JP2988986B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、半導体装置及びその製造方法に関するもの
である。
である。
（従来の技術） 従来、このような分野の技術としては、例えば以下に
示すようなものがあった。
示すようなものがあった。
第５図はかかる従来の薄型半導体装置の断面図であ
る。
る。
この図に示すように、リードフレーム１のアイランド
３上に半導体素子（チップ）４を搭載し、該半導体素子
４のパッドとリードフレーム１のインナリード２との間
を、ワイヤ５でワイヤボンデイングを行った後、封止樹
脂６によって封止するようにしていた。
３上に半導体素子（チップ）４を搭載し、該半導体素子
４のパッドとリードフレーム１のインナリード２との間
を、ワイヤ５でワイヤボンデイングを行った後、封止樹
脂６によって封止するようにしていた。
（発明が解決しようとする課題） しかしながら、上記した従来の薄型半導体装置では、
ワイヤ５のループ高さ、半導体素子４及びリードフレー
ム１の厚みの関係から、パッケージの薄型化に限界があ
り、また、封止樹脂注入時に発生する僅かなアイランド
３の傾き、浮きが原因となって、外部ボイド、未充填が
発生し易い。
ワイヤ５のループ高さ、半導体素子４及びリードフレー
ム１の厚みの関係から、パッケージの薄型化に限界があ
り、また、封止樹脂注入時に発生する僅かなアイランド
３の傾き、浮きが原因となって、外部ボイド、未充填が
発生し易い。
本発明は、以上述べたパッケージの薄型化を実現し、
封止樹脂注入時のアイランドの浮き、傾きによる成形不
良の問題点を除去し、優れた半導体装置及びその製造方
法を提供することを目的とする。
封止樹脂注入時のアイランドの浮き、傾きによる成形不
良の問題点を除去し、優れた半導体装置及びその製造方
法を提供することを目的とする。
（課題を解決するための手段） 本発明は、上記目的を達成するために、 （１）半導体素子を搭載する搭載面を有するアイランド
と複数のリードとが形成されたリードフレームを用いて
製造され、前記アイランド、このアイランド上に搭載さ
れた半導体素子、前記リード各々における前記アイラン
ド近傍部分、及び該リード前記半導体素子に設けられた
パッドとを接続するワイヤをそれぞれ樹脂封止し、前記
リードが樹脂封止された部分から延出してなる半導体装
置において、前記搭載面側及び前記リードにおける前記
ワイヤと接続される側のそのリードが延出する境界部分
までは第１の封止樹脂で封止され、前記搭載面とは反対
の面側及び前記リードにおける前記ワイヤと接続される
側とは反対の面側のそのリードが延出する境界部分まで
は第２の封止樹脂で封止されており、前記第１の封止樹
脂の厚さより、前記第２の封止樹脂の厚さが薄いことを
特徴とする。
と複数のリードとが形成されたリードフレームを用いて
製造され、前記アイランド、このアイランド上に搭載さ
れた半導体素子、前記リード各々における前記アイラン
ド近傍部分、及び該リード前記半導体素子に設けられた
パッドとを接続するワイヤをそれぞれ樹脂封止し、前記
リードが樹脂封止された部分から延出してなる半導体装
置において、前記搭載面側及び前記リードにおける前記
ワイヤと接続される側のそのリードが延出する境界部分
までは第１の封止樹脂で封止され、前記搭載面とは反対
の面側及び前記リードにおける前記ワイヤと接続される
側とは反対の面側のそのリードが延出する境界部分まで
は第２の封止樹脂で封止されており、前記第１の封止樹
脂の厚さより、前記第２の封止樹脂の厚さが薄いことを
特徴とする。
（２）請求項１記載の半導体装置において、前記第１の
封止樹脂の厚さと前記第２の封止樹脂の厚さとの比は、
2.25:1〜4.5:1の範囲内であることを特徴とする。
封止樹脂の厚さと前記第２の封止樹脂の厚さとの比は、
2.25:1〜4.5:1の範囲内であることを特徴とする。
（３）請求項１または２記載の半導体装置において、前
記第１の封止樹脂は熱硬化性樹脂であることを特徴とす
る。
記第１の封止樹脂は熱硬化性樹脂であることを特徴とす
る。
（４）半導体素子を搭載する搭載面を有するアイランド
と、このアイランド上に搭載された半導体素子と、複数
のリードと、このリードと前記半導体素子に設けられた
パッドとを接続するワイヤとを有し、前記アイランド、
前記半導体素子、前記リード各々における前記アイラン
ド近傍部分、及び前記ワイヤをそれぞれ樹脂封止し、前
