JPH10340977A - 電子部品およびその製造方法 - Google Patents
電子部品およびその製造方法Info
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- JPH10340977A JPH10340977A JP35261597A JP35261597A JPH10340977A JP H10340977 A JPH10340977 A JP H10340977A JP 35261597 A JP35261597 A JP 35261597A JP 35261597 A JP35261597 A JP 35261597A JP H10340977 A JPH10340977 A JP H10340977A
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板上のチップのパッドと基板上の電極をワ
イヤで接続し、かつチップとワイヤを封止するモールド
体を形成して成る電子部品は、（１）レジスト膜とモー
ルド体の接着力を大きくすること、（２）金属膜とカル
の接着力を小さくすること、の２つの要件が要求され
る。そこで、上記２つの要件を満足する電子部品および
その製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 基板１の表面をプラズマ処理して第１電
極４や湯道のための金属膜５に生じた金属酸化物を除去
し、レジスト膜６を活性化させる。基板１上のチップ１
２と第１電極４をワイヤ１５で接続した後、チップ１２
とワイヤ１５を封止するモールド体９ａを樹脂で形成す
る。金属膜５上のカル９ｂは金属膜５から容易に剥離さ
れ、モールド体９ａはレジスト膜６上に強固に付着す
る。
イヤで接続し、かつチップとワイヤを封止するモールド
体を形成して成る電子部品は、（１）レジスト膜とモー
ルド体の接着力を大きくすること、（２）金属膜とカル
の接着力を小さくすること、の２つの要件が要求され
る。そこで、上記２つの要件を満足する電子部品および
その製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 基板１の表面をプラズマ処理して第１電
極４や湯道のための金属膜５に生じた金属酸化物を除去
し、レジスト膜６を活性化させる。基板１上のチップ１
２と第１電極４をワイヤ１５で接続した後、チップ１２
とワイヤ１５を封止するモールド体９ａを樹脂で形成す
る。金属膜５上のカル９ｂは金属膜５から容易に剥離さ
れ、モールド体９ａはレジスト膜６上に強固に付着す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板上のチップと
ワイヤを樹脂で封止する電子部品およびその製造方法に
関するものである。
ワイヤを樹脂で封止する電子部品およびその製造方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】電子部品として、基板の上面にチップを
搭載してチップの上面のパッドと基板の上面の電極をワ
イヤで接続し、かつチップとワイヤを封止するモールド
体を樹脂で形成するものが知られている。
搭載してチップの上面のパッドと基板の上面の電極をワ
イヤで接続し、かつチップとワイヤを封止するモールド
体を樹脂で形成するものが知られている。
【０００３】モールド体は次のようにして形成される。
すなわち、基板をモールドプレス装置の上型と下型の間
に密封し、樹脂を上型または下型に形成された湯道を通
してキャビティ内に圧入する。次にキャビティ内で樹脂
を硬化させてモールド体とした後、上型と下型を分離
し、上型と下型の間から基板を取り出す。取り出された
基板上のモールド体には、湯道内で硬化した余分な樹脂
がへその緒のように付着しており、この樹脂（一般に、
「カル」と称される）を基板の上面から剥がし、かつモ
ールド体から切断して除去する。
すなわち、基板をモールドプレス装置の上型と下型の間
に密封し、樹脂を上型または下型に形成された湯道を通
してキャビティ内に圧入する。次にキャビティ内で樹脂
を硬化させてモールド体とした後、上型と下型を分離
し、上型と下型の間から基板を取り出す。取り出された
基板上のモールド体には、湯道内で硬化した余分な樹脂
がへその緒のように付着しており、この樹脂（一般に、
「カル」と称される）を基板の上面から剥がし、かつモ
ールド体から切断して除去する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】基板の表面には、電極
と、カルが強固に付着するのを防止するための細い金属
膜と、レジスト膜が形成されている。金属膜は、湯道に
対応する部分に形成されている。金属膜は、電極と一緒
にメッキ法やエッチング法などにより基板の上面に形成
される。またレジスト膜は、電極と金属膜を除く基板の
表面に形成される。モールド体の材料である樹脂とレジ
スト膜の接着力が小さいと、空気中の湿気はモールド体
とレジスト膜の間からモールド体の内部に侵入し、モー
ルド体内部の電極やワイヤなどを劣化させる。したがっ
てモールド体はレジスト膜に強固に付着させる必要があ
る。
と、カルが強固に付着するのを防止するための細い金属
膜と、レジスト膜が形成されている。金属膜は、湯道に
対応する部分に形成されている。金属膜は、電極と一緒
にメッキ法やエッチング法などにより基板の上面に形成
される。またレジスト膜は、電極と金属膜を除く基板の
表面に形成される。モールド体の材料である樹脂とレジ
スト膜の接着力が小さいと、空気中の湿気はモールド体
とレジスト膜の間からモールド体の内部に侵入し、モー
ルド体内部の電極やワイヤなどを劣化させる。したがっ
てモールド体はレジスト膜に強固に付着させる必要があ
る。
【０００５】一方、金属膜上で硬化した樹脂（カル）
は、金属膜から剥がして除去しなければならない。した
がってカルは金属膜に弱く付着していることが望まし
い。
は、金属膜から剥がして除去しなければならない。した
がってカルは金属膜に弱く付着していることが望まし
い。
【０００６】以上のように、この種基板には、（１）レ
ジスト膜とモールド体の接着力を大きくすること、
（２）金属膜とカルの接着力を小さくすることの２つの
要件が要求される。
