JP2001093939A - 接続方法 - Google Patents
接続方法Info
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- JP2001093939A JP2001093939A JP26631199A JP26631199A JP2001093939A JP 2001093939 A JP2001093939 A JP 2001093939A JP 26631199 A JP26631199 A JP 26631199A JP 26631199 A JP26631199 A JP 26631199A JP 2001093939 A JP2001093939 A JP 2001093939A
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- connection
- epoxy
- semiconductor chip
- curing
- circuit board
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体チップと回路基板を接着剤で接続する
場合に、リペアを可能とし、かつ接続信頼性も向上させ
る。 【解決手段】 エポキシ系接続材料を用いて半導体チッ
プを回路基板に接続する方法が、(a)半導体チップの電
極を回路基板の配線パターンと相対峙させ、エポキシ系
接続材料におけるエポキシ樹脂の反応率が２０〜７０％
となるようにエポキシ系接続材料を硬化させる第１の硬
化工程、(b)半導体チップの電気的接続の良否を試験す
る接続試験工程、及び(c)接続試験工程において電気的
接続が良好であった半導体チップについて、エポキシ系
接続材料を更に硬化させる第２の硬化工程、からなる。
場合に、リペアを可能とし、かつ接続信頼性も向上させ
る。 【解決手段】 エポキシ系接続材料を用いて半導体チッ
プを回路基板に接続する方法が、(a)半導体チップの電
極を回路基板の配線パターンと相対峙させ、エポキシ系
接続材料におけるエポキシ樹脂の反応率が２０〜７０％
となるようにエポキシ系接続材料を硬化させる第１の硬
化工程、(b)半導体チップの電気的接続の良否を試験す
る接続試験工程、及び(c)接続試験工程において電気的
接続が良好であった半導体チップについて、エポキシ系
接続材料を更に硬化させる第２の硬化工程、からなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＳＩ等の半導体
チップを接着剤で直接回路基板に実装する場合、特に、
マルチチップモジュール（ＭＣＭ）のように、多数の半
導体チップを回路基板にフリップチップ実装する場合に
有用な半導体チップの接続方法に関する。
チップを接着剤で直接回路基板に実装する場合、特に、
マルチチップモジュール（ＭＣＭ）のように、多数の半
導体チップを回路基板にフリップチップ実装する場合に
有用な半導体チップの接続方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】多数の半導体チップを回路基板に実装し
たＭＣＭにおいては、実装した半導体チップのうちに一
つでも不良品があるとＭＣＭ全体が不良品となり、製品
の歩留まりが著しく低下する。一方、半導体チップを回
路基板に実装する前に、個々の半導体チップの良否を予
め調べておくことは困難である。そのため、ＭＣＭの製
造に際しては、半導体チップを回路基板に実装した後、
半導体チップの良否を試験し、不良品と判明されたもの
はリペアするという作業が必要となっている。
たＭＣＭにおいては、実装した半導体チップのうちに一
つでも不良品があるとＭＣＭ全体が不良品となり、製品
の歩留まりが著しく低下する。一方、半導体チップを回
路基板に実装する前に、個々の半導体チップの良否を予
め調べておくことは困難である。そのため、ＭＣＭの製
造に際しては、半導体チップを回路基板に実装した後、
半導体チップの良否を試験し、不良品と判明されたもの
はリペアするという作業が必要となっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、接着剤
