JPS6030144A - 半導体装置用モ−ルド金型 - Google Patents
半導体装置用モ−ルド金型Info
- Publication number
- JPS6030144A JPS6030144A JP13883683A JP13883683A JPS6030144A JP S6030144 A JPS6030144 A JP S6030144A JP 13883683 A JP13883683 A JP 13883683A JP 13883683 A JP13883683 A JP 13883683A JP S6030144 A JPS6030144 A JP S6030144A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mold
- resin
- burr
- lead frame
- preventive
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
- B29C45/14336—Coating a portion of the article, e.g. the edge of the article
- B29C45/14418—Sealing means between mould and article
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Casting Or Compression Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は樹脂封止型半導体装置の製造に用いられるモー
ルド金型の改良に関し、特に樹脂／Ｘ＋１りの発生を防
止するだめの構造に係る。
ルド金型の改良に関し、特に樹脂／Ｘ＋１りの発生を防
止するだめの構造に係る。
樹脂封止型半導体装置は、第１図（ト）のようなリード
フレームを用いて次のように製造されている。
フレームを用いて次のように製造されている。
まず、第１図■のリードフレームは導電性′の金属板を
所定のパターンに打抜き加工あるいはエツチング加工し
たものである。図中、ノは外枠、２はベット部、３はペ
ット°部を支持するためのタイバー、４はインナーリー
ド、５はアウターリード、６はリード部を支えるための
タイバー（ダム）である。なお、このリードフレームの
表面には、デンディング性をよくするために銀メッキ等
が施される。
所定のパターンに打抜き加工あるいはエツチング加工し
たものである。図中、ノは外枠、２はベット部、３はペ
ット°部を支持するためのタイバー、４はインナーリー
ド、５はアウターリード、６はリード部を支えるための
タイバー（ダム）である。なお、このリードフレームの
表面には、デンディング性をよくするために銀メッキ等
が施される。
上記リードフレームを用いて樹脂封止型半導体装置を製
造するに際しては、まず第１図（Ｂ）に示すように半導
体チップ７をベッド部２にマウントした後、該半導体チ
ップ７の内部端子とインナーリード４・・・の先端部と
を金線あるいはアルミニウム線等のボンディングワイヤ
８で接続する。次いで、エポキシ樹脂等のトランスファ
ーモールドを行ない、第１図（Ｃ）に示すように所定の
領域を樹脂モールド層９で封止する。続いて、リードフ
レームの所要箇所を切断して個々のリードを分離し、更
に該リードを所定方向に折り曲げれば第１図（ハ）に示
す樹脂封止型半導体装置が得られる。
造するに際しては、まず第１図（Ｂ）に示すように半導
体チップ７をベッド部２にマウントした後、該半導体チ
ップ７の内部端子とインナーリード４・・・の先端部と
を金線あるいはアルミニウム線等のボンディングワイヤ
８で接続する。次いで、エポキシ樹脂等のトランスファ
ーモールドを行ない、第１図（Ｃ）に示すように所定の
領域を樹脂モールド層９で封止する。続いて、リードフ
レームの所要箇所を切断して個々のリードを分離し、更
に該リードを所定方向に折り曲げれば第１図（ハ）に示
す樹脂封止型半導体装置が得られる。
ところで、上記の製造工程のうち、樹脂モールド工程は
第２図（４）に示すようにモールド金型１０を用いて行
なわれる。図示のように、モールド金型１０は上型１ノ
および下型１２からなｐ１前記樹脂モールド層９を成形
するだめのキャビティ１３が設けられている。そして、
第１図（Ｂ）の組立工程を終えたリードフレームは、樹
脂封止すべき領域をギヤ１゛ビテイ１３内に収容し、ア
ウターリート′５を上型および下型間に挾み込んでセッ
トされる。その後、キャビチー１３内に封止用樹脂を圧
入し、硬化させて樹脂モールド層９が形成されるが、そ
の際に圧入された封止用樹脂がキャピテイ１３の外部に
漏出されると、所謂樹脂パリが発生する。製品の種類に
よってはこのような樹脂パリを後工程で除去しなければ
ならないため、樹脂パリの発生は生産性向上を阻害する
要因に、なっている。
第２図（４）に示すようにモールド金型１０を用いて行
なわれる。図示のように、モールド金型１０は上型１ノ