ジスト膜とモールド体の接着力を大きくすること、
（２）金属膜とカルの接着力を小さくすることの２つの
要件が要求される。
【０００７】また、基板とチップの電気的な接続をフェ
イスダウンボンディングやリードボンディングで行う電
子部品も上述した電子部品と同様に、基板の上面にモー
ルド体を形成してチップを封止する構造となるが、この
電子部品についても基板のレジスト膜とモールド体の接
着力を大きくすることと、金属膜とカルの接着力を小さ
くすることが要求される。
イスダウンボンディングやリードボンディングで行う電
子部品も上述した電子部品と同様に、基板の上面にモー
ルド体を形成してチップを封止する構造となるが、この
電子部品についても基板のレジスト膜とモールド体の接
着力を大きくすることと、金属膜とカルの接着力を小さ
くすることが要求される。
【０００８】そこで本発明は、上記要件を満足する電子
部品およびその製造方法を提供することを目的とする。
部品およびその製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の電子部品は、基
材の上面に電極とレジスト膜と樹脂付着防止用の金属膜
を形成した基板と、この基板の上面に搭載されたチップ
と、このチップの上面のパッドと前記基板の電極を接続
するワイヤと、このチップおよびワイヤを封止するため
に基板の上面に樹脂で形成されたモールド体とから成
り、前記モールド体を形成する前に前記基板の上面をプ
ラズマ処理して前記電極および金属膜の上面の金属酸化
物を除去するとともに前記レジスト膜の上面を活性化し
たものである。
材の上面に電極とレジスト膜と樹脂付着防止用の金属膜
を形成した基板と、この基板の上面に搭載されたチップ
と、このチップの上面のパッドと前記基板の電極を接続
するワイヤと、このチップおよびワイヤを封止するため
に基板の上面に樹脂で形成されたモールド体とから成
り、前記モールド体を形成する前に前記基板の上面をプ
ラズマ処理して前記電極および金属膜の上面の金属酸化
物を除去するとともに前記レジスト膜の上面を活性化し
たものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】請求項１記載の発明の電子部品
は、基材の上面に電極とレジスト膜と樹脂付着防止用の
金属膜を形成した基板と、この基板の上面に搭載された
チップと、このチップの上面のパッドと基板の電極を接
続するワイヤと、このチップおよびワイヤを封止するた
めに基板の上面に樹脂で形成されたモールド体とから成
り、モールド体を形成する前に基板の上面をプラズマ処
理して電極および金属膜の上面の金属酸化物を除去する
とともにレジスト膜の上面を活性化した。
は、基材の上面に電極とレジスト膜と樹脂付着防止用の
金属膜を形成した基板と、この基板の上面に搭載された
チップと、このチップの上面のパッドと基板の電極を接
続するワイヤと、このチップおよびワイヤを封止するた
めに基板の上面に樹脂で形成されたモールド体とから成
り、モールド体を形成する前に基板の上面をプラズマ処
理して電極および金属膜の上面の金属酸化物を除去する
とともにレジスト膜の上面を活性化した。
【００１１】請求項２記載の発明の電子部品の製造方法
は、基材の上面に電極とレジスト膜と樹脂付着防止用の
金属膜を形成した基板の上面にチップを搭載する工程
と、基板の上面をプラズマ処理して電極および金属膜の
上面の金属酸化物を除去するとともにレジスト膜の上面
を活性化する工程と、チップの上面のパッドと基板の電
極をワイヤで接続する工程と、基板をモールドプレス装
置の上型と下型で密封し、湯道を通してキャビティ内に
樹脂を圧入することによりキャビティ内に配置されたチ
ップとワイヤを封止するモールド体を形成する工程と、
上型と下型を分離した後、基材上面の湯道に対応する部
分に形成された金属膜上に付着するカルを剥離して除去
する工程と、を含む。
は、基材の上面に電極とレジスト膜と樹脂付着防止用の
金属膜を形成した基板の上面にチップを搭載する工程
と、基板の上面をプラズマ処理して電極および金属膜の
上面の金属酸化物を除去するとともにレジスト膜の上面
を活性化する工程と、チップの上面のパッドと基板の電
極をワイヤで接続する工程と、基板をモールドプレス装
置の上型と下型で密封し、湯道を通してキャビティ内に
樹脂を圧入することによりキャビティ内に配置されたチ
ップとワイヤを封止するモールド体を形成する工程と、
上型と下型を分離した後、基材上面の湯道に対応する部
分に形成された金属膜上に付着するカルを剥離して除去
する工程と、を含む。
【００１２】請求項３記載の発明の電子部品の製造方法
は、チップの上面のパッドと基板の電極をワイヤで接続
する前に、プラズマ処理を行う。
は、チップの上面のパッドと基板の電極をワイヤで接続
する前に、プラズマ処理を行う。
【００１３】請求項４記載の発明の電子部品は、基材の
上面に第１電極とレジスト膜と樹脂付着防止用の金属膜
を形成し、またこの基材の下面に第２電極を形成し、か
つ基材の内部に第１電極と第２電極を接続する内部配線
を形成した基板と、この基板の上面に搭載されたチップ
と、このチップの上面のパッドと第１電極を接続するワ
イヤと、このチップおよびワイヤを封止するために基板
の上面に樹脂で形成されたモールド体と、第２電極上に
形成されたバンプとから成り、モールド体を形成する前
に基板の上面をプラズマ処理して第１電極および金属膜
の上面の金属酸化物を除去するとともにレジスト膜の上
面を活性化した。
上面に第１電極とレジスト膜と樹脂付着防止用の金属膜
を形成し、またこの基材の下面に第２電極を形成し、か
つ基材の内部に第１電極と第２電極を接続する内部配線
を形成した基板と、この基板の上面に搭載されたチップ
と、このチップの上面のパッドと第１電極を接続するワ
イヤと、このチップおよびワイヤを封止するために基板
の上面に樹脂で形成されたモールド体と、第２電極上に
形成されたバンプとから成り、モールド体を形成する前
に基板の上面をプラズマ処理して第１電極および金属膜
の上面の金属酸化物を除去するとともにレジスト膜の上
面を活性化した。
【００１４】請求項５記載の発明の電子部品の製造方法
は、基材の上面に第１電極とレジスト膜と樹脂付着防止
用の金属膜を形成し、またこの基材の下面に第２電極を
形成し、かつ基材の内部に第１電極と第２電極を接続す
