JP2003209138A - 半導体装置の製造方法及びエアー圧送式ディスペンサー - Google Patents

半導体装置の製造方法及びエアー圧送式ディスペンサー

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 熱硬化性接着剤を介して回路基板に半導体チ
ップが接続された構造を有する半導体装置を製造する際
に、硬化後の熱硬化性接着剤層中に気泡が含まれないよ
うにすると共に、熱硬化性接着剤層の表面にゴミや異物
の付着を極力防止して、良好な接続信頼性を得られるよ
うにする。 【解決手段】 熱硬化性接着剤を介して回路基板に半導
体チップが接続された構造を有する半導体装置は、回路
基板上に熱硬化性接着剤層を形成し、熱硬化性接着剤層
に対して半導体チップを押圧して仮圧着し、続いて半導
体チップに対する押圧を開放した状態で硬化性接着剤層
をその反応率が３０〜５０％となるように加熱により予
備硬化させ、そして半導体チップを押圧しながら熱硬化
性接着剤層をその反応率が５０％を超えるように加熱に
より本硬化させて半導体チップを回路基板に接続するこ
とにより製造される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、熱硬化性接着剤を
介して回路基板に半導体チップが接続された構造を有す
る半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造における、回路基板に
半導体チップを実装する方法として、熱硬化性接着剤を
用いたフリップチップ方式が広く用いられている。この
実装方法では、通常、回路基板の所定の位置に、熱硬化
性接着剤として異方導電性フィルム（ＡＣＦ）、絶縁性
フィルム（ＮＣＦ）、異方導電性ペースト（ＡＣＰ）又
は絶縁性ペースト（ＮＣＰ）等を貼付又は塗布し、次い
で、回路基板のパッド電極に対し、半導体チップ（ベア
チップ）のバンプをアラインメントして仮圧着し、その
後に加熱加圧して熱硬化性接着剤を硬化させて本熱圧着
することにより、半導体チップを回路基板に接続してい
る。なお、一般に、この実装方法においては、半導体チ
ップのアライメント操作、仮圧着操作、本圧着操作は、
いずれも同一の加熱加圧ヘッドを用いて行われている。
【０００３】しかし、熱硬化性接着剤を用いた半導体チ
ップの実装方法では、半導体チップ実装後の硬化した熱
硬化性接着剤中に気泡が混入している場合があり、その
場合には、その後のリフロー処理、ヒートショック、高
温高湿エージング試験時に熱硬化性樹脂が気泡の存在部
位から剥離し、導通不良が生じやすくなるという問題が
ある。気泡の混入原因としては、熱硬化性接着剤に含ま
れている揮発性成分の揮発や、熱硬化性接着剤の塗布時
における空気の巻き込み、回路基板中に含まれている水
分の揮発等が挙げられるが、中でも、熱硬化性接着剤の
塗布時の空気の巻き込みの影響が大きい。特に、熱硬化
性接着剤としてＡＣＰやＮＣＰ等の液状接着剤を使用す
る場合には、その粘度が低いために一旦巻き込まれた空
気が押し出されにくいので、熱硬化性接着剤中に気泡が
残りやすい。
【０００４】熱硬化性接着剤中の気泡を除去する方法と
しては、加熱加圧処理を２段階で行う、あるいは加熱速
度を遅くする等の加熱加圧条件のプロファイル制御が検
討されているが、十分な効果が得られるには至っていな
い。特に、タクトタイムが短縮できないという問題もあ
る。
【０００５】そこで、半導体チップの仮圧着操作及び本
圧着操作を、それぞれ別の加熱加圧ヘッドで行うことに
よりタクトタイムを短縮すると共に、接着剤中への気泡
の混入を防止するために、半導体チップを回路基板にア
ラインメントする前に、予め熱硬化性接着剤をその反応
率が１〜２０％となるように予備加熱しておき、その予
備加熱後に回路基板に対して半導体チップをアライメン
トして仮圧着し、その後に本熱圧着することが提案され
ている（特開２００１−６８５０８号公報）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、半導体
