JP2006510221A - オーバーモールド・プラスチック・パッケージ用ヒートシンクまたはフラグ用の微小モールドロック - Google Patents
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Abstract
Description
の高いプラスチック配合材料は、当技術分野では知られていない。
る「1つのサイズで全てに合う」ヒートシンク構造を開発することは可能である。
スを示す。図7は、モールド・ロック4を形成する2段階の製造プロセスを示す。図7のステップ1では、従来の型打機内の第1パンチ18の下にヒートシンク2を配置する。第1パンチ18をヒートシンク2内に打ち込み、破線で示す主チャネル6を形成する。図7のステップ2では、第1パンチ18よりも広い第2パンチ20の下に、ヒートシンク2を配置する。第2パンチは、破線で示す第2チャネルを形成する。図7のステップ2では、主チャネル6を形成する。図7のステップ3では、主チャネル6および副チャネル8双方を形成する。図7のステップ2に示す副チャネル8の製造によって、あり継ぎ断面形状10を形成する。あり継ぎ断面形状10は、図7のステップ2において破線で示す、ヒートシンク2の材料の変位によって形成する。第2チャネル8をヒートシンク2内に型打することによって、ヒートシンク2の材料が主チャネル6内に変位し、あり継ぎ断面形状10が形成される。
して示されている。ヒートシンク2は、複数のモールド・ロック4が内部に形成されたものとして示されている。あるいは、半あり継ぎ断面形状のモールド・ロック12をヒートシンク2内に形成することも可能である。モールド・ロック4は、3列28,30を形成するように配置されている。列28は、ヒートシンク2の外側領域上に位置する。列30は、ヒートシンク2の内側部部分に位置する。この場合も、ヒートシンク2のこの内側部部分は一般にフラグと呼ばれている。
28に対応する。図11を再度参照すると、この断面図は、モールド・ロック4が内部に形成されているヒートシンク2を示す。モールド・ロック4は、主チャネル6および副チャネル8を含む。副チャネル8を形成することにより、主チャネル8内に突出したあり継ぎ断面形状10が形成される。プラスチック成形材34が、ヒートシンク2の上面上に形成されている。プラスチック成形材34は、ヒートシンク2の酸化した銅の表面に化学的に接合するような組成を有する熱固化性プラスチックで形成されている。プラスチック成形材24は、封止された半導体全体に保護カバーを形成する。
ワイヤ38上の応力レベルを低下させることによって、ワイヤ38がダイ26/32またはリード・フレーム24から離脱する可能性が低下する。したがって、マイクロチップが故障する可能性も低下する。その結果、モールド・ロック4または12はマイクロチップの信頼性を向上させる。
Claims (22)
- 剥離を防止するためのマイクロチップ構造であって、
モールド・ロックと、該モールド・ロックは、
主チャネルと、
前記主チャネルの上に形成されている副チャネルと、
前記主チャネルの壁から前記主チャネル内に突出するあり継ぎ形状と、
から成ることと、
前記マイクロチップ構造のヒートシンクの外側縁に沿って形成された前記モールド・ロックの列と、
前記ヒートシンクのフラグ区域内に形成された前記モールド・ロックのパターンとを備えている、マイクロチップ構造。 - 請求項1記載の剥離を防止するためのマイクロチップ構造において、前記パターンは列である、マイクロチップ構造。
- 請求項1記載のマイクロチップ構造において、前記主チャネルは、0.012インチ未満の深さを有する、マイクロチップ構造。
- 請求項1記載のマイクロチップ構造において、前記副チャネルは、0.008インチ未満の深さを有する、マイクロチップ構造。
- 請求項1記載の剥離を防止するためのマイクロチップ構造において、前記ヒートシンクのフラグ区域内に形成された前記モールド・ロックは、プラスチック成形材に連結されている、マイクロチップ構造。
- 請求項1記載の剥離を防止するためのマイクロチップ構造において、前記ヒートシンクのフラグ区域内に形成された前記モールド・ロックは、はんだ配合材に連結されている、マイクロチップ構造。
- パッケージ半導体において、
