JP2543657Y2 - 半導体製造装置 - Google Patents

半導体製造装置

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JP2543657Y2
JP2543657Y2 JP1990087123U JP8712390U JP2543657Y2 JP 2543657 Y2 JP2543657 Y2 JP 2543657Y2 JP 1990087123 U JP1990087123 U JP 1990087123U JP 8712390 U JP8712390 U JP 8712390U JP 2543657 Y2 JP2543657 Y2 JP 2543657Y2
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package
resin
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dam block
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JP1990087123U
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幸一郎 ▲がた▼山
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鹿児島日本電気株式会社
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  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は半導体製造装置に関し、特にリードフレーム
上の半導体素子を熱硬化樹脂を用いて封入する金型に関
する。
〔従来の技術〕
従来の封入金型には、第3図(a),第4図(a)に
示す構造のものがある。第3図(a)に示す封入金型は
上金型1aと下金型1bで半導体リードフレームを挾み込
み、熱硬化樹脂を注入するものである。従って、封入後
は第3図(b)に示すようにタイバー4とパッケージ3
との間に立方形の厚バリ9ができる。
また、第4図(a)に示す封入金型は上金型1に立方
形のダムブロック10を備えており、封入後は、第4図
(b)に示すようにタイバー4とパッケージ3との間
に、枠状の厚バリ11ができ、かつダムブロック10の下面
側に薄バリ12ができる。
〔考案が解決しようとする課題〕
第3図(a)に示す封入金型で封入した製品の厚バリ
を取り除くためには、タイバー4とパッケージ3間に厚
バリ抜き用のポンチを入れる。ポンチを入れて厚バリを
割るときに、立方体の厚バリ9とパッケージ3の継目に
ストレスが掛るため、パッケージにクラックが入るとい
う問題があった。
また、上記のストレスを低減するために、第4図
(a)に示すように金型にダムブロック10を設けて封入
すると、厚バリ部分が少なくなり、パッケージ3の継目
に与えるストレスは低減できる。しかし、厚バリ抜き用
のポンチと枠状の厚バリとのクリアランスが小さくなる
ため、ポンチが磨耗するにつれて、厚バリが残るという
ような問題があった。本考案の目的はパッケージに影響
を与えるストレスを低減し、かつバリを取除くポンチの
磨耗によるバリ残りをなくした半導体製造装置を提供す
ることにある。
〔課題を解決するための手段〕
前記目的を達成するため、本考案に係る半導体製造装
置は、半導体封入用金型と、ダムブロックとを有する半
導体製造装置であって、 半導体封入用金型は、リードフレーム上の半導体素子
を樹脂からなるパッケージで気密防止するものであり、 ダムブロックは、外形が三角柱形状をなし、気密封止
用パッケージから側方に隣接して突き出たリードフレー
ム間を継ぐタイバー部と気密封止用パッケージとの間に
充填される樹脂のうち、三角柱の外形に基づいてパッケ
ージとの継目部に充填される樹脂量を局部的に規制し、
その外形に倣ってパッケージとの継目部に形成される樹
脂バリを可及的に極小にするものである。
〔作用〕
半導体封入用金型のうち、パッケージとリードフレー
ムのタイバー部との間には余剰な樹脂が樹脂バリとして
充填される。
そこで、パッケージとの継目部に充填される樹脂量を
ダムブロックにて局部的に規制することにより、パッケ
ージとの継目部に形成される樹脂バリを可及的に極小に
する。
〔実施例〕
以下、本考案の実施例を図により説明する。
(実施例1) 第1図は、本考案の実施例1を示す斜視図である。
図において、本考案に係る半導体製造装置は、半導体
封入用金型1と、ダムブロック5とを有する。
半導体封入用金型1は、対をなす上金型1aと下金型1b
とからなり、上金型1aと下金型1bとの間にリードフレー