チップを回路基板にアラインメントする前に、予め熱硬
化性接着剤をその反応率が１〜２０％となるように予備
加熱した場合、予備加熱環境下で、熱硬化性接着剤の表
面が半導体チップで覆われずに露出しているので、予備
加熱中にゴミや異物が表面に付着する可能性が増大し、
付着した場合には、本圧着後に導通不良や絶縁不良が生
じやすく、接続信頼性が低下することが懸念される。
【０００７】本発明は、熱硬化性接着剤を用いて回路基
板に半導体チップが接続された構造を有する半導体装置
を製造する際に、硬化後の熱硬化性接着剤層中に気泡が
含まれないようにすると共に、熱硬化性接着剤層の表面
にゴミや異物の付着を極力防止して、良好な接続信頼性
を得られるようにすることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者は、熱硬化性接
着剤を回路基板に貼付あるいは塗布し、半導体チップを
回路基板に仮圧着した後、半導体チップへの押圧を開放
した状態で所定の範囲内の反応率となるまで加熱により
予備硬化させ、その後で半導体チップを押圧しながら加
熱して本硬化させることにより、上述の目的を達成でき
ることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【０００９】即ち、本発明は、熱硬化性接着剤を介して
回路基板に半導体チップが接続された構造を有する半導
体装置の製造方法において、以下の工程（ａ）〜
（ｄ）： （ａ）回路基板上に熱硬化性接着剤層を形成する工程； （ｂ）該熱硬化性接着剤層に対して半導体チップを押圧
することにより仮圧着する工程； （ｃ）半導体チップに対する押圧を開放し、該熱硬化性
接着剤層をその反応率が３０〜５０％となるように加熱
により予備硬化させる工程； 及び （ｄ）半導体チップを押圧しながら、該熱硬化性接着剤
層をその反応率が５０％を超えるように加熱により本硬
化させ、半導体チップを回路基板に接続する工程を有す
ることを特徴とする製造方法を提供する。
【００１０】また、本発明は、熱硬化性接着剤が充填さ
れるシリンジの先端に吐出ノズルを備えた構造のエアー
圧送式ディスペンサーであって、該シリンジの温度を制
御するための温度制御装置を備えているエアー圧送式デ
ィスペンサーを提供する。このエアー圧送式ディスペン
サーは、上述の半導体装置の製造方法における工程
（ａ）の熱硬化性接着剤層の形成工程に好ましく適用で
きる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、工程（ａ）〜（ｄ）を有す
る本発明の半導体の製造方法について、図１を参照しつ
つ工程毎に詳細に説明する。なお、各図中、同一符号は
同一又は同等の構成要素を表している。
【００１２】工程（ａ） まず、支持基板１上に配線パターン（図示せず）の接続
端子２が形成された回路基板３上に、熱硬化性接着剤層
４を形成する（図１（ａ））。
【００１３】熱硬化性接着剤層４は、半導体チップの実
装のために従来より使用されている種々の熱硬化性の絶
縁性接着剤、導電性接着剤、あるいは異方導電性接着剤
等から形成することができるが、作業環境や設備の点か
ら、溶剤を含有しない樹脂を使用することが好ましい。
【００１４】熱硬化性樹脂の例としては、ビスフェノー
ルＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹
脂、テトラブロモビスフェノールＡ型エポキシ樹脂等の
一般的なエポキシ樹脂と、マイクロカプセル封入アミ
ン、ＢＦ３・アミン錯体、アミンイミド化合物、ジシア
ンジアミド、ジカルボン酸ジヒドラジドイミダゾール系
等の潜在性硬化剤、さらに必要に応じて適宜配合する硬
化促進剤、難燃剤、充填剤等からなるものを挙げること
ができる。
【００１５】熱硬化性接着剤層４の形成方法には特に制
限はなく、例えばＡＣＦ、ＮＣＦ等の貼付、ＡＣＰ、Ｎ
ＣＰ等の塗布により形成できる。本発明においては、低
粘度の熱硬化性接着剤を塗布することにより、塗布時に
熱硬化性接着剤に気泡が巻き込まれても、後述する工程