記リードが樹脂封止された部分から延出してなる半導体
装置の製造方法において、前記半導体素子の搭載面側及
び前記リードの前記ワイヤと接続される側の該リードが
延出する境界部分までの樹脂封止を行った後に、前記搭
載面とは反対の面側及び前記リードの前記ワイヤと接続
される側とは反対側の該リードが延出する境界部分まで
を絶縁物にて覆うことを特徴とする。
と、このアイランド上に搭載された半導体素子と、複数
のリードと、このリードと前記半導体素子に設けられた
パッドとを接続するワイヤとを有し、前記アイランド、
前記半導体素子、前記リード各々における前記アイラン
ド近傍部分、及び前記ワイヤをそれぞれ樹脂封止し、前
記リードが樹脂封止された部分から延出してなる半導体
装置の製造方法において、前記半導体素子の搭載面側及
び前記リードの前記ワイヤと接続される側の該リードが
延出する境界部分までの樹脂封止を行った後に、前記搭
載面とは反対の面側及び前記リードの前記ワイヤと接続
される側とは反対側の該リードが延出する境界部分まで
を絶縁物にて覆うことを特徴とする。
（５）請求項４記載の半導体装置の製造方法において、
前記絶縁物は封止樹脂であることを特徴とする。
前記絶縁物は封止樹脂であることを特徴とする。
（６）請求項４記載の半導体装置の製造方法において、
前記絶縁物は保護テープであることを特徴とする。
前記絶縁物は保護テープであることを特徴とする。
（７）請求項４記載の半導体装置の製造方法において、
前記絶縁物は塗布された液体樹脂であることを特徴とす
る。
前記絶縁物は塗布された液体樹脂であることを特徴とす
る。
（８）請求項４〜７のいずれか１つに記載の半導体装置
の製造方法において、前記半導体素子の搭載面側の樹脂
封止は、前記アイランドの前記搭載面とは反対の面を吸
引した状態で、前記搭載面側に樹脂が供給されることを
特徴とする。
の製造方法において、前記半導体素子の搭載面側の樹脂
封止は、前記アイランドの前記搭載面とは反対の面を吸
引した状態で、前記搭載面側に樹脂が供給されることを
特徴とする。
（作用） 本発明によれば、第１の封止工程により半導体素子搭
載面側を封止する場合には、バキューム又はマグネット
によって、アイランドの下面側を下金型の平らな面に引
きつけながら成形することにより、第２図（ｂ）に示す
ような半封止品17を形成し、その後、半導体素子搭載面
の反対面を金型で板状絶縁樹脂で成形するか、あるい
は、パッケージ裏面に絶縁性で耐熱性のテープを貼り付
る、又は同性質の液状樹脂の塗布によって封止する。
載面側を封止する場合には、バキューム又はマグネット
によって、アイランドの下面側を下金型の平らな面に引
きつけながら成形することにより、第２図（ｂ）に示す
ような半封止品17を形成し、その後、半導体素子搭載面
の反対面を金型で板状絶縁樹脂で成形するか、あるい
は、パッケージ裏面に絶縁性で耐熱性のテープを貼り付
る、又は同性質の液状樹脂の塗布によって封止する。
（実施例） 以下、本発明の実施例について図面を参照しながら詳
細に説明する。
細に説明する。
第１図は本発明の第１実施例を示す超薄型半導体装置
の断面図、第２図はその超薄型半導体装置の製造工程断
面図である。
の断面図、第２図はその超薄型半導体装置の製造工程断
面図である。
まず、第２図（ａ）に示すように、下金型10と上金型
11間に半導体素子15がアイランド13上に実装され、かつ
ワイヤ16により配線されたリードフレーム12をセットす
る。
11間に半導体素子15がアイランド13上に実装され、かつ
ワイヤ16により配線されたリードフレーム12をセットす
る。
次いで、リードフレーム12のアイランド13をバキュー
ムで引きながら、アイランド13の下面側を下金型10の平
らな面に引きつけながら、熱硬化性モールド樹脂（封止
材）18を注入することによって、アイランド13の浮き、
傾きを発生させることなく、第２図（ｂ）に示すよう
な、半封止品17を成形する。
ムで引きながら、アイランド13の下面側を下金型10の平
らな面に引きつけながら、熱硬化性モールド樹脂（封止
材）18を注入することによって、アイランド13の浮き、
傾きを発生させることなく、第２図（ｂ）に示すよう
な、半封止品17を成形する。
なお、リードフレーム12のアイランド13はマグネット
により、下金型10の平らな面に引きつけるようにしても
よい。14はサイドゲートであり、因みに、半封止品17の