る内部配線を形成した基板の上面にチップを搭載する工
程と、基板の上面をプラズマ処理して第１電極および金
属膜の上面の金属酸化物を除去するとともにレジスト膜
の上面を活性化する工程と、チップの上面のパッドと第
１電極をワイヤで接続する工程と、基板を上型と下型で
密封し、湯道を通してキャビティ内に樹脂を圧入するこ
とによりキャビティ内に配置されたチップとワイヤを封
止するモールド体を形成する工程と、上型と下型を分離
した後、基材上面の湯道に対応する部分に形成された金
属膜上に付着するカルを剥離して除去する工程と、第２
電極上にバンプを形成する工程と、を含む。
は、基材の上面に第１電極とレジスト膜と樹脂付着防止
用の金属膜を形成し、またこの基材の下面に第２電極を
形成し、かつ基材の内部に第１電極と第２電極を接続す
る内部配線を形成した基板の上面にチップを搭載する工
程と、基板の上面をプラズマ処理して第１電極および金
属膜の上面の金属酸化物を除去するとともにレジスト膜
の上面を活性化する工程と、チップの上面のパッドと第
１電極をワイヤで接続する工程と、基板を上型と下型で
密封し、湯道を通してキャビティ内に樹脂を圧入するこ
とによりキャビティ内に配置されたチップとワイヤを封
止するモールド体を形成する工程と、上型と下型を分離
した後、基材上面の湯道に対応する部分に形成された金
属膜上に付着するカルを剥離して除去する工程と、第２
電極上にバンプを形成する工程と、を含む。
【００１５】請求項６記載の発明の電子部品の製造方法
は、チップの上面のパッドと第１電極をワイヤで接続す
る前に、プラズマ処理を行う。
は、チップの上面のパッドと第１電極をワイヤで接続す
る前に、プラズマ処理を行う。
【００１６】請求項７記載の発明の電子部品は、基材の
上面に電極とレジスト膜と樹脂付着防止用の金属膜を形
成した基板と、電極に電気的に接続され、基板上に搭載
されたチップと、このチップ封止するために基板の上面
に樹脂で形成されたモールド体とから成り、モールド体
を形成する前に基板の上面をプラズマ処理してレジスト
膜の上面の樹脂に対する密着性を高めると共に金属膜の
上面の樹脂に対する密着性を低下させた。
上面に電極とレジスト膜と樹脂付着防止用の金属膜を形
成した基板と、電極に電気的に接続され、基板上に搭載
されたチップと、このチップ封止するために基板の上面
に樹脂で形成されたモールド体とから成り、モールド体
を形成する前に基板の上面をプラズマ処理してレジスト
膜の上面の樹脂に対する密着性を高めると共に金属膜の
上面の樹脂に対する密着性を低下させた。
【００１７】請求項８記載の発明の電子部品の製造方法
は、基材の上面に電極とレジスト膜と樹脂付着防止用の
金属膜を形成した基板を準備する工程と、基板の上面に
チップを搭載してチップと基板の電極とを電気的に接続
する工程と、基板の上面をプラズマ処理してレジスト膜
の上面の樹脂に対する密着性を高めると共に金属膜の上
面の樹脂に対する密着性を低下させる工程と、基板上に
搭載されたチップを包囲する形状のキャビティと、金属
膜に対応する位置に形成されこのキャビティに連通する
湯道を備えた型（金型）を基板の上面にセットする工程
と、溝を通してキャビティ内に樹脂を圧入することによ
りキャビティ内に配置されたチップ封止するモールド体
を形成する工程と、基板から型を分離した後、湯道内で
硬化して金属膜上に付着する余分な樹脂を金属膜から剥
離して除去する工程と、を含む。
は、基材の上面に電極とレジスト膜と樹脂付着防止用の
金属膜を形成した基板を準備する工程と、基板の上面に
チップを搭載してチップと基板の電極とを電気的に接続
する工程と、基板の上面をプラズマ処理してレジスト膜
の上面の樹脂に対する密着性を高めると共に金属膜の上
面の樹脂に対する密着性を低下させる工程と、基板上に
搭載されたチップを包囲する形状のキャビティと、金属
膜に対応する位置に形成されこのキャビティに連通する
湯道を備えた型（金型）を基板の上面にセットする工程
と、溝を通してキャビティ内に樹脂を圧入することによ
りキャビティ内に配置されたチップ封止するモールド体
を形成する工程と、基板から型を分離した後、湯道内で
硬化して金属膜上に付着する余分な樹脂を金属膜から剥
離して除去する工程と、を含む。
【００１８】請求項９記載の電子部品の製造方法は、基
材の上面に電極とレジスト膜と樹脂付着防止用の金属膜
を形成した基板を準備する工程と、基板の上面をプラズ
マ処理してレジスト膜の上面の樹脂に対する密着性を高
めると共に金属膜の上面の樹脂に対する密着性を低下さ
せる工程と、基板の上面にチップを搭載してチップと基
板の電極とを電気的に接続する工程と、基板上に搭載さ
れたチップを包囲する形状のキャビティと、金属膜に対
応する位置に形成されこのキャビティに連通する湯道を
備えた型（金型）を基板の上面にセットする工程と、溝
を通してキャビティ内に樹脂を圧入することによりキャ
ビティ内に配置されたチップ封止するモールド体を形成
する工程と、基板から型を分離した後、湯道内で硬化し
て金属膜上に付着する余分な樹脂を金属膜から剥離して
除去する工程と、を含む。
材の上面に電極とレジスト膜と樹脂付着防止用の金属膜
を形成した基板を準備する工程と、基板の上面をプラズ
マ処理してレジスト膜の上面の樹脂に対する密着性を高
めると共に金属膜の上面の樹脂に対する密着性を低下さ
せる工程と、基板の上面にチップを搭載してチップと基
板の電極とを電気的に接続する工程と、基板上に搭載さ
れたチップを包囲する形状のキャビティと、金属膜に対
応する位置に形成されこのキャビティに連通する湯道を
備えた型（金型）を基板の上面にセットする工程と、溝
を通してキャビティ内に樹脂を圧入することによりキャ
ビティ内に配置されたチップ封止するモールド体を形成
する工程と、基板から型を分離した後、湯道内で硬化し
て金属膜上に付着する余分な樹脂を金属膜から剥離して
除去する工程と、を含む。
【００１９】上記構成の各発明によれば、レジスト膜と
モールド体の接着力を大きくしてモールド体をレジスト
膜に強固に付着させることができる。また金属膜とカル
との接着力を小さくし、カルを金属膜から容易に剥がす
ことができる。
モールド体の接着力を大きくしてモールド体をレジスト
膜に強固に付着させることができる。また金属膜とカル
