JP3564743B2 - 半導体素子封止用金型 - Google Patents
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】
本発明は、半導体素子封止用金型に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体素子の封止には量産性に優れたトランスファ成形が一般的に用いられている。これは、封止用の熱硬化性樹脂を適当な温度(一般的には160〜190℃)で溶融させ、金型内に設けたキャビティにゲートから注入し、半導体素子を封止するものである。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
パッケージの薄型化に伴い、半導体素子封止時のトランスファ成形が困難になっている。特に、パッケージ厚さが1.5mm以下の薄型パッケージの場合、リードフレームの加工精度、組立工程での変形等により金型キャビティ内での上下バランスが崩れて、封止時にフレームの変形が発生し、問題となっている。即ち、トランスファ成形で半導体素子封止をする場合、TSOP、TQFP等の薄型パッケージにおいては、図4(a)に示すように、上型1a及び下型1bからなる金型1のキャビティ1c内での上下バランスがとれていれば、封止材4の充填時に上側の封止材4aと下側の封止材4bとが等しく流れて、同図(b)に示すように不具合を生ずることなく充填される。図において2は半導体素子及び3はリードフレームである。しかし、リードフレームの加工精度、ダイボンディングやワイヤボンディングのときのストレス等でダイパットが変移する。このようなフレームを用いてトランスファ成形を行うと、図5(a)に示すように、流路の広い側の封止材4aが流路の狭い側の封止材4bより速く流入する。そして、同図(b)に示すように、この封止材4の圧力によりダイパットの変形が発生する。
【0004】
また、パワートランジスタの場合には、基板実装時に絶縁膜の要らないフルモールドタイプが主流となりつつあるが、パッケージ裏面のヘッダ下に発生する気泡が問題となっている。特に、熱放散性向上のため、ヘッダ下の封止材厚さをより薄く設計したパッケージでは気泡の発生が顕著となる。この気泡が発生した場合、パッケージの耐電圧が大幅に低下するため、大きな問題となっている。フルモールドタイプのパワートランジスタでは、もともと金型キャビティ内の上下バランスが崩れている。このため、図6(a)に示すように、上側から廻り込んだ封止材4aと下側からの封止材4bとがヘッダ下面の封止材4の厚さの薄い部分5で接合する。この結果、同図(b)に示すように、封止材厚さの薄い部分5に気泡6が発生し易くなる。本発明は、上記した問題を解決する半導体素子封止用金型を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】
発明者らは、前記の問題を解決するために種々検討を重ねた結果、金型キャビティ内の適切な場所に突起を設けることにより、成形性を大幅に改善できることを発見した。本発明は、トランスファ成形により半導体素子を封止する金型のキャビティ内に、高さが30〜400μmの突起を1個以上設けた半導体素子封止用金型、必要に応じて該突起の近辺に1〜200μmの空気抜きの隙間を1個以上設けた半導体素子封止用金型に関する。
【0006】
本発明を図面を参照して詳細に説明する。
図1は金型1のマーク面側に突起7を設けた例で、同図(a)に示すように、上下バランスがとれておらず、上側封止材4aの流れが下側封止材4bより先行するが、同図(b)に示すように、突起7によって上側封止材4aは流れが滞留して、遅れていた下側封止材4bとのバランスが回復し、同図(c)に示すように、ダイパット変形を発生させることなく、封止材を充填することが出来る。
【0007】
フルモールドタイプのパワートランジスタの場合は、図2に示すように、ヘッダ下面よりもやや外側に突起8を設ける。同図(a)に示すように、上側から先行して廻り込んだ封止材4aは、突起8付近で滞留する。この間に遅れていた下側封止材4bが突起8付近に到達して接合する。そのとき、キャビティ内に残っていた空気によってこの突起8付近に気泡6が発生する。しかし、この突起をヘッダ下面の封止材厚さの薄い部分ではなく、封止材厚さに余裕のある部分に設ければ、たとえ気泡が発生しても耐電圧の低下は殆ど認められない程度になる。
【0008】