（ｄ）の本硬化工程の加熱加圧により熱硬化性接着剤層
４中の気泡を排除できる。従って、熱硬化性接着剤層４
の形成には粘度（２５℃）が１００万ｍＰａ・ｓ以下、
好ましくは１０万〜５０万ｍＰａ・ｓの任意の粘度のＡ
ＣＰ、ＮＣＰ等も使用することができる。この場合、図
２（ａ）に示す、熱硬化性接着剤２１が充填されるステ
ンレス等からなるシリンジ２２の先端に、ニードルノズ
ル等の吐出ノズル２３を備えた構造のエアー圧送式ディ
スペンサー２４を使用することができる。
【００１６】なお、このようなエアー圧送式ディスペン
サー２４を連続使用すると、シリンジ２２内の空気の圧
縮膨張により熱硬化性接着剤２１の温度が変化し、吐出
量が不安定になるという問題がある。また、熱硬化性接
着剤２１には、本硬化後のフィレット形状を改善し且つ
硬化後の熱硬化性接着剤の耐衝撃性を改善する目的でシ
リカなどの無機フィラーを数十％まで添加することがし
ばしば行われているが、その場合には、吐出ノズル２３
であるニードルノズルに目詰まりが発生するという問題
がある。
【００１７】そこで、本発明においては、エアー圧送式
ディスペンサーとして、該シリンジの温度を制御するた
めの温度制御装置を備えているものを使用することが好
ましい。そのような温度制御装置としては、公知の温度
制御手段を採用することができる。例えば、図２（ｂ）
に示すような温調ジャケット２５をシリンジ２２の周囲
に設け、シリンジ２２とジャケット２５との間に、水な
どの加熱媒体又は冷却媒体ｗを通液するものなどが挙げ
られる。
【００１８】また、ノズルの目詰まりを抑制するため
に、図２（ｂ）に示すような、先端に向かって径が小さ
くなるテーパー形状の吐出ノズル２３を使用することが
好ましい。
【００１９】工程（ｂ） 次に、熱硬化性接着剤層４に対して半導体チップ５を、
通常の加熱加圧ヘッド（図示せず）で押圧することによ
り仮圧着する（図１（ｂ））。この工程に要する時間
は、通常１０秒以内である。また、半導体チップ５とし
ては、通常、回路基板３の接続端子２に対向する部分に
バンプが形成されているものを好ましく使用することが
できる。
【００２０】本工程において、加熱加圧ヘッドから半導
体チップ５を加熱しないことが好ましい。また、回路基
板３は、加熱が可能なスーテジ上に必要に応じてバキュ
ームチャック等により仮固定しておくことが好ましい。
ここで、ステージを加熱しておく必要はないが、タクト
タイムを短縮するために、後述する工程（ｃ）の予備硬
化工程におけるステージ温度と略同一温度に加熱してお
いてもよい。
【００２１】また、押圧の大きさとしては、熱硬化性接
着剤層４を構成する接着剤の組成等に応じて適宜設定す
ることができる。例えば、０．１〜１Ｎ／ｂｕｍｐとい
う押圧を例示することができる。
【００２２】工程（ｃ） 次に、半導体チップ５に対する押圧を開放し、熱硬化性
接着剤層４をその反応率が３０〜５０％となるように加
熱により予備硬化させる（図１（ｃ））。従って、予備
硬化に先立って、半導体チップ５で熱硬化性接着剤層４
の接続部位が覆われるので、熱硬化性接着剤層４の表面
にゴミや異物が付着することを大きく抑制することがで
きる。
【００２３】ここで、半導体チップ５に対して「押圧を
開放して」予備加熱できるので、専用の治具や設備が必
要なく、生産性が優れたものとなる。
【００２４】また、熱硬化性接着剤層４を「その反応率
が３０〜５０％となるように」予備硬化させる理由は、
反応率が３０％未満であると、後述する工程（ｄ）の本
硬化の際に熱硬化性接着剤層４中にボイドが残り易く、
エージングテストの際の導通特性が大きく悪化する傾向
があり、一方、反応率が５０％を超えると、半導体チッ
プを押し込み難くなり、良好な本硬化が困難になるため
である。
【００２５】熱硬化性接着剤層４の反応率は、ＤＳＣ
（示差走査熱量計）による反応熱量の測定から、次のよ
うに算出される。
【００２６】
【数１】Ｒ（％）＝（１−Ｂ／Ａ）×１００
【００２７】（式中、Ｒ：ＤＳＣ反応率 Ａ：予備加熱前の試料の発熱量 Ｂ：予備加熱後の試料の発熱量）
【００２８】予備硬化の方法としては、加熱オーブンに
