JPH02265721A - 半導体装置用封入金型 - Google Patents
半導体装置用封入金型Info
- Publication number
- JPH02265721A JPH02265721A JP8893189A JP8893189A JPH02265721A JP H02265721 A JPH02265721 A JP H02265721A JP 8893189 A JP8893189 A JP 8893189A JP 8893189 A JP8893189 A JP 8893189A JP H02265721 A JPH02265721 A JP H02265721A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- heat
- mold
- resin
- resistant elastomers
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 16
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 20
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 20
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 claims 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 abstract description 2
- 238000004080 punching Methods 0.000 abstract description 2
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 abstract description 2
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 abstract description 2
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 abstract 5
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 abstract 5
- 238000010008 shearing Methods 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
- B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
- B29C45/14655—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
・本発明は半導体装置の封入金型に関し、特に樹脂封止
型半導体装置の封入金型に関する。
型半導体装置の封入金型に関する。
従来、この種の封入金型は、第４図の部分断面図に示す
ように、半導体素子３を搭載し導電接続したリードフレ
ーム２の部分面を、半導体素子３がキャビティ部５の中
央にくるように超硬金属で形成された上型１ａと下型１
ｂとで挟圧し、この挟圧面７からキャビティ５内に注入
した樹脂が漏れないようにしていた。
ように、半導体素子３を搭載し導電接続したリードフレ
ーム２の部分面を、半導体素子３がキャビティ部５の中
央にくるように超硬金属で形成された上型１ａと下型１
ｂとで挟圧し、この挟圧面７からキャビティ５内に注入
した樹脂が漏れないようにしていた。
上述した従来の封入金型では、銅合金や鉄合金で形成さ
れたリードフレームに金型の超硬金属を直接接触させて
挟圧している。
れたリードフレームに金型の超硬金属を直接接触させて
挟圧している。
一方、リードフレームは打抜き加工であるため、その断
面が正しく正方形又は長方形ではなく表面が凹凸形状で
ある。また、金型の磨耗等よって挟圧面に隙間が生ずる
ことが多い。そのため、封入後の半導体装置の樹脂封止
部に隣接するリードフレーム面や封入時のランナーゲー
ト部に隣接するリードフレーム面に樹脂が漏れだして薄
パリが発生する。従って、樹脂封止後半導体装置の外部
引出しリードに外装メツキや半田デイツプ等の処理を施
す前に、この樹脂薄パリを除去しなければならなかった
。
面が正しく正方形又は長方形ではなく表面が凹凸形状で
ある。また、金型の磨耗等よって挟圧面に隙間が生ずる
ことが多い。そのため、封入後の半導体装置の樹脂封止
部に隣接するリードフレーム面や封入時のランナーゲー
ト部に隣接するリードフレーム面に樹脂が漏れだして薄
パリが発生する。従って、樹脂封止後半導体装置の外部
引出しリードに外装メツキや半田デイツプ等の処理を施
す前に、この樹脂薄パリを除去しなければならなかった
。
また、樹脂の漏出を防ぎ樹脂パリの発生領域を減らすた
めに、挟圧時にキャビティ部から０．２〜１、θ餞程度
離れた位置でリード相互間を連結するタイバーをリード
フレームに設けている。しかし、後工程でリードを個々
に独立させるためにタイバーを切断する必要があり、そ
の際、樹脂封止部に切断の影響が及ばないようにするた
めに、キャビティ部に近ずけてタイバーを設置すること
ができない。
めに、挟圧時にキャビティ部から０．２〜１、θ餞程度
離れた位置でリード相互間を連結するタイバーをリード
フレームに設けている。しかし、後工程でリードを個々
に独立させるためにタイバーを切断する必要があり、そ
の際、樹脂封止部に切断の影響が及ばないようにするた
めに、キャビティ部に近ずけてタイバーを設置すること
ができない。
その結果、キャビティ部からタイバーまでのリード間に
は樹脂が流れ込んで樹脂の厚パリが発生し、後工程でこ
の樹脂の厚パリを除去しなければならなかった。
は樹脂が流れ込んで樹脂の厚パリが発生し、後工程でこ
の樹脂の厚パリを除去しなければならなかった。
本発明は、上下金型でリードフレームを挟圧し樹脂封入
を行う半導体装置用封入金型において、リードフレーム
と直接接触する上下金型の挟圧面に、それぞれ耐熱性弾
性体を介在させた半導体装置用封入金型であり、また、
リードフレームのリード間に挿入される複数の突起部が
、耐熱性弾性体に設けられている半導体装置用封入金型
である。
を行う半導体装置用封入金型において、リードフレーム
と直接接触する上下金型の挟圧面に、それぞれ耐熱性弾
性体を介在させた半導体装置用封入金型であり、また、
