JP3712851B2 - 電子部品およびその製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板上のチップとワイヤを樹脂で封止する電子部品およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
電子部品として、基板の上面にチップを搭載してチップの上面のパッドと基板の上面の電極をワイヤで接続し、かつチップとワイヤを封止するモールド体を樹脂で形成するものが知られている。
【０００３】
モールド体は次のようにして形成される。すなわち、基板をモールドプレス装置の上型と下型の間に密封し、樹脂を上型または下型に形成された湯道を通してキャビティ内に圧入する。次にキャビティ内で樹脂を硬化させてモールド体とした後、上型と下型を分離し、上型と下型の間から基板を取り出す。取り出された基板上のモールド体には、湯道内で硬化した余分な樹脂がへその緒のように付着しており、この樹脂（一般に、「カル」と称される）を基板の上面から剥がし、かつモールド体から切断して除去する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
基板の表面には、電極と、カルが強固に付着するのを防止するための細い金属膜と、レジスト膜が形成されている。金属膜は、湯道に対応する部分に形成されている。金属膜は、電極と一緒にメッキ法やエッチング法などにより基板の上面に形成される。またレジスト膜は、電極と金属膜を除く基板の表面に形成される。モールド体の材料である樹脂とレジスト膜の接着力が小さいと、空気中の湿気はモールド体とレジスト膜の間からモールド体の内部に侵入し、モールド体内部の電極やワイヤなどを劣化させる。したがってモールド体はレジスト膜に強固に付着させる必要がある。
【０００５】
一方、金属膜上で硬化した樹脂（カル）は、金属膜から剥がして除去しなければならない。したがってカルは金属膜に弱く付着していることが望ましい。
【０００６】
以上のように、この種基板には、（１）レジスト膜とモールド体の接着力を大きくすること、（２）金属膜とカルの接着力を小さくすることの２つの要件が要求される。
【０００７】
また、基板とチップの電気的な接続をフェイスダウンボンディングやリードボンディングで行う電子部品も上述した電子部品と同様に、基板の上面にモールド体を形成してチップを封止する構造となるが、この電子部品についても基板のレジスト膜とモールド体の接着力を大きくすることと、金属膜とカルの接着力を小さくすることが要求される。
【０００８】
そこで本発明は、上記要件を満足する電子部品およびその製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の電子部品は、基材の上面に電極とレジスト膜を樹脂付着防止用の金属膜を形成した基板と、この基板の上面に搭載されたチップと、このチップの上面のパッドと前記基板の電極を接続するワイヤと、このチップおよびワイヤを封止するために基板の上面に樹脂で形成されたモールド体とから成り、前記金属膜が前記モールド体を形成するために使用する金型の湯道に対応する部分に形成されており、前記モールド体を形成する前に前記基板の上面をプラズマ処理して前記電極および金属膜の上面の金属酸化物を除去するとともに前記レジスト膜の上面を活性化したものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】
請求項１記載の発明の電子部品は、基材の上面に電極とレジスト膜を樹脂付着防止用の金属膜を形成した基板と、この基板の上面に搭載されたチップと、このチップの上面のパッドと基板の電極を接続するワイヤと、このチップおよびワイヤを封止するために基板の上面に樹脂で形成されたモールド体とから成り、金属膜が前記モールド体を形成するために使用する金型の湯道に対応する部分に形成されており、モールド体を形成する前に基板の上面をプラズマ処理して電極および金属膜の上面の金属酸化物を除去するとともにレジスト膜の上面を活性化した。
【００１１】
請求項２記載の発明の電子部品の製造方法は、基材の上面に電極とレジスト膜と樹脂付着防止用の金属膜を形成した基板の上面にチップを搭載する工程と、基板の上面をプラズマ処理して電極および金属膜の上面の金属酸化物を除去するとともにレジスト膜の上面を活性化する工程と、チップの上面のパッドと基板の電極をワイヤで接続する工程と、基板をモールドプレス装置の上型と下型で密封し、湯道を通してキャビティ内に樹脂を圧入することによりキャビティ内に配置されたチップとワイヤを封止するモールド体を形成する工程と、上型と下型を分離した後、基材上面の湯道に対応する部分に形成された金属膜上に付着するカルを剥離して除去する工程と、を含む。
【００１２】
請求項３記載の発明の電子部品の製造方法は、チップの上面のパッドと基板の電極をワイヤで接続する前に、プラズマ処理を行う。
【００１３】
請求項４記載の発明の電子部品は、基材の上面に第１電極とレジスト膜と樹脂付着防止用の金属膜を形成し、またこの基材の下面に第２電極を形成し、かつ基材の内部に第１電極と第２電極を接続する内部配線を形成した基板と、この基板の上面に搭載されたチップと、このチップの上面のパッドと第１電極を接続するワイヤと、このチップおよびワイヤを封止するために基板の上面に樹脂で形成されたモールド体と、第２電極上に形成されたバンプとから成り、金属膜が前記モールド体を形成するために使用する金型の湯道に対応する部分に形成されており、モールド体を形成する前に基板の上面をプラズマ処理して第１電極および金属膜の上面の金属酸化物を除去するとともにレジスト膜の上面を活性化した。
【００１４】
請求項５記載の発明の電子部品の製造方法は、基材の上面に第１電極とレジスト膜と樹脂付着防止用の金属膜を形成し、またこの基材の下面に第２電極を形成し、かつ基材の内部に第１電極と第２電極を接続する内部配線を形成した基板の上面にチップを搭載する工程と、基板の上面をプラズマ処理して第１電極および金属膜の上面の金属酸化物を除去するとともにレジスト膜の上面を活性化する工程と、チップの上面のパッドと第１電極をワイヤで接続する工程と、基板を上型と下型で密封し、湯道を通してキャビティ内に樹脂を圧入することによりキャビティ内に配置されたチップとワイヤを封止するモールド体を形成する工程と、上型と下型を分離した後、基材上面の湯道に対応する部分に形成された金属膜上に付着するカルを剥離して除去する工程と、第２電極上にバンプを形成する工程と、を含む。
【００１５】
請求項６記載の発明の電子部品の製造方法は、チップの上面のパッドと第１電極をワイヤで接続する前に、プラズマ処理を行う。
【００１６】
請求項７記載の発明の電子部品は、基材の上面に電極とレジスト膜と樹脂付着防止用の金属膜を形成した基板と、電極に電気的に接続され、基板上に搭載されたチップと、このチップ封止するために基板の上面に樹脂で形成されたモールド体とから成り、金属膜が前記モールド体を形成するために使用する金型の湯道に対応する部分に形成されており、モールド体を形成する前に基板の上面をプラズマ処理してレジスト膜の上面の樹脂に対する密着性を高めると共に前記金属膜の上面の樹脂に対する密着性を低下させた。
