JPH1126511A - バンプ付きワークの実装方法 - Google Patents
バンプ付きワークの実装方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 バンプ付きワークを作業性よく、しかもしっ
かり基板に実装できるバンプ付きワークの実装方法を提
供することを目的とする。 【解決手段】 基板１にボンド４を塗布した後、圧着ツ
ール８に保持されたバンプ付きワーク６を基板１に搭載
し、加圧しながら超音波振動を付与する。するとバンプ
７は電極２上の半田部３にめり込んで半田部３に金属間
接合して仮接着される。次に基板１を加熱炉へ送って加
熱し、ボンド４を硬化させれば、バンプ付きワーク６は
基板１にしっかり接着される。
かり基板に実装できるバンプ付きワークの実装方法を提
供することを目的とする。 【解決手段】 基板１にボンド４を塗布した後、圧着ツ
ール８に保持されたバンプ付きワーク６を基板１に搭載
し、加圧しながら超音波振動を付与する。するとバンプ
７は電極２上の半田部３にめり込んで半田部３に金属間
接合して仮接着される。次に基板１を加熱炉へ送って加
熱し、ボンド４を硬化させれば、バンプ付きワーク６は
基板１にしっかり接着される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フリップチップな
どのバンプ付きワークをボンドで基板に接着するバンプ
付きワークの実装方法に関するものである。
どのバンプ付きワークをボンドで基板に接着するバンプ
付きワークの実装方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】フリップチップなどのバンプ付きワーク
を基板に実装する場合、バンプ付きワークのバンプを基
板の電極に位置合わせしてバンプ付きワークを基板に搭
載した後、バンプ付きワークと基板の間にボンドを注入
し、ボンドを硬化させることにより、バンプ付きワーク
を基板に実装することが行われる。ボンドはバンプ付き
ワークを基板にしっかり接着して実装するために注入さ
れるものである。
を基板に実装する場合、バンプ付きワークのバンプを基
板の電極に位置合わせしてバンプ付きワークを基板に搭
載した後、バンプ付きワークと基板の間にボンドを注入
し、ボンドを硬化させることにより、バンプ付きワーク
を基板に実装することが行われる。ボンドはバンプ付き
ワークを基板にしっかり接着して実装するために注入さ
れるものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
方法は、ボンドは、バンプ付きワークを基板に搭載した
後、バンプ付きワークと基板の間に注入されていたた
め、注入作業にかなりの時間を要して生産性があがら
ず、また注入不足によりバンプ付きワークと基板の間に
空隙が生じやすく、この空隙によりボンドの接着力が低
下したり、あるいはヒートサイクルによる空隙内の空気
の熱膨張により硬化したボンドが破壊され、さらには空
隙が基板の電極付近に生じると、その空気により電極が
腐食するなどの問題点があった。
方法は、ボンドは、バンプ付きワークを基板に搭載した
後、バンプ付きワークと基板の間に注入されていたた
め、注入作業にかなりの時間を要して生産性があがら
ず、また注入不足によりバンプ付きワークと基板の間に
空隙が生じやすく、この空隙によりボンドの接着力が低
下したり、あるいはヒートサイクルによる空隙内の空気
の熱膨張により硬化したボンドが破壊され、さらには空
隙が基板の電極付近に生じると、その空気により電極が
腐食するなどの問題点があった。
【０００４】また基板の電極上の半田部を加熱して溶融
固化させることによりバンプは電極に半田付けされてい
たため、半田付けのためにかなりの時間を要し、生産性
があがらないものであった。
固化させることによりバンプは電極に半田付けされてい
たため、半田付けのためにかなりの時間を要し、生産性
があがらないものであった。
【０００５】したがって本発明は、バンプ付きワークを
作業性よく、しかもしっかり基板に実装できるバンプ付
きワークの実装方法を提供することを目的とする。
作業性よく、しかもしっかり基板に実装できるバンプ付