気泡の発生を防止するには、上記の突起の近辺に隙間を設けて空気を抜け易くする。即ち、図3(a)に示すように、上側から先行して廻り込んだ封止材4aは、突起8付近で滞留する。この間に遅れていた下側封止材4bが突起8付近に到達して接合する。このとき、突起8の周囲に設けた隙間9からキャビティ内に残っていた空気が抜ける。このため、同図(b)に示すように、気泡を発生させることなく、封止材を充填することが出来る。なお、空気抜きのために設ける隙間の場所は突起の近辺とされ、図3のように突起の周囲が好ましいが、突起自身に穴を設けてもよい。この場合の突起はセルフクリーニング性を持たせるため、成形1サイクルについて少なくとも1度は摺動させれば、隙間への樹脂の詰まりが防止されるので、好ましい。
【0009】
本発明において、突起の形状は特に制限がなく、円柱、角柱、台形、直方体等どのような形でも用いることが出来る。突起の高さは30〜400μmであれば使用可能である。30μm未満では効果が小さく、400μmを越えると過度の滞留による不具合が発生する。好ましくは50〜200μmである。この高さは上記した範囲で可変にすると好都合である。突起の数は1個以上であれば特に規定しない。
隙間の形状については、特に制限がなく、どのような形でも用いることが出来る。隙間の大きさは1〜200μmであれば使用可能である。1μm未満では空気の抜けが悪く、200μmを越えると封止材の洩れが大きく実用的ではない。好ましくは5〜100μmである。
【0010】
【実施例】
次に本発明の実施例を説明する。
実施例1、2、3及び比較例1、2、3
図1における突起7を2mmφの円柱とし、その高さを表1に示す数値にして、各20個の半導体素子封止を行い、TSOPパッケージを得た。この結果を表1に示す。なお、比較例3のダイパッド変形は突起側であった。
【0011】
【表1】
【0012】
表1から明らかなように、比較例のものにはダイパッド変形が発生したが、実施例のものには全くなかった。
【0013】
実施例4、5、6、7及び比較例4、5、6
図3における突起8を3mmφの円柱とし、その高さ及び突起8の周囲の隙間9を表2に示す数値とし、各30個の半導体素子封止を行い、TO−3Pフルモールドタイプのパワートランジスタを作製した。但し、実施例7については隙間9を設けず、図2に示すように突起8の位置を外側にずらした。この結果を表2に示す。
【0014】
【表2】
【0015】
表2から明らかなように、比較例のものには気泡のあるものが見られ、耐電圧試験が不良であるが、実施例4〜6のものは気泡は見られず、耐電圧試験は合格である。隙間を設けない実施例7のものには気泡のあるものがあるが、耐電圧試験は合格である。
【0016】
【発明の効果】
本発明によれば、金型のキャビティ内に突起を設けたのでリードフレームの変形が防止され、また、突起に加えて隙間を設けたので気泡の発生が防止される。従って、これらの金型を用いて製造した半導体装置は成形歩留が向上し、また、信頼性に優れたものとなる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例になる半導体素子封止用金型による成形を示す断面図である。
【図2】本発明の実施例になる半導体素子封止用金型による成形を示す断面図である。
【図3】本発明の実施例になる半導体素子封止用金型による成形を示す断面図である。
【図4】従来の半導体素子封止用金型による成形を示す断面図である。
【図5】従来の半導体素子封止用金型による成形を示す断面図である。
【図6】従来の半導体素子封止用金型による成形を示す断面図である。
【符号の説明】
1…金型、1a…上型、1b…下型、1c…キャビティ、2…半導体素子、3…リードフレーム、4…封止材、4a…上側の封止材、4b…下側の封止材、5…封止材の厚さの薄い部分、6…気泡、7…突起、8…突起、9…隙間
【産業上の利用分野】
本発明は、半導体素子封止用金型に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体素子の封止には量産性に優れたトランスファ成形が一般的に用いられている。これは、封止用の熱硬化性樹脂を適当な温度(一般的には160〜190℃)で溶融させ、金型内に設けたキャビティにゲートから注入し、半導体素子を封止するものである。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
パッケージの薄型化に伴い、半導体素子封止時のトランスファ成形が困難になっている。特に、パッケージ厚さが1.5mm以下の薄型パッケージの場合、リードフレームの加工精度、組立工程での変形等により金型キャビティ内での上下バランスが崩れて、封止時にフレームの変形が発生し、問題となっている。即ち、トランスファ成形で半導体素子封止をする場合、TSOP、TQFP等の薄型パッケージにおいては、図4(a)に示すように、上型1a及び下型1bからなる金型1のキャビティ1c内での上下バランスがとれていれば、封止材4の充填時に上側の封止材4aと下側の封止材4bとが等しく流れて、同図(b)に示すように不具合を生ずることなく充填される。図において2は半導体素子及び3はリードフレームである。しかし、リードフレームの加工精度、ダイボンディングやワイヤボンディングのときのストレス等でダイパットが変移する。このようなフレームを用いてトランスファ成形を行うと、図5(a)に示すように、流路の広い側の封止材4aが流路の狭い側の封止材4bより速く流入する。そして、同図(b)に示すように、この封止材4の圧力によりダイパットの変形が発生する。