【００１７】
請求項８記載の発明の電子部品の製造方法は、基材の上面に電極とレジスト膜と樹脂付着防止用の金属膜を形成した基板を準備する工程と、基板の上面にチップを搭載してチップと基板の電極とを電気的に接続する工程と、基板の上面をプラズマ処理してレジスト膜の上面の樹脂に対する密着性を高めると共に金属膜の上面の樹脂に対する密着性を低下させる工程と、基板上に搭載されたチップを包囲する形状のキャビティと、金属膜に対応する位置に形成されこのキャビティに連通する湯道を備えた金型を基板の上面にセットする工程と、溝を通してキャビティ内に樹脂を圧入することによりキャビティ内に配置されたチップ封止するモールド体を形成する工程と、基板から型を分離した後、湯道内で硬化して金属膜上に付着する余分な樹脂を金属膜から剥離して除去する工程と、を含む。
【００１８】
請求項９記載の電子部品の製造方法は、基材の上面に電極とレジスト膜と樹脂付着防止用の金属膜を形成した基板を準備する工程と、基板の上面をプラズマ処理してレジスト膜の上面の樹脂に対する密着性を高めると共に金属膜の上面の樹脂に対する密着性を低下させる工程と、基板の上面にチップを搭載してチップと基板の電極とを電気的に接続する工程と、基板上に搭載されたチップを包囲する形状のキャビティと、金属膜に対応する位置に形成されこのキャビティに連通する湯道を備えた金型を基板の上面にセットする工程と、溝を通してキャビティ内に樹脂を圧入することによりキャビティ内に配置されたチップ封止するモールド体を形成する工程と、基板から型を分離した後、湯道内で硬化して金属膜上に付着する余分な樹脂を金属膜から剥離して除去する工程と、を含む。
【００１９】
上記構成の各発明によれば、レジスト膜とモールド体の接着力を大きくしてモールド体をレジスト膜に強固に付着させることができる。また金属膜とカルとの接着力を小さくし、カルを金属膜から容易に剥がすことができる。
【００２０】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の一実施の形態の基板の斜視図、図２は同基板のＡ−Ａ断面図、図３は同電子部品の完成品の斜視図、図４、図５、図６、図７、図８、図９、図１０、図１１、図１２は同電子部品の製造工程図、図１３は同プラズマ処理時間と樹脂せん断強度の関係図である。
【００２１】
まず、図１を参照して、基板の構造を説明する。基板１は、板状の基材２から成っている。基材２の上面には、アイランド３と、アイランド３を包囲する多数個の第１電極４と、細い金属膜５と、レジスト膜６が形成されている。金属膜５は、モールド体を形成するために使用する金型の湯道（後述）に対応する部分に形成されており、樹脂との接着力比較的弱い金属より構成されている。またレジスト膜６は、アイランド３、第１電極４、金属膜５などの金属部分を除く基材２の前面に形成されている。
【００２２】
図２において、基材２の下面には第２電極７とレジスト膜６が形成されている。上面の第１電極４と下面の第２電極７は、内部配線８により電気的に接続されている。第１電極４および第２電極７は、銅膜４ａ，７ａ上にニッケル膜４ｂ，７ｂを形成し、ニッケル膜４ｂ，７ｂ上に金膜４ｃ，７ｃを形成して作られている。銅膜４ａ，７ａは電極４，７の主体となるものであり、金膜４ｃ，７ｃは電気的導通性を確保するために形成されたものである。またニッケル膜４ｂ，７ｂはバリヤ層であって、銅膜４ａ，７ａの成分である銅が金膜４ｃ，７ｃの表面に拡散するのを防止するものである。
【００２３】
銅膜４ａ，７ａ、ニッケル膜４ｂ，７ｂ、金膜４ｃ，７ｃはメッキ法やエッチング法により形成される。またアイランド３と金属膜５も電極４，７と一緒にメッキ法やエッチング法により形成される。したがってアイランド３も銅膜３ａ、ニッケル膜３ｂ、金膜３ｃから成っており、また金属膜５も銅膜５ａ、ニッケル膜５ｂ、金膜５ｃから成っている。
【００２４】
図２において、金膜３ｃ，４ｃ，５ｃ，７ｃの表面には金属酸化物Ｋが薄膜状に生じている。金属酸化物Ｋは、ニッケル酸化物、ニッケル水酸化物、銅酸化物であって、ニッケル膜３ｂ，４ｂ，５ｂ，７ｂの成分であるニッケルや、銅膜３ａ，４ａ，５ａ，７ａの成分である銅が金膜３ｃ，４ｃ，５ｃ，７ｃの表面に拡散し、空気や湿気に触れて酸化することにより生じたものである。
【００２５】
アイランド３および第２電極７に生じた金属酸化物Ｋには害はないが、第１電極４および金属膜５に生じた金属酸化物Ｋは次のような害がある。すなわち、第１電極４上には後工程でワイヤがボンディングされるが、金属酸化物Ｋはワイヤのボンディング力を低下させる。また金属膜５上には、後工程で樹脂（カル）が付着し、このカルは金属膜５から剥がして除去しなければならない。ところが金属膜５上の金属酸化物Ｋはカルを強固に付着させるため、カルを剥がしにくくなる。以上のことから、第１電極４上や金属膜５上に生じた金属酸化物Ｋは除去することが望ましい。金属酸化物Ｋを除去する方法については、後で図６を参照しながら説明する。
【００２６】
図３は、図１に示す基板１を用いて製造した電子部品１０の完成品の斜視図を示している。基板１の上面には、チップやワイヤを封止するモールド体９ａが形成されている。またカルを除去した金属膜５が露出している。
【００２７】
次に、図４〜図１０を参照して、電子部品１０の製造工程を説明する。図４は、図１に示す基板１の断面を示している。まずアイランド３上にボンド１１を塗布する。次にボンド１１上にチップ１２を搭載し、チップ１２をアイランド３上に接着する（図５）。チップ１２の上面にはパッド１３が形成されている。この後、ボンド１１を硬化させるために基板１は加熱されるが、この加熱によってより多くの金属酸化物Ｋが第１電極４および金属膜５の表面に現われる。
【００２８】
次に、基板１の表面をプラズマ処理する。図６は、プラズマ処理装置の断面図である。次に、図６を参照してプラズマ処理装置の説明を行う。ケーシング２０の内部に下部電極２１と上部電極２２が設けられている。下部電極２１には高周波電圧発生装置２３が接続されている。また上部電極２２はアース部２４に接続されている。ケース２０はパイプ２５を通して真空ポンプ２６に接続されている。またケース２０はパイプ２７を通してプラズマ発生用ガス供給部２８に接続されている。
【００２９】
次に、プラズマ処理方法を説明する。図示するように、基板１を下部電極２１上に載せる。次に真空ポンプ２６を駆動してケース２０の内部を真空吸引し、またプラズマ発生用ガス供給部２８からケース２０内にプラズマ発生用ガスを供給する。プラズマ発生用ガスとしては、アルゴンガスなどが用いられる。
【００３０】
次に高周波電圧発生装置２３を駆動して下部電極２１に高周波電圧を印加する。するとケース２０内のアルゴンガスはプラズマ状態となり、アルゴンイオンは基板１の表面に衝突する。すると、基板１の上面の第１電極４、金属膜５、パッド１３の表面の金属酸化物Ｋはアルゴンイオンにエッチングされて除去される。またレジスト膜６の表面にアルゴンイオンが衝突すると、レジスト膜６の表面は活性化される。後で図１３を参照して説明するように、第１電極４、金属膜５、パッド１３の表面をエッチングして金属酸化物Ｋを除去すると、樹脂と金属膜５とのせん断強度（接着力）は低下し、またレジスト膜６の表面を活性化させると、樹脂とレジスト膜６とのせん断強度（接着力）は著しく増大する。