を用いて半導体チップを回路基板に接続する場合に、接
着剤として、接続後に十分な接続信頼性を有するものを
使用するとリペアをすることが困難となる。反対に、リ
ペアが可能な接着剤を使用すると、接続後に十分な接続
信頼性を得ることができない。
を用いて半導体チップを回路基板に接続する場合に、接
着剤として、接続後に十分な接続信頼性を有するものを
使用するとリペアをすることが困難となる。反対に、リ
ペアが可能な接着剤を使用すると、接続後に十分な接続
信頼性を得ることができない。
【０００４】本発明はこのような問題に対し、半導体チ
ップと回路基板を接着剤で接続する場合に、リペアを可
能とし、かつ十分な接続信頼性も得られるようにするこ
とを目的とする。
ップと回路基板を接着剤で接続する場合に、リペアを可
能とし、かつ十分な接続信頼性も得られるようにするこ
とを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者は、半導体チッ
プと回路基板を接着剤で接続する場合に、接着剤として
エポキシ系接続材料を使用し、かつその接続を、エポキ
シ反応率が特定の範囲の半硬化状態にする第１の硬化工
程と、接着剤の硬化を更にすすめる第２の硬化工程の２
段階で行うと、第１の硬化工程後に半導体チップの良否
を試験することができ、さらに必要時にはリペアも容易
にでき、また、第２の硬化工程では接着剤を完全硬化さ
せることができるので高い接続信頼性を得られることを
見出し、本発明を完成させた。
プと回路基板を接着剤で接続する場合に、接着剤として
エポキシ系接続材料を使用し、かつその接続を、エポキ
シ反応率が特定の範囲の半硬化状態にする第１の硬化工
程と、接着剤の硬化を更にすすめる第２の硬化工程の２
段階で行うと、第１の硬化工程後に半導体チップの良否
を試験することができ、さらに必要時にはリペアも容易
にでき、また、第２の硬化工程では接着剤を完全硬化さ
せることができるので高い接続信頼性を得られることを
見出し、本発明を完成させた。
【０００６】即ち、本発明は、エポキシ系接続材料を用
いて半導体チップを回路基板に接続する方法であって、
(a)半導体チップの電極を回路基板の配線パターンと相
対峙させ、エポキシ系接続材料におけるエポキシ樹脂の
反応率が２０〜７０％となるようにエポキシ系接続材料
を硬化させる第１の硬化工程、(b)半導体チップの電気
的接続の良否を試験する接続試験工程、及び(c)接続試
験工程において電気的接続が良好であった半導体チップ
について、エポキシ系接続材料を更に硬化させる第２の
硬化工程、からなることを特徴とする接続方法を提供す
る。
いて半導体チップを回路基板に接続する方法であって、
(a)半導体チップの電極を回路基板の配線パターンと相
対峙させ、エポキシ系接続材料におけるエポキシ樹脂の
反応率が２０〜７０％となるようにエポキシ系接続材料
を硬化させる第１の硬化工程、(b)半導体チップの電気
的接続の良否を試験する接続試験工程、及び(c)接続試
験工程において電気的接続が良好であった半導体チップ
について、エポキシ系接続材料を更に硬化させる第２の
硬化工程、からなることを特徴とする接続方法を提供す
る。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
【０００８】本発明においては、半導体チップと回路基
板との接続にエポキシ系接続材料を使用する。このエポ
キシ系接続材料としては、公知の熱硬化型接着剤の成膜
成分として用いられているものを好ましく使用すること
ができるが、第１の硬化工程後の接着剤の半硬化状態に
おいて導通検査を精確に行い、またリペア性を確実にす
るため、未硬化時のエポキシ系接続材料の有機物成分全
体に対するエポキシ当量が２００〜４５０ｇ／ｅｑであ
るものが好ましく、エポキシ当量が２５０〜４００ｇ／
ｅｑのものがより好ましい。
板との接続にエポキシ系接続材料を使用する。このエポ
キシ系接続材料としては、公知の熱硬化型接着剤の成膜
成分として用いられているものを好ましく使用すること
ができるが、第１の硬化工程後の接着剤の半硬化状態に
おいて導通検査を精確に行い、またリペア性を確実にす