高さは、例えば0.45mmである。
により、下金型10の平らな面に引きつけるようにしても
よい。14はサイドゲートであり、因みに、半封止品17の
高さは、例えば0.45mmである。
次に、第２図（ｃ）に示すように、半封止品17の裏面
を上側にして、下金型20と上金型21間にセットし、半封
止品17の裏面側に封止材18を注入することにより、第２
図（ｄ）に示すように、半封止品17の裏面に薄い板状絶
縁性樹脂23を形成する。なお、第２図（ｃ）における22
はサイドゲートであり、板状絶縁性樹脂23の厚みは、例
えば0.1〜0.2mmである。
を上側にして、下金型20と上金型21間にセットし、半封
止品17の裏面側に封止材18を注入することにより、第２
図（ｄ）に示すように、半封止品17の裏面に薄い板状絶
縁性樹脂23を形成する。なお、第２図（ｃ）における22
はサイドゲートであり、板状絶縁性樹脂23の厚みは、例
えば0.1〜0.2mmである。
このようにして、第１図に示すような超薄型半導体装
置を得ることができる。
置を得ることができる。
第３図は本発明の第２実施例を示す超薄型半導体装置
の製造工程断面図である。
の製造工程断面図である。
まず、第３図（ａ）及び第３図（ｂ）に示すように、
第２図（ａ）及び第２図（ｂ）と同様の方法により、半
封止品17を成形する。
第２図（ａ）及び第２図（ｂ）と同様の方法により、半
封止品17を成形する。
次に、第３図（ｃ）に示すように、半封止品17の裏面
に、絶縁性で、かつ耐熱性の保護テープ30を貼り付け
て、第３図（ｄ）に示すように、超薄型半導体装置を得
ることができる。
に、絶縁性で、かつ耐熱性の保護テープ30を貼り付け
て、第３図（ｄ）に示すように、超薄型半導体装置を得
ることができる。
第４図は本発明の第３実施例を示す超薄型半導体装置
の製造工程断面図である。
の製造工程断面図である。
まず、第４図（ａ）及び第４図（ｂ）に示すように、
第２図（ａ）及び第２図（ｂ）と同様の方法により、半
封止品17を成形する。
第２図（ａ）及び第２図（ｂ）と同様の方法により、半
封止品17を成形する。
次に、第４図（ｃ）に示すように、半封止品17の裏面
に、液状樹脂40をニードル41によって塗布して、平坦化
することにより、第４図（ｄ）に示すように、半封止品
17の裏面に、薄い液状樹脂からなる封止樹脂42が形成さ
れ、超薄型半導体装置を得ることができる。
に、液状樹脂40をニードル41によって塗布して、平坦化
することにより、第４図（ｄ）に示すように、半封止品
17の裏面に、薄い液状樹脂からなる封止樹脂42が形成さ
れ、超薄型半導体装置を得ることができる。
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではな
く、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、
これらを本発明の範囲から排除するものではない。
く、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、
これらを本発明の範囲から排除するものではない。
（発明の効果） 以上、詳細に説明したように、本発明によれば、第２
の封止工程により半導体素子搭載面の反対側に薄い絶縁
性の封止体を形成するようにしたので、従来の薄型半導
体封止方法に較べて、より薄く、かつ、成形性の良い半
導体装置を得ることができる。
の封止工程により半導体素子搭載面の反対側に薄い絶縁
性の封止体を形成するようにしたので、従来の薄型半導
体封止方法に較べて、より薄く、かつ、成形性の良い半
導体装置を得ることができる。
第１図は本発明の第１実施例を示す超薄型半導体装置の
断面図、第２図はその超薄型半導体装置の製造工程断面
図、第３図は本発明の第２実施例を示す超薄型半導体装
置の製造工程断面図、第４図は本発明の第３実施例を示
す超薄型半導体装置の製造工程断面図、第５図は従来の
薄型半導体装置の断面図である。 10,20……下金型、11,21……上金型、12……リードフレ
ーム、13……アイランド、14,22……サイドゲート、15
……半導体素子、16……ワイヤ、17……半封止品、18…
…封止材、23……板状絶縁性樹脂、30……保護テープ、
40……液状樹脂、41……ニードル、42……封止樹脂。
断面図、第２図はその超薄型半導体装置の製造工程断面
図、第３図は本発明の第２実施例を示す超薄型半導体装