との接着力を小さくし、カルを金属膜から容易に剥がす
ことができる。
【００２０】以下、本発明の実施の形態を図面を参照し
ながら説明する。図１は、本発明の一実施の形態の基板
の斜視図、図２は同基板のＡ−Ａ断面図、図３は同電子
部品の完成品の斜視図、図４、図５、図６、図７、図
８、図９、図１０、図１１、図１２は同電子部品の製造
工程図、図１３は同プラズマ処理時間と樹脂せん断強度
の関係図である。
ながら説明する。図１は、本発明の一実施の形態の基板
の斜視図、図２は同基板のＡ−Ａ断面図、図３は同電子
部品の完成品の斜視図、図４、図５、図６、図７、図
８、図９、図１０、図１１、図１２は同電子部品の製造
工程図、図１３は同プラズマ処理時間と樹脂せん断強度
の関係図である。
【００２１】まず、図１を参照して、基板の構造を説明
する。基板１は、板状の基材２から成っている。基材２
の上面には、アイランド３と、アイランド３を包囲する
多数個の第１電極４と、細い金属膜５と、レジスト膜６
が形成されている。金属膜５は、モールド体を形成する
ために使用する金型の湯道（後述）に対応する部分に形
成されており、樹脂との接着力比較的弱い金属より構成
されている。またレジスト膜６は、アイランド３、第１
電極４、金属膜５などの金属部分を除く基材２の前面に
形成されている。
する。基板１は、板状の基材２から成っている。基材２
の上面には、アイランド３と、アイランド３を包囲する
多数個の第１電極４と、細い金属膜５と、レジスト膜６
が形成されている。金属膜５は、モールド体を形成する
ために使用する金型の湯道（後述）に対応する部分に形
成されており、樹脂との接着力比較的弱い金属より構成
されている。またレジスト膜６は、アイランド３、第１
電極４、金属膜５などの金属部分を除く基材２の前面に
形成されている。
【００２２】図２において、基材２の下面には第２電極
７とレジスト膜６が形成されている。上面の第１電極４
と下面の第２電極７は、内部配線８により電気的に接続
されている。第１電極４および第２電極７は、銅膜４
ａ，７ａ上にニッケル膜４ｂ，７ｂを形成し、ニッケル
膜４ｂ，７ｂ上に金膜４ｃ，７ｃを形成して作られてい
る。銅膜４ａ，７ａは電極４，７の主体となるものであ
り、金膜４ｃ，７ｃは電気的導通性を確保するために形
成されたものである。またニッケル膜４ｂ，７ｂはバリ
ヤ層であって、銅膜４ａ，７ａの成分である銅が金膜４
ｃ，７ｃの表面に拡散するのを防止するものである。
７とレジスト膜６が形成されている。上面の第１電極４
と下面の第２電極７は、内部配線８により電気的に接続
されている。第１電極４および第２電極７は、銅膜４
ａ，７ａ上にニッケル膜４ｂ，７ｂを形成し、ニッケル
膜４ｂ，７ｂ上に金膜４ｃ，７ｃを形成して作られてい
る。銅膜４ａ，７ａは電極４，７の主体となるものであ
り、金膜４ｃ，７ｃは電気的導通性を確保するために形
成されたものである。またニッケル膜４ｂ，７ｂはバリ
ヤ層であって、銅膜４ａ，７ａの成分である銅が金膜４
ｃ，７ｃの表面に拡散するのを防止するものである。
【００２３】銅膜４ａ，７ａ、ニッケル膜４ｂ，７ｂ、
金膜４ｃ，７ｃはメッキ法やエッチング法により形成さ
れる。またアイランド３と金属膜５も電極４，７と一緒
にメッキ法やエッチング法により形成される。したがっ
てアイランド３も銅膜３ａ、ニッケル膜３ｂ、金膜３ｃ
から成っており、また金属膜５も銅膜５ａ、ニッケル膜
５ｂ、金膜５ｃから成っている。
金膜４ｃ，７ｃはメッキ法やエッチング法により形成さ
れる。またアイランド３と金属膜５も電極４，７と一緒
にメッキ法やエッチング法により形成される。したがっ
てアイランド３も銅膜３ａ、ニッケル膜３ｂ、金膜３ｃ
から成っており、また金属膜５も銅膜５ａ、ニッケル膜
５ｂ、金膜５ｃから成っている。
【００２４】図２において、金膜３ｃ，４ｃ，５ｃ，７
ｃの表面には金属酸化物Ｋが薄膜状に生じている。金属
酸化物Ｋは、ニッケル酸化物、ニッケル水酸化物、銅酸
化物であって、ニッケル膜３ｂ，４ｂ，５ｂ，７ｂの成
分であるニッケルや、銅膜３ａ，４ａ，５ａ，７ａの成
分である銅が金膜３ｃ，４ｃ，５ｃ，７ｃの表面に拡散
し、空気や湿気に触れて酸化することにより生じたもの
である。
ｃの表面には金属酸化物Ｋが薄膜状に生じている。金属
酸化物Ｋは、ニッケル酸化物、ニッケル水酸化物、銅酸
化物であって、ニッケル膜３ｂ，４ｂ，５ｂ，７ｂの成
分であるニッケルや、銅膜３ａ，４ａ，５ａ，７ａの成
分である銅が金膜３ｃ，４ｃ，５ｃ，７ｃの表面に拡散
し、空気や湿気に触れて酸化することにより生じたもの
である。
【００２５】アイランド３および第２電極７に生じた金
属酸化物Ｋには害はないが、第１電極４および金属膜５
に生じた金属酸化物Ｋは次のような害がある。すなわ
ち、第１電極４上には後工程でワイヤがボンディングさ
れるが、金属酸化物Ｋはワイヤのボンディング力を低下
させる。また金属膜５上には、後工程で樹脂（カル）が
付着し、このカルは金属膜５から剥がして除去しなけれ
ばならない。ところが金属膜５上の金属酸化物Ｋはカル
を強固に付着させるため、カルを剥がしにくくなる。以
上のことから、第１電極４上や金属膜５上に生じた金属
酸化物Ｋは除去することが望ましい。金属酸化物Ｋを除
去する方法については、後で図６を参照しながら説明す
る。
属酸化物Ｋには害はないが、第１電極４および金属膜５
に生じた金属酸化物Ｋは次のような害がある。すなわ
ち、第１電極４上には後工程でワイヤがボンディングさ
れるが、金属酸化物Ｋはワイヤのボンディング力を低下
させる。また金属膜５上には、後工程で樹脂（カル）が
付着し、このカルは金属膜５から剥がして除去しなけれ
ばならない。ところが金属膜５上の金属酸化物Ｋはカル
を強固に付着させるため、カルを剥がしにくくなる。以
上のことから、第１電極４上や金属膜５上に生じた金属
酸化物Ｋは除去することが望ましい。金属酸化物Ｋを除
去する方法については、後で図６を参照しながら説明す
る。
【００２６】図３は、図１に示す基板１を用いて製造し
た電子部品１０の完成品の斜視図を示している。基板１
の上面には、チップやワイヤを封止するモールド体９ａ
が形成されている。またカルを除去した金属膜５が露出
している。
た電子部品１０の完成品の斜視図を示している。基板１
の上面には、チップやワイヤを封止するモールド体９ａ
が形成されている。またカルを除去した金属膜５が露出
