JP2003249605A - 半導体装置、その製造方法、及びその金型 - Google Patents
半導体装置、その製造方法、及びその金型Info
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】結線用のワイヤーの変形や断線、あるいは各ワ
イヤー同士の短絡等の不良を良好に防止する。 【解決手段】低応力の内側封止樹脂１５を成形空間Ａに
低圧及び低速度で注入して、内側封止樹脂１５により半
導体素子１１、リードフレーム１２の一部、ワイヤー１
３を封止しているので、ワイヤー１３の変形や断線、あ
るいは各ワイヤー１３同士の短絡等の不良を良好に防止
することができる。また、外側封止樹脂１７を成形空間
Ｂに高圧及び高速度で注入しているので、ボイド、未充
填、ウエルドライン、ピンホール等の成形不良が外側封
止樹脂１７に発生せずに済み、外観不良等を防止するこ
とができる。更に、内側封止樹脂１５及び外側封止樹脂
１７を連続的に成形するので、製造工程の繁雑化を招く
ことが無く、モールド樹脂の粉末や破片により半導体素
子１１等の部品が汚染されずに済む。
イヤー同士の短絡等の不良を良好に防止する。 【解決手段】低応力の内側封止樹脂１５を成形空間Ａに
低圧及び低速度で注入して、内側封止樹脂１５により半
導体素子１１、リードフレーム１２の一部、ワイヤー１
３を封止しているので、ワイヤー１３の変形や断線、あ
るいは各ワイヤー１３同士の短絡等の不良を良好に防止
することができる。また、外側封止樹脂１７を成形空間
Ｂに高圧及び高速度で注入しているので、ボイド、未充
填、ウエルドライン、ピンホール等の成形不良が外側封
止樹脂１７に発生せずに済み、外観不良等を防止するこ
とができる。更に、内側封止樹脂１５及び外側封止樹脂
１７を連続的に成形するので、製造工程の繁雑化を招く
ことが無く、モールド樹脂の粉末や破片により半導体素
子１１等の部品が汚染されずに済む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂封止された半
導体素子を含む半導体装置、その製造方法、及びその金
型に関する。
導体素子を含む半導体装置、その製造方法、及びその金
型に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、この種の半導体装置は、半導体
素子をリードフレームに搭載し、半導体素子とリードフ
レーム間をワイヤーにより結線し、更にトランスファー
モールド成形により、半導体素子、結線用のワイヤー、
及びリードフレームの一部をモールド樹脂で覆ってな
る。
素子をリードフレームに搭載し、半導体素子とリードフ
レーム間をワイヤーにより結線し、更にトランスファー
モールド成形により、半導体素子、結線用のワイヤー、
及びリードフレームの一部をモールド樹脂で覆ってな
る。
【０００３】ところが、半導体装置の実際の製造工程に
おいては、ボイド、未充填、ウエルドライン、ピンホー
ル等の成形不良が発生し易い。また、モールド樹脂を成
形金型に注入するに際し、モールド樹脂の流動により、
結線用のワイヤーの変形や断線、あるいは各ワイヤー同
士の短絡等の不良が発生することもあった。このため、
金型の構造、モールド樹脂の種類、金型温度、モールド
樹脂の注入圧並びに注入速度等の成形条件を検討して改
良していたが、モールド樹脂の成形状態を制御すること
が困難であり、不良率を十分に低減することができなか
った。
おいては、ボイド、未充填、ウエルドライン、ピンホー
ル等の成形不良が発生し易い。また、モールド樹脂を成
形金型に注入するに際し、モールド樹脂の流動により、
結線用のワイヤーの変形や断線、あるいは各ワイヤー同
士の短絡等の不良が発生することもあった。このため、
金型の構造、モールド樹脂の種類、金型温度、モールド
樹脂の注入圧並びに注入速度等の成形条件を検討して改
良していたが、モールド樹脂の成形状態を制御すること
が困難であり、不良率を十分に低減することができなか
った。
【０００４】そこで、ある程度の不良率を見込んで、製
造を実施し、外観検査や電気的特性検査により不良品を
除外していたが、不良率が高いために、工数の増加、コ
ストの増大等を避けることができなかった。
造を実施し、外観検査や電気的特性検査により不良品を
除外していたが、不良率が高いために、工数の増加、コ
ストの増大等を避けることができなかった。
【０００５】このため、例えば特開平１０−１４４８２
７号公報には、上金型と下金型間の成形空間に半導体素
子、結線用のワイヤー、及びリードフレームの一部を配
置して、半導体素子及びワイヤーに作用する応力が低い
低応力樹脂及び高熱伝導性樹脂を該成形空間に同時に注
入し、低応力樹脂によりリードフレーム上側の半導体素
子及び結線用のワイヤーを封止すると共に、高熱伝導性
樹脂によりリードフレーム下側を覆うという技術が開示
されている。ここでは、低応力樹脂の適用により結線用
のワイヤーの変形や断線、あるいは各ワイヤー同士の短
絡等の不良を防止し、高熱伝導性樹脂により半導体装置
の放熱効率を高めている。
７号公報には、上金型と下金型間の成形空間に半導体素
子、結線用のワイヤー、及びリードフレームの一部を配
置して、半導体素子及びワイヤーに作用する応力が低い
低応力樹脂及び高熱伝導性樹脂を該成形空間に同時に注
入し、低応力樹脂によりリードフレーム上側の半導体素
子及び結線用のワイヤーを封止すると共に、高熱伝導性
樹脂によりリードフレーム下側を覆うという技術が開示
されている。ここでは、低応力樹脂の適用により結線用
のワイヤーの変形や断線、あるいは各ワイヤー同士の短
絡等の不良を防止し、高熱伝導性樹脂により半導体装置
の放熱効率を高めている。
【０００６】また、特開平１０−１６３３８３号公報に
は、下側封止樹脂部上にリードフレーム、半導体素子、
結線用のワイヤー等を設けて位置決めした後、上側封止
樹脂部により半導体素子、ワイヤー、及びリードフレー
ムの一部を封止するという技術が開示されている。ここ
では、ワイヤー等を高精度で位置決めして、各ワイヤー
同士の短絡等の不良を防止している。また、ボイドや未
充填等の成形不良を防止している。
は、下側封止樹脂部上にリードフレーム、半導体素子、
