JPH03124054A - リードフレーム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置を製造する際に使用するリードフレ
ームに関するものである。

〔従来の技術〕

従来のリードフレームは第３図（ａ）　、　（ｂ）に示
すように構成されていた。

第３図（ａ）　、　（ｂ）は従来のリードフレームを示
す平面図で、同図（ａ）は半導体装置形成部を拡大して
示す図、同図（ｂ）はリードフレーム全体を示す図であ
る。これらの図において、１はリードフレーム、２はこ
のリードフレーム１のインナーリード、３は同じくアウ
ターリード、４は半導体素子（図示せず）を搭載するた
めのダイパッド、５はリードフレーム１の外枠部、６は
前記ダイパッド４とリードフレーム１の外枠部５とを接
続するための吊りリード、７は前記インナーリード２．
アウターリード３が位置ずれを起こすのを抑えると共に
、封止樹脂のモールド成形工程において封止を行わない
アウターリード部へ樹脂が流出するのを防ぐためのタイ
バーである。８は封止樹脂をモールド成形する工程、タ
イバー７の切断工程およびアウターリード部の成形工程
においてモールド金型、タイバーカット金型およびリー
ド成形金型等とリードフレーム１とを位置合せを行なう
ための位置決め穴で、この位置決め穴８はリードフレ−
ム１の外枠部５に等間隔おいて穿設されている。

また、この位置決め穴８は、通常は円形または長円形に
形成されている。９はモールド金型（図示せず）におけ
る封止樹脂の流路となるサブランナーおよびゲートと対
応する部分で、この部分はリードフレーム１の丁度外枠
部５と対応する位置に設けられている。１０はリードフ
レーム１に封止樹脂をモールド成形した際の樹脂の外形
を示すモールドラインである。なお、第３図（ａ）ウニ
点鎖線Ａはインナーリード２．アウターリード３．ダイ
パッド４．吊りリード６およびタイバー７等からなる半
導体装置形成部を示す。この半導体装置形成部Ａは、同
図（ｂ）に示すように一つのり−トフレーム１に複数並
設されている。

このように構成された従来のリードフレーム１を使用し
て半導体装置を組立てるには、先ず、ダイパッド４上に
樹脂ダイボンド剤や半田等を用いて半導体素子（チップ
、ダイ）、を搭載する。そして、半導体素子のＡβパッ
ド電極とインナーリード２とを金、銅あるいはアルミニ
ウム等からなる金属ｉｆｆ線（図示せず）によって接続
する。次いで、このリードフレーム１をモールド金型（
図示せず）内に型締めし、封止樹脂をモールド成形する
。封止樹脂が硬化された後、金型を用いてタイバー７を
切断し、アウターリード３を所定形状に曲げ加工すると
同時にアウターリード３の先端とリードフレームエの外
枠部５とを切り離す。なお、アウターリード３の曲げ加
工は、切り離し加工の前、あるいは後に行なうこともあ
る。このようにアウターリード３の加工工程を経て半導
体装置が完成されることになる。

ところが、このように構成された従来のリードフレーム
においては、フレーム材料と封止樹脂との熱膨張係数に
差がある関係から、半導体装置が大型化されるにつれて
樹脂成形後に成形部分（以下、この成形部分をパンケー
ジという。）が反ってしまうという不具合があった。そ
こで、最近、封止後のパッケージの反りを抑えるために
、リードフレーム１を部分的に分断するようなスリット
を設けるという手法が採られるようになってきた。

第４図（ａ）　、　（ｂ）はスリットが設けられた従来
のリードフレームを示す平面図で、同図（ａ）は半導体
装置形成部を拡大して示す図、同図（ｂ）は全体を示す
図である。これらの図において前記第３図（ａ）　、　
（ｂ）で説明したものと同一もしくは同等部材について
は同一符号を付し、ここにおいて詳細な説明は省略する
。第４図（ａ）　、　（ｂ）において、１１は樹脂封止
後に封止時の金型温度から室温まで冷却される際にリー
ドフレーム１と樹脂との熱膨張係数の違いにより生じる
歪を抑え、歪により半導体装置が反るのを緩和するため
のスリットで、このスリットＩＩは、リードフレーム１
における半導体装置形成部（同図中二点鎖線Ａで示す。

）の側部に設けられており、半導体装置形成部Ａの４方
を囲むように４箇所に設けられている。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかるに、近年、半導体装置がより一層大型化されるに
したがって、フレーム材料と樹脂との熱膨張係数の違い
により生じる歪も大きくなり、上述したようにリードフ
レーム１にスリット１１を設けただけではこの歪を吸収
することができなくなってきた。このため、大型の半導
体装置を製造するにあたってはスリット１１を設けたリ
ードフレームを使用してもパッケージの反りが大きくな
ってしまうという問題があった。

Ｃ課題を解決するための手段〕 本発明に係るリードフレームは、リードフレーム本体に
おけるモールド金型の樹脂注入用ゲート部と対応する部
分を除く部分に、半導体装置形成部の略４方を囲む連続
したスリットを設けたものである。

〔作　用〕

半導体装置形成部は、リードフレーム本体におけるモー
ルド金型の樹脂注入用ゲート部と対応する部分だけでリ
ードフレーム本体に連結されることになるから、樹脂封
止後の冷却過程で生じる熱応力がリードフレーム本体に
おけるスリットより外側の部分から半導体装置形成部に
伝えられるのを防ぐことができる。