している。
【００２７】次に、図４〜図１０を参照して、電子部品
１０の製造工程を説明する。図４は、図１に示す基板１
の断面を示している。まずアイランド３上にボンド１１
を塗布する。次にボンド１１上にチップ１２を搭載し、
チップ１２をアイランド３上に接着する（図５）。チッ
プ１２の上面にはパッド１３が形成されている。この
後、ボンド１１を硬化させるために基板１は加熱される
が、この加熱によってより多くの金属酸化物Ｋが第１電
極４および金属膜５の表面に現われる。
１０の製造工程を説明する。図４は、図１に示す基板１
の断面を示している。まずアイランド３上にボンド１１
を塗布する。次にボンド１１上にチップ１２を搭載し、
チップ１２をアイランド３上に接着する（図５）。チッ
プ１２の上面にはパッド１３が形成されている。この
後、ボンド１１を硬化させるために基板１は加熱される
が、この加熱によってより多くの金属酸化物Ｋが第１電
極４および金属膜５の表面に現われる。
【００２８】次に、基板１の表面をプラズマ処理する。
図６は、プラズマ処理装置の断面図である。次に、図６
を参照してプラズマ処理装置の説明を行う。ケーシング
２０の内部に下部電極２１と上部電極２２が設けられて
いる。下部電極２１には高周波電圧発生装置２３が接続
されている。また上部電極２２はアース部２４に接続さ
れている。ケース２０はパイプ２５を通して真空ポンプ
２６に接続されている。またケース２０はパイプ２７を
通してプラズマ発生用ガス供給部２８に接続されてい
る。
図６は、プラズマ処理装置の断面図である。次に、図６
を参照してプラズマ処理装置の説明を行う。ケーシング
２０の内部に下部電極２１と上部電極２２が設けられて
いる。下部電極２１には高周波電圧発生装置２３が接続
されている。また上部電極２２はアース部２４に接続さ
れている。ケース２０はパイプ２５を通して真空ポンプ
２６に接続されている。またケース２０はパイプ２７を
通してプラズマ発生用ガス供給部２８に接続されてい
る。
【００２９】次に、プラズマ処理方法を説明する。図示
するように、基板１を下部電極２１上に載せる。次に真
空ポンプ２６を駆動してケース２０の内部を真空吸引
し、またプラズマ発生用ガス供給部２８からケース２０
内にプラズマ発生用ガスを供給する。プラズマ発生用ガ
スとしては、アルゴンガスなどが用いられる。
するように、基板１を下部電極２１上に載せる。次に真
空ポンプ２６を駆動してケース２０の内部を真空吸引
し、またプラズマ発生用ガス供給部２８からケース２０
内にプラズマ発生用ガスを供給する。プラズマ発生用ガ
スとしては、アルゴンガスなどが用いられる。
【００３０】次に高周波電圧発生装置２３を駆動して下
部電極２１に高周波電圧を印加する。するとケース２０
内のアルゴンガスはプラズマ状態となり、アルゴンイオ
ンは基板１の表面に衝突する。すると、基板１の上面の
第１電極４、金属膜５、パッド１３の表面の金属酸化物
Ｋはアルゴンイオンにエッチングされて除去される。ま
たレジスト膜６の表面にアルゴンイオンが衝突すると、
レジスト膜６の表面は活性化される。後で図１３を参照
して説明するように、第１電極４、金属膜５、パッド１
３の表面をエッチングして金属酸化物Ｋを除去すると、
樹脂と金属膜５とのせん断強度（接着力）は低下し、ま
たレジスト膜６の表面を活性化させると、樹脂とレジス
ト膜６とのせん断強度（接着力）は著しく増大する。
部電極２１に高周波電圧を印加する。するとケース２０
内のアルゴンガスはプラズマ状態となり、アルゴンイオ
ンは基板１の表面に衝突する。すると、基板１の上面の
第１電極４、金属膜５、パッド１３の表面の金属酸化物
Ｋはアルゴンイオンにエッチングされて除去される。ま
たレジスト膜６の表面にアルゴンイオンが衝突すると、
レジスト膜６の表面は活性化される。後で図１３を参照
して説明するように、第１電極４、金属膜５、パッド１
３の表面をエッチングして金属酸化物Ｋを除去すると、
樹脂と金属膜５とのせん断強度（接着力）は低下し、ま
たレジスト膜６の表面を活性化させると、樹脂とレジス
ト膜６とのせん断強度（接着力）は著しく増大する。
【００３１】以上のようにして基板１のプラズマ処理が
終了したならば、チップ１２のパッド１３と基板１の第
１電極４をワイヤ１５で接続する（図７参照）。この場
合、ワイヤ１５がボンディングされる第１電極４および
パッド１３の表面の金属酸化物Ｋは上述したプラズマ処
理により除去されているので、ワイヤ１５は第１電極４
およびパッド１３にしっかりボンディングされる。
終了したならば、チップ１２のパッド１３と基板１の第
１電極４をワイヤ１５で接続する（図７参照）。この場
合、ワイヤ１５がボンディングされる第１電極４および
パッド１３の表面の金属酸化物Ｋは上述したプラズマ処
理により除去されているので、ワイヤ１５は第１電極４
およびパッド１３にしっかりボンディングされる。
【００３２】ワイヤボンディングが終了したならば、モ
ールド体９ａの成形を行う。図８はモールド体９ａの成
形を行うモールドプレス装置の部分断面図を示してい
る。なおモールドプレス装置としては、例えば特開平５
−２３５０６９号公報に記載されたものが知られてい
る。図８において、モールドプレス装置は上型３１と下
型３２を備えている。基板１は下型３２上に載置され
る。上型３１の下面には、基板１上のチップ１２やワイ
ヤ１５を収納するためのキャビティ３３と、キャビティ
３３内に樹脂を圧入するための湯道３４が形成されてい
る。基板１の金属膜５は、湯道３３に対応する部分に形
成されている。
ールド体９ａの成形を行う。図８はモールド体９ａの成
形を行うモールドプレス装置の部分断面図を示してい
る。なおモールドプレス装置としては、例えば特開平５
−２３５０６９号公報に記載されたものが知られてい
る。図８において、モールドプレス装置は上型３１と下
型３２を備えている。基板１は下型３２上に載置され
る。上型３１の下面には、基板１上のチップ１２やワイ
ヤ１５を収納するためのキャビティ３３と、キャビティ
３３内に樹脂を圧入するための湯道３４が形成されてい
る。基板１の金属膜５は、湯道３３に対応する部分に形
成されている。
【００３３】上型３１の側部には孔部３５が形成されて
いる。孔部３５の内部にはモールド体９ａの材料である
樹脂塊（一般に、「タブレット」と称される）９が収納