結線用のワイヤー等を設けて位置決めした後、上側封止
樹脂部により半導体素子、ワイヤー、及びリードフレー
ムの一部を封止するという技術が開示されている。ここ
では、ワイヤー等を高精度で位置決めして、各ワイヤー
同士の短絡等の不良を防止している。また、ボイドや未
充填等の成形不良を防止している。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
１０−１４４８２７号公報では、低応力樹脂及び高熱伝
導性樹脂を成形空間に同時に注入しているため、低応力
樹脂及び高熱伝導性樹脂の形状や位置が安定せず、低応
力樹脂により半導体素子及び結線用のワイヤーが封止さ
れるとは必ずしも限らず、結線用のワイヤーの変形や断
線、あるいは各ワイヤー同士の短絡等の不良を良好に防
止することができなかった。
１０−１４４８２７号公報では、低応力樹脂及び高熱伝
導性樹脂を成形空間に同時に注入しているため、低応力
樹脂及び高熱伝導性樹脂の形状や位置が安定せず、低応
力樹脂により半導体素子及び結線用のワイヤーが封止さ
れるとは必ずしも限らず、結線用のワイヤーの変形や断
線、あるいは各ワイヤー同士の短絡等の不良を良好に防
止することができなかった。
【０００８】また、特開平１０−１６３３８３号公報で
は、下側封止樹脂部の成形工程、リードフレーム、半導
体素子、及び結線用のワイヤー等の部品搭載工程、及び
上側封止樹脂部の成形工程を順次行っており、２つの成
形工程間に部品搭載工程が介在するので、製造工程が繁
雑化し、またモールド樹脂の粉末や破片により部品が汚
染された。
は、下側封止樹脂部の成形工程、リードフレーム、半導
体素子、及び結線用のワイヤー等の部品搭載工程、及び
上側封止樹脂部の成形工程を順次行っており、２つの成
形工程間に部品搭載工程が介在するので、製造工程が繁
雑化し、またモールド樹脂の粉末や破片により部品が汚
染された。
【０００９】そこで、本発明は、上記従来の問題点に鑑
みてなされたものであり、結線用のワイヤーの変形や断
線、あるいは各ワイヤー同士の短絡等の不良を良好に防
止することができ、また製造工程の繁雑化を招くことが
無く、更にモールド樹脂の粉末や破片により半導体素子
等の部品が汚染されることがない半導体装置、その製造
方法、及びその金型を提供することを目的とする。
みてなされたものであり、結線用のワイヤーの変形や断
線、あるいは各ワイヤー同士の短絡等の不良を良好に防
止することができ、また製造工程の繁雑化を招くことが
無く、更にモールド樹脂の粉末や破片により半導体素子
等の部品が汚染されることがない半導体装置、その製造
方法、及びその金型を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、半導体素子をリードフレームに搭載し、
半導体素子とリードフレーム間をワイヤーにより結線し
た半導体装置において、半導体素子及びワイヤーを少な
くとも封止する内側封止樹脂と、内側封止樹脂及びリー
ドフレームの一部を少なくとも覆う外側封止樹脂とを備
え、内側封止樹脂として、該内側封止樹脂のモールド成
形のときに半導体素子及びワイヤーに作用する応力が低
い低応力樹脂を適用している。
に、本発明は、半導体素子をリードフレームに搭載し、
半導体素子とリードフレーム間をワイヤーにより結線し
た半導体装置において、半導体素子及びワイヤーを少な
くとも封止する内側封止樹脂と、内側封止樹脂及びリー
ドフレームの一部を少なくとも覆う外側封止樹脂とを備
え、内側封止樹脂として、該内側封止樹脂のモールド成
形のときに半導体素子及びワイヤーに作用する応力が低
い低応力樹脂を適用している。
【００１１】この様な本発明の半導体装置によれば、内
側封止樹脂により半導体素子及びワイヤーを少なくとも
封止し、外側封止樹脂により内側封止樹脂及びリードフ
レームの一部を少なくとも覆っている。従って、内側封
止樹脂として、該内側封止樹脂のモールド成形のときに
半導体素子及びワイヤーに作用する応力が低い低応力樹
脂を適用すれば、ワイヤーの変形や断線、あるいは各ワ
イヤー同士の短絡等の不良を良好に防止することができ
る。また、外側封止樹脂として、成形不良品の発生率が
低い材質のものを適用することができる。
側封止樹脂により半導体素子及びワイヤーを少なくとも
封止し、外側封止樹脂により内側封止樹脂及びリードフ
レームの一部を少なくとも覆っている。従って、内側封
止樹脂として、該内側封止樹脂のモールド成形のときに
半導体素子及びワイヤーに作用する応力が低い低応力樹
脂を適用すれば、ワイヤーの変形や断線、あるいは各ワ
イヤー同士の短絡等の不良を良好に防止することができ
る。また、外側封止樹脂として、成形不良品の発生率が
低い材質のものを適用することができる。
【００１２】次に、本発明は、半導体素子をリードフレ
ームに搭載し、半導体素子とリードフレーム間をワイヤ
ーにより結線した半導体装置の製造方法において、半導
体素子及びワイヤーを少なくとも封止する内側封止樹脂
をモールド成形するステップと、内側封止樹脂及びリー
ドフレームの一部を少なくとも覆う外側封止樹脂をモー
ルド成形するステップとを含んでいる。
ームに搭載し、半導体素子とリードフレーム間をワイヤ
ーにより結線した半導体装置の製造方法において、半導
体素子及びワイヤーを少なくとも封止する内側封止樹脂
をモールド成形するステップと、内側封止樹脂及びリー
ドフレームの一部を少なくとも覆う外側封止樹脂をモー
ルド成形するステップとを含んでいる。
【００１３】この様な本発明の製造方法によれば、半導
体素子及びワイヤーを少なくとも封止する内側封止樹脂
をモールド成形し、内側封止樹脂及びリードフレームの
一部を少なくとも覆う外側封止樹脂をモールド成形して
いる。従って、内側封止樹脂として、半導体素子及びワ
イヤーを封止するのに適した材質のものを適用すること
ができ、また外側封止樹脂として、半導体装置の外装に
適した材質のものを適用することができる。その上、内
側封止樹脂及び外側封止樹脂について、金型の構造、金
型温度、樹脂の注入圧並びに注入速度等の成形条件を別
々に設定することができる。このため、内側封止樹脂の
適宜な成形条件の設定により、ワイヤーの変形や断線、