投入する方法や回路基板が載置されたステージ自体を加
熱する方法等を挙げることができる。
【００２９】予備硬化条件としては、熱硬化性接着剤層
４の反応率が３０〜５０％となるような条件であり、熱
硬化性接着剤層４を構成する接着剤の組成等に応じて加
熱温度や加熱時間等の条件を適宜設定することができ
る。例えば、熱硬化性接着剤がエポキシ樹脂と潜在性硬
化剤とからなる場合には、７０〜９０℃で５〜１５分の
加熱という条件を例示できる。
【００３０】工程（ｄ） 次に、通常の加熱加圧ヘッド（図示せず）で半導体チッ
プ５を押圧しながら、熱硬化性接着剤層４をその反応率
が５０％を超えるように加熱により本硬化させる（図１
（ｄ））。これにより、半導体チップ５が回路基板３に
接続された構造の半導体装置が得られる。
【００３１】本硬化は、通常の加熱加圧ヘッドにより、
半導体チップ５を、例えば、０．１〜１Ｎ／ｂｕｍｐと
いう押圧の下、１９０〜２３０℃で５〜１０秒間加熱加
圧することにより行うことができる。この場合、回路基
板３が載置されているステージを必要に応じて加熱して
もよい。
【００３２】本発明は、図１に示したように、回路基板
３の接続端子２を含む接続部位全面に熱硬化性接着剤層
４を形成し、その上から半導体チップ５のバンプをアラ
イメントする場合の他に、バンプが形成された回路基板
上に熱硬化性接着剤層を形成し、その上からバンプレス
半導体チップの接続バッドをアライメントする場合や、
半導体チップと回路基板との接続をバンプレスにて異方
性導電接着剤を用いて接続する場合等にも適用すること
ができる。
【００３３】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説
明する。
【００３４】実施例１〜４及び比較例１〜１１ 熱硬化性接着剤として表１の成分を均一に混合したＮＣ
Ｐを調製した。得られたＮＣＰの初期粘度（８０℃）は
４５０ｍＰａ・ｓであった。
【００３５】
【表１】 （ＮＣＰ成分） 成分 重量部 潜在性硬化剤（ＨＸ−３７４８、旭化成エポキシ社製） ５０ヒ゛スフェノール A型液状エホ゜キシ樹脂(EP-828、シ゛ャハ゜ンエホ゜キシレシ゛ン社製) ５０超微粒子シリカ(アエロシ゛ルRY200、日本アエロシ゛ル社製) ３
【００３６】得られたＮＣＰを、内径０．３ｍｍのニー
ドルノズルを備え、１００〜５００ｋＰａの吐出圧で内
容物を吐出可能なエアー圧送式ディスペンサー（Σ−Ｍ
Ｘ９０００ＳＭ、武蔵エンジニアリング社製）の１０ｍ
ｌ容量のシリンジ（ＰＳＹ−１０Ｅ）に充填し、２層フ
レキシブル回路基板（ポリイミドベース２０μｍ、Ｃｕ
パターン１２μｍ、表面Ｎｉ−Ａｕメッキ）の接続端子
を含む接続部位に塗布した。
【００３７】次に、この２層フレキシブル回路基板を特
段に加熱されていないステージ又は８０℃に加熱された
ステージ上に仮固定し、その２層フレキシブル回路基板
に対し、ＩＣチップ（６ｍｍ□、０．４ｍｍ厚み、端子
ピッチ８５μｍ、Ａｕメッキバンプ（６０μｍ□、２０
μｍ高さ、２７２個））を、特段に加熱していない加圧
ヘッドでアラインメントし、０．３Ｎ／バンプの推力で
３秒間押圧することにより仮圧着した。
【００３８】次に、加圧ヘッドをＩＣチップから引き離
し、ＩＣチップが仮圧着されている２層フレキシブル回
路基板をオーブンに投入し、表２に示す予備硬化条件で
予備硬化した。予備硬化後のＮＣＰの反応率を、ＤＳＣ
の反応熱量から算出した。得られた結果を表２示す。
【００３９】次に、ステージの温度を１００℃とし、加
熱加圧ヘッドでＩＣチップを２３０℃で、０．６Ｎ／バ
ンプの推力で５秒間押圧することにより本硬化させ、半
導体装置を得た。
【００４０】評価 （１）気泡（ボイド）の有無 本硬化直後の半導体装置の熱硬化性接着剤層における気
泡の有無を、回路基板の裏面から光学顕微鏡により観察
した。気泡が全面にわたって観察されたものを×、部分
的に観察されたものを△、 観察されたなかったものを
○と評価した。結果を表２に示す。 （２）初期導通試験 本硬化直後の半導体装置のＩＣチップのチェーン抵抗を
