JPH07254664A - 樹脂封止型半導体装置、樹脂封止型半導体装置の製造方法及び樹脂封止型半導体装置の製造に用いる金型 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置、樹脂封止型半導体装置の製造方法及び樹脂封止型半導体装置の製造に用いる金型Info
- Publication number
- JPH07254664A JPH07254664A JP10826594A JP10826594A JPH07254664A JP H07254664 A JPH07254664 A JP H07254664A JP 10826594 A JP10826594 A JP 10826594A JP 10826594 A JP10826594 A JP 10826594A JP H07254664 A JPH07254664 A JP H07254664A
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- Japan
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- resin
- semiconductor device
- molding
- mold
- ridge
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
- B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
- B29C45/14655—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ボイドの発生といった不良が発生しない品
質の良好な樹脂封止型半導体装置の提供。半導体装置
を樹脂で成形する際に、金型成形部各稜のガスの閉じ込
めによるボイドの発生を抑え、半導体装置の品質を保ち
生産性も向上させる技術の提供。 【構成】 半導体素子を樹脂で封止して形成した樹脂
封止型半導体装置において、該封止樹脂部はその各稜を
曲面状に形成したものである。半導体素子４を樹脂で
封止する工程を備える半導体装置の製造方法において、
成形材料を溶融流動させ金型内で封止する手段を用い、
該成形材料を溶融流動させ流し込む金型は、その成形部
２の各稜を曲面状に形成したものを用いる。金型成形
部の各稜を曲面状に形成した半導体装置製造用金型。
質の良好な樹脂封止型半導体装置の提供。半導体装置
を樹脂で成形する際に、金型成形部各稜のガスの閉じ込
めによるボイドの発生を抑え、半導体装置の品質を保ち
生産性も向上させる技術の提供。 【構成】 半導体素子を樹脂で封止して形成した樹脂
封止型半導体装置において、該封止樹脂部はその各稜を
曲面状に形成したものである。半導体素子４を樹脂で
封止する工程を備える半導体装置の製造方法において、
成形材料を溶融流動させ金型内で封止する手段を用い、
該成形材料を溶融流動させ流し込む金型は、その成形部
２の各稜を曲面状に形成したものを用いる。金型成形
部の各稜を曲面状に形成した半導体装置製造用金型。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂封止型半導体装
置、樹脂封止型半導体装置の製造方法及び樹脂封止型半
導体装置の製造に用いる金型に関する。本発明によれ
ば、半導体装置を樹脂を用いてトランスファー形成を行
うのに好適な封止技術が提供される。
置、樹脂封止型半導体装置の製造方法及び樹脂封止型半
導体装置の製造に用いる金型に関する。本発明によれ
ば、半導体装置を樹脂を用いてトランスファー形成を行
うのに好適な封止技術が提供される。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置を樹脂を用いて封止するに
は、通例、粉末成形材料もしくは固形成形材料を金型内
で溶融流動させ封止するが、このときの金型は一般的に
図３に示すように、各稜部１が鋭角的になっている。図
４（Ａ）は図４（Ｂ）のＡ−Ａ′断面を示す。従来例を
示す図４中、符号２は金型成形部、３はリードフレーム
の一部から成るリード及びダイパッド、４は半導体素
子、５は樹脂注入口（ゲート）である。
は、通例、粉末成形材料もしくは固形成形材料を金型内
で溶融流動させ封止するが、このときの金型は一般的に
図３に示すように、各稜部１が鋭角的になっている。図
４（Ａ）は図４（Ｂ）のＡ−Ａ′断面を示す。従来例を
示す図４中、符号２は金型成形部、３はリードフレーム
の一部から成るリード及びダイパッド、４は半導体素
子、５は樹脂注入口（ゲート）である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような従来の半導体装置樹脂封止技術には、次のような
問題があった。すなわち樹脂注入口５から金型成形部２
に流れ込んだ樹脂の流動について述べると、図４（Ａ）
に示すように半導体素子４の上下に流れ込んだ樹脂先端
部は、金型成形部表面６に対しある角度をもって流れ込
む。さらに進むと図５（Ｂ）のように金型成形部側面７
に達する。この場合、金型成形部の稜部分にガスを閉じ
込めボイド８が発生するという不具合が生じてしまう。
ような従来の半導体装置樹脂封止技術には、次のような
問題があった。すなわち樹脂注入口５から金型成形部２
に流れ込んだ樹脂の流動について述べると、図４（Ａ）
に示すように半導体素子４の上下に流れ込んだ樹脂先端
部は、金型成形部表面６に対しある角度をもって流れ込
む。さらに進むと図５（Ｂ）のように金型成形部側面７
に達する。この場合、金型成形部の稜部分にガスを閉じ
込めボイド８が発生するという不具合が生じてしまう。
【０００４】
【発明の目的】本発明は、樹脂封止型半導体装置であっ
て、ボイドの発生といった不良が発生しない品質の良好
な半導体装置を提供することを目的とする。また、半導
体装置を樹脂で成形する際に、金型成形部各稜のガスの
閉じ込めによるボイドの発生を抑えることができ、これ
により、半導体装置の品質を保ち生産性も向上させるこ
