JPH10144713A - モールド方法および装置ならびに半導体装置 - Google Patents
モールド方法および装置ならびに半導体装置Info
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- JPH10144713A JPH10144713A JP30430296A JP30430296A JPH10144713A JP H10144713 A JPH10144713 A JP H10144713A JP 30430296 A JP30430296 A JP 30430296A JP 30430296 A JP30430296 A JP 30430296A JP H10144713 A JPH10144713 A JP H10144713A
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- resin
- cavity
- air vent
- molding
- mold
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Landscapes
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 キャビティへの樹脂の未充填を防止しつつレ
ジンバリの長さを短くすることのできるモールド装置を
得る。 【解決手段】 相対的に接近離反移動自在に設けられた
一対のモールド金型５と、この一対のモールド金型５を
接合して形成されるキャビティ６に樹脂を押圧注入する
プランジャと、キャビティ６と外部とを連通して形成さ
れ、注入される樹脂に押されたキャビティ６内のエアを
外部に排出するエアベント１２とを有し、エアベント１
２を、キャビティ側から外部に向かって拡大するように
形成する。
ジンバリの長さを短くすることのできるモールド装置を
得る。 【解決手段】 相対的に接近離反移動自在に設けられた
一対のモールド金型５と、この一対のモールド金型５を
接合して形成されるキャビティ６に樹脂を押圧注入する
プランジャと、キャビティ６と外部とを連通して形成さ
れ、注入される樹脂に押されたキャビティ６内のエアを
外部に排出するエアベント１２とを有し、エアベント１
２を、キャビティ側から外部に向かって拡大するように
形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はモールド技術に関
し、特に、半導体チップを樹脂封止してなる半導体装置
のモールド技術に適用して有効なものである。
し、特に、半導体チップを樹脂封止してなる半導体装置
のモールド技術に適用して有効なものである。
【０００２】
【従来の技術】支持基板上に搭載された半導体チップお
よびその電気的接続箇所を樹脂により外部環境から保護
する樹脂封止タイプの半導体装置を製造するモールド装
置では、キャビティ内への樹脂の充填を完全にするため
に、注入される樹脂によってキャビティ内のエアが外部
に排出されるようにエアベントが設けられている。した
がって、注入された樹脂の一部はエアベントにも流入す
ることになる。そして、エアベントに流入した樹脂はバ
リ（以下「レジンバリ」という。）となって支持基板に
付着、残留する。
よびその電気的接続箇所を樹脂により外部環境から保護
する樹脂封止タイプの半導体装置を製造するモールド装
置では、キャビティ内への樹脂の充填を完全にするため
に、注入される樹脂によってキャビティ内のエアが外部
に排出されるようにエアベントが設けられている。した
がって、注入された樹脂の一部はエアベントにも流入す
ることになる。そして、エアベントに流入した樹脂はバ
リ（以下「レジンバリ」という。）となって支持基板に
付着、残留する。
【０００３】このようなレジンバリについて詳しく記載
している例としては、たとえば、日経ＢＰ社発行、「実
践講座 ＶＬＳＩパッケージング技術（下）」（1993年
5月31日発行）、 P41〜 P43がある。
している例としては、たとえば、日経ＢＰ社発行、「実
践講座 ＶＬＳＩパッケージング技術（下）」（1993年
5月31日発行）、 P41〜 P43がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】レジンバリが長くなる
と、支持基板を所定の大きさに切断して製品化する切断
成形工程でレジンバリが剥離・切断されるようになる。
レジンバリが切断金型に付着したままで切断を行うと不