【００３１】
以上のようにして基板１のプラズマ処理が終了したならば、チップ１２のパッド１３と基板１の第１電極４をワイヤ１５で接続する（図７参照）。この場合、ワイヤ１５がボンディングされる第１電極４およびパッド１３の表面の金属酸化物Ｋは上述したプラズマ処理により除去されているので、ワイヤ１５は第１電極４およびパッド１３にしっかりボンディングされる。
【００３２】
ワイヤボンディングが終了したならば、モールド体９ａの成形を行う。図８はモールド体９ａの成形を行うモールドプレス装置の部分断面図を示している。なおモールドプレス装置としては、例えば特開平５−２３５０６９号公報に記載されたものが知られている。図８において、モールドプレス装置は上型３１と下型３２を備えている。基板１は下型３２上に載置される。上型３１の下面には、基板１上のチップ１２やワイヤ１５を収納するためのキャビティ３３と、キャビティ３３内に樹脂を圧入するための湯道３４が形成されている。基板１の金属膜５は、湯道３３に対応する部分に形成されている。
【００３３】
上型３１の側部には孔部３５が形成されている。孔部３５の内部にはモールド体９ａの材料である樹脂塊（一般に、「タブレット」と称される）９が収納されており、また孔部３５にはプランジャ３６が配置されている。
【００３４】
図示するように基板１を上型３１と下型３２の間に密封し、ヒータ（図外）によりタブレット９を加熱して溶融させる。次にプランジャ３６を下降させれば、樹脂（タブレット９の溶融物）は湯道３４を通り、キャビティ３３内に圧入される。次にキャビティ３３内の樹脂を固化させたならば、上型３１と下型３２を分離し、基板１を下型３２から取り出す。
【００３５】
図９は、下型３２から取り出された基板１を示している。チップ１２とワイヤ１５は、樹脂がキャビティ３３内で硬化して生成したモールド体９ａで封止されている。モールド体９ａには、湯道３４内で硬化した樹脂（カル）９ｂが連結している。
【００３６】
そこで次に、図１０に示すようにカル９ｂに下方から上向きの外力Ｆを加えることにより、モールド体９ａとの接合部ａからカル９ｂを切断し、カル９ｂを除去する。
【００３７】
次に、図１１に示すように基板１を表裏反転し、第２電極７上に導電性ボール１６を搭載する。導電性ボール１６の搭載装置としては、例えば特開平８−９７２１８号公報に記載された装置が知られている。次に基板１を加熱炉（図示せず）へ送り、導電性ボール１６を加熱して溶融させる。すると第２電極７上にバンプ１６’が形成される（図１２を参照）。以上により、図３に示す電子部品１０は完成する。
【００３８】
次に、図１３を参照してプラズマ処理時間（秒）と樹脂せん断強度（τ／ＭＰａ）の関係について説明する。プラズマ処理時間とは、図６に示すプラズマ処理装置で基板１のプラズマ処理を行う時間である。また樹脂せん断強度とは、図９に示すモールド体９ａの第１電極４やレジスト膜６に対する接着力（剥離抵抗力）および金属膜５の金膜５ｃに対するカル９ｂの接着力（剥離抵抗力）を意味している。
【００３９】
図１３において、Ａはレジスト膜６に対するせん断強度曲線、Ｂは金膜５ｃに対するせん断強度曲線である。なおこのせん断強度試験は、オリエンテック社製の試験機を用いて行った。なお実験条件の詳細については説明を省略する。
【００４０】
図１３の曲線Ａから明らかなように、レジスト膜６に対するせん断強度は、プラズマ処理開始とともに急速に増大し、１０秒後には６τ／ＭＰａ以上となり、それ以後、増大速度は低下するが、６０秒後には８τ／ＭＰａ以上に達する。一方、金膜５ｃに対するせん断強度は、曲線Ｂで明らかなように、当初は約１．７τ／ＭＰａであるが、１０秒後には約０．２τ／ＭＰａまで低下する。
【００４１】
図１３から、以下に述べることが明らかである。まず第１には、図６に示すプラズマ処理を行えば、曲線Ａで示すようにモールド体９ａのレジスト膜６に対する接着力は著しく増大し、その結果、モールド体９ａが基板１から剥離したり、あるいはモールド体９ａとレジスト膜６の間から空気中の湿気がモールド体９ａの内部に侵入し、第１電極４、パッド１３、ワイヤ１５などの金属部分やチップ１２を劣化させるのを防止できる。また第２には、プラズマ処理を行えば、曲線Ｂで示すようにカル９ｂの金属膜５に対する接着力を低減でき、したがって図１０に示すように、カル９ｂを金属膜５から容易に剥離させることができる。すなわちモールド体９ａとレジスト膜６との接着力をよくする処理と、カル９ｂと金属膜５との接着力を弱める処理をプラズマ処理によって同時に行うことができる。
【００４２】
上記実施の形態では、ワイヤボンディングを行う前にプラズマ処理を行っているが、プラズマ処理を行うタイミングはこれに限定されず、例えば図４に示す工程と図５に示す工程の間、すなわちチップ１２を基板１に搭載する前に行ってもよい。あるいはまた、図７に示す工程と図８に示す工程の間、すなわちワイヤボンディングを行った後に行ってもよい。ただしこの場合、ワイヤボンディングはプラズマ処理の前に行うので、第１電極４およびパッド１３の表面には金属酸化物Ｋが存在しており、したがってワイヤ１５のボンディング力は低下する。
【００４３】
本発明の実施の形態は以上であるが、本発明はチップと基板の電気的な接続をワイヤ以外で行う電子部品にも適用できる。
【００４４】
図１４はフェイスダウンボンディングを適用した電子部品の断面図である。電子部品１００の基板１、第１電極４、金膜５レジスト膜６、第２電極７はこれまで説明した電子部品１０と同一構造である。１１２はチップであってパッド１１３にバンプ１１４が形成されている。このバンプ１１４を第１の電極４に接合してチップ１１２と基板１とを電気的に接続する。バンプ１１４の材質としては半田、金、銅などが適用できる。チップ１１２は回路形成面を基板側に向けたフェイスダウンの状態で基板１に搭載されている。プラズマ処理は基板にチップ１１２を搭載する前、もしくは搭載した後でモールド体９ａを形成する前のタイミングで行われる。チップ１１２を搭載する前にプラズマ処理を行うと第１電極４上の酸化物は除去され、金膜５は樹脂との密着性が低下させられ、レジスト膜６上は活性化されて樹脂との密着性が高められる。従ってバンプ１１４と第１の電極を確実に接合でき、モールド体９ａをレジスト６の接着力を大きくして信頼性のいい電子部品を作ることができる。更に、金属膜５上の余分な樹脂（カル９ｂ）は簡単に除去できる。チップ１１２を搭載した後でプラズマ処理を行ってもレジスト膜６とモールド体９ａの接着力及び金属膜５上での樹脂の剥離性の向上に効果がある。
【００４５】
図１５はリードボンディングを適用した電子部品の断面図である。この電子部品２００は、チップ２１２の電極２１３と第１電極４にリード２１４を熱圧着して電気的に接続されている。この電子部品２００の場合も電子部品１００の場合と同様に、リード２１４を第１電極４に接合する前、もしくは接合した後でプラズマ処理を行うことができる。