とができる樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供する
ことを目的とする。また、かかる樹脂封止型半導体装置
の製造の際に用いることができる金型を提供することを
目的とする。
て、ボイドの発生といった不良が発生しない品質の良好
な半導体装置を提供することを目的とする。また、半導
体装置を樹脂で成形する際に、金型成形部各稜のガスの
閉じ込めによるボイドの発生を抑えることができ、これ
により、半導体装置の品質を保ち生産性も向上させるこ
とができる樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供する
ことを目的とする。また、かかる樹脂封止型半導体装置
の製造の際に用いることができる金型を提供することを
目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本出願の請求項１の発明
は、半導体素子を樹脂で封止して形成した樹脂封止型半
導体装置において、該封止樹脂部はその各稜を曲面状に
形成したものであることを特徴とする樹脂封止型半導体
装置であって、これにより上記課題を解決するものであ
る。
は、半導体素子を樹脂で封止して形成した樹脂封止型半
導体装置において、該封止樹脂部はその各稜を曲面状に
形成したものであることを特徴とする樹脂封止型半導体
装置であって、これにより上記課題を解決するものであ
る。
【０００６】本出願の請求項２の発明は、半導体素子を
樹脂で封止する工程を備える樹脂封止型半導体装置の製
造方法において、成形材料を溶融流動させ金型内で封止
する手段を用いるとともに、該成形材料を溶融流動させ
流し込む金型は、その成形部の各稜を曲面状に形成した
ものであることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製
造方法であって、これにより上記課題を解決するもので
ある。
樹脂で封止する工程を備える樹脂封止型半導体装置の製
造方法において、成形材料を溶融流動させ金型内で封止
する手段を用いるとともに、該成形材料を溶融流動させ
流し込む金型は、その成形部の各稜を曲面状に形成した
ものであることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製
造方法であって、これにより上記課題を解決するもので
ある。
【０００７】本出願の請求項３の発明は、樹脂成形材料
を溶融流動させ、流し込むことにより樹脂封止型半導体
素子を樹脂で封止することにより半導体装置を形成する
金型において、該金型成形部の各稜は曲面状に形成した
ことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造に用いる
金型であって、これにより上記課題を解決するものであ
る。
を溶融流動させ、流し込むことにより樹脂封止型半導体
素子を樹脂で封止することにより半導体装置を形成する
金型において、該金型成形部の各稜は曲面状に形成した
ことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造に用いる
金型であって、これにより上記課題を解決するものであ
る。
【０００８】
【作用】本発明によれば、半導体素子を封止する樹脂封
止部の各稜を曲面状に形成したので、この半導体装置の
形成においては、素子を樹脂で封止する際に、金型成形
部各稜を曲面状にし、例えばコーナーにＲ（ラウンド）
を設ける構成とし、これにより金型成形部各稜部分にガ
スが残らないようにでき、ボイドの発生を抑えることが
できる。従って本発明により、高品質の樹脂封止型半導
体装置が得られる。また、生産性が良く、高品質の樹脂
封止型半導体装置を得ることができる製造方法が得られ
る。また、、これに用いる金型を得ることができる。
止部の各稜を曲面状に形成したので、この半導体装置の
形成においては、素子を樹脂で封止する際に、金型成形
部各稜を曲面状にし、例えばコーナーにＲ（ラウンド）
を設ける構成とし、これにより金型成形部各稜部分にガ
スが残らないようにでき、ボイドの発生を抑えることが
できる。従って本発明により、高品質の樹脂封止型半導
体装置が得られる。また、生産性が良く、高品質の樹脂
封止型半導体装置を得ることができる製造方法が得られ
る。また、、これに用いる金型を得ることができる。
【０００９】
【実施例】以下本発明の実施例について、図面を参照し
て説明する。但し当然のことではあるが、本発明は図示
の実施例により限定を受けるものではない。
て説明する。但し当然のことではあるが、本発明は図示
の実施例により限定を受けるものではない。
【００１０】実施例１ 図１（Ａ），（Ｂ）は本発明の一実施例の工程を示すも
ので、図１（Ｂ）はトランスファー成形法を用いた成形
金型の上面平面図で、図１（Ａ）は図１（Ｂ）のＡ−
Ａ′断面図である。図２は、この実施例の作用説明図で
ある。図３は、この実施例の樹脂封止型半導体装置の構
造を示す図である。
ので、図１（Ｂ）はトランスファー成形法を用いた成形
金型の上面平面図で、図１（Ａ）は図１（Ｂ）のＡ−
Ａ′断面図である。図２は、この実施例の作用説明図で
ある。図３は、この実施例の樹脂封止型半導体装置の構
造を示す図である。
【００１１】本実施例の半導体装置は、図３に示すよう
に、半導体素子４を樹脂で封止して形成した樹脂封止型
半導体装置であって、該封止樹脂部２はその各稜を曲面
状に形成したものである。曲面部を符号１１で示す。
に、半導体素子４を樹脂で封止して形成した樹脂封止型
半導体装置であって、該封止樹脂部２はその各稜を曲面
状に形成したものである。曲面部を符号１１で示す。
【００１２】次に、この樹脂封止型半導体装置の製造方
法及びこれに用いる金型について、図１及び図２を用い
て説明する。
法及びこれに用いる金型について、図１及び図２を用い
て説明する。
【００１３】図１（Ａ）において、半導体素子４が搭載
され、接着されたリードフレーム３は、上型１０及び下
型９により締められ、金型内に封止部即ち金型成形部２
が形成されることになる。樹脂注入口５は下型９上の一
部に設けられており、この樹脂注入口５から樹脂が注入