良になるので、これを防止するためにレジンバリの除去
工程が必要となる。
と、支持基板を所定の大きさに切断して製品化する切断
成形工程でレジンバリが剥離・切断されるようになる。
レジンバリが切断金型に付着したままで切断を行うと不
良になるので、これを防止するためにレジンバリの除去
工程が必要となる。
【０００５】一方、レジンバリの長さを短くしてこのよ
うな問題を解決するには、できるだけエアベントに樹脂
が充填されないようにすればよい。そのためには、エア
ベントの厚さを薄くする、樹脂の注入圧力を低くするな
どの方法が考えられる。
うな問題を解決するには、できるだけエアベントに樹脂
が充填されないようにすればよい。そのためには、エア
ベントの厚さを薄くする、樹脂の注入圧力を低くするな
どの方法が考えられる。
【０００６】しかしながら、これらの方法によれば、エ
アの排出効率の低下などによりキャビティ内への樹脂の
未充填や内部ボイドの発生といった問題が発生する。
アの排出効率の低下などによりキャビティ内への樹脂の
未充填や内部ボイドの発生といった問題が発生する。
【０００７】そこで、本発明の目的は、キャビティへの
樹脂の未充填を防止しつつレジンバリの長さを短くする
ことのできるモールド技術を提供することにある。
樹脂の未充填を防止しつつレジンバリの長さを短くする
ことのできるモールド技術を提供することにある。
【０００８】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
次のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
次のとおりである。
【００１０】すなわち、本発明によるモールド方法は、
半導体チップの搭載された支持基板を用意する工程と、
この支持基板をキャビティにセットしてモールド金型の
型締めをする工程と、キャビティ側から外部に向かって
拡大形成されたエアベントからキャビティ内のエアを排
出しながらキャビティおよびエアベントに樹脂を充填し
て半導体チップを樹脂封止する工程と、モールド金型を
開いて半導体チップの樹脂封止された支持基板を取り出
す工程とを有することを特徴とするものである。このモ
ールド方法において、支持基板は、絶縁性を有するベー
ス材とこのベース材に形成された配線メタライズにより
構成することができる。
半導体チップの搭載された支持基板を用意する工程と、
この支持基板をキャビティにセットしてモールド金型の
型締めをする工程と、キャビティ側から外部に向かって
拡大形成されたエアベントからキャビティ内のエアを排
出しながらキャビティおよびエアベントに樹脂を充填し
て半導体チップを樹脂封止する工程と、モールド金型を
開いて半導体チップの樹脂封止された支持基板を取り出
す工程とを有することを特徴とするものである。このモ
ールド方法において、支持基板は、絶縁性を有するベー
ス材とこのベース材に形成された配線メタライズにより
構成することができる。
【００１１】また、本発明によるモールド装置は、支持
基板に搭載された半導体チップを樹脂封止するもので、
相対的に接近離反移動自在に設けられた一対のモールド
金型と、この一対のモールド金型を接合して形成される
キャビティに樹脂を押圧注入するプランジャと、キャビ
ティと外部とを連通して形成され、注入される樹脂に押
されたキャビティ内のエアを外部に排出するエアベント
とを有しており、エアベントが、キャビティ側から外部
に向かって拡大するように形成されていることを特徴と
するものである。このモールド装置において、エアベン
トは、一対のモールド金型の合わせ面に対して水平方向
に拡大していることが望ましい。
基板に搭載された半導体チップを樹脂封止するもので、
相対的に接近離反移動自在に設けられた一対のモールド
金型と、この一対のモールド金型を接合して形成される
キャビティに樹脂を押圧注入するプランジャと、キャビ
ティと外部とを連通して形成され、注入される樹脂に押
されたキャビティ内のエアを外部に排出するエアベント
とを有しており、エアベントが、キャビティ側から外部
に向かって拡大するように形成されていることを特徴と
するものである。このモールド装置において、エアベン
トは、一対のモールド金型の合わせ面に対して水平方向
に拡大していることが望ましい。
【００１２】さらに、本発明による半導体装置は、この
ようなモールド方法により製造されたことを特徴とする
ものである。
ようなモールド方法により製造されたことを特徴とする
ものである。