るため、未硬化時のエポキシ系接続材料の有機物成分全
体に対するエポキシ当量が２００〜４５０ｇ／ｅｑであ
るものが好ましく、エポキシ当量が２５０〜４００ｇ／
ｅｑのものがより好ましい。
【０００９】エポキシ系接続材料のエポキシ当量を所望
の値に調整する方法としては、例えば、エポキシ当量が
上述の範囲より高いエポキシ樹脂と上述の範囲より低い
エポキシ樹脂、あるいは上述の範囲内のエポキシ樹脂を
適宜配合すればよい。
の値に調整する方法としては、例えば、エポキシ当量が
上述の範囲より高いエポキシ樹脂と上述の範囲より低い
エポキシ樹脂、あるいは上述の範囲内のエポキシ樹脂を
適宜配合すればよい。
【００１０】また、エポキシ系接続材料には、接着フィ
ルム等に配合されている公知の添加剤、例えば、イミダ
ゾール系、イソシアネート系等の硬化剤、エポキシシラ
ン化合物等のカップリング剤、エポキシ変性シリコーン
樹脂、あるいはフェノキシ樹脂等の熱硬化性又は熱可塑
性の絶縁性樹脂を適宜配合することができる。
ルム等に配合されている公知の添加剤、例えば、イミダ
ゾール系、イソシアネート系等の硬化剤、エポキシシラ
ン化合物等のカップリング剤、エポキシ変性シリコーン
樹脂、あるいはフェノキシ樹脂等の熱硬化性又は熱可塑
性の絶縁性樹脂を適宜配合することができる。
【００１１】さらに、本発明のエポキシ系接続材料には
導電粒子を含有させてもよい。これにより、半導体チッ
プと回路基板との異方導電性接続をすることが可能とな
る。ここで、導電粒子としては、公知の異方導電性接着
剤において用いられているもの（例えば、半田粒子、ニ
ッケル粒子等の金属粒子や、表面にメッキ被膜が形成さ
れた樹脂粒子等の複合粒子等）を配合することができ
る。また、この導電粒子の平均粒径は、１〜１０μｍと
することが好ましい。
導電粒子を含有させてもよい。これにより、半導体チッ
プと回路基板との異方導電性接続をすることが可能とな
る。ここで、導電粒子としては、公知の異方導電性接着
剤において用いられているもの（例えば、半田粒子、ニ
ッケル粒子等の金属粒子や、表面にメッキ被膜が形成さ
れた樹脂粒子等の複合粒子等）を配合することができ
る。また、この導電粒子の平均粒径は、１〜１０μｍと
することが好ましい。
【００１２】エポキシ系接続材料には、シリカ、アルミ
ナ、窒化アルミ、窒化ケイ素、炭酸カルシウム、水酸化
アルミニウム等からなる平均粒径０．１〜２０μｍ程度
の無機系フィラーを含有させてもよい。これにより、エ
ポキシ系接続材料を所定の硬化度合いにするために必要
な反応率を低くすることができ、また、接続信頼性を向
上させることができる。
ナ、窒化アルミ、窒化ケイ素、炭酸カルシウム、水酸化
アルミニウム等からなる平均粒径０．１〜２０μｍ程度
の無機系フィラーを含有させてもよい。これにより、エ
ポキシ系接続材料を所定の硬化度合いにするために必要
な反応率を低くすることができ、また、接続信頼性を向
上させることができる。
【００１３】本発明においては、上述のエポキシ系接続
材料を用いて半導体チップと回路基板とを接続するにあ
たり、(a)半導体チップの電極を回路基板の配線パター
ンと相対峙させ、エポキシ系接続材料におけるエポキシ
樹脂の反応率が２０〜７０％となるようにエポキシ系接
続材料を硬化させる第１の硬化工程、(b)半導体チップ
の電気的接続の良否を試験する接続試験工程、及び(c)
接続試験工程において電気的接続が良好であった半導体
チップについて、エポキシ系接続材料を更に硬化させる
第２の硬化工程、を順次行う。
材料を用いて半導体チップと回路基板とを接続するにあ
たり、(a)半導体チップの電極を回路基板の配線パター
ンと相対峙させ、エポキシ系接続材料におけるエポキシ
樹脂の反応率が２０〜７０％となるようにエポキシ系接
続材料を硬化させる第１の硬化工程、(b)半導体チップ
の電気的接続の良否を試験する接続試験工程、及び(c)
接続試験工程において電気的接続が良好であった半導体
チップについて、エポキシ系接続材料を更に硬化させる
第２の硬化工程、を順次行う。
【００１４】(a)の第１の硬化工程においてエポキシ樹
脂の反応率が低すぎると、次の接続試験工程において半