および下型１２からなｐ１前記樹脂モールド層９を成形
するだめのキャビティ１３が設けられている。そして、
第１図（Ｂ）の組立工程を終えたリードフレームは、樹
脂封止すべき領域をギヤ１゛ビテイ１３内に収容し、ア
ウターリート′５を上型および下型間に挾み込んでセッ
トされる。その後、キャビチー１３内に封止用樹脂を圧
入し、硬化させて樹脂モールド層９が形成されるが、そ
の際に圧入された封止用樹脂がキャピテイ１３の外部に
漏出されると、所謂樹脂パリが発生する。製品の種類に
よってはこのような樹脂パリを後工程で除去しなければ
ならないため、樹脂パリの発生は生産性向上を阻害する
要因に、なっている。
樹脂パリは「厚パリ」と「Ｎパリ」の二種類に大別され
る。このうち「厚ばり」と呼ばれるものは、第２図（Ｂ
）に示すように土酸１１と下型１２に挾み込まれたアウ
ターリード５・・・間の隙間から樹脂が漏出して生じる
ものである。この厚パリの発生については、外部リーＰ
５・・・間の隙訓を埋めるパリ防止駒を上型１ノまたは
下型１２に突設して防止する方法が従来から行なわれて
いる。
る。このうち「厚ばり」と呼ばれるものは、第２図（Ｂ
）に示すように土酸１１と下型１２に挾み込まれたアウ
ターリード５・・・間の隙間から樹脂が漏出して生じる
ものである。この厚パリの発生については、外部リーＰ
５・・・間の隙訓を埋めるパリ防止駒を上型１ノまたは
下型１２に突設して防止する方法が従来から行なわれて
いる。
上記のように、従来のモールド用金型では・々す防止駒
を設けることによシ厚パリの発生を防止していたが、こ
の場合にも樹脂の射出圧力、金型の摩耗、リードフレー
ムの反ｐ等のために樹脂の漏れを完全に防止できず、「
薄パリ」と呼ばれる極く薄い樹脂パリの発生を回避する
ことができなかった。このため、後工程においてドライ
ホーニング、ウェットホーニングあるいは電解によシ薄
バリの除去を行なわざるを得ないというのが実情であっ
た。
を設けることによシ厚パリの発生を防止していたが、こ
の場合にも樹脂の射出圧力、金型の摩耗、リードフレー
ムの反ｐ等のために樹脂の漏れを完全に防止できず、「
薄パリ」と呼ばれる極く薄い樹脂パリの発生を回避する
ことができなかった。このため、後工程においてドライ
ホーニング、ウェットホーニングあるいは電解によシ薄
バリの除去を行なわざるを得ないというのが実情であっ
た。
これに対して、リードフレームのアラターリ−ｒｓに厚
さ５０〜５０μ程度のスズメッキを施して樹脂モールド
を行なえば薄パリの発生を防止することができる。これ
は軟らかいスズメッキ層が金型の微小な間隙を埋めるこ
とになるからである。しかしながら、リードフレームの
アウターリード５に前もってスズメッキを施す場合には
次のような問題が生じる。
さ５０〜５０μ程度のスズメッキを施して樹脂モールド
を行なえば薄パリの発生を防止することができる。これ
は軟らかいスズメッキ層が金型の微小な間隙を埋めるこ
とになるからである。しかしながら、リードフレームの
アウターリード５に前もってスズメッキを施す場合には
次のような問題が生じる。
まず第１ ｖｃｂ銀メッキ工程とスズメッキ工程を重複
して行なわなければならないためリードフレームのコス
ト増大を招く。また、銀とスズとではメッキの電着速度
が異なるため、両者を同時にメッキすることは困難であ
る。
して行なわなければならないためリードフレームのコス
ト増大を招く。また、銀とスズとではメッキの電着速度
が異なるため、両者を同時にメッキすることは困難であ
る。
第２に、ワイヤデンディング工程ではリードフレームを
スズの融点よりも高い温度（例えば３００℃程度）に維
持する場合があシ、このデンディング工程でスズメッキ
層が流れ出してしまうことになる。また、ワイヤデンデ
ィング工程を低温化すればミスデンディングの原因とな
る。
スズの融点よりも高い温度（例えば３００℃程度）に維
持する場合があシ、このデンディング工程でスズメッキ
層が流れ出してしまうことになる。また、ワイヤデンデ
ィング工程を低温化すればミスデンディングの原因とな
る。
第３の問題は、第１図（ロ）のようにアウターリード５
を所定方向に折シ曲げる際に、スズメッキ層の表面に傷
がつき易いことである。
を所定方向に折シ曲げる際に、スズメッキ層の表面に傷
がつき易いことである。
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、樹脂封止型
半導体装置を製造する際、ＩＪ 、）４フレームのアウ
ターリード部にスズメッキを施す代りに、モールド金型
を改良することによって樹脂モールド工程における薄パ
リの発生を防止しようとしてなされたものである。
半導体装置を製造する際、ＩＪ 、）４フレームのアウ
ターリード部にスズメッキを施す代りに、モールド金型
を改良することによって樹脂モールド工程における薄パ
リの発生を防止しようとしてなされたものである。
本発明による半導体装置用モールド型は、樹脂モールド
層を成型するだめのキャビティが上型および下型にわた
って形成されたモールド型であって、半導体チップのマ