されており、また孔部３５にはプランジャ３６が配置さ
れている。
いる。孔部３５の内部にはモールド体９ａの材料である
樹脂塊（一般に、「タブレット」と称される）９が収納
されており、また孔部３５にはプランジャ３６が配置さ
れている。
【００３４】図示するように基板１を上型３１と下型３
２の間に密封し、ヒータ（図外）によりタブレット９を
加熱して溶融させる。次にプランジャ３６を下降させれ
ば、樹脂（タブレット９の溶融物）は湯道３４を通り、
キャビティ３３内に圧入される。次にキャビティ３３内
の樹脂を固化させたならば、上型３１と下型３２を分離
し、基板１を下型３２から取り出す。
２の間に密封し、ヒータ（図外）によりタブレット９を
加熱して溶融させる。次にプランジャ３６を下降させれ
ば、樹脂（タブレット９の溶融物）は湯道３４を通り、
キャビティ３３内に圧入される。次にキャビティ３３内
の樹脂を固化させたならば、上型３１と下型３２を分離
し、基板１を下型３２から取り出す。
【００３５】図９は、下型３２から取り出された基板１
を示している。チップ１２とワイヤ１５は、樹脂がキャ
ビティ３３内で硬化して生成したモールド体９ａで封止
されている。モールド体９ａには、湯道３４内で硬化し
た樹脂（カル）９ｂが連結している。
を示している。チップ１２とワイヤ１５は、樹脂がキャ
ビティ３３内で硬化して生成したモールド体９ａで封止
されている。モールド体９ａには、湯道３４内で硬化し
た樹脂（カル）９ｂが連結している。
【００３６】そこで次に、図１０に示すようにカル９ｂ
に下方から上向きの外力Ｆを加えることにより、モール
ド体９ａとの接合部ａからカル９ｂを切断し、カル９ｂ
を除去する。
に下方から上向きの外力Ｆを加えることにより、モール
ド体９ａとの接合部ａからカル９ｂを切断し、カル９ｂ
を除去する。
【００３７】次に、図１１に示すように基板１を表裏反
転し、第２電極７上に導電性ボール１６を搭載する。導
電性ボール１６の搭載装置としては、例えば特開平８−
９７２１８号公報に記載された装置が知られている。次
に基板１を加熱炉（図示せず）へ送り、導電性ボール１
６を加熱して溶融させる。すると第２電極７上にバンプ
１６’が形成される（図１２を参照）。以上により、図
３に示す電子部品１０は完成する。
転し、第２電極７上に導電性ボール１６を搭載する。導
電性ボール１６の搭載装置としては、例えば特開平８−
９７２１８号公報に記載された装置が知られている。次
に基板１を加熱炉（図示せず）へ送り、導電性ボール１
６を加熱して溶融させる。すると第２電極７上にバンプ
１６’が形成される（図１２を参照）。以上により、図
３に示す電子部品１０は完成する。
【００３８】次に、図１３を参照してプラズマ処理時間
（秒）と樹脂せん断強度（τ／ＭＰａ）の関係について
説明する。プラズマ処理時間とは、図６に示すプラズマ
処理装置で基板１のプラズマ処理を行う時間である。ま
た樹脂せん断強度とは、図９に示すモールド体９ａの第
１電極４やレジスト膜６に対する接着力（剥離抵抗力）
および金属膜５の金膜５ｃに対するカル９ｂの接着力
（剥離抵抗力）を意味している。
（秒）と樹脂せん断強度（τ／ＭＰａ）の関係について
説明する。プラズマ処理時間とは、図６に示すプラズマ
処理装置で基板１のプラズマ処理を行う時間である。ま
た樹脂せん断強度とは、図９に示すモールド体９ａの第
１電極４やレジスト膜６に対する接着力（剥離抵抗力）
および金属膜５の金膜５ｃに対するカル９ｂの接着力
（剥離抵抗力）を意味している。
【００３９】図１３において、Ａはレジスト膜６に対す
るせん断強度曲線、Ｂは金膜５ｃに対するせん断強度曲
線である。なおこのせん断強度試験は、オリエンテック
社製の試験機を用いて行った。なお実験条件の詳細につ
いては説明を省略する。
るせん断強度曲線、Ｂは金膜５ｃに対するせん断強度曲
線である。なおこのせん断強度試験は、オリエンテック
社製の試験機を用いて行った。なお実験条件の詳細につ
いては説明を省略する。
【００４０】図１３の曲線Ａから明らかなように、レジ
スト膜６に対するせん断強度は、プラズマ処理開始とと
もに急速に増大し、１０秒後には６τ／ＭＰａ以上とな
り、それ以後、増大速度は低下するが、６０秒後には８
τ／ＭＰａ以上に達する。一方、金膜５ｃに対するせん
断強度は、曲線Ｂで明らかなように、当初は約１．７τ
／ＭＰａであるが、１０秒後には約０．２τ／ＭＰａま
で低下する。
スト膜６に対するせん断強度は、プラズマ処理開始とと
もに急速に増大し、１０秒後には６τ／ＭＰａ以上とな
り、それ以後、増大速度は低下するが、６０秒後には８
τ／ＭＰａ以上に達する。一方、金膜５ｃに対するせん
断強度は、曲線Ｂで明らかなように、当初は約１．７τ
／ＭＰａであるが、１０秒後には約０．２τ／ＭＰａま
で低下する。
【００４１】図１３から、以下に述べることが明らかで
ある。まず第１には、図６に示すプラズマ処理を行え
ば、曲線Ａで示すようにモールド体９ａのレジスト膜６
に対する接着力は著しく増大し、その結果、モールド体
９ａが基板１から剥離したり、あるいはモールド体９ａ
とレジスト膜６の間から空気中の湿気がモールド体９ａ
の内部に侵入し、第１電極４、パッド１３、ワイヤ１５
などの金属部分やチップ１２を劣化させるのを防止でき
る。また第２には、プラズマ処理を行えば、曲線Ｂで示
すようにカル９ｂの金属膜５に対する接着力を低減で
き、したがって図１０に示すように、カル９ｂを金属膜
５から容易に剥離させることができる。すなわちモール
ド体９ａとレジスト膜６との接着力をよくする処理と、
カル９ｂと金属膜５との接着力を弱める処理をプラズマ
処理によって同時に行うことができる。
ある。まず第１には、図６に示すプラズマ処理を行え
ば、曲線Ａで示すようにモールド体９ａのレジスト膜６
に対する接着力は著しく増大し、その結果、モールド体
９ａが基板１から剥離したり、あるいはモールド体９ａ
とレジスト膜６の間から空気中の湿気がモールド体９ａ
の内部に侵入し、第１電極４、パッド１３、ワイヤ１５
などの金属部分やチップ１２を劣化させるのを防止でき
る。また第２には、プラズマ処理を行えば、曲線Ｂで示
すようにカル９ｂの金属膜５に対する接着力を低減で
き、したがって図１０に示すように、カル９ｂを金属膜
５から容易に剥離させることができる。すなわちモール