導体チップの電気的接続の良否を確実に試験することが
できず、反対に反応率が高すぎると、接続試験工程で不
良と判定された半導体チップを第２の硬化工程前にリペ
アすることが困難となる。
脂の反応率が低すぎると、次の接続試験工程において半
導体チップの電気的接続の良否を確実に試験することが
できず、反対に反応率が高すぎると、接続試験工程で不
良と判定された半導体チップを第２の硬化工程前にリペ
アすることが困難となる。
【００１５】第１の硬化工程において、エポキシ樹脂の
反応率が２０〜７０％となるようにエポキシ系接続材料
を硬化させる方法としては、例えば、加熱、加熱加圧、
ＵＶ照射、電子線照射等をあげることができる。
反応率が２０〜７０％となるようにエポキシ系接続材料
を硬化させる方法としては、例えば、加熱、加熱加圧、
ＵＶ照射、電子線照射等をあげることができる。
【００１６】エポキシ樹脂の反応率を確認する方法とし
ては、例えば、ＤＳＣ、ＦＴ−ＩＲ等をあげることがで
きる。
ては、例えば、ＤＳＣ、ＦＴ−ＩＲ等をあげることがで
きる。
【００１７】(b)の接続試験工程において、半導体チッ
プの電気的接続の良否を調べる試験方法そのものは公知
の方法を適用することができる。
プの電気的接続の良否を調べる試験方法そのものは公知
の方法を適用することができる。
【００１８】接続試験工程により不良と判定された半導
体チップはリペアし、良品と判定された半導体チップの
みを次の第２の接続工程で回路基板に強固に接続する。
リペアの具体的方法は、当該エポキシ系接続材料の構成
成分等にもよるが、例えば、温度２０〜１２０℃程度に
加熱しつつ半導体チップにシェアをかければよい。
体チップはリペアし、良品と判定された半導体チップの
みを次の第２の接続工程で回路基板に強固に接続する。
リペアの具体的方法は、当該エポキシ系接続材料の構成
成分等にもよるが、例えば、温度２０〜１２０℃程度に
加熱しつつ半導体チップにシェアをかければよい。
【００１９】(c)の第２の硬化工程では、エポキシ系接
続材料が完全硬化するように硬化を進めることが好まし
い。この場合の具体的手法としては、第１の硬化工程と
同様の手法を用いることができるが、例えば、加圧を伴
わず、加熱だけで硬化を進めると大量のバッチ処理を容
易に行うことができるので好ましい。一方、加熱加圧に
より硬化を進めるとより安定した接続抵抗値が得られる
ので好ましい。
続材料が完全硬化するように硬化を進めることが好まし
い。この場合の具体的手法としては、第１の硬化工程と
同様の手法を用いることができるが、例えば、加圧を伴
わず、加熱だけで硬化を進めると大量のバッチ処理を容
易に行うことができるので好ましい。一方、加熱加圧に
より硬化を進めるとより安定した接続抵抗値が得られる
ので好ましい。
【００２０】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説
明する。
明する。
【００２１】実施例１、２及び比較例１〜３ 表２の配合のフィルム状エポキシ系接続材料Ｂ（総エポ
キシ当量２１９）を調製した。なお、エポキシ当量は、
ＪＩＳ Ｋ ７２３６にのっとり実測により求めた。
キシ当量２１９）を調製した。なお、エポキシ当量は、
ＪＩＳ Ｋ ７２３６にのっとり実測により求めた。
【００２２】このフィルム状エポキシ系接続材料Ｂを、
回路基板（ＦＲ５、Line／Space＝１００／５０）に貼
り付け、この貼付面に半導体チップ（６ｍｍ□）を重
ね、第１の硬化工程又は第２の硬化工程の接続条件を表
１のように変えることにより半導体チップを回路基板に
接続した。なお、比較例１は、従来の一般的な接続条件
である。
回路基板（ＦＲ５、Line／Space＝１００／５０）に貼
り付け、この貼付面に半導体チップ（６ｍｍ□）を重
ね、第１の硬化工程又は第２の硬化工程の接続条件を表
１のように変えることにより半導体チップを回路基板に
接続した。なお、比較例１は、従来の一般的な接続条件
である。
【００２３】それぞれの条件で接続した後、(1)エポキ
シ系接続材料のエポキシ樹脂の反応率を求め、また、
(2)半導体チップの導通検査、(3)リペア性、(4)導通信