【００４６】
【発明の効果】
本発明によれば、電極やレジスト膜や金属膜が形成された基板にプラズマ処理を行うことにより、レジスト膜とモールド体の接着力を大きくしてモールド体をレジスト膜に強固に付着させることができる。また金属膜とカルとの接着力を小さくし、カルを金属膜から容易に剥がすことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態の基板の斜視図
【図２】本発明の一実施の形態の基板のＡ−Ａ断面図
【図３】本発明の一実施の形態の電子部品の完成品の斜視図
【図４】本発明の一実施の形態の電子部品の製造工程図
【図５】本発明の一実施の形態の電子部品の製造工程図
【図６】本発明の一実施の形態の電子部品の製造工程図
【図７】本発明の一実施の形態の電子部品の製造工程図
【図８】本発明の一実施の形態の電子部品の製造工程図
【図９】本発明の一実施の形態の電子部品の製造工程図
【図１０】本発明の一実施の形態の電子部品の製造工程図
【図１１】本発明の一実施の形態の電子部品の製造工程図
【図１２】本発明の一実施の形態の電子部品の製造工程図
【図１３】本発明の一実施の形態のプラズマ処理時間と樹脂せん断強度の関係図
【図１４】本発明の一実施の形態の電子部品の断面図
【図１５】本発明の一実施の形態の電子部品の断面図
【符号の説明】
１ 基板
２ 基材
４ 第１電極
５ 金属膜
６ レジスト膜
７ 第２電極
９ 樹脂塊
９ａ モールド体
９ｂ カル
１０ 電子部品
１２ チップ
１３ パッド
１５ ワイヤ
２０ ケース
２１ 下部電極
２２ 上部電極
２３ 高周波電圧発生装置
２６ 真空ポンプ
２８ プラズマ発生用ガス供給部
３１ 上型
３２ 下型
３３ キャビティ
３４ 湯道
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板上のチップとワイヤを樹脂で封止する電子部品およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
電子部品として、基板の上面にチップを搭載してチップの上面のパッドと基板の上面の電極をワイヤで接続し、かつチップとワイヤを封止するモールド体を樹脂で形成するものが知られている。
【０００３】
モールド体は次のようにして形成される。すなわち、基板をモールドプレス装置の上型と下型の間に密封し、樹脂を上型または下型に形成された湯道を通してキャビティ内に圧入する。次にキャビティ内で樹脂を硬化させてモールド体とした後、上型と下型を分離し、上型と下型の間から基板を取り出す。取り出された基板上のモールド体には、湯道内で硬化した余分な樹脂がへその緒のように付着しており、この樹脂（一般に、「カル」と称される）を基板の上面から剥がし、かつモールド体から切断して除去する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
基板の表面には、電極と、カルが強固に付着するのを防止するための細い金属膜と、レジスト膜が形成されている。金属膜は、湯道に対応する部分に形成されている。金属膜は、電極と一緒にメッキ法やエッチング法などにより基板の上面に形成される。またレジスト膜は、電極と金属膜を除く基板の表面に形成される。モールド体の材料である樹脂とレジスト膜の接着力が小さいと、空気中の湿気はモールド体とレジスト膜の間からモールド体の内部に侵入し、モールド体内部の電極やワイヤなどを劣化させる。したがってモールド体はレジスト膜に強固に付着させる必要がある。
【０００５】
一方、金属膜上で硬化した樹脂（カル）は、金属膜から剥がして除去しなければならない。したがってカルは金属膜に弱く付着していることが望ましい。
【０００６】
以上のように、この種基板には、（１）レジスト膜とモールド体の接着力を大きくすること、（２）金属膜とカルの接着力を小さくすることの２つの要件が要求される。
【０００７】
また、基板とチップの電気的な接続をフェイスダウンボンディングやリードボンディングで行う電子部品も上述した電子部品と同様に、基板の上面にモールド体を形成してチップを封止する構造となるが、この電子部品についても基板のレジスト膜とモールド体の接着力を大きくすることと、金属膜とカルの接着力を小さくすることが要求される。
【０００８】
そこで本発明は、上記要件を満足する電子部品およびその製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の電子部品は、基材の上面に電極とレジスト膜を樹脂付着防止用の金属膜を形成した基板と、この基板の上面に搭載されたチップと、このチップの上面のパッドと前記基板の電極を接続するワイヤと、このチップおよびワイヤを封止するために基板の上面に樹脂で形成されたモールド体とから成り、前記金属膜が前記モールド体を形成するために使用する金型の湯道に対応する部分に形成されており、前記モールド体を形成する前に前記基板の上面をプラズマ処理して前記電極および金属膜の上面の金属酸化物を除去するとともに前記レジスト膜の上面を活性化したものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】
請求項１記載の発明の電子部品は、基材の上面に電極とレジスト膜を樹脂付着防止用の金属膜を形成した基板と、この基板の上面に搭載されたチップと、このチップの上面のパッドと基板の電極を接続するワイヤと、このチップおよびワイヤを封止するために基板の上面に樹脂で形成されたモールド体とから成り、金属膜が前記モールド体を形成するために使用する金型の湯道に対応する部分に形成されており、モールド体を形成する前に基板の上面をプラズマ処理して電極および金属膜の上面の金属酸化物を除去するとともにレジスト膜の上面を活性化した。
【００１１】
請求項２記載の発明の電子部品の製造方法は、基材の上面に電極とレジスト膜と樹脂付着防止用の金属膜を形成した基板の上面にチップを搭載する工程と、基板の上面をプラズマ処理して電極および金属膜の上面の金属酸化物を除去するとともにレジスト膜の上面を活性化する工程と、チップの上面のパッドと基板の電極をワイヤで接続する工程と、基板をモールドプレス装置の上型と下型で密封し、湯道を通してキャビティ内に樹脂を圧入することによりキャビティ内に配置されたチップとワイヤを封止するモールド体を形成する工程と、上型と下型を分離した後、基材上面の湯道に対応する部分に形成された金属膜上に付着するカルを剥離して除去する工程と、を含む。
【００１２】
請求項３記載の発明の電子部品の製造方法は、チップの上面のパッドと基板の電極をワイヤで接続する前に、プラズマ処理を行う。
【００１３】
請求項４記載の発明の電子部品は、基材の上面に第１電極とレジスト膜と樹脂付着防止用の金属膜を形成し、またこの基材の下面に第２電極を形成し、かつ基材の内部に第１電極と第２電極を接続する内部配線を形成した基板と、この基板の上面に搭載されたチップと、このチップの上面のパッドと第１電極を接続するワイヤと、このチップおよびワイヤを封止するために基板の上面に樹脂で形成されたモールド体と、第２電極上に形成されたバンプとから成り、金属膜が前記モールド体を形成するために使用する金型の湯道に対応する部分に形成されており、モールド体を形成する前に基板の上面をプラズマ処理して第１電極および金属膜の上面の金属酸化物を除去するとともにレジスト膜の上面を活性化した。