ウントおよびワイヤボンディングを施さハ、たり一１°
フレームが、その樹脂封止予定領域を前記キャビティー
内に収容され且つその非封止部分を前記上型および下型
間に挟持固定して配置されるように構成されると共に、
前記キャビティー近傍において前記リードフレームの総
てのアウターリードに交叉するように１’］ｉＪ記Ｔ型
および上型の両方の合せ面に設けられた凹溝と、該凹溝
に嵌め込まれて前記アウターリードに密着するように設
けられた、前記リードフレームの材夕１よりも軟らかく
月つ前記上型お」：び下型の材質よりも熱膨張係数の大
きい利質からなるパリ防止駒とを具備したことを特徴と
するものでちる。
層を成型するだめのキャビティが上型および下型にわた
って形成されたモールド型であって、半導体チップのマ
ウントおよびワイヤボンディングを施さハ、たり一１°
フレームが、その樹脂封止予定領域を前記キャビティー
内に収容され且つその非封止部分を前記上型および下型
間に挟持固定して配置されるように構成されると共に、
前記キャビティー近傍において前記リードフレームの総
てのアウターリードに交叉するように１’］ｉＪ記Ｔ型
および上型の両方の合せ面に設けられた凹溝と、該凹溝
に嵌め込まれて前記アウターリードに密着するように設
けられた、前記リードフレームの材夕１よりも軟らかく
月つ前記上型お」：び下型の材質よりも熱膨張係数の大
きい利質からなるパリ防止駒とを具備したことを特徴と
するものでちる。
本発明におけるパリ防止駒の制式としては、例えばテフ
ロン（ｒ１１脂（ポリフッ化エチレン樹脂）等を用いる
ことができる。この樹脂は上記の要件を満たす他、側熱
温度が２００℃以上あシ、樹脂モールド工程における加
熱条件に充分剛えることができる。
ロン（ｒ１１脂（ポリフッ化エチレン樹脂）等を用いる
ことができる。この樹脂は上記の要件を満たす他、側熱
温度が２００℃以上あシ、樹脂モールド工程における加
熱条件に充分剛えることができる。
本発明のモールド金型によれば、ＡｉＪ記パリ防止駒が
前述のスズメッキ層と同様の作用を行ない、薄ノぐりの
発生を防止することができる。なお、本発明におｒ）る
パリ防止駒は従来用いられていた厚パリ防止駒と併用し
てもよく、また本発明におけるパリ防止駒を各アウター
リード間の隙間を埋めるように形成することにより厚／
？り防止駒を兼ねるようにしてもよい。
前述のスズメッキ層と同様の作用を行ない、薄ノぐりの
発生を防止することができる。なお、本発明におｒ）る
パリ防止駒は従来用いられていた厚パリ防止駒と併用し
てもよく、また本発明におけるパリ防止駒を各アウター
リード間の隙間を埋めるように形成することにより厚／
？り防止駒を兼ねるようにしてもよい。
他方、本発明におけるパリ防止駒は材質が軟らかいため
摩耗し易いことが懸念される。しかし、上型および下型
の材質よりも熱膨張係数が大きい拐賀を用いているため
、昇温時には金型に密着していて容易に脱落しないが、
降温時には容易に取り外すことができる。従って、／６
１Ｊ防止駒が摩耗した場合にはこれを容易に取り換える
ことができるから、殆ど問題はない。
摩耗し易いことが懸念される。しかし、上型および下型
の材質よりも熱膨張係数が大きい拐賀を用いているため
、昇温時には金型に密着していて容易に脱落しないが、
降温時には容易に取り外すことができる。従って、／６
１Ｊ防止駒が摩耗した場合にはこれを容易に取り換える
ことができるから、殆ど問題はない。
以下、第３図を参照して本発明の一実施例を説明する、
。
。
第３図は本発明の一実施例になるモールド金型の説明［
シ１である。同図において、第２図（Ａ） （Ｂ）と同
じ部分に＋Ｉｉ回−の参照番号を付（２である。
シ１である。同図において、第２図（Ａ） （Ｂ）と同
じ部分に＋Ｉｉ回−の参照番号を付（２である。
即ち、この実施例のモールド金型も従来のモールド金型
と同様に上型１）および下型１２からなり、（用ハ旨モ
ールｌ゛ハ］９を成型するだめのキャビティー１３が形
成さり、でいる。そして、第１図（Ｂ）のようにしてＪ
ｉｌｌみ立てられたリードフレームは、樹脂封止さノし
る領域なキャビティー１３内に収浴された状態で、アウ
ターリード５等の樹脂封止されない部分を上型１１およ
び下型１２で挾み込んで配置１固定されるようになって
いる。そして、この実施例のモールド金型では、上型１
ノおよび下型１２の両方の合わせ面に、アウターリード
５と直又するようにキャビティー１３に沿って凹溝が形
成され、該凹溝にはノ々、り防＋ｈ駒１４が嵌め込まれ
ている。この）＃ ＩＪ防止駒１４は第１図（Ａ）のリ
ードフレームにおける全幅に亘るように設けられ、かつ
アウターリード５・・・の間では第２図（Ｂ）に示した
隙間を埋めるように上型１１および下型１２の合せ面か
ら突出して設けられている。また、パリ防止駒１４はＩ
リテトラフルオロエチレン（ＴＦＥ ｍ 脂）でできて
おシ、リードフレームよりも軟らかく、且つ上型１１お
よび下型１２よりも熱膨張率が大きい。
と同様に上型１）および下型１２からなり、（用ハ旨モ