頼性、を次のように評価した。
シ系接続材料のエポキシ樹脂の反応率を求め、また、
(2)半導体チップの導通検査、(3)リペア性、(4)導通信
頼性、を次のように評価した。
【００２４】(1)エポキシ系接続材料のエポキシ樹脂の
反応率 エポキシ系接続材料の未反応時の発熱量（Ｘ）と、接続
工程を経て反応した後の発熱量（Ｙ）とをＤＳＣ（温度
範囲：５０〜２５０℃、昇温スピード：１０℃／ｍｉ
ｎ）で測定し、次式により反応率を求めた。
反応率 エポキシ系接続材料の未反応時の発熱量（Ｘ）と、接続
工程を経て反応した後の発熱量（Ｙ）とをＤＳＣ（温度
範囲：５０〜２５０℃、昇温スピード：１０℃／ｍｉ
ｎ）で測定し、次式により反応率を求めた。
【００２５】
【数１】反応率（％）＝［１−（Ｙ／Ｘ）］×１００
【００２６】(2)半導体チップの導通検査 全接続ポイントを内部配線によりつないだディジーチェ
ーン形テスト用回路基板を用いて圧着後の接続抵抗を検
査し、次の判定基準で評価した。 ○：抵抗が正常値を示す △：抵抗が高めの値を示す ×：抵抗がとれずＯＰＥＮ状態となる
ーン形テスト用回路基板を用いて圧着後の接続抵抗を検
査し、次の判定基準で評価した。 ○：抵抗が正常値を示す △：抵抗が高めの値を示す ×：抵抗がとれずＯＰＥＮ状態となる
【００２７】(3)リペア性 次の評価項目〜について、それぞれ以下の判定基準
で評価した。
で評価した。
【００２８】回路基板を８０℃に加熱し、Ｄａｇｅ社
２４００型 ダイシェア及びピール強度テスターで０．
１〜５０Ｋｇｆのシェアをかけた場合に、回路基板から
半導体チップを剥がすことができること ○：チップが剥がせる △：チップが割れるが剥がせる ×：チップを剥がすことができない
２４００型 ダイシェア及びピール強度テスターで０．
１〜５０Ｋｇｆのシェアをかけた場合に、回路基板から
半導体チップを剥がすことができること ○：チップが剥がせる △：チップが割れるが剥がせる ×：チップを剥がすことができない
【００２９】溶剤としてアセトンを用いた場合に、回
路基板からエポキシ系接続材料を除去できること ○：除去できる △：ほとんど除去できるが、少し残る ×：ほとんど除去できない
路基板からエポキシ系接続材料を除去できること ○：除去できる △：ほとんど除去できるが、少し残る ×：ほとんど除去できない
【００３０】回路基板に再度半導体チップを熱圧着
（２００℃、１０ｋｇ／ｃｍ2、１０秒）して実装した
後、(2)と同様に導通検査を行った場合に導通がとれる
こと ○：抵抗が正常値を示す △：抵抗が高めの状態を示す ×：抵抗がとれずＯＰＥＮ状態となる
（２００℃、１０ｋｇ／ｃｍ2、１０秒）して実装した
後、(2)と同様に導通検査を行った場合に導通がとれる
こと ○：抵抗が正常値を示す △：抵抗が高めの状態を示す ×：抵抗がとれずＯＰＥＮ状態となる
【００３１】(4)導通信頼性 耐湿試験としてＰＣＴ（１２１℃、２ａｔｍ、２００時
間）を行い、かつ熱衝撃試験としてヒートサイクル試験
（−５５℃、１５分と１２５℃、１５分との繰り返しを
１０００サイクル）を行った後、(2)と同様に導通検査
を行い、次の判定基準で評価した。 ○：ＰＣＴ２００時間、ヒートサイクル試験１０００サ
イクルの後に、サイクル抵抗の変化が１００％未満であ
るもの △：ＰＣＴ１００時間以上２００未満又はヒートサイク
ル試験５００以上１０００サイクル未満で抵抗変化が１
００％以上になるもの ×：ＰＣＴ１００時間未満又はヒートサイクル試験５０
０サイクル未満で抵抗変化が１００％以上になるもの
間）を行い、かつ熱衝撃試験としてヒートサイクル試験
（−５５℃、１５分と１２５℃、１５分との繰り返しを
１０００サイクル）を行った後、(2)と同様に導通検査
を行い、次の判定基準で評価した。 ○：ＰＣＴ２００時間、ヒートサイクル試験１０００サ
イクルの後に、サイクル抵抗の変化が１００％未満であ
るもの △：ＰＣＴ１００時間以上２００未満又はヒートサイク
ル試験５００以上１０００サイクル未満で抵抗変化が１
００％以上になるもの ×：ＰＣＴ１００時間未満又はヒートサイクル試験５０
０サイクル未満で抵抗変化が１００％以上になるもの