【００１３】上記した手段によれば、レジンバリの突出
量が最小限に抑制されてレジンバリの飛散・剥離が防止
される。また、キャビティ内への樹脂の未充填や内部ボ
イドの発生が防止される。
量が最小限に抑制されてレジンバリの飛散・剥離が防止
される。また、キャビティ内への樹脂の未充填や内部ボ
イドの発生が防止される。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明す
るための全図において同一の部材には同一の符号を付
し、その繰り返しの説明は省略する。
に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明す
るための全図において同一の部材には同一の符号を付
し、その繰り返しの説明は省略する。
【００１５】図１は本発明の一実施の形態であるモール
ド装置を示す断面図、図２は図１のモールド装置におけ
るモールド金型のエアベントを示す平面図、図３は図１
のモールド装置により製造された半導体装置を示す断面
図である。
ド装置を示す断面図、図２は図１のモールド装置におけ
るモールド金型のエアベントを示す平面図、図３は図１
のモールド装置により製造された半導体装置を示す断面
図である。
【００１６】図１に示すモールド装置は、支持基板１に
搭載された半導体チップ２を樹脂封止して図３に示すよ
うな半導体装置３を製造するもので、相対的に接近離反
移動自在に設けられた上プラテン４ａと下プラテン４ｂ
の対向面には、一対のモールド金型５を構成する上金型
５ａと下金型５ｂとがそれぞれ固定されている。したが
って、上下プラテン４ａ，４ｂの接近動作により型締め
が、離反動作により型開きが行われる。
搭載された半導体チップ２を樹脂封止して図３に示すよ
うな半導体装置３を製造するもので、相対的に接近離反
移動自在に設けられた上プラテン４ａと下プラテン４ｂ
の対向面には、一対のモールド金型５を構成する上金型
５ａと下金型５ｂとがそれぞれ固定されている。したが
って、上下プラテン４ａ，４ｂの接近動作により型締め
が、離反動作により型開きが行われる。
【００１７】上金型５ａと下金型５ｂとの合わせ面に
は、両者を接合してなるキャビティ６が形成されてお
り、図示するように、このキャビティ６に被モールド対
象である半導体チップ２の搭載された支持基板１が位置
している。
は、両者を接合してなるキャビティ６が形成されてお
り、図示するように、このキャビティ６に被モールド対
象である半導体チップ２の搭載された支持基板１が位置
している。
【００１８】上金型５ａには、エポキシ樹脂、硬化剤、
フィラーなどを成分とする円柱状のタブレット（樹脂）
７が投入されるシリンダ状のポット８が下金型５ｂに向
かって貫通形成されており、このポット８と前記したキ
ャビティ６とを連通するようにしてランナー９が形成さ
れている。また、ポット８に対応するようにして、下金
型５ｂには凹状のカル１０が形成されている。
フィラーなどを成分とする円柱状のタブレット（樹脂）
７が投入されるシリンダ状のポット８が下金型５ｂに向
かって貫通形成されており、このポット８と前記したキ
ャビティ６とを連通するようにしてランナー９が形成さ
れている。また、ポット８に対応するようにして、下金
型５ｂには凹状のカル１０が形成されている。
【００１９】ポット８の上方には、ポット８内のタブレ
ット７を押圧するプランジャ１１が設置されている。そ
して、所定の温度に加熱されて流動状態となっているタ
ブレット７は、このプランジャ１１に押圧されてポット
８からランナー９を通りキャビティ６に注入される。こ
れにより、キャビティ６にセットされた支持基板１上の
半導体チップ２が樹脂封止される。
ット７を押圧するプランジャ１１が設置されている。そ
して、所定の温度に加熱されて流動状態となっているタ
ブレット７は、このプランジャ１１に押圧されてポット
８からランナー９を通りキャビティ６に注入される。こ
れにより、キャビティ６にセットされた支持基板１上の
半導体チップ２が樹脂封止される。
【００２０】キャビティ６と外部とを連通するようにし
て、樹脂注入時におけるキャビティ６内や樹脂内のエア
を外部に排出して樹脂充填を完全にするためのエアベン
ト１２が形成されている。図２に示すように、このエア
ベント１２は、モールド金型５の合わせ面に対してキャ
ビティ側から外部に向かって拡大するように形成されて
いる。すなわち、エアベント１２のキャビティ側の開口
寸法をａ、外部側の開口寸法をｂとした場合にａ＜ｂと
