設けるようにしたものである。
また、半導体素子を封止する半導体装置において、第１
の封止工程により半導体素子搭載面側を封止する熱硬化
性樹脂と、第２の封止工程により半導体素子搭載面の反
対側に薄い絶縁性で、かつ耐熱性の保護テープを設ける
ようにしたものである。
の封止工程により半導体素子搭載面側を封止する熱硬化
性樹脂と、第２の封止工程により半導体素子搭載面の反
対側に薄い絶縁性で、かつ耐熱性の保護テープを設ける
ようにしたものである。
更に、半導体素子を封止する半導体装置の製造方法にお
いて、半導体素子搭載面側を熱硬化性樹脂により封止す
る第１の封止工程と、半導体素子搭載面の反対側は薄い
絶縁性の封止樹脂で封止する第２の封止工程を施すよう
にしたものである。
いて、半導体素子搭載面側を熱硬化性樹脂により封止す
る第１の封止工程と、半導体素子搭載面の反対側は薄い
絶縁性の封止樹脂で封止する第２の封止工程を施すよう
にしたものである。
また、半導体素子搭載面の反対側は、薄い絶縁性で、か
つ耐熱性の保護テープや、液状樹脂の塗布により封止す
るようにしたものである。
つ耐熱性の保護テープや、液状樹脂の塗布により封止す
るようにしたものである。
（作用）
本発明によれば、第１の封止工程により半導体素子搭載
面側を封止する場合には、バキューム又はマグネットに
よって、アイランドの下面側を下金型の平らな面に引き
つけながら成形することにより、第２図（ｂ）に示すよ
うな半封止品１７を形成し、その後、半導体素子搭載面
の反対面を金型で板状絶縁樹脂で成形するか、あるいは
、パッケージ裏面に絶縁性で耐熱性のテープを貼り付け
、又は同性質の液状樹脂の塗布によって封止する。
面側を封止する場合には、バキューム又はマグネットに
よって、アイランドの下面側を下金型の平らな面に引き
つけながら成形することにより、第２図（ｂ）に示すよ
うな半封止品１７を形成し、その後、半導体素子搭載面
の反対面を金型で板状絶縁樹脂で成形するか、あるいは
、パッケージ裏面に絶縁性で耐熱性のテープを貼り付け
、又は同性質の液状樹脂の塗布によって封止する。
（実施例）
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら詳細
に説明する。
に説明する。
第１図は本発明の第１実施例を示す超薄型半導体装１の
断面図、第２図はその超薄型半導体装置の製造工程断面
図である。
断面図、第２図はその超薄型半導体装置の製造工程断面
図である。
まず、第２図（ａ）に示すように、下金型１０と上金型
１１間に半導体素子１５が実装され、かつワイヤ１６に
より配線されたリードフレーム１２をセントする。
１１間に半導体素子１５が実装され、かつワイヤ１６に
より配線されたリードフレーム１２をセントする。
次いで、リードフレームＩ２のアイランドＩ３をバキュ
ームで引きながら、アイランド１３の下面側を下金型１
０の平らな面に引きつけながら、熱硬化性モールド樹脂
（封止材）１８を注入することによって、アイランド１
３の浮き、傾きを発生させることなく、第２図（ｂ）に
示すような、半封止品Ｉ７を成形する。なお、リードフ
レーム１２のアイランド１３はマグネットにより、下金
型１０の平らな面に引きつけるようにしもよい。１４は
サイドゲートであり、因みに、半封止品１７の高さは、
例えば０．４５ｍである。
ームで引きながら、アイランド１３の下面側を下金型１
０の平らな面に引きつけながら、熱硬化性モールド樹脂
（封止材）１８を注入することによって、アイランド１
３の浮き、傾きを発生させることなく、第２図（ｂ）に
示すような、半封止品Ｉ７を成形する。なお、リードフ
レーム１２のアイランド１３はマグネットにより、下金
型１０の平らな面に引きつけるようにしもよい。１４は
サイドゲートであり、因みに、半封止品１７の高さは、
例えば０．４５ｍである。
次に、第２図（ｃ）に示すように、半封止品１７の裏面
を上側にして、下金型２０と上金型２１間にセットし、
半封止品１７の裏面側に封止材を注入することにより、
第２図（ｄ）に示すように、半封止品１７の裏面二二薄
い板状絶縁性樹脂２３を形成する。なる、第２図（ｃ）
における２２はサイドゲートであり、牛反状絶縁性樹脂
２３の厚みは、例えば０．１〜０．２Ｍである。
を上側にして、下金型２０と上金型２１間にセットし、
半封止品１７の裏面側に封止材を注入することにより、
第２図（ｄ）に示すように、半封止品１７の裏面二二薄