きワークの実装方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のバンプ付きワー
クの実装方法は、基板の上面にボンドを塗布する工程
と、バンプ付きワークのバンプを前記基板の電極上の半
田部に着地させ、高周波振動を付与することによりバン
プの下端部を半田部にめり込ませて仮接着する工程と、
ボンドを加熱することにより硬化させてバンプ付きワー
クを基板に本接着する工程と、を含む。
クの実装方法は、基板の上面にボンドを塗布する工程
と、バンプ付きワークのバンプを前記基板の電極上の半
田部に着地させ、高周波振動を付与することによりバン
プの下端部を半田部にめり込ませて仮接着する工程と、
ボンドを加熱することにより硬化させてバンプ付きワー
クを基板に本接着する工程と、を含む。
【０００７】また本発明のバンプ付きワークの実装方法
は、基板の上面にボンドを塗布する工程と、バンプ付き
ワークのバンプを前記基板の電極に着地させ、高周波振
動を付与することによりバンプを電極に仮接着する工程
と、ボンドを加熱することにより硬化させてバンプ付き
ワークを基板に本接着する工程と、を含む。
は、基板の上面にボンドを塗布する工程と、バンプ付き
ワークのバンプを前記基板の電極に着地させ、高周波振
動を付与することによりバンプを電極に仮接着する工程
と、ボンドを加熱することにより硬化させてバンプ付き
ワークを基板に本接着する工程と、を含む。
【０００８】また好ましくは、基板の上面にボンドを塗
布するのに先立って、基板の上面をプラズマエッチング
する。
布するのに先立って、基板の上面をプラズマエッチング
する。
【０００９】
【発明の実施の形態】上記構成の本発明は、バンプ付き
ワークを基板に搭載する前に基板にボンドを塗布するの
で、従来方法のように空隙を生じにくく、信頼性の高い
実装が可能となる。またバンプは高周波振動により半田
部や電極に仮接着されるので、従来方法のように電極上
の半田部を加熱して溶融固化させる必要がなく、それだ
けタクトタイムを短縮して生産性を上げることができ
る。
ワークを基板に搭載する前に基板にボンドを塗布するの
で、従来方法のように空隙を生じにくく、信頼性の高い
実装が可能となる。またバンプは高周波振動により半田
部や電極に仮接着されるので、従来方法のように電極上
の半田部を加熱して溶融固化させる必要がなく、それだ
けタクトタイムを短縮して生産性を上げることができ
る。
【００１０】また基板の上面にボンドを塗布するのに先
立って、基板の上面をプラズマエッチングすることによ
り、基板の表面を活性化させ、ボンドの基板に対する接
着力を大巾に増大させ、バンプ付きワークを基板により
しっかり実装することができる。
立って、基板の上面をプラズマエッチングすることによ
り、基板の表面を活性化させ、ボンドの基板に対する接
着力を大巾に増大させ、バンプ付きワークを基板により
しっかり実装することができる。
【００１１】以下、本発明の実施の形態を図面を参照し
て説明する。図１は、本発明の一実施の形態の基板の前
処理工程図、図２は同バンプ付きワークの実装工程図で
ある。
て説明する。図１は、本発明の一実施の形態の基板の前
処理工程図、図２は同バンプ付きワークの実装工程図で
ある。
【００１２】図１において、基板１の上面には電極２が
形成されている。電極２上には半田部３が形成されてい
る。半田部３は、メッキ法やレベラ法などによりプリコ
ート部として形成されている。この基板１をプラズマ処
理室に収納し、プラズマイオンｅをその上面に衝突させ
ることにより、上面をエッチングして活性化させる。以
上のようにして基板１の前処理が終了したならば、基板
１にバンプ付きワークを実装する。次に、バンプ付きワ
ークの実装方法を図２を参照して説明する。
形成されている。電極２上には半田部３が形成されてい
る。半田部３は、メッキ法やレベラ法などによりプリコ
ート部として形成されている。この基板１をプラズマ処
理室に収納し、プラズマイオンｅをその上面に衝突させ
ることにより、上面をエッチングして活性化させる。以
上のようにして基板１の前処理が終了したならば、基板
１にバンプ付きワークを実装する。次に、バンプ付きワ