あるいは各ワイヤー同士の短絡等の不良を良好に防止す
ることができ、また外側封止樹脂の適宜な成形条件の設
定により、ボイド、未充填、ウエルドライン、ピンホー
ル等の成形不良を効果的に抑制することができる。更
に、内側封止樹脂及び外側封止樹脂を連続的に成形する
ので、製造工程の繁雑化を招くことが無く、モールド樹
脂の粉末や破片により半導体素子等の部品が汚染される
ことがない。
体素子及びワイヤーを少なくとも封止する内側封止樹脂
をモールド成形し、内側封止樹脂及びリードフレームの
一部を少なくとも覆う外側封止樹脂をモールド成形して
いる。従って、内側封止樹脂として、半導体素子及びワ
イヤーを封止するのに適した材質のものを適用すること
ができ、また外側封止樹脂として、半導体装置の外装に
適した材質のものを適用することができる。その上、内
側封止樹脂及び外側封止樹脂について、金型の構造、金
型温度、樹脂の注入圧並びに注入速度等の成形条件を別
々に設定することができる。このため、内側封止樹脂の
適宜な成形条件の設定により、ワイヤーの変形や断線、
あるいは各ワイヤー同士の短絡等の不良を良好に防止す
ることができ、また外側封止樹脂の適宜な成形条件の設
定により、ボイド、未充填、ウエルドライン、ピンホー
ル等の成形不良を効果的に抑制することができる。更
に、内側封止樹脂及び外側封止樹脂を連続的に成形する
ので、製造工程の繁雑化を招くことが無く、モールド樹
脂の粉末や破片により半導体素子等の部品が汚染される
ことがない。
【００１４】また、本発明の製造方法においては、内側
封止樹脂の表面をなしじ加工もしくは鮫肌加工してい
る。
封止樹脂の表面をなしじ加工もしくは鮫肌加工してい
る。
【００１５】この様に内側封止樹脂の表面をなしじ加工
もしくは鮫肌加工すれば、内側封止樹脂と外側封止樹脂
の界面での接着性が向上する。
もしくは鮫肌加工すれば、内側封止樹脂と外側封止樹脂
の界面での接着性が向上する。
【００１６】更に、本発明の製造方法においては、外側
封止樹脂として、高密着性樹脂を適用している。
封止樹脂として、高密着性樹脂を適用している。
【００１７】この様に外側封止樹脂として、高密着性樹
脂を適用すれば、内側封止樹脂に対する外側封止樹脂の
接着性が向上する。
脂を適用すれば、内側封止樹脂に対する外側封止樹脂の
接着性が向上する。
【００１８】また、本発明の製造方法においては、内側
封止樹脂が半ば硬化した状態で、外側封止樹脂のモール
ド成形を行っている。
封止樹脂が半ば硬化した状態で、外側封止樹脂のモール
ド成形を行っている。
【００１９】この様に内側封止樹脂が半ば硬化したとき
に外側封止樹脂のモールド成形を行えば、内側封止樹脂
と外側封止樹脂が化学的に反応して結合し、両者間の接
着性が向上する。
に外側封止樹脂のモールド成形を行えば、内側封止樹脂
と外側封止樹脂が化学的に反応して結合し、両者間の接
着性が向上する。
【００２０】更に、本発明の製造方法においては、内側
封止樹脂のモールド成形のときに内側封止樹脂を注入す
るゲートと、外側封止樹脂のモールド成形のときに外側
封止樹脂を注入するゲートとを個別に設定している。
封止樹脂のモールド成形のときに内側封止樹脂を注入す
るゲートと、外側封止樹脂のモールド成形のときに外側
封止樹脂を注入するゲートとを個別に設定している。
【００２１】この様に内側封止樹脂の注入ゲートと外側
封止樹脂の注入ゲートを別々にすれば、内側封止樹脂及
び外側封止樹脂として、相互に異なる性質のものを適用
することが容易になる。
封止樹脂の注入ゲートを別々にすれば、内側封止樹脂及
び外側封止樹脂として、相互に異なる性質のものを適用
することが容易になる。
【００２２】また、本発明の製造方法においては、内側
封止樹脂として、該内側封止樹脂のモールド成形のとき
に半導体素子及びワイヤーに作用する応力が低い低応力
樹脂を適用し、外側封止樹脂として、高熱伝導性樹脂を
適用している。
封止樹脂として、該内側封止樹脂のモールド成形のとき
に半導体素子及びワイヤーに作用する応力が低い低応力
樹脂を適用し、外側封止樹脂として、高熱伝導性樹脂を
適用している。
【００２３】この様に内側封止樹脂として、低応力樹脂
を適用すれば、ワイヤーの変形や断線、あるいは各ワイ
ヤー同士の短絡等の不良を良好に防止することができ
る。また、外側封止樹脂として、高熱伝導性樹脂を適用
すれば、半導体装置の放熱効率を高めることができる。
を適用すれば、ワイヤーの変形や断線、あるいは各ワイ
ヤー同士の短絡等の不良を良好に防止することができ
る。また、外側封止樹脂として、高熱伝導性樹脂を適用
すれば、半導体装置の放熱効率を高めることができる。
【００２４】更に、本発明の製造方法においては、内側
封止樹脂のモールド成形のときに内側封止樹脂を低圧も
しくは低速で注入している。
封止樹脂のモールド成形のときに内側封止樹脂を低圧も
しくは低速で注入している。
【００２５】この様に内側封止樹脂を低圧もしくは低速
で注入すれば、半導体素子及びワイヤーに作用する応力
が低くなり、ワイヤーの変形や断線、あるいは各ワイヤ
ー同士の短絡等の不良を良好に防止することができる。
で注入すれば、半導体素子及びワイヤーに作用する応力
が低くなり、ワイヤーの変形や断線、あるいは各ワイヤ
ー同士の短絡等の不良を良好に防止することができる。
【００２６】また、本発明の製造方法においては、外側
封止樹脂のモールド成形のときに外側封止樹脂を高圧も
しくは高速で注入している。
封止樹脂のモールド成形のときに外側封止樹脂を高圧も
しくは高速で注入している。
【００２７】この様に外側封止樹脂を高圧もしくは高速
で注入すれば、外側封止樹脂については、ボイド、未充
填、ウエルドライン、ピンホール等の成形不良を効果的
に抑制することができる。
で注入すれば、外側封止樹脂については、ボイド、未充
填、ウエルドライン、ピンホール等の成形不良を効果的
に抑制することができる。
【００２８】一方、本発明は、本発明の製造方法により
製造された半導体装置をも包含する。
製造された半導体装置をも包含する。
【００２９】これにより、高品質の半導体装置を提供す
ることができる。
ることができる。
【００３０】次に、半導体素子をリードフレームに搭載