測定し、導通が正常であったものを○、導通不良であっ
たものを×と評価した。結果を表２に示す。 （３）エージング後導通試験 半導体装置をＰＣＴ（１１０℃、８５％ＲＨ、１００時
間）によりエージングし、エージング後のチェーン抵抗
を測定し、導通が正常なものを○、導通不良が発生して
いたものを×と評価した。結果を表２に示す。
【００４１】
【表２】 仮圧着時 予備硬化 予備硬化後 気泡の 初期 エーシ゛ンク゛後ステーシ゛温度 条件 の反応率 有無 導通 の導通 比較例１ 加熱無 加熱無 0% × ○ × 比較例２ 加熱無 80℃, 2分 2.6% × ○ × 比較例３ 加熱無 80℃, 4分 4.2% × ○ × 比較例４ 加熱無 80℃, 6分 6.7% △ ○ ○ 比較例５ 加熱無 80℃, 8分 13.9% △ ○ ○ 比較例６ 加熱無 80℃,10分 19.1% △ ○ ○ 実施例１ 加熱無 80℃,12分 34.5% ○ ○ ○ 実施例２ 加熱無 80℃,14分 46.5% ○ ○ ○ 比較例７ 加熱無 80℃,16分 52.0% 本圧着不可 − − 比較例８ 80℃ 80℃, 6分 8.8% △ ○ ○ 比較例９ 80℃ 80℃, 8分 17.9% △ ○ ○ 比較例10 80℃ 80℃,10分 22.2% △ ○ ○ 実施例３ 80℃ 80℃,12分 36.8% ○ ○ ○ 実施例４ 80℃ 80℃,14分 47.9% ○ ○ ○比較例11 80℃ 80℃,12分 54.5% 本圧着不可 − −
【００４２】表２の実施例１−２、比較例１−７から分
かるように、ＩＣチップを仮圧着した後、熱硬化性接着
剤層に対して反応率が３０〜５０％となるように予備硬
化を行うと、本硬化後に硬化した熱硬化性接着剤層に気
泡が巻き込まれることがなく、しかも初期、エージング
後のそれぞれの導通特性が良好であった。また、実施例
３−４、比較例７−１１から分かるように、ＩＣチップ
を仮圧着する際のステージ温度を予備硬化温度と同じに
しておくと、同じ反応率を得るのに要する予備硬化時間
を短縮することができることがわかる。また、ＩＣチッ
プを仮圧着してから予備硬化するので、予備硬化の際に
熱硬化性接着剤表面にゴミや異物が付着する可能性を大
きく低減することができ、従って、初期並びにＰＣＴエ
ージング後の導通信頼性を低下させないことがわかる。
【００４３】実施例５ 本実施例では、実施例１で使用したエアー圧送式ディス
ペンサーに、図２（ｂ）に示した温調ジャケットを設置
した場合の温度制御効果並びに吐出ノズル形状の影響を
調べるための以下の実験例１〜１３を行った。なお、使
用した、熱硬化性接着剤としては、実施例１で使用した
熱硬化性接着剤のアエロジルＲＹ２００の使用量を３重
量部から、５重量部（接着剤Ａ）、２重量部（接着剤
Ｂ）、７重量部（接着剤Ｃ）、１重量部（接着剤Ｄ）又
は１０重量部（接着剤Ｅ）としたものを使用した。
【００４４】これらの接着剤をそれぞれ、テーパ型ノズ
ル又はニードル型ノズルを備えたエアー圧送式ディスペ
ンサーのシリンジに充填し、実施例１と同様に回路基板
上に表３に示すシリンジ温度で吐出させ、更に、ＩＣチ
ップの仮圧着、予備硬化、本硬化を行うことにより半導
体装置を作製した。
【００４５】（評価） （ａ）シリンジ内熱硬化性接着剤の粘度 シリンジ温度における接着剤の粘度（ｍＰａ・ｓ）を回
転温度計（回転数２．５ｒ／ｍｉｎ）で測定した。得ら
れた結果を表３に示す。 （ｂ）エアー圧送式ディスペンサーの吐出安定性 エアー圧送式ディスペンサーから、熱硬化性接着剤の１
０００ショット吐出を行ったときの吐出量のバラツキを
評価した。ここで、バラツキが１０％未満の場合を○、
１０％以上の場合を×と評価した。得られた結果を表３
に示す。 （ｃ）圧着品外観 実施例１と同様に仮圧着、予備硬化、本硬化を行うこと
により得られた半導体装置の本硬化後のチップ周辺のフ
ィレット形状を目視にて評価した。フィレット形状が良
好な場合を○、不良な場合を×と評価した。得られた結
果を表３に示す。 （ｄ）接続信頼性 得られた半導体装置をＰＣＴ（１２０℃、１００％Ｒ