〔実施例〕

以下、本発明の一実施例を第１図によって詳細に説明す
る。

第１図は本発明に係るリードフレームの要部を拡大して
示す平面図で、同図において前記第３図（ａ）　、　（
ｂ）で説明したものと同一もしくは同等部材については
同一符号を付し、ここにおいて詳細な説明は省略する。

第１図において、２１は半導体装置形成部Ａをリードフ
レーム１から隔てて設けるためのディッチ・スリットで
ある。このディッチ・スリット２１は、リードフレーム
１の外枠部５であって、モールド金型のサブランナーお
よびゲートと対応する部分９を除く部分に、半導体装置
形成部Ａの略４方を囲むように連続して設けられている
。また、このディッチ・スリット２１の両端開口部分と
モールド金型のサブランナーおよびゲートと対応する部
分９との間隔は０．３ｍｍ以上開けられており、このリ
ードフレーム１がモールド金型内に確実に型締めされる
ように構成されている。

このようにディッチ・スリット２１が設けられたリード
フレーム１を使用して半導体装置を組立てるには、先ず
、ダイパッド４上に半導体素子を搭載し、金属細線等に
より半導体素子とインナーリード２とを電気的に接続す
る。次いで、このリードフレーム１をモールド金型内に
型締めし、半導体素子、インナーリード２等モールドラ
イン１０内を樹脂封止する。この封止工程では、リード
フレーム１および樹脂の温度は金型温度に相当する例え
ば１８０℃程度の高温に達する。そして、樹脂封止後の
リードフレーム１をモールド金型から取り出し、室温程
度まで冷却する。リードフレーム１が冷却される際には
、リードフレームｌにおけるディッチ・スリット２１よ
り内側の部分のみが樹脂の収縮と作用することとなるた
め、フレーム材料と樹脂との熱膨張係数の違いにより生
じる歪は小さくなる。このため、封止樹脂の反り量は従
来のものに較べて小さくなる。

したがって、このようにリードフレーム１にディッチ・
スリット２１を設けると、樹脂封止後の冷却過程で生じ
る熱応力がリードフレームにおけるスリットより外側の
部分から半導体装置形成部分に伝えられるのを防ぐこと
ができるから、リードフレーム１の収縮量と封止樹脂の
収縮量との差によってパッケージが反るのをきわめて小
さい寸法に抑えることができる。

なお、前記実施例ではリードフレーム１にディッチ、・
スリット２１のみを設けた例を示したが、第２図に示す
ように位置決め用穴をディッチ・スリット２１によって
囲まれた部分に設けることもできる。

第２図は本発明に係るリードフレームの他の実施例を示
す平面図で、同図において前記第１図で説明したものと
同一部材については同一符号を付し、詳細な説明は省略
する。第２図において、３１はリードフレーム１におけ
るディッチ・スリット２１で囲まれた部分を、換言すれ
ば半導体装置形成部Ａをモールド金型、タイバーカット
金型およびリード成形金型等と位置合せを行なうための
位置決め穴で、この位置決め穴３１は半導体装置形成部
Ａの角部に穿設されており、一つの半導体装置形成部Ａ
に対して複数設けられている。この位置決め穴３１を使
用して半導体装置形成部Ａを上述した各装置に位置決め
することによって、リードｌの外枠部５に対して半導体
装置形成部Ａが位置ずれを起こしたとしても、リードの
加工等を高い精度をもって行なうことができる。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明に係るリードフレームは、リ
ードフレーム本体におけるモールド金型の樹脂注入用ゲ
ート部と対応する部分を除く部分に、半導体装置形成部
の略４方を囲む連続したスリットを設けたため、樹脂封
止後の冷却過程で生じる熱応力がリードフレーム本体に
おけるスリットより外側の部分から半導体装置形成部分
に伝えられるのを防ぐことができる。したがって、本発
明に係るリードフレームを使用して大型の半導体装置を
製造しても、封止樹脂部分が反るのを確実に抑えること
ができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係るリードフレームの要部を拡大して
示す平面図、第２図は半導体装置形成部に位置決め穴が
設けられた他の実施例を示す平面図、第３図（ａ）　、
　（ｂ）は従来のリードフレームを示す平面図で、同図
（ａ）は半導体装置形成部を拡大して示す図、同図（ｂ
）はリードフレーム全体を示す図である。第４図（ａ）
　、　（ｂ）はスリ・７トが設けられた従来のリードフ
レームを示す平面図で、同図（ａ）は半導体装置形成部
を拡大して示す図、同図（ｂ）は全体を示す図である。 １・・・・リードフレーム、２・・・・インナーリード
、３・・・・アウターリード、４・・・・ダイパッド、
２１、・・・ディッチ・スリット、３１・・・・位置決
め穴。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 半導体素子が搭載されるダイパッドと、このダイパッド
   の側方に配置されたインナーリードおよびアウターリー
   ドとからなる半導体装置形成部がリードフレーム本体に
   形成され、この半導体装置形成部に封止樹脂がモールド
   成形されるリードフレームにおいて、前記リードフレー
   ム本体におけるモールド金型の樹脂注入用ゲート部と対
   応する部分を除く部分に、半導体装置形成部の略４方を
   囲む連続したスリットを設けたことを特徴とするリード
   フレーム。