【００１４】
請求項５記載の発明の電子部品の製造方法は、基材の上面に第１電極とレジスト膜と樹脂付着防止用の金属膜を形成し、またこの基材の下面に第２電極を形成し、かつ基材の内部に第１電極と第２電極を接続する内部配線を形成した基板の上面にチップを搭載する工程と、基板の上面をプラズマ処理して第１電極および金属膜の上面の金属酸化物を除去するとともにレジスト膜の上面を活性化する工程と、チップの上面のパッドと第１電極をワイヤで接続する工程と、基板を上型と下型で密封し、湯道を通してキャビティ内に樹脂を圧入することによりキャビティ内に配置されたチップとワイヤを封止するモールド体を形成する工程と、上型と下型を分離した後、基材上面の湯道に対応する部分に形成された金属膜上に付着するカルを剥離して除去する工程と、第２電極上にバンプを形成する工程と、を含む。
【００１５】
請求項６記載の発明の電子部品の製造方法は、チップの上面のパッドと第１電極をワイヤで接続する前に、プラズマ処理を行う。
【００１６】
請求項７記載の発明の電子部品は、基材の上面に電極とレジスト膜と樹脂付着防止用の金属膜を形成した基板と、電極に電気的に接続され、基板上に搭載されたチップと、このチップ封止するために基板の上面に樹脂で形成されたモールド体とから成り、金属膜が前記モールド体を形成するために使用する金型の湯道に対応する部分に形成されており、モールド体を形成する前に基板の上面をプラズマ処理してレジスト膜の上面の樹脂に対する密着性を高めると共に前記金属膜の上面の樹脂に対する密着性を低下させた。
【００１７】
請求項８記載の発明の電子部品の製造方法は、基材の上面に電極とレジスト膜と樹脂付着防止用の金属膜を形成した基板を準備する工程と、基板の上面にチップを搭載してチップと基板の電極とを電気的に接続する工程と、基板の上面をプラズマ処理してレジスト膜の上面の樹脂に対する密着性を高めると共に金属膜の上面の樹脂に対する密着性を低下させる工程と、基板上に搭載されたチップを包囲する形状のキャビティと、金属膜に対応する位置に形成されこのキャビティに連通する湯道を備えた金型を基板の上面にセットする工程と、溝を通してキャビティ内に樹脂を圧入することによりキャビティ内に配置されたチップ封止するモールド体を形成する工程と、基板から型を分離した後、湯道内で硬化して金属膜上に付着する余分な樹脂を金属膜から剥離して除去する工程と、を含む。
【００１８】
請求項９記載の電子部品の製造方法は、基材の上面に電極とレジスト膜と樹脂付着防止用の金属膜を形成した基板を準備する工程と、基板の上面をプラズマ処理してレジスト膜の上面の樹脂に対する密着性を高めると共に金属膜の上面の樹脂に対する密着性を低下させる工程と、基板の上面にチップを搭載してチップと基板の電極とを電気的に接続する工程と、基板上に搭載されたチップを包囲する形状のキャビティと、金属膜に対応する位置に形成されこのキャビティに連通する湯道を備えた金型を基板の上面にセットする工程と、溝を通してキャビティ内に樹脂を圧入することによりキャビティ内に配置されたチップ封止するモールド体を形成する工程と、基板から型を分離した後、湯道内で硬化して金属膜上に付着する余分な樹脂を金属膜から剥離して除去する工程と、を含む。
【００１９】
上記構成の各発明によれば、レジスト膜とモールド体の接着力を大きくしてモールド体をレジスト膜に強固に付着させることができる。また金属膜とカルとの接着力を小さくし、カルを金属膜から容易に剥がすことができる。
【００２０】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の一実施の形態の基板の斜視図、図２は同基板のＡ−Ａ断面図、図３は同電子部品の完成品の斜視図、図４、図５、図６、図７、図８、図９、図１０、図１１、図１２は同電子部品の製造工程図、図１３は同プラズマ処理時間と樹脂せん断強度の関係図である。
【００２１】
まず、図１を参照して、基板の構造を説明する。基板１は、板状の基材２から成っている。基材２の上面には、アイランド３と、アイランド３を包囲する多数個の第１電極４と、細い金属膜５と、レジスト膜６が形成されている。金属膜５は、モールド体を形成するために使用する金型の湯道（後述）に対応する部分に形成されており、樹脂との接着力比較的弱い金属より構成されている。またレジスト膜６は、アイランド３、第１電極４、金属膜５などの金属部分を除く基材２の前面に形成されている。
【００２２】
図２において、基材２の下面には第２電極７とレジスト膜６が形成されている。上面の第１電極４と下面の第２電極７は、内部配線８により電気的に接続されている。第１電極４および第２電極７は、銅膜４ａ，７ａ上にニッケル膜４ｂ，７ｂを形成し、ニッケル膜４ｂ，７ｂ上に金膜４ｃ，７ｃを形成して作られている。銅膜４ａ，７ａは電極４，７の主体となるものであり、金膜４ｃ，７ｃは電気的導通性を確保するために形成されたものである。またニッケル膜４ｂ，７ｂはバリヤ層であって、銅膜４ａ，７ａの成分である銅が金膜４ｃ，７ｃの表面に拡散するのを防止するものである。
【００２３】
銅膜４ａ，７ａ、ニッケル膜４ｂ，７ｂ、金膜４ｃ，７ｃはメッキ法やエッチング法により形成される。またアイランド３と金属膜５も電極４，７と一緒にメッキ法やエッチング法により形成される。したがってアイランド３も銅膜３ａ、ニッケル膜３ｂ、金膜３ｃから成っており、また金属膜５も銅膜５ａ、ニッケル膜５ｂ、金膜５ｃから成っている。
【００２４】
図２において、金膜３ｃ，４ｃ，５ｃ，７ｃの表面には金属酸化物Ｋが薄膜状に生じている。金属酸化物Ｋは、ニッケル酸化物、ニッケル水酸化物、銅酸化物であって、ニッケル膜３ｂ，４ｂ，５ｂ，７ｂの成分であるニッケルや、銅膜３ａ，４ａ，５ａ，７ａの成分である銅が金膜３ｃ，４ｃ，５ｃ，７ｃの表面に拡散し、空気や湿気に触れて酸化することにより生じたものである。
【００２５】
アイランド３および第２電極７に生じた金属酸化物Ｋには害はないが、第１電極４および金属膜５に生じた金属酸化物Ｋは次のような害がある。すなわち、第１電極４上には後工程でワイヤがボンディングされるが、金属酸化物Ｋはワイヤのボンディング力を低下させる。また金属膜５上には、後工程で樹脂（カル）が付着し、このカルは金属膜５から剥がして除去しなければならない。ところが金属膜５上の金属酸化物Ｋはカルを強固に付着させるため、カルを剥がしにくくなる。以上のことから、第１電極４上や金属膜５上に生じた金属酸化物Ｋは除去することが望ましい。金属酸化物Ｋを除去する方法については、後で図６を参照しながら説明する。
【００２６】
図３は、図１に示す基板１を用いて製造した電子部品１０の完成品の斜視図を示している。基板１の上面には、チップやワイヤを封止するモールド体９ａが形成されている。またカルを除去した金属膜５が露出している。
【００２７】