される。注入された樹脂は半導体素子４の上下に流れ込
む。樹脂の先端部は金型成形部表面６に対しある角度を
もって流れ込む。さらに進むと図２のように金型成形部
側面７に達する。この際、金型成形部２の稜部に設けら
れた曲面部１１をなすコーナーＲにより、樹脂は金型成
形部表面６を這うように流れ、稜部にガスを閉じ込める
ことがなくなる。よってボイドの発生を効果的に抑える
ことができた。
され、接着されたリードフレーム３は、上型１０及び下
型９により締められ、金型内に封止部即ち金型成形部２
が形成されることになる。樹脂注入口５は下型９上の一
部に設けられており、この樹脂注入口５から樹脂が注入
される。注入された樹脂は半導体素子４の上下に流れ込
む。樹脂の先端部は金型成形部表面６に対しある角度を
もって流れ込む。さらに進むと図２のように金型成形部
側面７に達する。この際、金型成形部２の稜部に設けら
れた曲面部１１をなすコーナーＲにより、樹脂は金型成
形部表面６を這うように流れ、稜部にガスを閉じ込める
ことがなくなる。よってボイドの発生を効果的に抑える
ことができた。
【００１４】
【発明の効果】本発明によれば、半導体装置を樹脂で成
形する際に、金型成形部各稜のガスの閉じ込めによるボ
イドの発生を抑えることができ、これにより、半導体装
置の品質を保ち、生産性をも向上させた樹脂封止型半導
体装置、樹脂封止型半導体装置の製造方法及び樹脂封止
型半導体装置の製造に用いる金型を提供できた。
形する際に、金型成形部各稜のガスの閉じ込めによるボ
イドの発生を抑えることができ、これにより、半導体装
置の品質を保ち、生産性をも向上させた樹脂封止型半導
体装置、樹脂封止型半導体装置の製造方法及び樹脂封止
型半導体装置の製造に用いる金型を提供できた。
【図１】 実施例１の構成を示す図である。
【図２】 実施例１の作用を説明する図である。
【図３】 実施例１の樹脂封止型半導体装置の構造を示
す図である。
す図である。
【図４】 従来例の構成を示す図である。
【図５】 従来例の問題点を示す図である。
２ 金型成形部 ３ リードフレーム ４ 半導体素子 ５ 樹脂注入口 ９ 下型 １０ 上型 １１ 曲面部（Ｒ）
Claims (3)
- 【請求項１】半導体素子を樹脂で封止して形成した樹脂
封止型半導体装置において、 該封止樹脂部はその各稜を曲面状に形成したものである
ことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項２】半導体素子を樹脂で封止する工程を備える
樹脂封止型半導体装置の製造方法において、 成形材料を溶融流動させ金型内で封止する手段を用いる
とともに、該成形材料を溶融流動させ流し込む金型は、
その成形部の各稜を曲面状に形成したものであることを
特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】樹脂成形材料を溶融流動させ、流し込むこ
とにより樹脂封止型半導体素子を樹脂で封止することに
より半導体装置を形成する金型において、 該金型成形部の各稜は曲面状に形成したことを特徴とす
る樹脂封止型半導体装置の製造に用いる金型。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10826594A JPH07254664A (ja) | 1994-01-27 | 1994-05-23 | 樹脂封止型半導体装置、樹脂封止型半導体装置の製造方法及び樹脂封止型半導体装置の製造に用いる金型 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6-7475 | 1994-01-27 | ||
| JP747594 | 1994-01-27 | ||
| JP10826594A JPH07254664A (ja) | 1994-01-27 | 1994-05-23 | 樹脂封止型半導体装置、樹脂封止型半導体装置の製造方法及び樹脂封止型半導体装置の製造に用いる金型 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07254664A true JPH07254664A (ja) | 1995-10-03 |
Family
ID=26341775
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10826594A Pending JPH07254664A (ja) | 1994-01-27 | 1994-05-23 | 樹脂封止型半導体装置、樹脂封止型半導体装置の製造方法及び樹脂封止型半導体装置の製造に用いる金型 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07254664A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012146799A (ja) * | 2011-01-12 | 2012-08-02 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1994
- 1994-05-23 JP JP10826594A patent/JPH07254664A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012146799A (ja) * | 2011-01-12 | 2012-08-02 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
| CN105374695A (zh) * | 2011-01-12 | 2016-03-02 | 瑞萨电子株式会社 | 半导体器件的制造方法 |
| TWI567836B (zh) * | 2011-01-12 | 2017-01-21 | Renesas Electronics Corp | Manufacturing method of semiconductor device |
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