ークの実装方法を図２を参照して説明する。
【００１３】図２（ａ），（ｂ），（ｃ）は、バンプ付
きワークの実装方法を工程順に示している。まず、図２
（ａ）に示すように、基板１の上面にボンド塗布器５に
よりボンド４を塗布する。このボンド４は熱硬化性樹脂
であり、好ましくはフィラーが混入される。
きワークの実装方法を工程順に示している。まず、図２
（ａ）に示すように、基板１の上面にボンド塗布器５に
よりボンド４を塗布する。このボンド４は熱硬化性樹脂
であり、好ましくはフィラーが混入される。
【００１４】次に、図２（ｂ）に示すように、バンプ付
きワーク６を基板１に搭載する。バンプ付きワーク６の
下面にはバンプ７が突設されている。バンプ付きワーク
６は圧着ツール８の下面に真空吸着して保持されてお
り、バンプ７をボンド４にめり込ませて半田部３に着地
させ、基板１に搭載される。そしてバンプ付きワーク６
は圧着ツール８により基板１に押し付けられ（矢印
Ａ）、その押圧力によりバンプ７の下端部は半田部３に
めり込む。なお半田部３は鉛とすずなどの柔かい合金で
あり、またバンプ７は金などの半田部３との接着性のよ
い導電性金属により形成されている。
きワーク６を基板１に搭載する。バンプ付きワーク６の
下面にはバンプ７が突設されている。バンプ付きワーク
６は圧着ツール８の下面に真空吸着して保持されてお
り、バンプ７をボンド４にめり込ませて半田部３に着地
させ、基板１に搭載される。そしてバンプ付きワーク６
は圧着ツール８により基板１に押し付けられ（矢印
Ａ）、その押圧力によりバンプ７の下端部は半田部３に
めり込む。なお半田部３は鉛とすずなどの柔かい合金で
あり、またバンプ７は金などの半田部３との接着性のよ
い導電性金属により形成されている。
【００１５】バンプ７を半田部３に押し付けてめり込ま
せる際には、圧着ツール８に高周波振動を付与し、圧着
ツール８を横方向に超音波振動させる（矢印Ｂ）。する
とバンプ７と半田部３の接合部には金属間接合が進行
し、バンプ７は半田部３に接着される。この接着力は比
較的小さなものであり、したがってこの接着のことを本
発明では仮接着と称する。このように超音波振動させな
がらバンプ付きワーク６を基板１に押し付けると、この
超音波振動によりボンド４も振動してボンド４はバンプ
付きワーク６の下面全面に十分に廻り込み、またボンド
４中の気泡も追い出される。
せる際には、圧着ツール８に高周波振動を付与し、圧着
ツール８を横方向に超音波振動させる（矢印Ｂ）。する
とバンプ７と半田部３の接合部には金属間接合が進行
し、バンプ７は半田部３に接着される。この接着力は比
較的小さなものであり、したがってこの接着のことを本
発明では仮接着と称する。このように超音波振動させな
がらバンプ付きワーク６を基板１に押し付けると、この
超音波振動によりボンド４も振動してボンド４はバンプ
付きワーク６の下面全面に十分に廻り込み、またボンド
４中の気泡も追い出される。
【００１６】次にバンプ付きワーク６が搭載された基板
１を加熱炉へ送り、ボンド４を加熱して硬化させれば、
バンプ付きワーク６は基板１にしっかり本接着され、実
装は終了する（図２（ｃ））。この場合、基板１の表面
は前処理でプラズマエッチングして活性化されているの
で、ボンド４は基板１に強固に接着する。
１を加熱炉へ送り、ボンド４を加熱して硬化させれば、
バンプ付きワーク６は基板１にしっかり本接着され、実
装は終了する（図２（ｃ））。この場合、基板１の表面
は前処理でプラズマエッチングして活性化されているの
で、ボンド４は基板１に強固に接着する。
【００１７】図３は、本発明の他の実施の形態のバンプ
付きワークの実装工程図である。図３（ａ）において、
ボンド塗布器５により基板１の上面にボンド４を塗布す
る。この基板１の電極２には、半田部は形成されていな
い。この電極２としては、バンプ７と同じ材質の金、も
しくは表面が金メッキされたものが金属間接合を得やす
く好適である。またこの基板１も、好ましくは、図１に
示す前処理によりプラズマエッチングを行い、これによ
り基板１の表面を活性化させるとともに、電極２の表面
をクリーニングしておく。
付きワークの実装工程図である。図３（ａ）において、