【００３２】結果を表１に示す。表１から、第１の硬化
工程後における反応率が本発明の範囲にある実施例１、
２においては、第１の硬化工程後に半導体チップを良好
にリペアすることができ、さらにその後の第２の硬化工
程により信頼性も向上しているが、硬化工程を１段階で
行う従来の接続方法（比較例１）によるとリペア性が劣
ることがわかる。また、硬化工程を１段階で行う場合に
おいてリペア性が得られる程度に反応率を低下させると
導通がとれず（比較例２）、反対に反応率を高めて導通
がとれるようにするとリペア性が劣ることがわかる（比
較例３）。
工程後における反応率が本発明の範囲にある実施例１、
２においては、第１の硬化工程後に半導体チップを良好
にリペアすることができ、さらにその後の第２の硬化工
程により信頼性も向上しているが、硬化工程を１段階で
行う従来の接続方法（比較例１）によるとリペア性が劣
ることがわかる。また、硬化工程を１段階で行う場合に
おいてリペア性が得られる程度に反応率を低下させると
導通がとれず（比較例２）、反対に反応率を高めて導通
がとれるようにするとリペア性が劣ることがわかる（比
較例３）。
【００３３】
【表１】 (1)反応率 (2)導通検査 (3)リヘ゜ア性 (4)信頼性 実施例１ 第1の硬化:150℃,10秒,10kg/cm2 30% ○ ○ ○ ○ 第2の硬化:220℃,10秒,10kg/cm2 90% − − − − ○実施例２ 第1の硬化:150℃,10秒,10kg/cm2 30% ○ ○ ○ ○ 第2の硬化:180℃,2分(オーフ゛ン硬化) 95% − − − − ○比較例１ 第1の硬化:200℃,20秒,10kg/cm2 90% ○ × × × ○比較例２ 第1の硬化:140℃,10秒,10kg/cm2 15% × ○ ○ ○ −比較例３ 第1の硬化:180℃,10秒,10kg/cm2 75% ○ △ △ × −
【００３４】
【表２】 （配合量：重量
部） 接続材料 配合成分 エホ゜キシ当量(g/eq) Ａ Ｂ Ｂ' Ｃ Ｄ フェノキシ 樹脂(*1) 0 ０ ２０ ２０ ０ ０エホ゜キシ 樹脂(*2) 141 ３０ ３０ ３０ ０ ０エホ゜キシ 樹脂(*3) 2900 ０ ０ ０ ４０ ５５エホ゜キシ 樹脂(*4) 110 ３０ １０ １０ ０ ０エホ゜キシ 樹脂(*5) 170 ３０ ２７ ２７ ４０ ３０ 硬化剤(*6) 0 １５ １３.5 １３.5 ２０ １５カッフ゜リンク゛ 剤(*7) 0 １ １ １ １ １ 導電粒子(*8) 0 ０ ０ ５ ０ ０ 総量 １０６ １０１.5 １０６.5 １０１ １０１ 総エホ゜キシ当量 １６０ ２１９ ２１９ ４０５ ５１７ (*1)フェノキシ樹脂：東都化成社、ＹＰ５０ (*2)エポキシ樹脂：大日本インキ化学工業社、ＨＰ４０３２Ｄ (*3)エポキシ樹脂：油化シェルエポキシ社、ＥＰ１００９ (*4)エポキシ樹脂：日本化薬社、ＧＯＴ (*5)エポキシ樹脂：東都化成社、ＹＤＦ１７０ (*6)イミダゾール系硬化剤：四国化成社、２Ｅ４ＭＺ (*7)シラン系カップリング剤：日本ユニカー社、Ａ１８７ (*8)導電粒子：日本化学工業社 ２０ＧＮＲ
部） 接続材料 配合成分 エホ゜キシ当量(g/eq) Ａ Ｂ Ｂ' Ｃ Ｄ フェノキシ 樹脂(*1) 0 ０ ２０ ２０ ０ ０エホ゜キシ 樹脂(*2) 141 ３０ ３０ ３０ ０ ０エホ゜キシ 樹脂(*3) 2900 ０ ０ ０ ４０ ５５エホ゜キシ 樹脂(*4) 110 ３０ １０ １０ ０ ０エホ゜キシ 樹脂(*5) 170 ３０ ２７ ２７ ４０ ３０ 硬化剤(*6) 0 １５ １３.5 １３.5 ２０ １５カッフ゜リンク゛ 剤(*7) 0 １ １ １ １ １ 導電粒子(*8) 0 ０ ０ ５ ０ ０ 総量 １０６ １０１.5 １０６.5 １０１ １０１ 総エホ゜キシ当量 １６０ ２１９ ２１９ ４０５ ５１７ (*1)フェノキシ樹脂：東都化成社、ＹＰ５０ (*2)エポキシ樹脂：大日本インキ化学工業社、ＨＰ４０３２Ｄ (*3)エポキシ樹脂：油化シェルエポキシ社、ＥＰ１００９ (*4)エポキシ樹脂：日本化薬社、ＧＯＴ (*5)エポキシ樹脂：東都化成社、ＹＤＦ１７０ (*6)イミダゾール系硬化剤：四国化成社、２Ｅ４ＭＺ (*7)シラン系カップリング剤：日本ユニカー社、Ａ１８７ (*8)導電粒子：日本化学工業社 ２０ＧＮＲ