なっており、また、外部に向かうに従って徐々に広がっ
て行く形状とされている。なお、エアがこのエアベント
１２から排出されながらキャビティ６に樹脂が充填され
て行くため、このエアベント１２にも樹脂が注入される
ことになる。
て、樹脂注入時におけるキャビティ６内や樹脂内のエア
を外部に排出して樹脂充填を完全にするためのエアベン
ト１２が形成されている。図２に示すように、このエア
ベント１２は、モールド金型５の合わせ面に対してキャ
ビティ側から外部に向かって拡大するように形成されて
いる。すなわち、エアベント１２のキャビティ側の開口
寸法をａ、外部側の開口寸法をｂとした場合にａ＜ｂと
なっており、また、外部に向かうに従って徐々に広がっ
て行く形状とされている。なお、エアがこのエアベント
１２から排出されながらキャビティ６に樹脂が充填され
て行くため、このエアベント１２にも樹脂が注入される
ことになる。
【００２１】このような構造を有するモールド装置によ
り、半導体装置３は次のようにしてモールドされる。
り、半導体装置３は次のようにしてモールドされる。
【００２２】先ず、前記したような半導体チップ２の搭
載された支持基板１を用意する。そして、この支持基板
１をキャビティ６にセットしてから、上下プラテン４
ａ，４ｂを接近移動させてモールド金型５の型締めを行
う。
載された支持基板１を用意する。そして、この支持基板
１をキャビティ６にセットしてから、上下プラテン４
ａ，４ｂを接近移動させてモールド金型５の型締めを行
う。
【００２３】次に、プランジャ１１によりポット８内の
タブレット７を押圧し、ランナー９からキャビティ６内
へと熱硬化性の樹脂を注入して行く。すると、エアがエ
アベント１２から外部に押し出されるようにしてキャビ
ティ６内へ樹脂が充填され、キャビティ６に沿った形状
に半導体チップ２が樹脂封止される。
タブレット７を押圧し、ランナー９からキャビティ６内
へと熱硬化性の樹脂を注入して行く。すると、エアがエ
アベント１２から外部に押し出されるようにしてキャビ
ティ６内へ樹脂が充填され、キャビティ６に沿った形状
に半導体チップ２が樹脂封止される。
【００２４】ここで、エアベント１２はキャビティ側か
ら外部に向かって拡大するように形成されてその体積が
大きくなっているので、エアベント１２に注入された樹
脂によるレジンバリ１６ａ（図３）の形状は、エアベン
ト１２の形状に沿って長さが短く、幅の広いものにな
る。これにより、レジンバリ１６ａの突出量が最小限に
抑制されて飛散・剥離することが防止され、支持基板１
の切断成形工程においてレジンバリ１６ａが切断金型に
付着することがなくなる。したがって、このようなレジ
ンバリ１６ａをあえて除去することも不要になる。
ら外部に向かって拡大するように形成されてその体積が
大きくなっているので、エアベント１２に注入された樹
脂によるレジンバリ１６ａ（図３）の形状は、エアベン
ト１２の形状に沿って長さが短く、幅の広いものにな
る。これにより、レジンバリ１６ａの突出量が最小限に
抑制されて飛散・剥離することが防止され、支持基板１
の切断成形工程においてレジンバリ１６ａが切断金型に
付着することがなくなる。したがって、このようなレジ
ンバリ１６ａをあえて除去することも不要になる。
【００２５】また、エアベント１２の外部側が広くなっ
ているので、エアの排出効率が低下することはなく、キ
ャビティ６内への樹脂の未充填や内部ボイドの発生は未
然に防止される。これにより、モールド不良が防止され
て製品の信頼性向上を図ることができる。
ているので、エアの排出効率が低下することはなく、キ
ャビティ６内への樹脂の未充填や内部ボイドの発生は未
然に防止される。これにより、モールド不良が防止され
て製品の信頼性向上を図ることができる。
【００２６】なお、本実施の形態では、エアベント１２
がモールド金型５の合わせ面に対して水平方向に拡大し
た形状となっているので、支持基板１との接着面積が大
きくなってレジンバリ１６ａは一層剥離しにくくなる。
がモールド金型５の合わせ面に対して水平方向に拡大し
た形状となっているので、支持基板１との接着面積が大
きくなってレジンバリ１６ａは一層剥離しにくくなる。
【００２７】モールド終了後、モールド金型５を開いて
半導体チップ２の樹脂封止された支持基板１を取り出
す。そして、支持基板１を製品外形サイズに切断し、さ
らに必要な加工を施すと、図３に示す半導体装置３が得
られる。
半導体チップ２の樹脂封止された支持基板１を取り出
す。そして、支持基板１を製品外形サイズに切断し、さ