【0004】
また、パワートランジスタの場合には、基板実装時に絶縁膜の要らないフルモールドタイプが主流となりつつあるが、パッケージ裏面のヘッダ下に発生する気泡が問題となっている。特に、熱放散性向上のため、ヘッダ下の封止材厚さをより薄く設計したパッケージでは気泡の発生が顕著となる。この気泡が発生した場合、パッケージの耐電圧が大幅に低下するため、大きな問題となっている。フルモールドタイプのパワートランジスタでは、もともと金型キャビティ内の上下バランスが崩れている。このため、図6(a)に示すように、上側から廻り込んだ封止材4aと下側からの封止材4bとがヘッダ下面の封止材4の厚さの薄い部分5で接合する。この結果、同図(b)に示すように、封止材厚さの薄い部分5に気泡6が発生し易くなる。本発明は、上記した問題を解決する半導体素子封止用金型を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】
発明者らは、前記の問題を解決するために種々検討を重ねた結果、金型キャビティ内の適切な場所に突起を設けることにより、成形性を大幅に改善できることを発見した。本発明は、トランスファ成形により半導体素子を封止する金型のキャビティ内に、高さが30〜400μmの突起を1個以上設けた半導体素子封止用金型、必要に応じて該突起の近辺に1〜200μmの空気抜きの隙間を1個以上設けた半導体素子封止用金型に関する。
【0006】
本発明を図面を参照して詳細に説明する。
図1は金型1のマーク面側に突起7を設けた例で、同図(a)に示すように、上下バランスがとれておらず、上側封止材4aの流れが下側封止材4bより先行するが、同図(b)に示すように、突起7によって上側封止材4aは流れが滞留して、遅れていた下側封止材4bとのバランスが回復し、同図(c)に示すように、ダイパット変形を発生させることなく、封止材を充填することが出来る。
【0007】
フルモールドタイプのパワートランジスタの場合は、図2に示すように、ヘッダ下面よりもやや外側に突起8を設ける。同図(a)に示すように、上側から先行して廻り込んだ封止材4aは、突起8付近で滞留する。この間に遅れていた下側封止材4bが突起8付近に到達して接合する。そのとき、キャビティ内に残っていた空気によってこの突起8付近に気泡6が発生する。しかし、この突起をヘッダ下面の封止材厚さの薄い部分ではなく、封止材厚さに余裕のある部分に設ければ、たとえ気泡が発生しても耐電圧の低下は殆ど認められない程度になる。
【0008】
気泡の発生を防止するには、上記の突起の近辺に隙間を設けて空気を抜け易くする。即ち、図3(a)に示すように、上側から先行して廻り込んだ封止材4aは、突起8付近で滞留する。この間に遅れていた下側封止材4bが突起8付近に到達して接合する。このとき、突起8の周囲に設けた隙間9からキャビティ内に残っていた空気が抜ける。このため、同図(b)に示すように、気泡を発生させることなく、封止材を充填することが出来る。なお、空気抜きのために設ける隙間の場所は突起の近辺とされ、図3のように突起の周囲が好ましいが、突起自身に穴を設けてもよい。この場合の突起はセルフクリーニング性を持たせるため、成形1サイクルについて少なくとも1度は摺動させれば、隙間への樹脂の詰まりが防止されるので、好ましい。
【0009】
本発明において、突起の形状は特に制限がなく、円柱、角柱、台形、直方体等どのような形でも用いることが出来る。突起の高さは30〜400μmであれば使用可能である。30μm未満では効果が小さく、400μmを越えると過度の滞留による不具合が発生する。好ましくは50〜200μmである。この高さは上記した範囲で可変にすると好都合である。突起の数は1個以上であれば特に規定しない。
隙間の形状については、特に制限がなく、どのような形でも用いることが出来る。隙間の大きさは1〜200μmであれば使用可能である。1μm未満では空気の抜けが悪く、200μmを越えると封止材の洩れが大きく実用的ではない。好ましくは5〜100μmである。
【0010】
【実施例】
次に本発明の実施例を説明する。
実施例1、2、3及び比較例1、2、3
図1における突起7を2mmφの円柱とし、その高さを表1に示す数値にして、各20個の半導体素子封止を行い、TSOPパッケージを得た。この結果を表1に示す。なお、比較例3のダイパッド変形は突起側であった。
【0011】