【００３５】実施例３〜６ エポキシ系接続材料として、表２の接続材料Ａ、Ｃ、Ｄ
あるいは前述の接続材料Ｂに導電粒子を配合した接続材
料Ｂ' を調製し、その総エポキシ当量を求めた。
あるいは前述の接続材料Ｂに導電粒子を配合した接続材
料Ｂ' を調製し、その総エポキシ当量を求めた。
【００３６】これらの接続材料を用いて実施例１と同様
の接続条件で半導体チップを回路基板に接続し、第１の
硬化工程後の(1)反応率、(2)導通検査、(3)リペア性、
第２の硬化工程後の(4)導通信頼性を評価した。結果を
表３に示す。なお、表３には、参考のため接続材料Ｂを
用いた実施例１の結果も合わせて示す。
の接続条件で半導体チップを回路基板に接続し、第１の
硬化工程後の(1)反応率、(2)導通検査、(3)リペア性、
第２の硬化工程後の(4)導通信頼性を評価した。結果を
表３に示す。なお、表３には、参考のため接続材料Ｂを
用いた実施例１の結果も合わせて示す。
【００３７】
【表３】 実施例 (1)第1の硬化後 (2)導通検査 (3)リヘ゜ア性 (4)信頼性 総エホ゜キシ当量(g/eq) 反応率 ３ 接続材料Ａ (160) 32％ ○ ○ ○ △ ○ １ 接続材料Ｂ (219) 30％ ○ ○ ○ ○ ○ ４ 接続材料Ｂ' (219) 30％ ○ ○ ○ ○ ○ ５ 接続材料Ｃ (405) 35％ ○ ○ ○ ○ ○ ６ 接続材料Ｄ (517) 32％ △ ○ ○ ○ ○
【００３８】表３から、接続材料の未硬化時の総エポキ
シ当量が、ほぼ２００〜４５０ｇ／ｅｑの場合は全ての
評価項目で良好な結果が得られるが、未硬化時の総エポ
キシ当量が低いとリペア性がやや劣り（実施例３）、反
対に高いと導通検査がややしにくくなることがわかる
（実施例６）。
シ当量が、ほぼ２００〜４５０ｇ／ｅｑの場合は全ての
評価項目で良好な結果が得られるが、未硬化時の総エポ
キシ当量が低いとリペア性がやや劣り（実施例３）、反
対に高いと導通検査がややしにくくなることがわかる
（実施例６）。
【００３９】
【発明の効果】本発明によれば、半導体チップと回路基
板を接着剤で接続する場合に、リペアが可能となり、か
つ接続信頼性も向上したものとなる。
板を接着剤で接続する場合に、リペアが可能となり、か
つ接続信頼性も向上したものとなる。
Claims (6)
- 【請求項１】 液状又はフィルム状のエポキシ系接続材
料を用いて半導体チップを回路基板に接続する方法であ
って、(a)半導体チップの電極を回路基板の配線パター
ンと相対峙させ、エポキシ系接続材料におけるエポキシ
樹脂の反応率が２０〜７０％となるようにエポキシ系接
続材料を硬化させる第１の硬化工程、(b)半導体チップ
の電気的接続の良否を試験する接続試験工程、及び(c)
接続試験工程において電気的接続が良好であった半導体
チップについて、エポキシ系接続材料を更に硬化させる
第２の硬化工程、からなることを特徴とする接続方法。 - 【請求項２】 第２の硬化工程を加熱により行う請求項
１記載の接続方法。 - 【請求項３】 第２の硬化工程を加熱加圧により行う請
求項１記載の接続方法。 - 【請求項４】 未硬化時のエポキシ系接続材料の有機物
成分全体に対するエポキシ当量が２００〜４５０ｇ／ｅ
ｑである請求項１〜３のいずれかに記載の接続方法。 - 【請求項５】 エポキシ系接続材料が平均粒径１〜１０
μｍの導電粒子を含有する請求項１〜４のいずれかに記
載の接続方法。 - 【請求項６】 エポキシ系接続材料が無機系フィラーを
含有する請求項１〜５のいずれかに記載の接続方法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26631199A JP3402280B2 (ja) | 1999-09-20 | 1999-09-20 | 接続方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001093939A true JP2001093939A (ja) | 2001-04-06 |