らに必要な加工を施すと、図３に示す半導体装置３が得
られる。
【００２８】この半導体装置３は、バンプ１３を介して
半導体チップ２と配線基板とを電気的に接続するＢＧＡ
（Ball Grid Array ）タイプのものである。
半導体チップ２と配線基板とを電気的に接続するＢＧＡ
（Ball Grid Array ）タイプのものである。
【００２９】支持基板１は、たとえばエポキシ樹脂から
なり絶縁性を有するベース材１ａと、このベース材１ａ
に形成されたたとえばＣｕ（銅）からなる配線メタライ
ズ１ｂとから構成されている。ベース材１ａの一方面に
形成された配線メタライズ１ｂは、ベース材１ａを貫通
して形成されたスルーホール１４内の導電性を有するコ
ンタクトメタル１５を介して他方面の全域にわたって設
けられているたとえばＰｂ／Ｓｎ（鉛／スズ）からなる
バンプ１３と電気的に接続されている。また、樹脂１６
により封止された半導体チップ２はたとえばＡｕ（金）
からなるボンディングワイヤ１７により前記した配線メ
タライズ１ｂと接続されている。そして、半導体チップ
２を封止している樹脂１６と連続したレジンバリ１６ａ
は、除去されることなく製品の一部となっている。な
お、ベース材１ａの両面はバンプ１３を残して絶縁性の
保護マスク１８が被着されており、装置内部を外的雰囲
気から遮断している。
なり絶縁性を有するベース材１ａと、このベース材１ａ
に形成されたたとえばＣｕ（銅）からなる配線メタライ
ズ１ｂとから構成されている。ベース材１ａの一方面に
形成された配線メタライズ１ｂは、ベース材１ａを貫通
して形成されたスルーホール１４内の導電性を有するコ
ンタクトメタル１５を介して他方面の全域にわたって設
けられているたとえばＰｂ／Ｓｎ（鉛／スズ）からなる
バンプ１３と電気的に接続されている。また、樹脂１６
により封止された半導体チップ２はたとえばＡｕ（金）
からなるボンディングワイヤ１７により前記した配線メ
タライズ１ｂと接続されている。そして、半導体チップ
２を封止している樹脂１６と連続したレジンバリ１６ａ
は、除去されることなく製品の一部となっている。な
お、ベース材１ａの両面はバンプ１３を残して絶縁性の
保護マスク１８が被着されており、装置内部を外的雰囲
気から遮断している。
【００３０】そして、このような半導体装置３が実装さ
れれば、半導体チップ２はボンディングワイヤ１７、配
線メタライズ１ｂ、コンタクトメタル１５およびバンプ
１３を介して配線基板と電気的に接続される。
れれば、半導体チップ２はボンディングワイヤ１７、配
線メタライズ１ｂ、コンタクトメタル１５およびバンプ
１３を介して配線基板と電気的に接続される。
【００３１】このように、本実施の形態のモールド技術
によれば、モールド金型５のエアベント１２がキャビテ
ィ側から外部に向かって拡大するように形成されている
ので、レジンバリ１６ａの突出量が最小限に抑制され
る。これにより、レジンバリ１６ａの飛散・剥離が防止
されるので、これを除去する必要がなくなる。
によれば、モールド金型５のエアベント１２がキャビテ
ィ側から外部に向かって拡大するように形成されている
ので、レジンバリ１６ａの突出量が最小限に抑制され
る。これにより、レジンバリ１６ａの飛散・剥離が防止
されるので、これを除去する必要がなくなる。
【００３２】また、エアベント１２の外部側が広くなっ
てエアの排出効率が確保されているので、キャビティ６
内への樹脂の未充填や内部ボイドの発生が防止され、製
品の信頼性向上を図ることができる。
てエアの排出効率が確保されているので、キャビティ６
内への樹脂の未充填や内部ボイドの発生が防止され、製
品の信頼性向上を図ることができる。
【００３３】以上、本発明者によってなされた発明をそ
の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前
記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸
脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもな
い。
の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前
記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸
脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもな
