JPH0729928A - 半導体装置用樹脂封止装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置用樹脂封止装置および半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0729928A JPH0729928A JP16896593A JP16896593A JPH0729928A JP H0729928 A JPH0729928 A JP H0729928A JP 16896593 A JP16896593 A JP 16896593A JP 16896593 A JP16896593 A JP 16896593A JP H0729928 A JPH0729928 A JP H0729928A
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- Japan
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- semiconductor device
- resin
- lead frame
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- resin sealing
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体装置の樹脂封止工程において、あらか
じめ外装めっきが施されている半導体装置のめっき溶融
および金型へのめっき転写を防ぐ。 【構成】 樹脂封止金型１Ａ，１Ｂのリードフレームク
ランプ部７Ａ，７Ｂの表面に耐熱性を有する材料層８
Ａ，８Ｂを設けるとともに、リードフレームクランプ部
内部に冷却用細孔２Ａ，２Ｂを設け、ポンプ４により配
管６を通して冷媒５を連続的に流す。これらにより、あ
らかじめ外装めっきの施されている半導体装置の金型へ
の転写を防止できると同時に、めっき溶融による半導体
装置の信頼性劣化が防止できる。
じめ外装めっきが施されている半導体装置のめっき溶融
および金型へのめっき転写を防ぐ。 【構成】 樹脂封止金型１Ａ，１Ｂのリードフレームク
ランプ部７Ａ，７Ｂの表面に耐熱性を有する材料層８
Ａ，８Ｂを設けるとともに、リードフレームクランプ部
内部に冷却用細孔２Ａ，２Ｂを設け、ポンプ４により配
管６を通して冷媒５を連続的に流す。これらにより、あ
らかじめ外装めっきの施されている半導体装置の金型へ
の転写を防止できると同時に、めっき溶融による半導体
装置の信頼性劣化が防止できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置用樹脂封止装
置および半導体装置の製造方法に関し、特にトランスフ
ァーモールド法にて樹脂封止する装置およびその装置を
用いた製造方法に関する。
置および半導体装置の製造方法に関し、特にトランスフ
ァーモールド法にて樹脂封止する装置およびその装置を
用いた製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体装置用樹脂封止装置は、図
６に示すように所定の半導体装置の本体寸法に合わせた
キャビティ３を有する金型１Ａおよび１Ｂから構成さ
れ、封入樹脂をせきとめるためのリードフレームクラン
プ部７Ａ，７Ｂで型締めされる。また、この従来の半導
体装置用樹脂封止装置は、インサートモールド法を用い
て製造される場合、封入樹脂モレやバリが生じない様に
シール性を向上させるためにリードフレームクランプ部
７Ａ，７Ｂからキャビティ３の表面全体に弾力性樹脂層
８’が設けられることもあった。
６に示すように所定の半導体装置の本体寸法に合わせた
キャビティ３を有する金型１Ａおよび１Ｂから構成さ
れ、封入樹脂をせきとめるためのリードフレームクラン
プ部７Ａ，７Ｂで型締めされる。また、この従来の半導
体装置用樹脂封止装置は、インサートモールド法を用い
て製造される場合、封入樹脂モレやバリが生じない様に
シール性を向上させるためにリードフレームクランプ部
７Ａ，７Ｂからキャビティ３の表面全体に弾力性樹脂層
８’が設けられることもあった。
【０００３】また、この半導体装置用樹脂封止装置を用
いて半導体装置を製造する際には、図７に示す様にアイ
ランド１２上にチップ１３をマウント材を用いて搭載
し、エージングを施して、チップを固定する。この後、