リードフレームのリード間に挿入される複数の突起部が
、耐熱性弾性体に設けられている半導体装置用封入金型
である。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明による封入金型の一実施例を示す部分断
面図である。
面図である。
すなわち、封入金型の上型１ａ、下型ｌｂには、それぞ
れ平板状の耐熱性弾性体４がキャビティ部５に隣接する
挟圧面７に設けられ、この金型で半導体素子３を導電接
続したリードフレーム２を挟圧した例である。この際、
リードフレームと封入金型との挟圧は耐熱性弾性体４を
介して行われ、金属同志は直接接触していない。
れ平板状の耐熱性弾性体４がキャビティ部５に隣接する
挟圧面７に設けられ、この金型で半導体素子３を導電接
続したリードフレーム２を挟圧した例である。この際、
リードフレームと封入金型との挟圧は耐熱性弾性体４を
介して行われ、金属同志は直接接触していない。
第２図は本発明の一実施例を示す部分断面斜視図で、上
型１ａに設けられた耐熱性弾性体４を斜め下方から見た
図である。
型１ａに設けられた耐熱性弾性体４を斜め下方から見た
図である。
耐熱性弾性体４は、例えば、シリコンゴムを使用し、金
型のキャビティ部５に隣接するリードフレーム挟圧面７
に設置することによって、リードフレームに密着して表
面部分の凹凸を埋めることができる。この凹凸はリード
フレームが打抜き加工で製造されるため、せん断力によ
りリードフレームの表面は加工付近がだれ込み、裏面に
はパリが突出することから生ずるもので、本実施例によ
れば耐熱性弾性体４が挟圧されてリードフレームの面に
密着するので樹脂の漏れがなくなる。
型のキャビティ部５に隣接するリードフレーム挟圧面７
に設置することによって、リードフレームに密着して表
面部分の凹凸を埋めることができる。この凹凸はリード
フレームが打抜き加工で製造されるため、せん断力によ
りリードフレームの表面は加工付近がだれ込み、裏面に
はパリが突出することから生ずるもので、本実施例によ
れば耐熱性弾性体４が挟圧されてリードフレームの面に
密着するので樹脂の漏れがなくなる。
また、ゲートランナ一部においても、上述のキャビティ
部と同様、その隣接部に耐熱性弾性体を設置することに
より、リードフレーム面への樹脂漏れを防ぐことができ
る。また、型締め圧は樹脂の注入圧より充分に高く、耐
熱性弾性体は型締めによる圧力で充分押えられているた
め、樹脂の注入圧による変形は非常に少ないものとなり
、問題はない。
部と同様、その隣接部に耐熱性弾性体を設置することに
より、リードフレーム面への樹脂漏れを防ぐことができ
る。また、型締め圧は樹脂の注入圧より充分に高く、耐
熱性弾性体は型締めによる圧力で充分押えられているた
め、樹脂の注入圧による変形は非常に少ないものとなり
、問題はない。
第３図は本発明の第２の実施例の部分断面斜視図で、上
型１ａに設けられた耐熱性弾性体４を斜め下方から見た
図である１本実施例は、実施例１で述べた平板状の耐熱
性弾性体４に複数の突起部６を形成したもので、この突
起部６は挟圧時にリードフレームのタイバーとリードと
で形成される空間に挿入される。
型１ａに設けられた耐熱性弾性体４を斜め下方から見た
図である１本実施例は、実施例１で述べた平板状の耐熱
性弾性体４に複数の突起部６を形成したもので、この突
起部６は挟圧時にリードフレームのタイバーとリードと
で形成される空間に挿入される。
その結果、リードフレームのリード側面部をも突起部６
で押さえるようになるため、リードフレーム表面の薄パ
リだけでなく、前記空間部に流入してくる樹脂の厚パリ
をも完全になくすことができる。
で押さえるようになるため、リードフレーム表面の薄パ
リだけでなく、前記空間部に流入してくる樹脂の厚パリ
をも完全になくすことができる。
以上説明したように本発明は、キャビティ部及びゲート
ランナ一部に隣接するリードフレームを挟圧する部分に
耐熱性弾性体を設置した封入金型であって、リードフレ
ームと金型との密着性を向上させ、樹脂の漏れによる薄
パリ、厚パリを抑えることができ、後工程の薄パリ除去
、厚パリ除去が不要となる。よって、安価に品質の良い
樹脂封止型半導体装置を得ることができる。
ランナ一部に隣接するリードフレームを挟圧する部分に
耐熱性弾性体を設置した封入金型であって、リードフレ
ームと金型との密着性を向上させ、樹脂の漏れによる薄
パリ、厚パリを抑えることができ、後工程の薄パリ除去
、厚パリ除去が不要となる。よって、安価に品質の良い
樹脂封止型半導体装置を得ることができる。
さらに、キャビティ部とリードフレームのリード間への
樹脂の流入を防ぐことができるため、リードフレームの
タイバーが不要となり、タイバ−切断除去工程が不要と
なるという利点がある。
樹脂の流入を防ぐことができるため、リードフレームの
タイバーが不要となり、タイバ−切断除去工程が不要と
なるという利点がある。
第１図は本発明の封入金型の部分断面図、第２図は本発
明の一実施例の部分断面斜視図、第３図は本発明の第２
の実施例の部分断面斜視図、第４図は従来の封入金型の
部分断面図である。 ｌａ・・・上型、１ｂ・・・下型、２・・・リードフレ
ーム、３・・・半導体素子、４・・・耐熱性弾性体、５
・・・キャビティ部、６・・・突起部、７・・・挟圧面
。
明の一実施例の部分断面斜視図、第３図は本発明の第２
の実施例の部分断面斜視図、第４図は従来の封入金型の
部分断面図である。 ｌａ・・・上型、１ｂ・・・下型、２・・・リードフレ
ーム、３・・・半導体素子、４・・・耐熱性弾性体、５
・・・キャビティ部、６・・・突起部、７・・・挟圧面
。
Claims (2)
- （１）上下金型でリードフレームを挟圧し樹脂封入を行
う半導体装置用封入金型において、リードフレームと直
接接触する上下金型の挟圧面に、それぞれ耐熱性弾性体
を介在させたことを特徴とする半導体装置用封入金型。 - （２）リードフレームのリード間に挿入される複数の突
起部が耐熱性弾性体に設けられている請求項（１）記載
の半導体装置用封入金型。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8893189A JPH02265721A (ja) | 1989-04-06 | 1989-04-06 | 半導体装置用封入金型 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8893189A JPH02265721A (ja) | 1989-04-06 | 1989-04-06 | 半導体装置用封入金型 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02265721A true JPH02265721A (ja) | 1990-10-30 |