次に、図４〜図１０を参照して、電子部品１０の製造工程を説明する。図４は、図１に示す基板１の断面を示している。まずアイランド３上にボンド１１を塗布する。次にボンド１１上にチップ１２を搭載し、チップ１２をアイランド３上に接着する（図５）。チップ１２の上面にはパッド１３が形成されている。この後、ボンド１１を硬化させるために基板１は加熱されるが、この加熱によってより多くの金属酸化物Ｋが第１電極４および金属膜５の表面に現われる。
【００２８】
次に、基板１の表面をプラズマ処理する。図６は、プラズマ処理装置の断面図である。次に、図６を参照してプラズマ処理装置の説明を行う。ケーシング２０の内部に下部電極２１と上部電極２２が設けられている。下部電極２１には高周波電圧発生装置２３が接続されている。また上部電極２２はアース部２４に接続されている。ケース２０はパイプ２５を通して真空ポンプ２６に接続されている。またケース２０はパイプ２７を通してプラズマ発生用ガス供給部２８に接続されている。
【００２９】
次に、プラズマ処理方法を説明する。図示するように、基板１を下部電極２１上に載せる。次に真空ポンプ２６を駆動してケース２０の内部を真空吸引し、またプラズマ発生用ガス供給部２８からケース２０内にプラズマ発生用ガスを供給する。プラズマ発生用ガスとしては、アルゴンガスなどが用いられる。
【００３０】
次に高周波電圧発生装置２３を駆動して下部電極２１に高周波電圧を印加する。するとケース２０内のアルゴンガスはプラズマ状態となり、アルゴンイオンは基板１の表面に衝突する。すると、基板１の上面の第１電極４、金属膜５、パッド１３の表面の金属酸化物Ｋはアルゴンイオンにエッチングされて除去される。またレジスト膜６の表面にアルゴンイオンが衝突すると、レジスト膜６の表面は活性化される。後で図１３を参照して説明するように、第１電極４、金属膜５、パッド１３の表面をエッチングして金属酸化物Ｋを除去すると、樹脂と金属膜５とのせん断強度（接着力）は低下し、またレジスト膜６の表面を活性化させると、樹脂とレジスト膜６とのせん断強度（接着力）は著しく増大する。
【００３１】
以上のようにして基板１のプラズマ処理が終了したならば、チップ１２のパッド１３と基板１の第１電極４をワイヤ１５で接続する（図７参照）。この場合、ワイヤ１５がボンディングされる第１電極４およびパッド１３の表面の金属酸化物Ｋは上述したプラズマ処理により除去されているので、ワイヤ１５は第１電極４およびパッド１３にしっかりボンディングされる。
【００３２】
ワイヤボンディングが終了したならば、モールド体９ａの成形を行う。図８はモールド体９ａの成形を行うモールドプレス装置の部分断面図を示している。なおモールドプレス装置としては、例えば特開平５−２３５０６９号公報に記載されたものが知られている。図８において、モールドプレス装置は上型３１と下型３２を備えている。基板１は下型３２上に載置される。上型３１の下面には、基板１上のチップ１２やワイヤ１５を収納するためのキャビティ３３と、キャビティ３３内に樹脂を圧入するための湯道３４が形成されている。基板１の金属膜５は、湯道３３に対応する部分に形成されている。
【００３３】
上型３１の側部には孔部３５が形成されている。孔部３５の内部にはモールド体９ａの材料である樹脂塊（一般に、「タブレット」と称される）９が収納されており、また孔部３５にはプランジャ３６が配置されている。
【００３４】
図示するように基板１を上型３１と下型３２の間に密封し、ヒータ（図外）によりタブレット９を加熱して溶融させる。次にプランジャ３６を下降させれば、樹脂（タブレット９の溶融物）は湯道３４を通り、キャビティ３３内に圧入される。次にキャビティ３３内の樹脂を固化させたならば、上型３１と下型３２を分離し、基板１を下型３２から取り出す。
【００３５】
図９は、下型３２から取り出された基板１を示している。チップ１２とワイヤ１５は、樹脂がキャビティ３３内で硬化して生成したモールド体９ａで封止されている。モールド体９ａには、湯道３４内で硬化した樹脂（カル）９ｂが連結している。
【００３６】
そこで次に、図１０に示すようにカル９ｂに下方から上向きの外力Ｆを加えることにより、モールド体９ａとの接合部ａからカル９ｂを切断し、カル９ｂを除去する。
【００３７】
次に、図１１に示すように基板１を表裏反転し、第２電極７上に導電性ボール１６を搭載する。導電性ボール１６の搭載装置としては、例えば特開平８−９７２１８号公報に記載された装置が知られている。次に基板１を加熱炉（図示せず）へ送り、導電性ボール１６を加熱して溶融させる。すると第２電極７上にバンプ１６’が形成される（図１２を参照）。以上により、図３に示す電子部品１０は完成する。
【００３８】
次に、図１３を参照してプラズマ処理時間（秒）と樹脂せん断強度（τ／ＭＰａ）の関係について説明する。プラズマ処理時間とは、図６に示すプラズマ処理装置で基板１のプラズマ処理を行う時間である。また樹脂せん断強度とは、図９に示すモールド体９ａの第１電極４やレジスト膜６に対する接着力（剥離抵抗力）および金属膜５の金膜５ｃに対するカル９ｂの接着力（剥離抵抗力）を意味している。
【００３９】
図１３において、Ａはレジスト膜６に対するせん断強度曲線、Ｂは金膜５ｃに対するせん断強度曲線である。なおこのせん断強度試験は、オリエンテック社製の試験機を用いて行った。なお実験条件の詳細については説明を省略する。
【００４０】
図１３の曲線Ａから明らかなように、レジスト膜６に対するせん断強度は、プラズマ処理開始とともに急速に増大し、１０秒後には６τ／ＭＰａ以上となり、それ以後、増大速度は低下するが、６０秒後には８τ／ＭＰａ以上に達する。一方、金膜５ｃに対するせん断強度は、曲線Ｂで明らかなように、当初は約１．７τ／ＭＰａであるが、１０秒後には約０．２τ／ＭＰａまで低下する。
【００４１】
図１３から、以下に述べることが明らかである。まず第１には、図６に示すプラズマ処理を行えば、曲線Ａで示すようにモールド体９ａのレジスト膜６に対する接着力は著しく増大し、その結果、モールド体９ａが基板１から剥離したり、あるいはモールド体９ａとレジスト膜６の間から空気中の湿気がモールド体９ａの内部に侵入し、第１電極４、パッド１３、ワイヤ１５などの金属部分やチップ１２を劣化させるのを防止できる。また第２には、プラズマ処理を行えば、曲線Ｂで示すようにカル９ｂの金属膜５に対する接着力を低減でき、したがって図１０に示すように、カル９ｂを金属膜５から容易に剥離させることができる。すなわちモールド体９ａとレジスト膜６との接着力をよくする処理と、カル９ｂと金属膜５との接着力を弱める処理をプラズマ処理によって同時に行うことができる。
【００４２】
上記実施の形態では、ワイヤボンディングを行う前にプラズマ処理を行っているが、プラズマ処理を行うタイミングはこれに限定されず、例えば図４に示す工程と図５に示す工程の間、すなわちチップ１２を基板１に搭載する前に行ってもよい。あるいはまた、図７に示す工程と図８に示す工程の間、すなわちワイヤボンディングを行った後に行ってもよい。ただしこの場合、ワイヤボンディングはプラズマ処理の前に行うので、第１電極４およびパッド１３の表面には金属酸化物Ｋが存在しており、したがってワイヤ１５のボンディング力は低下する。
【００４３】
本発明の実施の形態は以上であるが、本発明はチップと基板の電気的な接続をワイヤ以外で行う電子部品にも適用できる。