| JP3402280B2 JP3402280B2 (ja) | 2003-05-06 |
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ID=17429174
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26631199A Expired - Fee Related JP3402280B2 (ja) | 1999-09-20 | 1999-09-20 | 接続方法 |
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|---|---|
| JP (1) | JP3402280B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003209138A (ja) * | 2002-01-11 | 2003-07-25 | Sony Chem Corp | 半導体装置の製造方法及びエアー圧送式ディスペンサー |
| JP2004123796A (ja) * | 2002-09-30 | 2004-04-22 | Hitachi Chem Co Ltd | フィルム状接着剤及びこれを用いた半導体装置 |
| JP2009141246A (ja) * | 2007-12-10 | 2009-06-25 | Panasonic Corp | 部品内蔵プリント配線基板の製造方法 |
| JP2009141247A (ja) * | 2007-12-10 | 2009-06-25 | Panasonic Corp | 電子部品実装基板の製造方法 |
| JP2012052126A (ja) * | 2011-10-24 | 2012-03-15 | Hitachi Chem Co Ltd | フィルム状接着剤及びこれを用いた半導体装置 |
| JP2017162960A (ja) * | 2016-03-09 | 2017-09-14 | 株式会社タムラ製作所 | 電子部品の接合方法およびはんだ組成物 |
| JP2021100084A (ja) * | 2019-12-24 | 2021-07-01 | 株式会社鈴木 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置 |
-
1999
- 1999-09-20 JP JP26631199A patent/JP3402280B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP2003209138A (ja) * | 2002-01-11 | 2003-07-25 | Sony Chem Corp | 半導体装置の製造方法及びエアー圧送式ディスペンサー |
| JP2004123796A (ja) * | 2002-09-30 | 2004-04-22 | Hitachi Chem Co Ltd | フィルム状接着剤及びこれを用いた半導体装置 |
| JP2009141246A (ja) * | 2007-12-10 | 2009-06-25 | Panasonic Corp | 部品内蔵プリント配線基板の製造方法 |
| JP2009141247A (ja) * | 2007-12-10 | 2009-06-25 | Panasonic Corp | 電子部品実装基板の製造方法 |
| JP2012052126A (ja) * | 2011-10-24 | 2012-03-15 | Hitachi Chem Co Ltd | フィルム状接着剤及びこれを用いた半導体装置 |
| JP2017162960A (ja) * | 2016-03-09 | 2017-09-14 | 株式会社タムラ製作所 | 電子部品の接合方法およびはんだ組成物 |
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| Publication number | Publication date |
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