Family
ID=13956643
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8893189A Pending JPH02265721A (ja) | 1989-04-06 | 1989-04-06 | 半導体装置用封入金型 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02265721A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0729928A (ja) * | 1993-07-08 | 1995-01-31 | Nec Corp | 半導体装置用樹脂封止装置および半導体装置の製造方法 |
| WO2001009940A2 (de) * | 1999-07-28 | 2001-02-08 | Infineon Technologies Ag | Verfahren und moldwerkzeug zum umhüllen von elektronischen bauelementen |
| USRE43443E1 (en) * | 1992-03-27 | 2012-06-05 | Renesas Electronics Corporation | Leadframe semiconductor integrated circuit device using the same, and method of and process for fabricating the two |
-
1989
- 1989-04-06 JP JP8893189A patent/JPH02265721A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| USRE43443E1 (en) * | 1992-03-27 | 2012-06-05 | Renesas Electronics Corporation | Leadframe semiconductor integrated circuit device using the same, and method of and process for fabricating the two |
| JPH0729928A (ja) * | 1993-07-08 | 1995-01-31 | Nec Corp | 半導体装置用樹脂封止装置および半導体装置の製造方法 |
| WO2001009940A2 (de) * | 1999-07-28 | 2001-02-08 | Infineon Technologies Ag | Verfahren und moldwerkzeug zum umhüllen von elektronischen bauelementen |
| WO2001009940A3 (de) * | 1999-07-28 | 2001-10-04 | Infineon Technologies Ag | Verfahren und moldwerkzeug zum umhüllen von elektronischen bauelementen |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100198685B1 (ko) | 반도체 장치 제조방법 및 그 몰드 어셈블리 | |
| JPH04102338A (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法及び製造装置 | |
| JPH02265721A (ja) | 半導体装置用封入金型 | |
| JPS622456B2 (ja) | ||
| KR20200007688A (ko) | 수지 봉지 금형 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
| JP3123976B2 (ja) | 半導体装置の樹脂封止金型 | |
| JPS59169162A (ja) | リ−ドフレ−ム | |
| JP2582683B2 (ja) | リードフレーム | |
| JP2925375B2 (ja) | 電子部品におけるモールド部の成形方法 | |
| JP3833832B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JPH08156014A (ja) | 樹脂モールド装置及び樹脂モールド方法 | |
| JPS5992534A (ja) | 樹脂封止集積回路の製造方法 | |
| JPH01297225A (ja) | 電子部品の樹脂封止成形方法とその成形用金型 | |
| JP3332031B2 (ja) | 樹脂モールド装置 | |
| JPS6222468A (ja) | 半導体装置用リ−ドフレ−ム | |
| JP2570157B2 (ja) | 樹脂封止用金型 | |
| JPH03157943A (ja) | 樹脂封止型半導体集積回路の製造方法 | |
| KR200160429Y1 (ko) | 리드프레임 패드 챔퍼용 금형 | |
| JPH06244335A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH04176160A (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
| JPH06151681A (ja) | 半導体装置の製造方法およびその製造において用いるリードフレーム | |
| JPH04276648A (ja) | 電子部品製造用フレーム、およびこれを用いた電子部品製造方法、ならびにこの製造方法により製造された電子部品 | |
| JP2006332212A (ja) | 樹脂封止装置および樹脂封止装置によって樹脂封止された半導体装置および樹脂封止装置を用いた半導体装置の樹脂封止方法 | |
| JPH04326529A (ja) | 樹脂封止方法 | |
| JP2001196401A (ja) | 半導体装置の樹脂パッケージ形成方法 |