い板状絶縁性樹脂２３を形成する。なる、第２図（ｃ）
における２２はサイドゲートであり、牛反状絶縁性樹脂
２３の厚みは、例えば０．１〜０．２Ｍである。
このようにして、第１図に示すような超薄型半導体装置
を得ることができる。
を得ることができる。
第３図は本発明の第２実施例を示す超薄型半導体装置の
製造工程断面図である。
製造工程断面図である。
まず、第３図（ａ）及び第３図（ｂ）に示すように、第
２図（ａ）及び第２図（ｂ） と同様の方法により、半
封止品１７を成形する。
２図（ａ）及び第２図（ｂ） と同様の方法により、半
封止品１７を成形する。
次に、第３図（ｃ）に示すように、半封止品１７の裏面
に、絶縁性で、かつ耐熱性の保護テープ３０を貼り付け
て、第３図（ｄ）に示すように、超薄型半導体装置を得
ることができる。
に、絶縁性で、かつ耐熱性の保護テープ３０を貼り付け
て、第３図（ｄ）に示すように、超薄型半導体装置を得
ることができる。
第４図は本発明の第３実施例を示す超薄型半導体装置の
製造工程断面図である。
製造工程断面図である。
まず、第４図（ａ）及び第４図（ｂ）に示すように、第
２図（ａ）及び第２図（ｂ） と同様の方法により、半
封止品１７を成形する。
２図（ａ）及び第２図（ｂ） と同様の方法により、半
封止品１７を成形する。
次に、第４図（ｃ）に示すように、半封止品１７の裏面
に、液状樹脂４０をニードル４１によって塗布して、平
坦化することにより、第４図（ｔｌ）に示すように、薄
い液状樹脂からなる封止樹脂４２が形成され、超薄型半
導体装置を得ることができる。
に、液状樹脂４０をニードル４１によって塗布して、平
坦化することにより、第４図（ｔｌ）に示すように、薄
い液状樹脂からなる封止樹脂４２が形成され、超薄型半
導体装置を得ることができる。
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。
（発明の効果）
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、第２の
封止工程により半導体素子搭載面の反対側に薄い絶縁性
の封止体を形成するようにしたので、従来の薄型半導体
封止方法に較べて、より薄く、かつ、成形性の良い超薄
型半導体装置を得ることができる。
封止工程により半導体素子搭載面の反対側に薄い絶縁性
の封止体を形成するようにしたので、従来の薄型半導体
封止方法に較べて、より薄く、かつ、成形性の良い超薄
型半導体装置を得ることができる。
第１図は本発明の第１実施例を示す超薄型半導体装置の
断面図、第２図はその超薄型半導体装置の製造工程断面
図、第３図は本発明の第２実施例を示す超薄型半導体装
置の製造工程断面図、第４図は本発明の第３実施例を示
す超薄型半導体装置の製造工程断面図、第５図は従来の
薄型半導体装置の断面図である。 １０、２０・・・下金型、１１．２１・・上金型、１２
・・・リードフレーム、１３・・アイランド、１４．２
２・・・サイトゲート、１５・・・半導体素子、１６・
・・ワイヤ、１７・・・半封止品、１８・・封止材、２
３・・・板状絶縁性樹脂、３０・・・保護テープ、４０
・・・液状樹脂、４１・・・ニードル、４２・・封止樹
脂。 特許出願人 沖電気工業株式会社 （外１名） 代理人 弁理士 清 水 守（外１名）ネ針刃婢噂
りＤ防装置−１図 第１図 □型褥輝り輸耐図 第５図 バキューム 又１３
断面図、第２図はその超薄型半導体装置の製造工程断面
図、第３図は本発明の第２実施例を示す超薄型半導体装
置の製造工程断面図、第４図は本発明の第３実施例を示
す超薄型半導体装置の製造工程断面図、第５図は従来の
薄型半導体装置の断面図である。 １０、２０・・・下金型、１１．２１・・上金型、１２
・・・リードフレーム、１３・・アイランド、１４．２
２・・・サイトゲート、１５・・・半導体素子、１６・
・・ワイヤ、１７・・・半封止品、１８・・封止材、２
３・・・板状絶縁性樹脂、３０・・・保護テープ、４０
・・・液状樹脂、４１・・・ニードル、４２・・封止樹
脂。 特許出願人 沖電気工業株式会社 （外１名） 代理人 弁理士 清 水 守（外１名）ネ針刃婢噂
りＤ防装置−１図 第１図 □型褥輝り輸耐図 第５図 バキューム 又１３
Claims (5)
- （１）半導体素子を封止する半導体装置において、（ａ
）第１の封止工程により半導体素子搭載面側を封止する
熱硬化性樹脂と、 （ｂ）第２の封止工程により半導体素子搭載面の反対側