い。
【００３４】たとえば、前記実施の形態では、エアベン
ト１２がモールド金型５の合わせ面に対して水平方向に
拡大した形状となっているが、図４に示すように、垂直
方向に拡大した形状としてもよい。つまり、キャビティ
側の開口寸法をｃ、外部側の開口寸法をｄとしたとき、
外部に向かうに従って徐々に広がってｃ＜ｄとなる形状
としてもよい。
ト１２がモールド金型５の合わせ面に対して水平方向に
拡大した形状となっているが、図４に示すように、垂直
方向に拡大した形状としてもよい。つまり、キャビティ
側の開口寸法をｃ、外部側の開口寸法をｄとしたとき、
外部に向かうに従って徐々に広がってｃ＜ｄとなる形状
としてもよい。
【００３５】また、製造される半導体装置３は、本実施
の形態に示すＢＧＡではなく、ＰＧＡ（Pin Grid Arra
y）といった他の基板タイプの半導体装置でもよい。さ
らに、基板タイプではなく、リードフレームを用いた半
導体装置でもよい。さらに、半導体チップ２は、ボンデ
ィングワイヤ１７ではなくバンプで接続されていてもよ
い。
の形態に示すＢＧＡではなく、ＰＧＡ（Pin Grid Arra
y）といった他の基板タイプの半導体装置でもよい。さ
らに、基板タイプではなく、リードフレームを用いた半
導体装置でもよい。さらに、半導体チップ２は、ボンデ
ィングワイヤ１７ではなくバンプで接続されていてもよ
い。
【００３６】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以
下のとおりである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以
下のとおりである。
【００３７】(1).本発明のモールド技術によれば、エア
ベントがキャビティ側から外部に向かって拡大するよう
に形成されているので、レジンバリの突出量が最小限に
抑制される。これにより、レジンバリの飛散・剥離が防
止されるので、支持基板を切断成形する際に、切断金型
にレジンバリが付着して切断不良が発生することを未然
に防止することができる。
ベントがキャビティ側から外部に向かって拡大するよう
に形成されているので、レジンバリの突出量が最小限に
抑制される。これにより、レジンバリの飛散・剥離が防
止されるので、支持基板を切断成形する際に、切断金型
にレジンバリが付着して切断不良が発生することを未然
に防止することができる。
【００３８】(2).エアベントをモールド金型の合わせ面
に対して水平方向に拡大した形状とすれば、レジンバリ
は支持基板との接着面積が大きくなって一層剥離しにく
くなる。
に対して水平方向に拡大した形状とすれば、レジンバリ
は支持基板との接着面積が大きくなって一層剥離しにく
くなる。
【００３９】(3).エアベントの外部側が広くなってエア
の排出効率が確保されているので、キャビティ内への樹
脂の未充填や内部ボイドの発生が防止され、製造された
半導体装置の信頼性向上を図ることができる。
の排出効率が確保されているので、キャビティ内への樹
脂の未充填や内部ボイドの発生が防止され、製造された
半導体装置の信頼性向上を図ることができる。
【図１】本発明の一実施の形態であるモールド装置を示
す断面図である。
す断面図である。
【図２】図１のモールド装置におけるモールド金型のエ
アベントを示す平面図である。
アベントを示す平面図である。
【図３】図１のモールド装置により製造された半導体装
置を示す断面図である。
置を示す断面図である。
【図４】モールド金型のエアベントの変形例を示す断面
図である。
図である。
１ 支持基板 １ａ ベース材 １ｂ 配線メタライズ ２ 半導体チップ ３ 半導体装置 ４ａ 上プラテン ４ｂ 下プラテン ５ モールド金型 ５ａ 上金型 ５ｂ 下金型 ６ キャビティ ７ タブレット（樹脂） ８ ポット ９ ランナー １０ カル １１ プランジャ １２ エアベント １３ バンプ １４ スルーホール １５ コンタクトメタル １６ 樹脂 １６ａ レジンバリ １７ ボンディングワイヤ １８ 保護マスク
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体チップの搭載された支持基板を用
意する工程と、 前記支持基板をキャビティにセットしてモールド金型の
型締めをする工程と、 前記キャビティ側から外部に向かって拡大形成されたエ
アベントから前記キャビティ内のエアを排出しながら前
記キャビティおよび前記エアベントに樹脂を充填して前