チップ上の電極部と外部リードに至るリードフレーム９
とを電気的・機械的に接続するために、ボンディング線
１４を用いて接続し、トランスファーモールド法により
エポキシ系樹脂を封入して、半導体装置本体を形成する
のが一般的である。
いて半導体装置を製造する際には、図７に示す様にアイ
ランド１２上にチップ１３をマウント材を用いて搭載
し、エージングを施して、チップを固定する。この後、
チップ上の電極部と外部リードに至るリードフレーム９
とを電気的・機械的に接続するために、ボンディング線
１４を用いて接続し、トランスファーモールド法により
エポキシ系樹脂を封入して、半導体装置本体を形成する
のが一般的である。
【０００４】この従来技術を用いた半導体装置用樹脂封
止装置は、金型部材料として一般にステンレスを用いる
が、インサートモールド法により製造される場合にはク
ランプ部７Ａ，７Ｂからキャビティ３に至る表面全体に
テトラフロロエチレン系の弾力性樹脂層が設けられてい
ることもあった。また、この従来の装置を用いて製造さ
れる半導体装置は、エポキシ系樹脂を１５０℃以上の高
温下でトランスファ成形するのが一般的である。
止装置は、金型部材料として一般にステンレスを用いる
が、インサートモールド法により製造される場合にはク
ランプ部７Ａ，７Ｂからキャビティ３に至る表面全体に
テトラフロロエチレン系の弾力性樹脂層が設けられてい
ることもあった。また、この従来の装置を用いて製造さ
れる半導体装置は、エポキシ系樹脂を１５０℃以上の高
温下でトランスファ成形するのが一般的である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この従来の半導体装置
用樹脂封止装置は、その金型部全体がモールド樹脂の成
形温度よりも高温となるため、図８に示すように、製造
される半導体装置の外部リード表面があらかじめ、めっ
きされている場合には、そのめっきの溶融温度よりも高
くなるため、めっきふくれや金属結晶の粗大化が生じる
といったような問題があった。さらに、リードフレーム
をクランプする際に、めっきが金型に転写されて、はげ
落ちるという問題もあった。
用樹脂封止装置は、その金型部全体がモールド樹脂の成
形温度よりも高温となるため、図８に示すように、製造
される半導体装置の外部リード表面があらかじめ、めっ
きされている場合には、そのめっきの溶融温度よりも高
くなるため、めっきふくれや金属結晶の粗大化が生じる
といったような問題があった。さらに、リードフレーム
をクランプする際に、めっきが金型に転写されて、はげ
落ちるという問題もあった。
【０００６】また、従来の半導体装置用樹脂封止装置
は、封入金型内部にテトラフロロエチレン系樹脂等の弾
力性樹脂層を設けておく構造で、トランスファーモール
ド法にて樹脂封止される場合には、半導体装置本体部に
凸凹を生じるため、後工程に悪影響を与えるような問題
点を有していた。
は、封入金型内部にテトラフロロエチレン系樹脂等の弾
力性樹脂層を設けておく構造で、トランスファーモール
ド法にて樹脂封止される場合には、半導体装置本体部に
凸凹を生じるため、後工程に悪影響を与えるような問題
点を有していた。
【０００７】また、テトラフロロエチレン系樹脂は、射
出成形による加工しかできないため加工性が悪く、本発
明の半導体装置用樹脂封止装置に用いるには極めて不向
きである。
出成形による加工しかできないため加工性が悪く、本発
明の半導体装置用樹脂封止装置に用いるには極めて不向
きである。
【０００８】本発明の課題は、従来例のこれら問題点を
解決する点にある。
解決する点にある。
【０００９】
【作用】トランスファーモールド法にて半導体装置を封
止する樹脂封止装置において、半導体装置用リードフレ
ームクランプ部の表面に耐熱性材料層を付設したり、ク
ランプ部を冷却したりすることによって、クランプされ
るリードフレームに予め施されためっき層の溶融や金型
への転写、めっき金属結晶の粗大化等を防止することが
できる。
止する樹脂封止装置において、半導体装置用リードフレ
ームクランプ部の表面に耐熱性材料層を付設したり、ク
ランプ部を冷却したりすることによって、クランプされ
るリードフレームに予め施されためっき層の溶融や金型
への転写、めっき金属結晶の粗大化等を防止することが
できる。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置用樹