主チャネルと、該主チャネルの壁から当該主チャネルの内部に突出したあり継ぎ形状とを有するモールド・ロックと、
ヒートシンクであって、該ヒートシンクの外側縁に沿って形成された前記モールド・ロックの列と、前記ヒートシンクの内部に形成された前記モールド・ロックのパターンとを有する、ヒートシンクと、
前記ヒートシンクの外側縁に沿って形成された前記モールド・ロックに連結されているプラスチック成形材と、
を備えている、パッケージ半導体。 - 請求項7記載のパッケージ半導体において、更に、前記主チャネルの上に形成されている副チャネルを備えている、パッケージ半導体。
- 請求項8記載のパッケージ半導体において、前記主チャネルの深さは、0.012インチ未満である、パッケージ半導体。
- 請求項9記載のパッケージ半導体において、前記副チャネルの幅は、0.008インチ未満である、パッケージ半導体。
- 請求項7記載のパッケージ半導体において、はんだ配合材が前記モールド・ロックのパ
ターンに連結されている、パッケージ半導体。 - 請求項7記載のパッケージ半導体において、前記プラスチック成形材が前記モールド・ロックのパターンに連結されている、パッケージ半導体。
- 剥離を防止するためのマイクロチップ構造において、
ヒートシンク内に形成され、合成材を前記ヒートシンクに固定するモールド・ロック手段であって、
前記合成材を受容する主チャネル手段と、
前記合成材を前記モールド・ロック手段に固定するあり継ぎ断面形状手段とから成る、モールド・ロック手段と、
前記ヒートシンクの外側縁に沿って形成された前記モールド・ロック手段の列と、
前記ヒートシンクのフラグ区域内に形成された前記ホールド・ロック手段のパターンとを備えている、マイクロチップ構造。 - 請求項13記載の剥離を防止するためのマイクロチップ構造において、前記パターンは列である、マイクロチップ構造。
- 請求項13記載の剥離を防止するためのマイクロチップ構造において、前記主チャネル手段は、0.012インチ未満の深さを有する、マイクロチップ構造。
- 請求項13記載の剥離を防止するためのマイクロチップ構造において、前記合成材はプラスチックである、マイクロチップ構造。
- 請求項13記載の剥離を防止するためのマイクロチップ構造において、前記合成材ははんだである、マイクロチップ構造。
- 請求項13記載の剥離を防止するためのマイクロチップ構造において、前記モールド・ロック手段は、更に、前記主チャネル手段上に形成され、前記あり継ぎ断面構造手段を形成する副チャネル手段を備えている、マイクロチップ構造。
- 請求項18記載の剥離を防止するためのマイクロチップ構造において、前記補助チャネル手段は、0.008インチ未満の深さを有する、マイクロチップ構造。
- プラスチック成形材をヒートシンクに固定するプロセスであって、
前記ヒートシンクの外側縁に沿って、主チャネルの列を型打するステップと、
前記ヒートシンクのフラグ部内に、主チャネルのパターンを型打するステップと、
前記主チャネルの列および前記主チャネルのパターン内に達するあり継ぎ断面形状を形成するステップと、
前記プラスチック成形材を前記ヒートシンク上に堆積するステップと、
前記プラスチック成形材の一部を前記列の前記主チャネル内に流入させるステップと、
前記プラスチック成形材を固化させることによって、前記あり継ぎ断面形状によって前記プラスチック成形材を前記列の前記主チャネル内に固定するステップと、
から成るプロセス。 - 請求項20記載のプロセスであって、更に、
前記プラスチック成形材の一部を前記パターンの前記主チャネル内に流入させるステップと、
前記プラスチック成形材を固化させることによって、前記あり継ぎ断面形状によって、前記プラスチック成形材を前記パターンの前記主チャネル内に固定するステップとを含む
、プロセス。 - 請求項21記載のプロセスであって、更に、
前記ヒートシンクのフラグ部上に、はんだ配合材を堆積するステップと、
前記はんだ配合材を前記パターンの前記主チャネル内に流入させるステップと、
前記はんだ配合材を固化させることによって、前記あり継ぎ断面形状によって前記はんだ配合材を前記列の前記主チャネル内に固定するステップと、
を含む、プロセス。
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