【００４４】
図１４はフェイスダウンボンディングを適用した電子部品の断面図である。電子部品１００の基板１、第１電極４、金膜５レジスト膜６、第２電極７はこれまで説明した電子部品１０と同一構造である。１１２はチップであってパッド１１３にバンプ１１４が形成されている。このバンプ１１４を第１の電極４に接合してチップ１１２と基板１とを電気的に接続する。バンプ１１４の材質としては半田、金、銅などが適用できる。チップ１１２は回路形成面を基板側に向けたフェイスダウンの状態で基板１に搭載されている。プラズマ処理は基板にチップ１１２を搭載する前、もしくは搭載した後でモールド体９ａを形成する前のタイミングで行われる。チップ１１２を搭載する前にプラズマ処理を行うと第１電極４上の酸化物は除去され、金膜５は樹脂との密着性が低下させられ、レジスト膜６上は活性化されて樹脂との密着性が高められる。従ってバンプ１１４と第１の電極を確実に接合でき、モールド体９ａをレジスト６の接着力を大きくして信頼性のいい電子部品を作ることができる。更に、金属膜５上の余分な樹脂（カル９ｂ）は簡単に除去できる。チップ１１２を搭載した後でプラズマ処理を行ってもレジスト膜６とモールド体９ａの接着力及び金属膜５上での樹脂の剥離性の向上に効果がある。
【００４５】
図１５はリードボンディングを適用した電子部品の断面図である。この電子部品２００は、チップ２１２の電極２１３と第１電極４にリード２１４を熱圧着して電気的に接続されている。この電子部品２００の場合も電子部品１００の場合と同様に、リード２１４を第１電極４に接合する前、もしくは接合した後でプラズマ処理を行うことができる。
【００４６】
【発明の効果】
本発明によれば、電極やレジスト膜や金属膜が形成された基板にプラズマ処理を行うことにより、レジスト膜とモールド体の接着力を大きくしてモールド体をレジスト膜に強固に付着させることができる。また金属膜とカルとの接着力を小さくし、カルを金属膜から容易に剥がすことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態の基板の斜視図
【図２】本発明の一実施の形態の基板のＡ−Ａ断面図
【図３】本発明の一実施の形態の電子部品の完成品の斜視図
【図４】本発明の一実施の形態の電子部品の製造工程図
【図５】本発明の一実施の形態の電子部品の製造工程図
【図６】本発明の一実施の形態の電子部品の製造工程図
【図７】本発明の一実施の形態の電子部品の製造工程図
【図８】本発明の一実施の形態の電子部品の製造工程図
【図９】本発明の一実施の形態の電子部品の製造工程図
【図１０】本発明の一実施の形態の電子部品の製造工程図
【図１１】本発明の一実施の形態の電子部品の製造工程図
【図１２】本発明の一実施の形態の電子部品の製造工程図
【図１３】本発明の一実施の形態のプラズマ処理時間と樹脂せん断強度の関係図
【図１４】本発明の一実施の形態の電子部品の断面図
【図１５】本発明の一実施の形態の電子部品の断面図
【符号の説明】
１ 基板
２ 基材
４ 第１電極
５ 金属膜
６ レジスト膜
７ 第２電極
９ 樹脂塊
９ａ モールド体
９ｂ カル
１０ 電子部品
１２ チップ
１３ パッド
１５ ワイヤ
２０ ケース
２１ 下部電極
２２ 上部電極
２３ 高周波電圧発生装置
２６ 真空ポンプ
２８ プラズマ発生用ガス供給部
３１ 上型
３２ 下型
３３ キャビティ
３４ 湯道
Claims (9)
- 基材の上面に電極とレジスト膜を樹脂付着防止用の金属膜を形成した基板と、この基板の上面に搭載されたチップと、このチップの上面のパッドと前記基板の電極を接続するワイヤと、このチップおよびワイヤを封止するために基板の上面に樹脂で形成されたモールド体とから成り、前記金属膜が前記モールド体を形成するために使用する金型の湯道に対応する部分に形成されており、前記モールド体を形成する前に前記基板の上面をプラズマ処理して前記電極および金属膜の上面の金属酸化物を除去するとともに前記レジスト膜の上面を活性化したことを特徴とする電子部品。
- 基材の上面に電極とレジスト膜と樹脂付着防止用の金属膜を形成した基板の上面にチップを搭載する工程と、前記基板の上面をプラズマ処理して前記電極および金属膜の上面の金属酸化物を除去するとともに前記レジスト膜の上面を活性化する工程と、前記チップの上面のパッドと前記基板の電極をワイヤで接続する工程と、前記基板をモールドプレス装置の上型と下型で密封し、湯道を通してキャビティ内に樹脂を圧入することによりキャビティ内に配置されたチップとワイヤを封止するモールド体を形成する工程と、上型と下型を分離した後、基材上面の湯道に対応する部分に形成された金属膜上に付着するカルを剥離して除去する工程と、を含むことを特徴とする電子部品の製造方法。
- 前記チップの上面のパッドと前記基板の電極をワイヤで接続する前に、前記プラズマ処理を行うことを特徴とする請求項２記載の電子部品の製造方法。
- 基材の上面に第１電極とレジスト膜と樹脂付着防止用の金属膜を形成し、またこの基材の下面に第２電極を形成し、かつ基材の内部に第１電極と第２電極を接続する内部配線を形成した基板と、この基板の上面に搭載されたチップと、このチップの上面のパッドと前記第１電極を接続するワイヤと、このチップおよびワイヤを封止するために基板の上面に樹脂で形成されたモールド体と、第２電極上に形成されたバンプとから成り、前記金属膜が前記モールド体を形成するために使用する金型の湯道に対応する部分に形成されており、前記モールド体を形成する前に前記基板の上面をプラズマ処理して前記第１電極および金属膜の上面の金属酸化物を除去するとともに前記レジスト膜の上面を活性化したことを特徴とする電子部品。
- 基材の上面に第１電極とレジスト膜と樹脂付着防止用の金属膜を形成し、またこの基材の下面に第２電極を形成し、かつ基材の内部に第１電極と第２電極を接続する内部配線を形成した基板の上面にチップを搭載する工程と、前記基板の上面をプラズマ処理して前記第１電極および金属膜の上面の金属酸化物を除去するとともに前記レジスト膜の上面を活性化する工程と、前記チップの上面のパッドと前記第１電極をワイヤで接続する工程と、前記基板をモールドプレス装置の上型と下型で密封し、湯道を通してキャビティ内に樹脂を圧入することによりキャビティ内に配置されたチップとワイヤを封止するモールド体を形成する工程と、上型と下型を分離した後、基材上面の湯道に対応する部分に形成された金属膜上に付着するカルを剥離して除去する工程と、第２電極上にバンプを形成する工程と、を含むことを特徴とする電子部品の製造方法。
- 前記チップの上面のパッドと前記第１電極をワイヤで接続する前に、前記プラズマ処理を行うことを特徴とする請求項５記載の電子部品の製造方法。
- 基材の上面に電極とレジスト膜と樹脂付着防止用の金属膜を形成した基板と、前記電極に電気的に接続され、基板上に搭載されたチップと、このチップ封止するために基板の上面に樹脂で形成されたモールド体とから成り、前記金属膜が前記モールド体を形成するために使用する金型の湯道に対応する部分に形成されており、前記モールド体を形成する前に前記基板の上面をプラズマ処理して前記レジスト膜の上面の樹脂に対する密着性を高めると共に前記金属膜の上面の樹脂に対する密着性を低下させたことを特徴とする電子部品。