脂封止装置は、リードフレームのクランプ部を強制冷却
できる構造と、その装置のリードフレームクランプ部表
面には、加工性に富み耐熱性を有する材料層が備えられ
ている。
脂封止装置は、リードフレームのクランプ部を強制冷却
できる構造と、その装置のリードフレームクランプ部表
面には、加工性に富み耐熱性を有する材料層が備えられ
ている。
【００１１】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００１２】図１は本発明の一実施例の半導体装置の樹
脂封止装置の要部を示す概略図である。この装置は半導
体装置の本体部を形成するキャビティ３を有する上金型
部１Ａ、下金型部１Ｂより構成され、さらにそれぞれの
金型には冷却用細孔２Ａ，２Ｂがあり、冷却用の冷媒５
を連続的に送るためのポンプ４と、その冷媒を流すため
の配管６で接続されている。ここで冷媒としては水等の
液体かもしくは高圧空気等を用いることができる。また
図２は、樹脂封止装置の部分拡大断面図であり、この上
型１Ａおよび下型１Ｂのリードフレームクランプ部７
Ａ，７Ｂには、それぞれめっき転写や溶融防止のため
に、耐熱性を有する材料層８Ａ，８Ｂが設けられてい
る。
脂封止装置の要部を示す概略図である。この装置は半導
体装置の本体部を形成するキャビティ３を有する上金型
部１Ａ、下金型部１Ｂより構成され、さらにそれぞれの
金型には冷却用細孔２Ａ，２Ｂがあり、冷却用の冷媒５
を連続的に送るためのポンプ４と、その冷媒を流すため
の配管６で接続されている。ここで冷媒としては水等の
液体かもしくは高圧空気等を用いることができる。また
図２は、樹脂封止装置の部分拡大断面図であり、この上
型１Ａおよび下型１Ｂのリードフレームクランプ部７
Ａ，７Ｂには、それぞれめっき転写や溶融防止のため
に、耐熱性を有する材料層８Ａ，８Ｂが設けられてい
る。
【００１３】一般に半導体装置を形成する樹脂はエポキ
シ系樹脂であり、この場合には、材料層８Ａ，８Ｂの一
例として、耐熱温度が２５０℃程度で十分であるため、
コストが低く、プレス加工性に富んだポリイミド系樹脂
やセラミック等の材料を用いることができる。
シ系樹脂であり、この場合には、材料層８Ａ，８Ｂの一
例として、耐熱温度が２５０℃程度で十分であるため、
コストが低く、プレス加工性に富んだポリイミド系樹脂
やセラミック等の材料を用いることができる。
【００１４】次に図３は、図１の樹脂封止装置のＡ−
Ａ’断面図である。
Ａ’断面図である。
【００１５】ここで、リードフレームクランプ部７Ａの
近辺まで冷却用細孔２Ａが並んでおり、リードフレーム
クランプ部を均一に冷却することができる構造を有す
る。
近辺まで冷却用細孔２Ａが並んでおり、リードフレーム
クランプ部を均一に冷却することができる構造を有す
る。
【００１６】次に本発明の半導体装置用樹脂封止装置に
よって得られる作用効果を図４を用いて説明する。
よって得られる作用効果を図４を用いて説明する。
【００１７】図４は、あらかじめはんだめっき等の外装
めっき層１０や銀めっき等の内装めっき層１１を施した
半導体装置用リードフレーム９を用いて、本発明の半導
体装置用樹脂封止装置でエポキシ樹脂等を封止する際の
断面図を示したものである。
めっき層１０や銀めっき等の内装めっき層１１を施した
半導体装置用リードフレーム９を用いて、本発明の半導
体装置用樹脂封止装置でエポキシ樹脂等を封止する際の
断面図を示したものである。
【００１８】ここで半導体装置用リードフレーム９は、
耐熱性材料層８Ａ，８Ｂを介して、リードフレームクラ
ンプ部７Ａ，７Ｂにクランプされるため、半導体装置用
リードフレームのはんだめっきが転写しにくくなる。さ
らに、リードフレームクランプ部７Ａ，７Ｂを部分的に
冷媒により冷却可能であるため、外装めっきのクランプ
部への付着や、あらかじめ半導体装置用リードフレーム
に施してあるはんだめっき等を溶融させることがないた
め、めっき金属結晶の粗大化やはんだ付け性低下等の信
頼性劣化を防止できる。
耐熱性材料層８Ａ，８Ｂを介して、リードフレームクラ
ンプ部７Ａ，７Ｂにクランプされるため、半導体装置用
リードフレームのはんだめっきが転写しにくくなる。さ
らに、リードフレームクランプ部７Ａ，７Ｂを部分的に
冷媒により冷却可能であるため、外装めっきのクランプ