し、半導体素子とリードフレーム間をワイヤーにより結
線した半導体装置の金型において、半導体素子及びワイ
ヤーを少なくとも封止する内側封止樹脂をモールド成形
する第１金型と、内側封止樹脂及びリードフレームの一
部を少なくとも覆う外側封止樹脂をモールド成形する第
２金型とを備えている。
し、半導体素子とリードフレーム間をワイヤーにより結
線した半導体装置の金型において、半導体素子及びワイ
ヤーを少なくとも封止する内側封止樹脂をモールド成形
する第１金型と、内側封止樹脂及びリードフレームの一
部を少なくとも覆う外側封止樹脂をモールド成形する第
２金型とを備えている。
【００３１】この様な第１及び第２金型を適用すること
により、本発明の製造方法を具現化することができる。
により、本発明の製造方法を具現化することができる。
【００３２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を添付図
面を参照して詳細に説明する。
面を参照して詳細に説明する。
【００３３】図１（ａ）、（ｂ）、及び（ｃ）は、本発
明の製造方法の第１実施形態を示す図である。尚、図１
（ａ）〜（ｃ）においては、各金型の断面を示してい
る。
明の製造方法の第１実施形態を示す図である。尚、図１
（ａ）〜（ｃ）においては、各金型の断面を示してい
る。
【００３４】まず、図１（ａ）に示す様に半導体素子１
１をリードフレーム１２上にダイボンド等により接着
し、ワイヤー１３をワイヤーボンディング等により形成
して、半導体素子１１の電極をワイヤー１３を介してリ
ードフレーム１２のリード部に接続する。そして、第１
上金型１４ａと第１下金型１４ｂ間の成形空間Ａに、半
導体素子１１、リードフレーム１２の一部、ワイヤー１
３を配置して位置決めし、リードフレーム１２のリード
部をフレーム保持金型（図示せず）に挟み込むと共に、
複数のリードフレームを連結するタイバー部（図示せ
ず）をフレーム保持金型（図示せず）に挟み込んで、リ
ードフレーム１２を固定する。
１をリードフレーム１２上にダイボンド等により接着
し、ワイヤー１３をワイヤーボンディング等により形成
して、半導体素子１１の電極をワイヤー１３を介してリ
ードフレーム１２のリード部に接続する。そして、第１
上金型１４ａと第１下金型１４ｂ間の成形空間Ａに、半
導体素子１１、リードフレーム１２の一部、ワイヤー１
３を配置して位置決めし、リードフレーム１２のリード
部をフレーム保持金型（図示せず）に挟み込むと共に、
複数のリードフレームを連結するタイバー部（図示せ
ず）をフレーム保持金型（図示せず）に挟み込んで、リ
ードフレーム１２を固定する。
【００３５】更に、低応力の内側封止樹脂を第１上金型
１４ａのゲート口１４ｃを通じて成形空Ａ間に注入し
て、内側封止樹脂１５（図１（ｂ）に示す）により半導
体素子１１、リードフレーム１２の一部、ワイヤー１３
を封止する。低応力の内側封止樹脂１５は、注入時の流
動性が高く、半導体素子１１やワイヤー１３に作用する
応力が低い。また、内側封止樹脂１５を成形空間Ａに低
圧及び低速度で注入する。この様に低応力の内側封止樹
脂１５を低圧及び低速度で注入すれば、半導体素子１１
やワイヤー１３に作用する応力を極めて低くすることが
でき、ワイヤー１３の変形や断線、あるいは各ワイヤー
１３同士の短絡等の不良を良好に防止することができ
る。
１４ａのゲート口１４ｃを通じて成形空Ａ間に注入し
て、内側封止樹脂１５（図１（ｂ）に示す）により半導
体素子１１、リードフレーム１２の一部、ワイヤー１３
を封止する。低応力の内側封止樹脂１５は、注入時の流
動性が高く、半導体素子１１やワイヤー１３に作用する
応力が低い。また、内側封止樹脂１５を成形空間Ａに低
圧及び低速度で注入する。この様に低応力の内側封止樹
脂１５を低圧及び低速度で注入すれば、半導体素子１１
やワイヤー１３に作用する応力を極めて低くすることが
でき、ワイヤー１３の変形や断線、あるいは各ワイヤー
１３同士の短絡等の不良を良好に防止することができ
る。
【００３６】この後、内側封止樹脂１５が半ば硬化した
ときに、第１上金型１４ａと第１下金型１４ｂを離間さ
せて、内側封止樹脂１５、半導体素子１１、リードフレ
ーム１２の一部、ワイヤー１３を取り出す。第１上金型
１４ａと第１下金型１４ｂの内壁面には、なしじ加工
（細かな凹凸加工）もしくは鮫肌加工が施されている。
このため、この取り出された内側封止樹脂１５の表面に
もなしじ加工もしくは鮫肌加工が施されている。
ときに、第１上金型１４ａと第１下金型１４ｂを離間さ
せて、内側封止樹脂１５、半導体素子１１、リードフレ
ーム１２の一部、ワイヤー１３を取り出す。第１上金型
１４ａと第１下金型１４ｂの内壁面には、なしじ加工
（細かな凹凸加工）もしくは鮫肌加工が施されている。
このため、この取り出された内側封止樹脂１５の表面に
もなしじ加工もしくは鮫肌加工が施されている。
【００３７】次に、図１（ｂ）に示す様に第２上金型１
６ａと第２下金型１６ｂ間の成形空間Ｂに、半ば硬化し
た内側封止樹脂１５及びリードフレーム１２の一部を配
置して位置決めし、リードフレーム１２のリード部をフ
レーム保持金型（図示せず）に挟み込むと共に、リード
フレーム１２のタイバー部（図示せず）をフレーム保持
金型（図示せず）に挟み込んで、リードフレーム１２を
固定する。
６ａと第２下金型１６ｂ間の成形空間Ｂに、半ば硬化し
た内側封止樹脂１５及びリードフレーム１２の一部を配
置して位置決めし、リードフレーム１２のリード部をフ
レーム保持金型（図示せず）に挟み込むと共に、リード
フレーム１２のタイバー部（図示せず）をフレーム保持
金型（図示せず）に挟み込んで、リードフレーム１２を
固定する。
【００３８】そして、高熱伝導性の外側封止樹脂を第２
下金型１６ｂのゲート口１６ｃを通じて成形空間Ｂに注
入して、外側封止樹脂１７（図１（ｃ）に示す）により
内側封止樹脂１５及びリードフレーム１２の一部を覆
う。このとき、外側封止樹脂１７を成形空間Ｂに高圧及
び高速度で注入する。この様に外側封止樹脂１７を高圧
及び高速度で注入すれば、ボイド、未充填、ウエルドラ
イン、ピンホール等の成形不良が外側封止樹脂１７に発
生せずに済む。