- 基材の上面に電極とレジスト膜と樹脂付着防止用の金属膜を形成した基板を準備する工程と、
基板の上面にチップを搭載してチップと基板の電極とを電気的に接続する工程と、
前記基板の上面をプラズマ処理して前記レジスト膜の上面の樹脂に対する密着性を高めると共に前記金属膜の上面の樹脂に対する密着性を低下させる工程と、
基板上に搭載されたチップを包囲する形状のキャビティと、前記金属膜に対応する位置に形成されこのキャビティに連通する湯道を備えた金型を基板の上面にセットする工程と、
前記溝を通してキャビティ内に樹脂を圧入することによりキャビティ内に配置されたチップ封止するモールド体を形成する工程と、
基板から前記型を分離した後、前記湯道内で硬化して前記金属膜上に付着する余分な樹脂を金属膜から剥離して除去する工程と、
を含むことを特徴とする電子部品の製造方法。 - 基材の上面に電極とレジスト膜と樹脂付着防止用の金属膜を形成した基板を準備する工程と、
前記基板の上面をプラズマ処理して前記レジスト膜の上面の樹脂に対する密着性を高めると共に前記金属膜の上面の樹脂に対する密着性を低下させる工程と、
基板の上面にチップを搭載してチップと基板の電極とを電気的に接続する工程と、
基板上に搭載されたチップを包囲する形状のキャビティと、前記金属膜に対応する位置に形成されこのキャビティに連通する湯道を備えた金型を基板の上面にセットする工程と、
前記溝を通してキャビティ内に樹脂を圧入することによりキャビティ内に配置されたチップ封止するモールド体を形成する工程と、
基板から前記型を分離した後、前記湯道内で硬化して前記金属膜上に付着する余分な樹脂を金属膜から剥離して除去する工程と、
を含むことを特徴とする電子部品の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35261597A JP3712851B2 (ja) | 1997-04-11 | 1997-12-22 | 電子部品およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9-93504 | 1997-04-11 | ||
| JP9350497 | 1997-04-11 | ||
| JP35261597A JP3712851B2 (ja) | 1997-04-11 | 1997-12-22 | 電子部品およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10340977A JPH10340977A (ja) | 1998-12-22 |
| JP3712851B2 true JP3712851B2 (ja) | 2005-11-02 |
Family
ID=26434845
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35261597A Expired - Fee Related JP3712851B2 (ja) | 1997-04-11 | 1997-12-22 | 電子部品およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3712851B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6432751B1 (en) * | 1997-04-11 | 2002-08-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Resin mold electric part and producing method therefor |
| US6117708A (en) | 1998-02-05 | 2000-09-12 | Micron Technology, Inc. | Use of residual organic compounds to facilitate gate break on a carrier substrate for a semiconductor device |
| JP3334693B2 (ja) | 1999-10-08 | 2002-10-15 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP4107952B2 (ja) | 2002-12-04 | 2008-06-25 | 三洋電機株式会社 | 回路装置の製造方法 |
| JP5446867B2 (ja) * | 2007-10-10 | 2014-03-19 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
| JP4642061B2 (ja) * | 2007-11-22 | 2011-03-02 | 三洋電機株式会社 | 回路装置の製造方法 |
| JP6409390B2 (ja) * | 2014-07-28 | 2018-10-24 | 住友ベークライト株式会社 | 配線基板、半導体パッケージ、電子装置、配線基板の製造方法、および半導体パッケージの製造方法 |
-
1997
- 1997-12-22 JP JP35261597A patent/JP3712851B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10340977A (ja) | 1998-12-22 |
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| A521 | Written amendment |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| A521 | Written amendment |
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| RD01 | Notification of change of attorney |
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
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| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
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| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
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| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
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