部への付着や、あらかじめ半導体装置用リードフレーム
に施してあるはんだめっき等を溶融させることがないた
め、めっき金属結晶の粗大化やはんだ付け性低下等の信
頼性劣化を防止できる。
【００１９】また、耐熱性材料層８Ａ，８Ｂはポリイミ
ド系樹脂等を用いてプレス加工したものやセラミック等
をリードフレームクランプ部７Ａ，７Ｂのみに貼り付け
るだけで良いため、貼り付け交換等に要する工数および
コストが、従来のテトラフロロエチレン系樹脂を射出成
形したものを全面に貼り付けるよりも低減可能となる。
さらにキャビティ内の全面に耐熱性材料層を設ける必要
がないため、トランスファーモールド成形時には半導体
装置本体の寸法精度向上が得られ、半導体装置本体部の
表面のふくれや凹凸がなくなり捺印やリード成形等の後
工程への悪影響がないといった利点を有する。
ド系樹脂等を用いてプレス加工したものやセラミック等
をリードフレームクランプ部７Ａ，７Ｂのみに貼り付け
るだけで良いため、貼り付け交換等に要する工数および
コストが、従来のテトラフロロエチレン系樹脂を射出成
形したものを全面に貼り付けるよりも低減可能となる。
さらにキャビティ内の全面に耐熱性材料層を設ける必要
がないため、トランスファーモールド成形時には半導体
装置本体の寸法精度向上が得られ、半導体装置本体部の
表面のふくれや凹凸がなくなり捺印やリード成形等の後
工程への悪影響がないといった利点を有する。
【００２０】次に、図５は本発明の半導体装置用樹脂封
止装置の実施例２における断面図である。
止装置の実施例２における断面図である。
【００２１】この実施例では、部分冷却効果をより一層
効果的にするため、冷却用細孔２Ａ，２Ｂが多く設置さ
れており、しかもそれぞれの冷却用細孔２Ａ，２Ｂが弁
１５Ａ，１５Ｂで開閉制御される構造になっている。こ
のため、部分冷却制御が行いやすくなっているという利
点を有する。
効果的にするため、冷却用細孔２Ａ，２Ｂが多く設置さ
れており、しかもそれぞれの冷却用細孔２Ａ，２Ｂが弁
１５Ａ，１５Ｂで開閉制御される構造になっている。こ
のため、部分冷却制御が行いやすくなっているという利
点を有する。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明にかかわる
半導体装置用樹脂封止装置は、リードフレームクランプ
部の表面に、部分的に耐熱性を有する材料層を設け、か
つリードフレームクランプ部を部分的に冷却することが
可能であるため、あらかじめ外装めっきを施した半導体
装置用リードフレームを用いて樹脂封止する場合でも、
半導体装置用リードフレームの外装めっきが転写しにく
く、また外装めっきが溶融しにくいため、半導体装置の
外装めっき金属結晶の粗大化やはんだ付け性低下等の信
頼性劣化を防止できる利点がある。
半導体装置用樹脂封止装置は、リードフレームクランプ
部の表面に、部分的に耐熱性を有する材料層を設け、か
つリードフレームクランプ部を部分的に冷却することが
可能であるため、あらかじめ外装めっきを施した半導体
装置用リードフレームを用いて樹脂封止する場合でも、
半導体装置用リードフレームの外装めっきが転写しにく
く、また外装めっきが溶融しにくいため、半導体装置の
外装めっき金属結晶の粗大化やはんだ付け性低下等の信
頼性劣化を防止できる利点がある。
【００２３】また、耐熱性材料層はポリイミド系樹脂等
をプレス加工したものをリードフレームクランプ部表面
のみの一部分に貼り付けるだけで良いため、交換等のメ
ンテナンス作業性に優れると同時に、半導体装置の本体
の寸法精度を損なわないため後工程への悪影響を与えな
いという利点も有する。
をプレス加工したものをリードフレームクランプ部表面
のみの一部分に貼り付けるだけで良いため、交換等のメ
ンテナンス作業性に優れると同時に、半導体装置の本体
の寸法精度を損なわないため後工程への悪影響を与えな
いという利点も有する。
【図１】本発明の半導体装置用樹脂封止装置の一実施例
の要部を示す概略図
の要部を示す概略図
【図２】図１に示した樹脂封止装置の部分拡大断面図
【図３】図１に示した樹脂封止装置のＡ−Ａ’横断面図
【図４】本発明の半導体装置用樹脂封止装置を用いた樹
脂封止前状態の一例を示す拡大断面図
脂封止前状態の一例を示す拡大断面図
【図５】本発明の半導体装置用樹脂封止装置を用いた実
施例２の要部を示す概略図
施例２の要部を示す概略図