下金型１６ｂのゲート口１６ｃを通じて成形空間Ｂに注
入して、外側封止樹脂１７（図１（ｃ）に示す）により
内側封止樹脂１５及びリードフレーム１２の一部を覆
う。このとき、外側封止樹脂１７を成形空間Ｂに高圧及
び高速度で注入する。この様に外側封止樹脂１７を高圧
及び高速度で注入すれば、ボイド、未充填、ウエルドラ
イン、ピンホール等の成形不良が外側封止樹脂１７に発
生せずに済む。
【００３９】また、内側封止樹脂１５の表面になしじ加
工もしくは鮫肌加工を施していることから、内側封止樹
脂１５と外側封止樹脂１７の界面での接着性が良い。あ
いるは、内側封止樹脂１５が半ば硬化した状態で、外側
封止樹脂１７により内側封止樹脂１５を覆っているの
で、内側封止樹脂１５と外側封止樹脂１７が化学的に反
応して結合し、両者間の接着性がより向上する。尚、外
側封止樹脂１７として、高熱伝導性だけではなく、高密
着性を有するものを適用すれば、両者間の接着性が更に
向上する。
工もしくは鮫肌加工を施していることから、内側封止樹
脂１５と外側封止樹脂１７の界面での接着性が良い。あ
いるは、内側封止樹脂１５が半ば硬化した状態で、外側
封止樹脂１７により内側封止樹脂１５を覆っているの
で、内側封止樹脂１５と外側封止樹脂１７が化学的に反
応して結合し、両者間の接着性がより向上する。尚、外
側封止樹脂１７として、高熱伝導性だけではなく、高密
着性を有するものを適用すれば、両者間の接着性が更に
向上する。
【００４０】この後、第２上金型１６ａと第２下金型１
６ｂを離間させて、図１（ｃ）に示す半導体装置１８を
取り出す。
６ｂを離間させて、図１（ｃ）に示す半導体装置１８を
取り出す。
【００４１】この様に本実施形態では、低応力の内側封
止樹脂１５を成形空間Ａに低圧及び低速度で注入して、
内側封止樹脂１５により半導体素子１１、リードフレー
ム１２の一部、ワイヤー１３を封止しているので、ワイ
ヤー１３の変形や断線、あるいは各ワイヤー１３同士の
短絡等の不良を良好に防止することができる。また、外
側封止樹脂１７を成形空間Ｂに高圧及び高速度で注入し
ているので、ボイド、未充填、ウエルドライン、ピンホ
ール等の成形不良が外側封止樹脂１７に発生せずに済
み、外観不良等を防止することができる。更に、内側封
止樹脂１５の表面になしじ加工もしくは鮫肌加工を施し
たり、内側封止樹脂１５が半ば硬化した状態で、外側封
止樹脂１７により内側封止樹脂１５を覆っているので、
内側封止樹脂１５と外側封止樹脂１７間の接着性が極め
て良い。また、高熱伝導性の外側封止樹脂１７を適用し
ていることから、半導体素子１１が発熱しても、この熱
を効率的に放熱することができる。更に、内側封止樹脂
１５及び外側封止樹脂１７を連続的に成形するので、製
造工程の繁雑化を招くことが無く、モールド樹脂の粉末
や破片により半導体素子１１等の部品が汚染されずに済
む。
止樹脂１５を成形空間Ａに低圧及び低速度で注入して、
内側封止樹脂１５により半導体素子１１、リードフレー
ム１２の一部、ワイヤー１３を封止しているので、ワイ
ヤー１３の変形や断線、あるいは各ワイヤー１３同士の
短絡等の不良を良好に防止することができる。また、外
側封止樹脂１７を成形空間Ｂに高圧及び高速度で注入し
ているので、ボイド、未充填、ウエルドライン、ピンホ
ール等の成形不良が外側封止樹脂１７に発生せずに済
み、外観不良等を防止することができる。更に、内側封
止樹脂１５の表面になしじ加工もしくは鮫肌加工を施し
たり、内側封止樹脂１５が半ば硬化した状態で、外側封
止樹脂１７により内側封止樹脂１５を覆っているので、
内側封止樹脂１５と外側封止樹脂１７間の接着性が極め
て良い。また、高熱伝導性の外側封止樹脂１７を適用し
ていることから、半導体素子１１が発熱しても、この熱
を効率的に放熱することができる。更に、内側封止樹脂
１５及び外側封止樹脂１７を連続的に成形するので、製
造工程の繁雑化を招くことが無く、モールド樹脂の粉末
や破片により半導体素子１１等の部品が汚染されずに済
む。
【００４２】図２（ａ）、（ｂ）、及び（ｃ）は、本発
明の製造方法の第２実施形態を示す図である。尚、図２
において、図１と同様の作用を果たす部位には同じ符号
を付す。
明の製造方法の第２実施形態を示す図である。尚、図２
において、図１と同様の作用を果たす部位には同じ符号
を付す。
【００４３】まず、図２（ａ）に示す様に半導体素子１
１をリードフレーム１２上に搭載し、半導体素子１１の
電極をワイヤー１３を通じてリードフレーム１２のリー
ド部に接続する。そして、第１上金型２１ａと第１下金
型２１ｂ間の成形空間Ａに、半導体素子１１、リードフ
レーム１２の一部、ワイヤー１３を位置決めし、リード
フレーム１２のリード部及びタイバー部（図示せず）を
フレーム保持金型（図示せず）に挟み込んで、リードフ
レーム１２を固定する。
１をリードフレーム１２上に搭載し、半導体素子１１の
電極をワイヤー１３を通じてリードフレーム１２のリー
ド部に接続する。そして、第１上金型２１ａと第１下金
型２１ｂ間の成形空間Ａに、半導体素子１１、リードフ
レーム１２の一部、ワイヤー１３を位置決めし、リード
フレーム１２のリード部及びタイバー部（図示せず）を
フレーム保持金型（図示せず）に挟み込んで、リードフ
レーム１２を固定する。
【００４４】更に、低応力の内側封止樹脂を第１上金型
２１ａのゲート口２１ｃを通じて成形空間Ａに低圧及び
低速度で注入して、内側封止樹脂２３（図２（ｂ）に示
す）によりリードフレーム１２の上側面の一部を覆い、
内側封止樹脂２３により半導体素子１１、リードフレー
ム１２の一部、ワイヤー１３を封止する。
２１ａのゲート口２１ｃを通じて成形空間Ａに低圧及び
低速度で注入して、内側封止樹脂２３（図２（ｂ）に示
す）によりリードフレーム１２の上側面の一部を覆い、
内側封止樹脂２３により半導体素子１１、リードフレー
ム１２の一部、ワイヤー１３を封止する。
【００４５】この後、内側封止樹脂２３が半ば硬化した
ときに、第１上金型２１ａと第１下金型２１ｂを離間さ
せて、内側封止樹脂２３、半導体素子１１、リードフレ
ーム１２の一部、ワイヤー１３を取り出す。第１上金型
２１ａと第１下金型２１ｂの内壁面になしじ加工もしく
は鮫肌加工が施されており、半ば硬化した内側封止樹脂