ボンド塗布器５により基板１の上面にボンド４を塗布す
る。この基板１の電極２には、半田部は形成されていな
い。この電極２としては、バンプ７と同じ材質の金、も
しくは表面が金メッキされたものが金属間接合を得やす
く好適である。またこの基板１も、好ましくは、図１に
示す前処理によりプラズマエッチングを行い、これによ
り基板１の表面を活性化させるとともに、電極２の表面
をクリーニングしておく。
【００１８】次に圧着ツール８でバンプ付きワーク６を
真空吸着して保持し、バンプ（金バンプ）７をボンド４
にめり込ませて電極２に着地させ（図３（ｂ））、バン
プ付きワーク６を基板１に押し付けながら（矢印Ａ）、
超音波振動を付与する（矢印Ｂ）。するとバンプ７の下
面は電極２にこすりつけられて若干扁平となり、金属間
接合によりバンプ７は電極２に仮接着される（図３
（ｃ））。この場合、上記前処理により電極２をプラズ
マクリーニングすることにより、その表面の酸化膜もし
くは有機物は除去されるので、バンプ７はよりしっかり
電極２に接着される。このように超音波振動させながら
バンプ付きワーク６を基板１に押し付けると、この超音
波振動によりボンド４も振動してボンド４はバンプ付き
ワーク６の下面前面に十分に廻り込み、またボンド４中
の気泡も追い出される。
真空吸着して保持し、バンプ（金バンプ）７をボンド４
にめり込ませて電極２に着地させ（図３（ｂ））、バン
プ付きワーク６を基板１に押し付けながら（矢印Ａ）、
超音波振動を付与する（矢印Ｂ）。するとバンプ７の下
面は電極２にこすりつけられて若干扁平となり、金属間
接合によりバンプ７は電極２に仮接着される（図３
（ｃ））。この場合、上記前処理により電極２をプラズ
マクリーニングすることにより、その表面の酸化膜もし
くは有機物は除去されるので、バンプ７はよりしっかり
電極２に接着される。このように超音波振動させながら
バンプ付きワーク６を基板１に押し付けると、この超音
波振動によりボンド４も振動してボンド４はバンプ付き
ワーク６の下面前面に十分に廻り込み、またボンド４中
の気泡も追い出される。
【００１９】次にバンプ付きワーク６が搭載された基板
１を加熱炉へ送り、ボンド４を加熱して硬化させれば、
バンプ付きワーク６は基板１にしっかり本接着され、実
装は終了する（図３（ｄ））。
１を加熱炉へ送り、ボンド４を加熱して硬化させれば、
バンプ付きワーク６は基板１にしっかり本接着され、実
装は終了する（図３（ｄ））。
【００２０】
【発明の効果】本発明は、バンプ付きワークを基板に搭
載する前に、基板にボンドを塗布するので、従来方法の
ように空隙を生じにくく、信頼性の高い実装が可能とな
る。またバンプは高周波振動により半田部や電極に仮接
着されるので、従来方法のように電極上の半田部を加熱
して溶融固化させる必要がなく、それだけタクトタイム
を短縮して生産性を上げることができる。
載する前に、基板にボンドを塗布するので、従来方法の
ように空隙を生じにくく、信頼性の高い実装が可能とな
る。またバンプは高周波振動により半田部や電極に仮接
着されるので、従来方法のように電極上の半田部を加熱
して溶融固化させる必要がなく、それだけタクトタイム
を短縮して生産性を上げることができる。
【００２１】また基板の上面にボンドを塗布するのに先
立って、基板の上面をプラズマエッチングすることによ
り、基板の表面を活性化させ、ボンドの基板に対する接
着力を大巾に増大させ、バンプ付きワークを基板により
しっかり実装することができる。またプラズマエッチン
グにより電極表面の酸化膜を除去し、バンプをよりしっ
かり接着することができる。
立って、基板の上面をプラズマエッチングすることによ
り、基板の表面を活性化させ、ボンドの基板に対する接
着力を大巾に増大させ、バンプ付きワークを基板により
しっかり実装することができる。またプラズマエッチン
グにより電極表面の酸化膜を除去し、バンプをよりしっ
かり接着することができる。
【図１】本発明の一実施の形態の基板の前処理工程図
【図２】本発明の一実施の形態のバンプ付きワークの実
装工程図
装工程図
【図３】本発明の他の実施の形態のバンプ付きワークの
実装工程図
実装工程図