ールｌ゛ハ］９を成型するだめのキャビティー１３が形
成さり、でいる。そして、第１図（Ｂ）のようにしてＪ
ｉｌｌみ立てられたリードフレームは、樹脂封止さノし
る領域なキャビティー１３内に収浴された状態で、アウ
ターリード５等の樹脂封止されない部分を上型１１およ
び下型１２で挾み込んで配置１固定されるようになって
いる。そして、この実施例のモールド金型では、上型１
ノおよび下型１２の両方の合わせ面に、アウターリード
５と直又するようにキャビティー１３に沿って凹溝が形
成され、該凹溝にはノ々、り防＋ｈ駒１４が嵌め込まれ
ている。この）＃ ＩＪ防止駒１４は第１図（Ａ）のリ
ードフレームにおける全幅に亘るように設けられ、かつ
アウターリード５・・・の間では第２図（Ｂ）に示した
隙間を埋めるように上型１１および下型１２の合せ面か
ら突出して設けられている。また、パリ防止駒１４はＩ
リテトラフルオロエチレン（ＴＦＥ ｍ 脂）でできて
おシ、リードフレームよりも軟らかく、且つ上型１１お
よび下型１２よりも熱膨張率が大きい。
樹脂封止型半導体装置を製造する際、上記実施例のモー
ルド金型により樹脂モールド工程を行なえば、パリ防止
駒１４は熱膨張してアウターリード５・・・の周面に密
着し、かつアウターリード５・・・間の隙間を封鎖する
。従って、厚・４１Ｊおよび薄パリの発生は倒れも防止
され、樹脂・ぐりの除去工程が不要となるから生産性を
大きく向上することができる。しかも、／々り防止駒１
４は降温時に簡単に取外せるから、摩耗によ゛シバリ防
止効果がなくなった場合には・々り防止駒１４のみを容
易に交換することができる。
ルド金型により樹脂モールド工程を行なえば、パリ防止
駒１４は熱膨張してアウターリード５・・・の周面に密
着し、かつアウターリード５・・・間の隙間を封鎖する
。従って、厚・４１Ｊおよび薄パリの発生は倒れも防止
され、樹脂・ぐりの除去工程が不要となるから生産性を
大きく向上することができる。しかも、／々り防止駒１
４は降温時に簡単に取外せるから、摩耗によ゛シバリ防
止効果がなくなった場合には・々り防止駒１４のみを容
易に交換することができる。
以上詳述したように、本発明のモールド金型によれば、
従来のモールド型ではその発生を回避するのが困難であ
った樹脂の薄パリ発生を容易に防止でき、樹脂側止型半
導体装置の製造工程を合理化して生産性向上を図れる等
、顕著な効果が得られるものである。
従来のモールド型ではその発生を回避するのが困難であ
った樹脂の薄パリ発生を容易に防止でき、樹脂側止型半
導体装置の製造工程を合理化して生産性向上を図れる等
、顕著な効果が得られるものである。
第１図（４）〜の）は樹脂封止型半導体装置の製造工程
を示す説明図、第２図（ト）（Ｂ）は樹脂封止工程に用
いられる従来のモールド金型の説明図、第３図は本発明
の一実施例になるモールド金型の説明図である。 １１・・・上型、１２・・・下型、１３・・・キャビテ
ィー、１４・・・パリ防止駒
を示す説明図、第２図（ト）（Ｂ）は樹脂封止工程に用
いられる従来のモールド金型の説明図、第３図は本発明
の一実施例になるモールド金型の説明図である。 １１・・・上型、１２・・・下型、１３・・・キャビテ
ィー、１４・・・パリ防止駒
Claims (1)
- 樹脂モールド層を成型するだめのキャビティが上型およ
び下型にわたって形成されたモールド型であって、半導
体チップのマウントおよびワイヤデンディングを施され
たリードフレームが、その樹脂封止予定領域を前記キャ
ビティー内に収容され且つその非封止部分を前記上型お
よび下型間に挟持固定して配置されるように構成される
と共に、前記キャビティー近傍において萌配り−ドフレ
ームの総ての７６ターリードに交叉するように前記上型
および下型の両方の合せ面に設けられた凹溝と、該凹溝
に嵌め込まれて前記アウターリードに密着するように設
けられた、前記リードフレームの材質よ勺も軟らかく且
つ前記上型および下型の材質よシも熱膨張係数の大きい
材質からなるパリ防止腕とを具備したことを特徴とする
半導体装置用モールド金型。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13883683A JPS6030144A (ja) | 1983-07-29 | 1983-07-29 | 半導体装置用モ−ルド金型 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13883683A JPS6030144A (ja) | 1983-07-29 | 1983-07-29 | 半導体装置用モ−ルド金型 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6030144A true JPS6030144A (ja) | 1985-02-15 |
Family
ID=15231345