２３の表面にもなしじ加工もしくは鮫肌加工が施され
る。
ときに、第１上金型２１ａと第１下金型２１ｂを離間さ
せて、内側封止樹脂２３、半導体素子１１、リードフレ
ーム１２の一部、ワイヤー１３を取り出す。第１上金型
２１ａと第１下金型２１ｂの内壁面になしじ加工もしく
は鮫肌加工が施されており、半ば硬化した内側封止樹脂
２３の表面にもなしじ加工もしくは鮫肌加工が施され
る。
【００４６】次に、図２（ｂ）に示す様に第２上金型２
２ａと第２下金型２２ｂ間の成形空間Ｂに、半ば硬化し
た内側封止樹脂２３及びリードフレーム１２の一部を配
置して位置決めし、リードフレーム１２のリード部及び
タイバー部（図示せず）をフレーム保持金型（図示せ
ず）に挟み込んで、リードフレーム１２を固定する。
２ａと第２下金型２２ｂ間の成形空間Ｂに、半ば硬化し
た内側封止樹脂２３及びリードフレーム１２の一部を配
置して位置決めし、リードフレーム１２のリード部及び
タイバー部（図示せず）をフレーム保持金型（図示せ
ず）に挟み込んで、リードフレーム１２を固定する。
【００４７】そして、高熱伝導性の外側封止樹脂を第２
下金型２２ｂのゲート口２２ｃを通じて成形空間Ｂに高
圧及び高速度で注入して、外側封止樹脂２４（図２
（ｃ）に示す）によりリードフレーム１２の下側面の一
部を覆う。
下金型２２ｂのゲート口２２ｃを通じて成形空間Ｂに高
圧及び高速度で注入して、外側封止樹脂２４（図２
（ｃ）に示す）によりリードフレーム１２の下側面の一
部を覆う。
【００４８】この後、第２上金型２２ａと第２下金型２
２ｂを離間させて、図２（ｃ）に示す半導体装置２５を
取り出す。
２ｂを離間させて、図２（ｃ）に示す半導体装置２５を
取り出す。
【００４９】この半導体装置２５では、低応力の内側封
止樹脂２３によりリードフレーム１２の上側を覆い、外
側封止樹脂２４によりリードフレーム１２の下側を覆っ
ている。
止樹脂２３によりリードフレーム１２の上側を覆い、外
側封止樹脂２４によりリードフレーム１２の下側を覆っ
ている。
【００５０】本実施形態の製造方法においても、図１
（ａ）〜（ｃ）の製造方法と同様に、ワイヤー１３の変
形や断線、あるいは各ワイヤー１３同士の短絡等の不良
を良好に防止することができ、また外観不良等を防止す
ることができ、更に内側封止樹脂２３と外側封止樹脂２
４間の接着性が極めて良く、半導体素子１１の熱を高熱
伝導性の外側封止樹脂２４により効率的に放熱すること
ができ、更に製造工程の繁雑化を招くことが無く、モー
ルド樹脂の粉末や破片により半導体素子１１等の部品が
汚染されずに済む。
（ａ）〜（ｃ）の製造方法と同様に、ワイヤー１３の変
形や断線、あるいは各ワイヤー１３同士の短絡等の不良
を良好に防止することができ、また外観不良等を防止す
ることができ、更に内側封止樹脂２３と外側封止樹脂２
４間の接着性が極めて良く、半導体素子１１の熱を高熱
伝導性の外側封止樹脂２４により効率的に放熱すること
ができ、更に製造工程の繁雑化を招くことが無く、モー
ルド樹脂の粉末や破片により半導体素子１１等の部品が
汚染されずに済む。
【００５１】尚、本発明は、上記各実施形態に限定され
るものではなく、多様に変形することができる。例え
ば、如何なる種類の半導体素子を搭載した半導体装置に
も、本発明を適用することができる。また、内側封止樹
脂として、低応力だけではなく、高熱伝導性、高純度
性、低吸湿性、耐高温性、耐低温性等を兼ね備えるもの
を適用しても良い。あるいは、外側封止樹脂として、高
熱伝導性や高密着性だけではなく、高純度性、低吸湿
性、耐高温性、耐低温性等を兼ね備えるものを適用して
も良い。
るものではなく、多様に変形することができる。例え
ば、如何なる種類の半導体素子を搭載した半導体装置に
も、本発明を適用することができる。また、内側封止樹
脂として、低応力だけではなく、高熱伝導性、高純度
性、低吸湿性、耐高温性、耐低温性等を兼ね備えるもの
を適用しても良い。あるいは、外側封止樹脂として、高
熱伝導性や高密着性だけではなく、高純度性、低吸湿
性、耐高温性、耐低温性等を兼ね備えるものを適用して
も良い。
【００５２】
【発明の効果】以上説明した様に本発明の半導体装置に
よれば、内側封止樹脂により半導体素子及びワイヤーを
少なくとも封止し、外側封止樹脂により内側封止樹脂及
びリードフレームの一部を少なくとも覆っている。従っ
て、内側封止樹脂として、該内側封止樹脂のモールド成
形のときに半導体素子及びワイヤーに作用する応力が低
い低応力樹脂を適用すれば、ワイヤーの変形や断線、あ
るいは各ワイヤー同士の短絡等の不良を良好に防止する
ことができる。また、外側封止樹脂として、成形不良品
の発生率が低い材質のものを適用することができる。
よれば、内側封止樹脂により半導体素子及びワイヤーを
少なくとも封止し、外側封止樹脂により内側封止樹脂及
びリードフレームの一部を少なくとも覆っている。従っ
て、内側封止樹脂として、該内側封止樹脂のモールド成
形のときに半導体素子及びワイヤーに作用する応力が低
い低応力樹脂を適用すれば、ワイヤーの変形や断線、あ
るいは各ワイヤー同士の短絡等の不良を良好に防止する
ことができる。また、外側封止樹脂として、成形不良品
の発生率が低い材質のものを適用することができる。
【００５３】また、本発明の製造方法によれば、半導体
素子及びワイヤーを少なくとも封止する内側封止樹脂を
モールド成形し、内側封止樹脂及びリードフレームの一
部を少なくとも覆う外側封止樹脂をモールド成形してい
る。従って、内側封止樹脂として、半導体素子及びワイ
ヤーを封止するのに適した材質のものを適用することが
でき、また外側封止樹脂として、半導体装置の外装に適
した材質のものを適用することができる。その上、内側
封止樹脂及び外側封止樹脂について、金型の構造、金型
温度、樹脂の注入圧並びに注入速度等の成形条件を別々
に設定することができる。このため、内側封止樹脂の適
宜な成形条件の設定により、ワイヤーの変形や断線、あ
るいは各ワイヤー同士の短絡等の不良を良好に防止する
ことができ、また外側封止樹脂の適宜な成形条件の設定
により、ボイド、未充填、ウエルドライン、ピンホール
等の成形不良を効果的に抑制することができる。更に、