【表1】
【0012】
表1から明らかなように、比較例のものにはダイパッド変形が発生したが、実施例のものには全くなかった。
【0013】
実施例4、5、6、7及び比較例4、5、6
図3における突起8を3mmφの円柱とし、その高さ及び突起8の周囲の隙間9を表2に示す数値とし、各30個の半導体素子封止を行い、TO−3Pフルモールドタイプのパワートランジスタを作製した。但し、実施例7については隙間9を設けず、図2に示すように突起8の位置を外側にずらした。この結果を表2に示す。
【0014】
【表2】
【0015】
表2から明らかなように、比較例のものには気泡のあるものが見られ、耐電圧試験が不良であるが、実施例4〜6のものは気泡は見られず、耐電圧試験は合格である。隙間を設けない実施例7のものには気泡のあるものがあるが、耐電圧試験は合格である。
【0016】
【発明の効果】
本発明によれば、金型のキャビティ内に突起を設けたのでリードフレームの変形が防止され、また、突起に加えて隙間を設けたので気泡の発生が防止される。従って、これらの金型を用いて製造した半導体装置は成形歩留が向上し、また、信頼性に優れたものとなる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例になる半導体素子封止用金型による成形を示す断面図である。
【図2】本発明の実施例になる半導体素子封止用金型による成形を示す断面図である。
【図3】本発明の実施例になる半導体素子封止用金型による成形を示す断面図である。
【図4】従来の半導体素子封止用金型による成形を示す断面図である。
【図5】従来の半導体素子封止用金型による成形を示す断面図である。
【図6】従来の半導体素子封止用金型による成形を示す断面図である。
【符号の説明】
1…金型、1a…上型、1b…下型、1c…キャビティ、2…半導体素子、3…リードフレーム、4…封止材、4a…上側の封止材、4b…下側の封止材、5…封止材の厚さの薄い部分、6…気泡、7…突起、8…突起、9…隙間
Claims (2)
- トランスファー成形により半導体素子を封止する金型のキャビティ内に、高さが30〜400μmの突起を1個以上設け、さらに、突起の周囲あるいは突起自体に1〜200μmの空気抜きの隙間を設けた半導体素子封止用金型。
- トランスファー成形により半導体素子を封止する金型のキャビティ内に、高さが30〜400μmの突起を1個以上設け、さらに、突起の周囲に1〜200μmの空気抜きの隙間を設けた半導体素子封止用金型であって、前記突起は前記隙間を介して摺動可能に設けられている半導体素子封止用金型。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18552394A JP3564743B2 (ja) | 1994-08-08 | 1994-08-08 | 半導体素子封止用金型 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18552394A JP3564743B2 (ja) | 1994-08-08 | 1994-08-08 | 半導体素子封止用金型 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0847936A JPH0847936A (ja) | 1996-02-20 |
JP3564743B2 true JP3564743B2 (ja) | 2004-09-15 |
Family
ID=16172292
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18552394A Expired - Fee Related JP3564743B2 (ja) | 1994-08-08 | 1994-08-08 | 半導体素子封止用金型 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3564743B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7117885B2 (ja) * | 2018-04-10 | 2022-08-15 | 株式会社日立ハイテク | 半導体装置 |
-
1994
- 1994-08-08 JP JP18552394A patent/JP3564743B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0847936A (ja) | 1996-02-20 |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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