記半導体チップを樹脂封止する工程と、 前記モールド金型を開いて前記半導体チップの樹脂封止
された前記支持基板を取り出す工程とを有することを特
徴とするモールド方法。 - 【請求項２】 請求項１記載のモールド方法において、
前記支持基板は、絶縁性を有するベース材とこのベース
材に形成された配線メタライズにより構成されているこ
とを特徴とするモールド方法。 - 【請求項３】 支持基板に搭載された半導体チップを樹
脂封止するモールド装置であって、 相対的に接近離反移動自在に設けられた一対のモールド
金型と、 前記一対のモールド金型を接合して形成されるキャビテ
ィに樹脂を押圧注入するプランジャと、 前記キャビティと外部とを連通して形成され、注入され
る前記樹脂に押された前記キャビティ内のエアを外部に
排出するエアベントとを有し、 前記エアベントが、前記キャビティ側から外部に向かっ
て拡大するように形成されていることを特徴とするモー
ルド装置。 - 【請求項４】 請求項３記載のモールド装置において、
前記エアベントは、前記一対のモールド金型の合わせ面
に対して水平方向に拡大していることを特徴とするモー
ルド装置。 - 【請求項５】 請求項１または２記載のモールド方法に
より製造されたことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30430296A JPH10144713A (ja) | 1996-11-15 | 1996-11-15 | モールド方法および装置ならびに半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30430296A JPH10144713A (ja) | 1996-11-15 | 1996-11-15 | モールド方法および装置ならびに半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10144713A true JPH10144713A (ja) | 1998-05-29 |
Family
ID=17931404
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30430296A Pending JPH10144713A (ja) | 1996-11-15 | 1996-11-15 | モールド方法および装置ならびに半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10144713A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000260795A (ja) * | 1999-03-09 | 2000-09-22 | Nec Corp | 樹脂封止半導体装置用基板及び樹脂封止半導体装置 |
| KR101451798B1 (ko) * | 2013-10-01 | 2014-10-16 | 주식회사 코다코 | 다이캐스트 금형의 가스제거장치 |
| KR20190043444A (ko) * | 2017-10-18 | 2019-04-26 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 반도체 장치의 제조 방법 |
| JP2021037698A (ja) * | 2019-09-03 | 2021-03-11 | ハジメ産業株式会社 | 樹脂成形装置 |
-
1996
- 1996-11-15 JP JP30430296A patent/JPH10144713A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000260795A (ja) * | 1999-03-09 | 2000-09-22 | Nec Corp | 樹脂封止半導体装置用基板及び樹脂封止半導体装置 |
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| JP2019075498A (ja) * | 2017-10-18 | 2019-05-16 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2021037698A (ja) * | 2019-09-03 | 2021-03-11 | ハジメ産業株式会社 | 樹脂成形装置 |
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