【図６】従来の半導体装置用樹脂封止装置の要部断面図
【図７】従来の半導体装置用樹脂封止装置を用いた樹脂
封止前状態を示す断面図
封止前状態を示す断面図
【図８】従来の半導体装置用樹脂封止装置を用いた樹脂
封止前状態を示す拡大断面図
封止前状態を示す拡大断面図
１Ａ，１Ｂ 金型部 ２Ａ，２Ｂ 冷却用細孔 ３ キャビティ ４ ポンプ ５ 冷媒 ６ 配管 ７Ａ，７Ｂ リードフレームクランプ部 ８Ａ，８Ｂ 耐熱性材料層 ９ 半導体装置用リードフレーム １０ 外装めっき層 １１ 内装めっき層 １２ アイランド １３ チップ １４ ボンディング線 １５Ａ，１５Ｂ 弁
Claims (3)
- 【請求項１】 トランスファーモールド法にて半導体装
置を製造する樹脂封止装置において、半導体装置用リー
ドフレームクランプ部の近辺が局部的に冷却可能な冷却
部およびその冷却制御システムを備えることを特徴とす
る半導体装置用樹脂封止装置。 - 【請求項２】 トランスファーモールド法にて半導体装
置を製造する樹脂封止装置において、半導体装置用リー
ドフレームクランプ部の表面に耐熱性材料層が設けられ
ることを特徴とする半導体装置用樹脂封止装置。 - 【請求項３】 請求項１または２に示す半導体装置用樹
脂封止装置を用い、予め表面がめっきされたリードフレ
ームをクランプして樹脂封止することを特徴とする半導
体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16896593A JPH0729928A (ja) | 1993-07-08 | 1993-07-08 | 半導体装置用樹脂封止装置および半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16896593A JPH0729928A (ja) | 1993-07-08 | 1993-07-08 | 半導体装置用樹脂封止装置および半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0729928A true JPH0729928A (ja) | 1995-01-31 |
Family
ID=15877856
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16896593A Pending JPH0729928A (ja) | 1993-07-08 | 1993-07-08 | 半導体装置用樹脂封止装置および半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0729928A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102640298A (zh) * | 2009-12-02 | 2012-08-15 | 丰田自动车株式会社 | 太阳能电池模块制造装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02265721A (ja) * | 1989-04-06 | 1990-10-30 | Nec Corp | 半導体装置用封入金型 |
| JPH05175263A (ja) * | 1991-12-25 | 1993-07-13 | Sharp Corp | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
-
1993
- 1993-07-08 JP JP16896593A patent/JPH0729928A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02265721A (ja) * | 1989-04-06 | 1990-10-30 | Nec Corp | 半導体装置用封入金型 |
| JPH05175263A (ja) * | 1991-12-25 | 1993-07-13 | Sharp Corp | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102640298A (zh) * | 2009-12-02 | 2012-08-15 | 丰田自动车株式会社 | 太阳能电池模块制造装置 |
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