Ｈ、５０時間）によりエージングし、エージング後の接
続抵抗評価を行った。ＯＰＥＮ発生がない場合を○、Ｏ
ＰＥＮ発生がある場合を×と評価した。得られた結果を
表３に示す。
【００４６】
【表３】 シリンジ 接着剤 粘度 ノズル 吐出 圧着品 接続実験例 温度(℃) 種類 (mPa・s) 形状 安定性 外観 信頼性 １ 25 Ａ 46万 テーパ ○ ○ ○ ２ 30 Ａ 35万 テーパ ○ ○ ○ ３ 35 Ａ 29万 テーパ ○ ○ ○ ４ 40 Ａ 25万 テーパ ○ ○ ○ ５ 50 Ａ 18万 テーパ ○ ○ ○ ６ 温調無 Ａ 25→46万 テーパ × × × ７ 20 Ａ 53万 テーパ × × × ８ 60 Ａ 8→56万 テーパ 吐出不可 − − ９ 35 Ａ 29万 ニードル × × × １０ 35 Ｂ 12万 テーパ ○ ○ ○ １１ 35 Ｃ 45万 テーパ ○ ○ ○ １２ 35 Ｄ 7万 テーパ ○ × ×１３ 35 Ｅ 60万 テーパ × × ×
【００４７】表３の結果から、エアー圧送式ディスペン
サーに温調ジャケットを設置し、シリンジ温度を２５〜
５０℃に設定することにより、熱硬化性接着剤を安定的
に吐出させ得ることが分かる。
【００４８】
【発明の効果】本発明によれば、熱硬化性接着剤を介し
て回路基板に半導体チップが接続された構造を有する半
導体装置を製造する際に、硬化後の熱硬化性接着剤層中
に気泡が含まれないようにすると共に、熱硬化性接着剤
層の表面にゴミや異物の付着を極力防止して、良好な接
続信頼性を得られるようにすることを目的とする。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の半導体装置の製造方法の工程説明図
である。
【図２】 エアー圧送式ディスペンサーの概略断面図で
ある。
【符号の説明】
１ 支持基板、２ 接続端子、３ 回路基板、４ 熱硬
化性接着剤層、５ 半導体チップ、２１ 熱硬化性接着
剤、２２ シリンジ、２３ 吐出ノズル、２４エアー圧
送式ディスペンサー、２５ 温調ジャケット

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 熱硬化性接着剤を介して回路基板に半導
    体チップが接続された構造を有する半導体装置の製造方
    法において、以下の工程（ａ）〜（ｄ）： （ａ）回路基板上に熱硬化性接着剤層を形成する工程； （ｂ）該熱硬化性接着剤層に対して半導体チップを押圧
    することにより仮圧着する工程； （ｃ）半導体チップに対する押圧を開放し、該熱硬化性
    接着剤層をその反応率が３０〜５０％となるように加熱
    により予備硬化させる工程； 及び （ｄ）半導体チップを押圧しながら、該熱硬化性接着剤
    層をその反応率が５０％を超えるように加熱により本硬
    化させ、半導体チップを回路基板に接続する工程を有す
    ることを特徴とする製造方法。
  2. 【請求項２】 熱硬化性接着剤が、エポキシ樹脂と潜在
    性硬化剤とからなる請求項１記載の製造方法。
  3. 【請求項３】 工程（ａ）において、熱硬化性接着剤
    を、シリンジの先端に吐出ノズルを備えた構造のエアー
    圧送式ディスペンサーの当該シリンジに充填し、該ディ
    スペンサーから熱硬化性接着剤を回路基板上に塗工する
    ことにより該熱硬化性接着剤層が形成される請求項１記
    載の製造方法。
  4. 【請求項４】 該シリンジが所定の温度に制御されてい
    る請求項３記載の製造方法。
  5. 【請求項５】 熱硬化性接着剤が充填されるシリンジの
    先端に吐出ノズルを備えた構造のエアー圧送式ディスペ
    ンサーであって、該シリンジの温度を制御するための温
    度制御装置を備えているエアー圧送式ディスペンサー。
  6. 【請求項６】 該吐出ノズルの形状が先端に向かって径
    が小さくなるテーパ形状である請求項５記載のエアー圧
    送式ディスペンサー。
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