に薄い絶縁性の封止樹脂を形成してなる超薄型半導体装
置。 - （２）半導体素子を封止する半導体装置において、（ａ
）第１の封止工程により半導体素子搭載面側を封止する
熱硬化性樹脂と、 （ｂ）第２の封止工程により半導体素子搭載面の反対側
に薄い絶縁性で、かつ耐熱性の保護テープを具備する超
薄型半導体装置。 - （３）半導体素子を封止する半導体装置の製造方法にお
いて、 （ａ）半導体素子搭載面側を熱硬化性樹脂により封止す
る第１の封止工程と、 （ｂ）半導体素子搭載面の反対側は薄い絶縁性の封止樹
脂で封止する第２の封止工程を施す超薄型半導体装置の
製造方法。 - （４）半導体素子を封止する半導体装置の製造方法にお
いて、 （ａ）半導体素子搭載面側を熱硬化性樹脂により封止す
る第１の封止工程と、 （ｂ）半導体素子搭載面の反対側は薄い絶縁性で、かつ
耐熱性の保護テープを貼り付ける第２の封止工程を施す
超薄型半導体装置の製造方法。 - （５）半導体素子を封止する半導体装置の製造方法にお
いて、 （ａ）半導体素子搭載面側を熱硬化性樹脂により封止す
る第１の封止工程と、 （ｂ）半導体素子搭載面の反対側は薄い絶縁性で、かつ
耐熱性の液状樹脂を塗布する第２の封止工程を施す超薄
型半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2222595A JP2988986B2 (ja) | 1990-08-27 | 1990-08-27 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2222595A JP2988986B2 (ja) | 1990-08-27 | 1990-08-27 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04106963A true JPH04106963A (ja) | 1992-04-08 |
| JP2988986B2 JP2988986B2 (ja) | 1999-12-13 |
Family
ID=16784935
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2222595A Expired - Lifetime JP2988986B2 (ja) | 1990-08-27 | 1990-08-27 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2988986B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09116051A (ja) * | 1995-10-19 | 1997-05-02 | Nec Corp | 樹脂封止半導体装置およびその製造装置 |
| JPH09232353A (ja) * | 1996-02-21 | 1997-09-05 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置の製造方法およびその金型 |
| JP2019080023A (ja) * | 2017-10-27 | 2019-05-23 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
-
1990
- 1990-08-27 JP JP2222595A patent/JP2988986B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09116051A (ja) * | 1995-10-19 | 1997-05-02 | Nec Corp | 樹脂封止半導体装置およびその製造装置 |
| JPH09232353A (ja) * | 1996-02-21 | 1997-09-05 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置の製造方法およびその金型 |
| JP2019080023A (ja) * | 2017-10-27 | 2019-05-23 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2988986B2 (ja) | 1999-12-13 |
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