ム2をセットし、加熱状態で両金型1a,1b内に熱硬化樹
脂を流し込んでリードフレーム2上の半導体素子を熱硬
化樹脂からなるパッケージ3にて気密防止するものであ
る。
ダムブロック5は、半導体封入用金型1の上金型1a
に、気密封止用パッケージ3とリードフレーム2のタイ
バー部4との間に位置して装備され、パッケージ3との
継目部3aに充填される樹脂量を局部的に規制することに
より、パッケージ3との継目部3aに形成される樹脂バリ
6を可及的に極小になるようにしたものである。本実施
例では、ダムブロック5の下面形状を角錐状とし、パッ
ケージ3との継目部3aの肉厚が薄く、前方及び側方に向
けて錐状に肉厚が増すような樹脂バリ6を形成されるよ
うに形状を設定してある。
したがって、タイバー部4とパッケージ3との間にバ
リ抜き用ポンチを圧入して樹脂バリ6を除去する際に、
パッケージ3との継目部3aに形成される樹脂バリ6が肉
薄となるため、パッケージ3との継目部3aに対して無理
な力が加わらず、パッケージ3にクラックが入ることを
未然に防止できる。
また、タイバー部4側には、厚いテーパ状の樹脂バリ
6が形成されているため、バリ抜き用ポンチとのクリア
ランスを十分に確保することが可能となり、ポンチの磨
耗によるバリ残りを防止できる。
尚、ダムブロック5は下金型1bに取付けてもよい。
(実施例2) 第2図は本考案の実施例2を示す斜視図である。
本実施例では、上金型1に三角柱のダムブロック7が
パッケージ3との継目部3a側に位置して取付けてあり、
パッケージ3との継目部3a側は細く、タイバー4側はタ
イバーの幅寸法と同じ寸法で太いV型の厚い樹脂バリ8
ができるようにしたものである。
本実施例によれば、実施例1と同様の効果を得ること
ができる。
尚、前記の三角柱のダムブロック7は、下金型1bに取
付けても良い。
〔考案の効果〕
以上説明したように本考案はパッケージ側は細く、ダ
イバー側は太いバリになるような三角柱形状のダムブロ
ックとしたので、後工程でバリを取り除く際に、パッケ
ージに影響を与えるストレスを低減でき、しかもバリを
取り除くポンチの磨耗によるバリ残りをなくすことがで
きる。さらに三角柱形状のダムブロックを用いてパッケ
ージとの継目部に形成される樹脂バリを可及的に極小に
するものであり、製品間,リード間ピッチが狭くなった
場合においても、ダムブロック製作の容易化を実現でき
るばかりでなく、バリ抜き用ポンチとのクリアランスを
十分に確保してポンチの摩耗を防止できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本考案の実施例1を示す斜視図、第2図は本考
案の実施例2を示す斜視図、第3図(a),第4図
(a)は従来例を示す断面図、第3図(b),第4図
(b)は従来例を示す平面図である。 1……半導体封入用金型、1a……上金型 1b……下金型、2……リードフレーム 3……パッケージ 3a……パッケージとの継目部 4……タイバー部 5……角錐状のダムブロック 6,8……樹脂バリ 7……三角柱のダムブロック

Claims (1)

    (57)【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】半導体封入用金型と、ダムブロックとを有
    する半導体製造装置であって、 半導体封入用金型は、リードフレーム上の半導体素子を
    樹脂からなるパッケージで気密封止するものであり、 ダムブロックは、外形が三角柱形状をなし、気密封止用
    パッケージから側方に隣接して突き出たリードフレーム
    間を継ぐタイバー部と気密封止用パッケージとの間に充
    填される樹脂のうち、三角柱の外形に基づいてパッケー
    ジとの継目部に充填される樹脂量を局部的に規制し、そ
    の外形に倣ってパッケージとの継目部に形成される樹脂
    バリを可及的に極小にするものであることを特徴とする
    半導体製造装置。
JP1990087123U 1990-08-21 1990-08-21 半導体製造装置 Expired - Lifetime JP2543657Y2 (ja)

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JPS60180126A (ja) * 1984-02-28 1985-09-13 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JPS63237422A (ja) * 1987-03-25 1988-10-03 Seiko Keiyo Kogyo Kk レジンモ−ルド半導体の製造方法

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