１ 基板 ２ 電極 ３ 半田部 ４ ボンド ６ バンプ付きワーク ７ バンプ ８ 圧着ツール
Claims (3)
- 【請求項１】基板の上面にボンドを塗布する工程と、バ
ンプ付きワークのバンプを前記基板の電極上の半田部に
着地させ、高周波振動を付与することによりバンプの下
端部を半田部にめり込ませて仮接着する工程と、ボンド
を加熱することにより硬化させてバンプ付きワークを基
板に本接着する工程と、を含むことを特徴とするバンプ
付きワークの実装方法。 - 【請求項２】基板の上面にボンドを塗布する工程と、バ
ンプ付きワークのバンプを前記基板の電極に着地させ、
高周波振動を付与することによりバンプを電極に仮接着
する工程と、ボンドを加熱することにより硬化させてバ
ンプ付きワークを基板に本接着する工程と、を含むこと
を特徴とするバンプ付きワークの実装方法。 - 【請求項３】基板の上面にボンドを塗布するのに先立っ
て、基板の上面をプラズマエッチングすることを特徴と
する請求項１または２記載のバンプ付きワークの実装方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18202497A JP3376861B2 (ja) | 1997-07-08 | 1997-07-08 | バンプ付きワークの実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18202497A JP3376861B2 (ja) | 1997-07-08 | 1997-07-08 | バンプ付きワークの実装方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002269550A Division JP3726795B2 (ja) | 2002-09-17 | 2002-09-17 | バンプ付きワークの実装方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1126511A true JPH1126511A (ja) | 1999-01-29 |
| JP3376861B2 JP3376861B2 (ja) | 2003-02-10 |
Family
ID=16111015
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18202497A Expired - Lifetime JP3376861B2 (ja) | 1997-07-08 | 1997-07-08 | バンプ付きワークの実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3376861B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001078131A1 (en) * | 2000-04-06 | 2001-10-18 | Cintech Ad Venture Pte Ltd | Process and assembly for applying an adhesive to a substrate |
| WO2002015654A1 (fr) * | 2000-08-04 | 2002-02-21 | Toray Engineering Co., Ltd. | Procede de fixation et dispositif de fixation |
| WO2003001858A1 (en) * | 2001-06-20 | 2003-01-03 | Toray Engineering Co., Ltd. | Method and device for installation |
| JP2003023025A (ja) * | 2001-07-10 | 2003-01-24 | Fujitsu Ltd | 電気的相互接続方法 |
| JP2003209138A (ja) * | 2002-01-11 | 2003-07-25 | Sony Chem Corp | 半導体装置の製造方法及びエアー圧送式ディスペンサー |
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