置の製造工程断面図、第４図は本発明の第３実施例を示
す超薄型半導体装置の製造工程断面図、第５図は従来の
薄型半導体装置の断面図である。 10,20……下金型、11,21……上金型、12……リードフレ
ーム、13……アイランド、14,22……サイドゲート、15
……半導体素子、16……ワイヤ、17……半封止品、18…
…封止材、23……板状絶縁性樹脂、30……保護テープ、
40……液状樹脂、41……ニードル、42……封止樹脂。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 23/28 - 23/30 H01L 21/56
Claims (8)
- 【請求項１】半導体素子を搭載する搭載面を有するアイ
ランドと複数のリードとが形成されたリードフレームを
用いて製造され、前記アイランド、該アイランド上に搭
載された半導体素子、前記リード各々における前記アイ
ランド近傍部分、及び該リードと前記半導体素子に設け
られたパッドとを接続するワイヤをそれぞれ樹脂封止
し、前記リードが樹脂封止された部分から延出してなる
半導体装置において、 前記搭載面側及び前記リードにおける前記ワイヤと接続
される側の該リードが延出する境界部分までは第１の封
止樹脂で封止され、前記搭載面とは反対の面側及び前記
リードにおける前記ワイヤと接続される側とは反対の面
側の該リードが延出する境界部分までは第２の封止樹脂
で封止されており、前記第１の封止樹脂の厚さより、前
記第２の封止樹脂の厚さが薄いことを特徴とする半導体
装置。 - 【請求項２】前記第１の封止樹脂の厚さと前記第２の封
止樹脂の厚さとの比は、2.25:4.5:1の範囲内であること
を特徴とする請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】前記第１の封止樹脂は熱硬化性樹脂である
ことを特徴とする請求項１または請求項２記載の半導体
装置。 - 【請求項４】半導体素子を搭載する搭載面を有するアイ
ランドと、該アイランド上に搭載された半導体素子と、
複数のリードと、該リードと前記半導体素子に設けられ
たパッドとを接続するワイヤとを有し、前記アイラン
ド、前記半導体素子、前記リード各々における前記アイ
ランド近傍部分、及び前記ワイヤをそれぞれ樹脂封止
し、前記リードが樹脂封止された部分から延出してなる
半導体装置の製造方法において、 前記半導体素子の搭載面側及び前記リードの前記ワイヤ
と接続される側の該リードが延出する境界部分までの樹
脂封止を行った後に、前記搭載面とは反対の面側及び前
記リードの前記ワイヤと接続される側とは反対側の該リ
ードが延出する境界部分までを絶縁物にて覆うことを特
徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】前記絶縁物は封止樹脂であることを特徴と
する請求項４記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項６】前記絶縁物は保護テープであることを特徴
とする請求項４記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項７】前記絶縁物は塗布された液体樹脂であるこ
とを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項８】前記半導体素子の搭載面側の樹脂封止は、
前記アイランドの前記搭載面とは反対の面を吸引した状
態で、前記搭載面側に樹脂が供給されることを特徴とす
る請求項４〜７のいずれか１つに記載の半導体装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2222595A JP2988986B2 (ja) | 1990-08-27 | 1990-08-27 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2222595A JP2988986B2 (ja) | 1990-08-27 | 1990-08-27 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04106963A JPH04106963A (ja) | 1992-04-08 |
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