ド体９ａとレジスト膜６との接着力をよくする処理と、
カル９ｂと金属膜５との接着力を弱める処理をプラズマ
処理によって同時に行うことができる。
【００４２】上記実施の形態では、ワイヤボンディング
を行う前にプラズマ処理を行っているが、プラズマ処理
を行うタイミングはこれに限定されず、例えば図４に示
す工程と図５に示す工程の間、すなわちチップ１２を基
板１に搭載する前に行ってもよい。あるいはまた、図７
に示す工程と図８に示す工程の間、すなわちワイヤボン
ディングを行った後に行ってもよい。ただしこの場合、
ワイヤボンディングはプラズマ処理の前に行うので、第
１電極４およびパッド１３の表面には金属酸化物Ｋが存
在しており、したがってワイヤ１５のボンディング力は
低下する。
を行う前にプラズマ処理を行っているが、プラズマ処理
を行うタイミングはこれに限定されず、例えば図４に示
す工程と図５に示す工程の間、すなわちチップ１２を基
板１に搭載する前に行ってもよい。あるいはまた、図７
に示す工程と図８に示す工程の間、すなわちワイヤボン
ディングを行った後に行ってもよい。ただしこの場合、
ワイヤボンディングはプラズマ処理の前に行うので、第
１電極４およびパッド１３の表面には金属酸化物Ｋが存
在しており、したがってワイヤ１５のボンディング力は
低下する。
【００４３】本発明の実施の形態は以上であるが、本発
明はチップと基板の電気的な接続をワイヤ以外で行う電
子部品にも適用できる。
明はチップと基板の電気的な接続をワイヤ以外で行う電
子部品にも適用できる。
【００４４】図１４はフェイスダウンボンディングを適
用した電子部品の断面図である。電子部品１００の基板
１、第１電極４、金膜５レジスト膜６、第２電極７はこ
れまで説明した電子部品１０と同一構造である。１１２
はチップであってパッド１１３にバンプ１１４が形成さ
れている。このバンプ１１４を第１の電極４に接合して
チップ１１２と基板１とを電気的に接続する。バンプ１
１４の材質としては半田、金、銅などが適用できる。チ
ップ１１２は回路形成面を基板側に向けたフェイスダウ
ンの状態で基板１に搭載されている。プラズマ処理は基
板にチップ１１２を搭載する前、もしくは搭載した後で
モールド体９ａを形成する前のタイミングで行われる。
チップ１１２を搭載する前にプラズマ処理を行うと第１
電極４上の酸化物は除去され、金膜５は樹脂との密着性
が低下させられ、レジスト膜６上は活性化されて樹脂と
の密着性が高められる。従ってバンプ１１４と第１の電
極を確実に接合でき、モールド体９ａをレジスト６の接
着力を大きくして信頼性のいい電子部品を作ることがで
きる。更に、金属膜５上の余分な樹脂（カル９ｂ）は簡
単に除去できる。チップ１１２を搭載した後でプラズマ
処理を行ってもレジスト膜６とモールド体９ａの接着力
及び金属膜５上での樹脂の剥離性の向上に効果がある。
用した電子部品の断面図である。電子部品１００の基板
１、第１電極４、金膜５レジスト膜６、第２電極７はこ
れまで説明した電子部品１０と同一構造である。１１２
はチップであってパッド１１３にバンプ１１４が形成さ
れている。このバンプ１１４を第１の電極４に接合して
チップ１１２と基板１とを電気的に接続する。バンプ１
１４の材質としては半田、金、銅などが適用できる。チ
ップ１１２は回路形成面を基板側に向けたフェイスダウ
ンの状態で基板１に搭載されている。プラズマ処理は基
板にチップ１１２を搭載する前、もしくは搭載した後で
モールド体９ａを形成する前のタイミングで行われる。
チップ１１２を搭載する前にプラズマ処理を行うと第１
電極４上の酸化物は除去され、金膜５は樹脂との密着性
が低下させられ、レジスト膜６上は活性化されて樹脂と
の密着性が高められる。従ってバンプ１１４と第１の電
極を確実に接合でき、モールド体９ａをレジスト６の接
着力を大きくして信頼性のいい電子部品を作ることがで
きる。更に、金属膜５上の余分な樹脂（カル９ｂ）は簡
単に除去できる。チップ１１２を搭載した後でプラズマ
処理を行ってもレジスト膜６とモールド体９ａの接着力
及び金属膜５上での樹脂の剥離性の向上に効果がある。
【００４５】図１５はリードボンディングを適用した電
子部品の断面図である。この電子部品２００は、チップ
２１２の電極２１３と第１電極４にリード２１４を熱圧
着して電気的に接続されている。この電子部品２００の
場合も電子部品１００の場合と同様に、リード２１４を
第１電極４に接合する前、もしくは接合した後でプラズ
マ処理を行うことができる。
子部品の断面図である。この電子部品２００は、チップ
２１２の電極２１３と第１電極４にリード２１４を熱圧
着して電気的に接続されている。この電子部品２００の
場合も電子部品１００の場合と同様に、リード２１４を
第１電極４に接合する前、もしくは接合した後でプラズ
マ処理を行うことができる。
【００４６】
【発明の効果】本発明によれば、電極やレジスト膜や金
属膜が形成された基板にプラズマ処理を行うことによ
り、レジスト膜とモールド体の接着力を大きくしてモー
ルド体をレジスト膜に強固に付着させることができる。
また金属膜とカルとの接着力を小さくし、カルを金属膜
から容易に剥がすことができる。
属膜が形成された基板にプラズマ処理を行うことによ
り、レジスト膜とモールド体の接着力を大きくしてモー
ルド体をレジスト膜に強固に付着させることができる。
また金属膜とカルとの接着力を小さくし、カルを金属膜
から容易に剥がすことができる。
【図１】本発明の一実施の形態の基板の斜視図
【図２】本発明の一実施の形態の基板のＡ−Ａ断面図
【図３】本発明の一実施の形態の電子部品の完成品の斜
視図
視図
【図４】本発明の一実施の形態の電子部品の製造工程図
【図５】本発明の一実施の形態の電子部品の製造工程図
【図６】本発明の一実施の形態の電子部品の製造工程図
【図７】本発明の一実施の形態の電子部品の製造工程図
【図８】本発明の一実施の形態の電子部品の製造工程図
【図９】本発明の一実施の形態の電子部品の製造工程図
【図１０】本発明の一実施の形態の電子部品の製造工程
図
図
【図１１】本発明の一実施の形態の電子部品の製造工程
図
図
【図１２】本発明の一実施の形態の電子部品の製造工程
図
図
【図１３】本発明の一実施の形態のプラズマ処理時間と
樹脂せん断強度の関係図
樹脂せん断強度の関係図