内側封止樹脂及び外側封止樹脂を連続的に成形するの
で、製造工程の繁雑化を招くことが無く、モールド樹脂
の粉末や破片により半導体素子等の部品が汚染されるこ
とがない。
素子及びワイヤーを少なくとも封止する内側封止樹脂を
モールド成形し、内側封止樹脂及びリードフレームの一
部を少なくとも覆う外側封止樹脂をモールド成形してい
る。従って、内側封止樹脂として、半導体素子及びワイ
ヤーを封止するのに適した材質のものを適用することが
でき、また外側封止樹脂として、半導体装置の外装に適
した材質のものを適用することができる。その上、内側
封止樹脂及び外側封止樹脂について、金型の構造、金型
温度、樹脂の注入圧並びに注入速度等の成形条件を別々
に設定することができる。このため、内側封止樹脂の適
宜な成形条件の設定により、ワイヤーの変形や断線、あ
るいは各ワイヤー同士の短絡等の不良を良好に防止する
ことができ、また外側封止樹脂の適宜な成形条件の設定
により、ボイド、未充填、ウエルドライン、ピンホール
等の成形不良を効果的に抑制することができる。更に、
内側封止樹脂及び外側封止樹脂を連続的に成形するの
で、製造工程の繁雑化を招くことが無く、モールド樹脂
の粉末や破片により半導体素子等の部品が汚染されるこ
とがない。
【００５４】更に、本発明の製造方法によれば、内側封
止樹脂の表面をなしじ加工もしくは鮫肌加工しているの
で、内側封止樹脂と外側封止樹脂の界面での接着性が向
上する。
止樹脂の表面をなしじ加工もしくは鮫肌加工しているの
で、内側封止樹脂と外側封止樹脂の界面での接着性が向
上する。
【００５５】また、本発明の製造方法によれば、外側封
止樹脂として、高密着性樹脂を適用しているので、内側
封止樹脂に対する外側封止樹脂の接着性が向上する。
止樹脂として、高密着性樹脂を適用しているので、内側
封止樹脂に対する外側封止樹脂の接着性が向上する。
【００５６】また、本発明の製造方法によれば、内側封
止樹脂が半ば硬化したときに外側封止樹脂のモールド成
形を行っているので、内側封止樹脂と外側封止樹脂が化
学的に反応して結合し、両者間の接着性が向上する。
止樹脂が半ば硬化したときに外側封止樹脂のモールド成
形を行っているので、内側封止樹脂と外側封止樹脂が化
学的に反応して結合し、両者間の接着性が向上する。
【００５７】更に、本発明の製造方法によれば、内側封
止樹脂の注入ゲートと外側封止樹脂の注入ゲートを別々
にしているので、内側封止樹脂及び外側封止樹脂とし
て、相互に異なる性質のものを適用することが容易にな
る。
止樹脂の注入ゲートと外側封止樹脂の注入ゲートを別々
にしているので、内側封止樹脂及び外側封止樹脂とし
て、相互に異なる性質のものを適用することが容易にな
る。
【００５８】また、本発明の製造方法によれば、内側封
止樹脂として、低応力樹脂を適用しているので、ワイヤ
ーの変形や断線、あるいは各ワイヤー同士の短絡等の不
良を良好に防止することができる。また、外側封止樹脂
として、高熱伝導性樹脂を適用しているので、半導体装
置の放熱効率を高めることができる。
止樹脂として、低応力樹脂を適用しているので、ワイヤ
ーの変形や断線、あるいは各ワイヤー同士の短絡等の不
良を良好に防止することができる。また、外側封止樹脂
として、高熱伝導性樹脂を適用しているので、半導体装
置の放熱効率を高めることができる。
【００５９】更に、本発明の製造方法によれば、内側封
止樹脂を低圧もしくは低速で注入しているので、半導体
素子及びワイヤーに作用する応力が低くなり、ワイヤー
の変形や断線、あるいは各ワイヤー同士の短絡等の不良
を良好に防止することができる。
止樹脂を低圧もしくは低速で注入しているので、半導体
素子及びワイヤーに作用する応力が低くなり、ワイヤー
の変形や断線、あるいは各ワイヤー同士の短絡等の不良
を良好に防止することができる。
【００６０】また、本発明の製造方法によれば、外側封
止樹脂を高圧もしくは高速で注入しているので、外側封
止樹脂については、ボイド、未充填、ウエルドライン、
ピンホール等の成形不良を効果的に抑制することができ
る。
止樹脂を高圧もしくは高速で注入しているので、外側封
止樹脂については、ボイド、未充填、ウエルドライン、
ピンホール等の成形不良を効果的に抑制することができ
る。
【００６１】一方、本発明の半導体装置は、本発明の製
造方法により製造されることにより、高品質のものとな
る。
造方法により製造されることにより、高品質のものとな
る。
【００６２】また、本発明によれば、第１及び第２金型
を適用することにより、本発明の製造方法を具現化する
ことができる。
を適用することにより、本発明の製造方法を具現化する
ことができる。
【図１】（ａ）、（ｂ）、及び（ｃ）は、本発明の半導
体装置の製造方法の第１実施形態を示す図である。
体装置の製造方法の第１実施形態を示す図である。
【図２】（ａ）、（ｂ）、及び（ｃ）は、本発明の半導
体装置の製造方法の第２実施形態を示す図である。
体装置の製造方法の第２実施形態を示す図である。
１１ 半導体素子
１２ リードフレーム
１３ ワイヤー
１４ａ 第１上金型
１４ｂ 第１下金型
１５ 内側封止樹脂
１６ａ 第２上金型
１６ｂ 第２下金型
１７ 外側封止樹脂
１８ 半導体装置１８
２１ａ 第１上金型
２１ｂ 第１下金型
２２ａ 第２上金型
２２ｂ 第２下金型
２３ 内側封止樹脂
２４ 外側封止樹脂
２５ 半導体装置
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｂ２９Ｌ 31:34
Claims (11)
- 【請求項１】 半導体素子をリードフレームに搭載し、
半導体素子とリードフレーム間をワイヤーにより結線し
た半導体装置において、 半導体素子及びワイヤーを少なくとも封止する内側封止
樹脂と、 内側封止樹脂及びリードフレームの一部を少なくとも覆
う外側封止樹脂とを備え、 内側封止樹脂として、該内側封止樹脂のモールド成形の
ときに半導体素子及びワイヤーに作用する応力が低い低
応力樹脂を適用したことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 半導体素子をリードフレームに搭載し、
半導体素子とリードフレーム間をワイヤーにより結線し
