JPH05175263A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置の製造方法

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Publication number
JPH05175263A
JPH05175263A JP34167391A JP34167391A JPH05175263A JP H05175263 A JPH05175263 A JP H05175263A JP 34167391 A JP34167391 A JP 34167391A JP 34167391 A JP34167391 A JP 34167391A JP H05175263 A JPH05175263 A JP H05175263A
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JP
Japan
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resin
temperature
semiconductor device
cooling
parts
Prior art date
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Pending
Application number
JP34167391A
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English (en)
Inventor
Giichi Takeda
義一 竹田
Kazuya Fujita
和弥 藤田
Takamichi Maeda
崇道 前田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【構成】 上下金型１，２のフレームクランプ部近傍に
冷却機構５を設けている。この冷却機構５により、キャ
ビティ部４の温度はそのままで、フレームクランプ部７
の温度のみを、半田メッキ部６の半田メッキが熔融・変
形を起こさない温度まで下げる。冷却機構としては空
冷、水冷、油冷等がある。 【効果】 従来の半導体封止装置を用いるのに比べて、
低温硬化樹脂を用いることなく、従来と同一の生産性が
得られ、尚且つ、ＰＰＦ半田メッキの変形・熔融を防止
出来るという効果がある。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子、リードフ
レームからなる半導体装置の樹脂封止製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】図２は、従来の半導体封止装置の断面模
式図である。図に於いて、１は上金型、２は下金型、３
はリードフレーム、４はキャビティ部、７はクランプ部
である。
【０００３】従来、半導体素子、リードフレームからな
る半導体装置を樹脂封止する工程においては、金型内の
キャビティ部とリードフレームに接触するクランプ部を
含めた金型内の各部分の温度は全て同一に制御する機構
になっている。リード端子に予め半田メッキをしたリー
ドフレーム（以下「ＰＰＦ」）を用いるときは、半田メ
ッキの熔融・変形を防ぐ為に金型全体の温度を下げて樹
脂封止を行っている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来技術にて、ＰＰＦ
を用いた半導体装置を、従来の成型金型を用いて樹脂封
止するには、半田メッキの熔融・変形を防ぐ為に金型全
体の温度を下げる必要がある。この場合、通常の封止樹
脂を用いると、樹脂硬化時間が長くなり、従来と同等の
生産性を確保出来ない。このため、低温硬化タイプの封
止樹脂を用いる必要がある。その結果、低温硬化樹脂の
開発が必要になるばかりでなく、それに伴い、封止樹脂
のコストアップ、使用樹脂種類の増加による工程管理難
等の問題点が発生する。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記従来の問
題点に着目してなされたもので、低温硬化樹脂を用いる
事なく、通常と同一の封止樹脂を用いて、従来と同等の
生産性の確保が可能な、ＰＰＦを用いた半導体装置の樹
脂封止工程を提供せんとするものである。
【０００６】そのために、本発明は、金型内部に冷却機
構を設け、金型内の各部の温度を別々に制御できる機構
を設けた半導体製造装置を用い、金型内のキャビティ部
温度とリードフレームに接触するクランプ部の金型温度
を別々に制御する事により、通常と同一の封止樹脂を用
いた場合でも、従来と同等の生産性を確保し、かつ成型
時のＰＰＦ半田メッキの熔融・変形を起こさない様にし
たことを特徴とするものである。
【０００７】
【作用】従来、ＰＰＦを用いた半導体装置を、従来の成
型金型を用いて樹脂封止するには、低温硬化樹脂を用
い、金型全体の温度を下げる事で、ＰＰＦ半田メッキの
熔融・変形対策を行っている。それに対して、本発明に
おいては、キャビティ部の温度は、通常通りで、フレー
ムと接触するクランプ部の温度のみを下げる事により、
キャビティ部にのみ従来と同じ熱量を供給し従来と同一
の生産性を確保し、ＰＰＦの半田メッキ部は、低温に保
つことにより半田の熔融・変形を起こさない様にする。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
【０００９】図１は、本発明の一実施例に係る半導体封
止装置の断面模式図である。
【００１０】この半導体素子の製造装置は、上下金型
１、２のフレームクランプ部近傍に冷却機構５を設けて
いる。この冷却機構５により、キャビティ部４の温度は
そのままで、フレームクランプ部７の温度のみを、半田
メッキ部６の半田メッキが熔融・変形を起こさない温度
まで下げる。冷却機構としては、空冷、水冷、油冷等が
ある。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、金型内
部に冷却機構を設ける事により、フレームクランプ部の
み温度を低くした金型としたため、従来の半導体封止装
置を用いるのに比べて、低温硬化樹脂を用いる事なく、
従来と同一の生産性が得られ、尚且つ、ＰＰＦ半田メッ
キの変形・熔融を防止出来るという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例に係る半導体封止装置の断面
模式図である。
【図２】従来の半導体封止装置の断面模式図である。
【符号の説明】
１ 上金型 ２ 下金型 ３ リードフレーム ４ キャビティ部 ５ 冷却機構 ６ 半田メッキ部 ７ クランプ部

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体素子、リードフレームからなる半
    導体装置を樹脂封止する工程において、金型内に冷却機
    構を設けることにより、金型各部の温度を別々に制御可
    能とした樹脂封止製造装置を用いて製造する事を特徴と
    する、樹脂封止型半導体装置の製造方法。
  2. 【請求項２】 請求項１記載の製造方法において、金型
    内のキャビティ部温度とリードフレームに接触するクラ
    ンプ部の金型温度とを別々に制御する事により、樹脂封
    止を行う事を特徴とする、樹脂封止型半導体装置の製造
    方法。
JP34167391A 1991-12-25 1991-12-25 樹脂封止型半導体装置の製造方法 Pending JPH05175263A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0729928A (ja) * 1993-07-08 1995-01-31 Nec Corp 半導体装置用樹脂封止装置および半導体装置の製造方法
KR20170141436A (ko) * 2016-06-15 2017-12-26 협 손 엘이디 리드프레임 제조용 금형 코어

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0729928A (ja) * 1993-07-08 1995-01-31 Nec Corp 半導体装置用樹脂封止装置および半導体装置の製造方法
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