【図１４】本発明の一実施の形態の電子部品の断面図
【図１５】本発明の一実施の形態の電子部品の断面図
１ 基板 ２ 基材 ４ 第１電極 ５ 金属膜 ６ レジスト膜 ７ 第２電極 ９ 樹脂塊 ９ａ モールド体 ９ｂ カル １０ 電子部品 １２ チップ １３ パッド １５ ワイヤ ２０ ケース ２１ 下部電極 ２２ 上部電極 ２３ 高周波電圧発生装置 ２６ 真空ポンプ ２８ プラズマ発生用ガス供給部 ３１ 上型 ３２ 下型 ３３ キャビティ ３４ 湯道
Claims (9)
- 【請求項１】基材の上面に電極とレジスト膜と樹脂付着
防止用の金属膜を形成した基板と、この基板の上面に搭
載されたチップと、このチップの上面のパッドと前記基
板の電極を接続するワイヤと、このチップおよびワイヤ
を封止するために基板の上面に樹脂で形成されたモール
ド体とから成り、前記モールド体を形成する前に前記基
板の上面をプラズマ処理して前記電極および金属膜の上
面の金属酸化物を除去するとともに前記レジスト膜の上
面を活性化したことを特徴とする電子部品。 - 【請求項２】基材の上面に電極とレジスト膜と樹脂付着
防止用の金属膜を形成した基板の上面にチップを搭載す
る工程と、前記基板の上面をプラズマ処理して前記電極
および金属膜の上面の金属酸化物を除去するとともに前
記レジスト膜の上面を活性化する工程と、前記チップの
上面のパッドと前記基板の電極をワイヤで接続する工程
と、前記基板をモールドプレス装置の上型と下型で密封
し、湯道を通してキャビティ内に樹脂を圧入することに
よりキャビティ内に配置されたチップとワイヤを封止す
るモールド体を形成する工程と、上型と下型を分離した
後、基材上面の湯道に対応する部分に形成された金属膜
上に付着するカルを剥離して除去する工程と、を含むこ
とを特徴とする電子部品の製造方法。 - 【請求項３】前記チップの上面のパッドと前記基板の電
極をワイヤで接続する前に、前記プラズマ処理を行うこ
とを特徴とする請求項２記載の電子部品の製造方法。 - 【請求項４】基材の上面に第１電極とレジスト膜と樹脂
付着防止用の金属膜を形成し、またこの基材の下面に第
２電極を形成し、かつ基材の内部に第１電極と第２電極
を接続する内部配線を形成した基板と、この基板の上面
に搭載されたチップと、このチップの上面のパッドと前
記第１電極を接続するワイヤと、このチップおよびワイ
ヤを封止するために基板の上面に樹脂で形成されたモー
ルド体と、第２電極上に形成されたバンプとから成り、
前記モールド体を形成する前に前記基板の上面をプラズ
マ処理して前記第１電極および金属膜の上面の金属酸化
物を除去するとともに前記レジスト膜の上面を活性化し
たことを特徴とする電子部品。 - 【請求項５】基材の上面に第１電極とレジスト膜と樹脂
付着防止用の金属膜を形成し、またこの基材の下面に第
２電極を形成し、かつ基材の内部に第１電極と第２電極
を接続する内部配線を形成した基板の上面にチップを搭
載する工程と、前記基板の上面をプラズマ処理して前記
第１電極および金属膜の上面の金属酸化物を除去すると
ともに前記レジスト膜の上面を活性化する工程と、前記
チップの上面のパッドと前記第１電極をワイヤで接続す
る工程と、前記基板をモールドプレス装置の上型と下型
で密封し、湯道を通してキャビティ内に樹脂を圧入する
ことによりキャビティ内に配置されたチップとワイヤを
封止するモールド体を形成する工程と、上型と下型を分
離した後、基材上面の湯道に対応する部分に形成された
金属膜上に付着するカルを剥離して除去する工程と、第
２電極上にバンプを形成する工程と、を含むことを特徴
とする電子部品の製造方法。 - 【請求項６】前記チップの上面のパッドと前記第１電極
をワイヤで接続する前に、前記プラズマ処理を行うこと
を特徴とする請求項５記載の電子部品の製造方法。 - 【請求項７】基材の上面に電極とレジスト膜と樹脂付着
防止用の金属膜を形成した基板と、前記電極に電気的に
接続され、基板上に搭載されたチップと、このチップ封
止するために基板の上面に樹脂で形成されたモールド体
とから成り、前記モールド体を形成する前に前記基板の
上面をプラズマ処理して前記レジスト膜の上面の樹脂に
対する密着性を高めると共に前記金属膜の上面の樹脂に
対する密着性を低下させたことを特徴とする電子部品。 - 【請求項８】基材の上面に電極とレジスト膜と樹脂付着
防止用の金属膜を形成した基板を準備する工程と、 基板の上面にチップを搭載してチップと基板の電極とを
電気的に接続する工程と、 前記基板の上面をプラズマ処理して前記レジスト膜の上
面の樹脂に対する密着性を高めると共に前記金属膜の上
面の樹脂に対する密着性を低下させる工程と、 基板上に搭載されたチップを包囲する形状のキャビティ
と、前記金属膜に対応する位置に形成されこのキャビテ
ィに連通する湯道を備えた型（金型）を基板の上面にセ
ットする工程と、 前記溝を通してキャビティ内に樹脂を圧入することによ
りキャビティ内に配置されたチップ封止するモールド体
を形成する工程と、 基板から前記型を分離した後、前記湯道内で硬化して前
記金属膜上に付着する余分な樹脂を金属膜から剥離して
除去する工程と、 を含むことを特徴とする電子部品の製造方法。 - 【請求項９】基材の上面に電極とレジスト膜と樹脂付着
防止用の金属膜を形成した基板を準備する工程と、 前記基板の上面をプラズマ処理して前記レジスト膜の上
面の樹脂に対する密着性を高めると共に前記金属膜の上
面の樹脂に対する密着性を低下させる工程と、 基板の上面にチップを搭載してチップと基板の電極とを
電気的に接続する工程と、 基板上に搭載されたチップを包囲する形状のキャビティ
と、前記金属膜に対応する位置に形成されこのキャビテ
ィに連通する湯道を備えた型（金型）を基板の上面にセ
ットする工程と、 前記溝を通してキャビティ内に樹脂を圧入することによ
りキャビティ内に配置されたチップ封止するモールド体
を形成する工程と、 基板から前記型を分離した後、前記湯道内で硬化して前
記金属膜上に付着する余分な樹脂を金属膜から剥離して
除去する工程と、 を含むことを特徴とする電子部品の製造方法。
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-
1997
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