た半導体装置の製造方法において、 半導体素子及びワイヤーを少なくとも封止する内側封止
樹脂をモールド成形するステップと、 内側封止樹脂及びリードフレームの一部を少なくとも覆
う外側封止樹脂をモールド成形するステップとを含むこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 内側封止樹脂の表面をなしじ加工もしく
は鮫肌加工することを特徴とする請求項２に記載の半導
体装置の製造方法。 - 【請求項４】 外側封止樹脂として、高密着性樹脂を適
用したことを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の
製造方法。 - 【請求項５】 内側封止樹脂が半ば硬化した状態で、外
側封止樹脂のモールド成形を行うことを特徴とする請求
項２に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項６】 内側封止樹脂のモールド成形のときに内
側封止樹脂を注入するゲートと、外側封止樹脂のモール
ド成形のときに外側封止樹脂を注入するゲートとを個別
に設定したことを特徴とする請求項２に記載の半導体装
置の製造方法。 - 【請求項７】 内側封止樹脂として、該内側封止樹脂の
モールド成形のときに半導体素子及びワイヤーに作用す
る応力が低い低応力樹脂を適用し、外側封止樹脂とし
て、高熱伝導性樹脂を適用したことを特徴とする請求項
２に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項８】 内側封止樹脂のモールド成形のときに内
側封止樹脂を低圧もしくは低速で注入することを特徴と
する請求項２に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項９】 外側封止樹脂のモールド成形のときに外
側封止樹脂を高圧もしくは高速で注入することを特徴と
する請求項２に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項１０】 請求項２乃至９のいずれかの製造方法
により製造されたことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項１１】 半導体素子をリードフレームに搭載
し、半導体素子とリードフレーム間をワイヤーにより結
線した半導体装置の金型において、 半導体素子及びワイヤーを少なくとも封止する内側封止
樹脂をモールド成形する第１金型と、 内側封止樹脂及びリードフレームの一部を少なくとも覆
う外側封止樹脂をモールド成形する第２金型とを備える
ことを特徴とする半導体装置の金型。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002046534A JP2003249605A (ja) | 2002-02-22 | 2002-02-22 | 半導体装置、その製造方法、及びその金型 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002046534A JP2003249605A (ja) | 2002-02-22 | 2002-02-22 | 半導体装置、その製造方法、及びその金型 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003249605A true JP2003249605A (ja) | 2003-09-05 |
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ID=28659912
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002046534A Pending JP2003249605A (ja) | 2002-02-22 | 2002-02-22 | 半導体装置、その製造方法、及びその金型 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003249605A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012039024A (ja) * | 2010-08-11 | 2012-02-23 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 |
| JP2013232544A (ja) * | 2012-04-27 | 2013-11-14 | Lapis Semiconductor Co Ltd | 樹脂封止方法および半導体装置の製造方法 |
| CN108367500A (zh) * | 2016-01-22 | 2018-08-03 | 株式会社电装 | 树脂成型体 |
-
2002
- 2002-02-22 JP JP2002046534A patent/JP2003249605A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012039024A (ja) * | 2010-08-11 | 2012-02-23 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 |
| JP2013232544A (ja) * | 2012-04-27 | 2013-11-14 | Lapis Semiconductor Co Ltd | 樹脂封止方法および半導体装置の製造方法 |
| CN108367500A (zh) * | 2016-01-22 | 2018-08-03 | 株式会社电装 | 树脂成型体 |
| US10446458B2 (en) | 2016-01-22 | 2019-10-15 | Denso Corporation | Resin molded body |
| CN108367500B (zh) * | 2016-01-22 | 2020-06-09 | 株式会社电装 | 树脂成型体 |
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