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13883683A Pending JPS6030144A (ja) | 1983-07-29 | 1983-07-29 | 半導体装置用モ−ルド金型 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6030144A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0685875A3 (en) * | 1994-06-02 | 1996-11-20 | At & T Corp | Sealing form. |
| US5945130A (en) * | 1994-11-15 | 1999-08-31 | Vlt Corporation | Apparatus for circuit encapsulation |
| WO2001084618A2 (de) * | 2000-05-02 | 2001-11-08 | Siemens Production And Logistics Systems Ag | Verfahren und formwerkzeug zum umspritzen von elektronischen schaltungsträgern |
| JP2006175770A (ja) * | 2004-12-24 | 2006-07-06 | Bridgestone Corp | 幅狭帯状体の供給巻付け方法および装置 |
| WO2020094411A1 (en) * | 2018-11-07 | 2020-05-14 | Danfoss Silicon Power Gmbh | Mold tool for molding a semiconductor power module with top-sided pin connectors and method of manufacturing such a semiconductor power module |
-
1983
- 1983-07-29 JP JP13883683A patent/JPS6030144A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0685875A3 (en) * | 1994-06-02 | 1996-11-20 | At & T Corp | Sealing form. |
| US5945130A (en) * | 1994-11-15 | 1999-08-31 | Vlt Corporation | Apparatus for circuit encapsulation |
| US6403009B1 (en) | 1994-11-15 | 2002-06-11 | Vlt Corporation | Circuit encapsulation |
| US6710257B2 (en) | 1994-11-15 | 2004-03-23 | Vlt Corporation | Circuit encapsulation |
| WO2001084618A2 (de) * | 2000-05-02 | 2001-11-08 | Siemens Production And Logistics Systems Ag | Verfahren und formwerkzeug zum umspritzen von elektronischen schaltungsträgern |
| WO2001084618A3 (de) * | 2000-05-02 | 2002-02-07 | Siemens Production & Logistics | Verfahren und formwerkzeug zum umspritzen von elektronischen schaltungsträgern |
| JP2006175770A (ja) * | 2004-12-24 | 2006-07-06 | Bridgestone Corp | 幅狭帯状体の供給巻付け方法および装置 |
| WO2020094411A1 (en) * | 2018-11-07 | 2020-05-14 | Danfoss Silicon Power Gmbh | Mold tool for molding a semiconductor power module with top-sided pin connectors and method of manufacturing such a semiconductor power module |
| CN112969563A (zh) * | 2018-11-07 | 2021-06-15 | 丹佛斯硅动力有限责任公司 | 用于模制具有顶侧引脚连接器的半导体功率模块的模制工具和制造这种半导体功率模块的方法 |
| CN112969563B (zh) * | 2018-11-07 | 2023-06-30 | 丹佛斯硅动力有限责任公司 | 用于模制半导体功率模块的模制工具和方法 |
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