JPS61292945A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS61292945A JPS61292945A JP60135175A JP13517585A JPS61292945A JP S61292945 A JPS61292945 A JP S61292945A JP 60135175 A JP60135175 A JP 60135175A JP 13517585 A JP13517585 A JP 13517585A JP S61292945 A JPS61292945 A JP S61292945A
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- bonding
- semiconductor device
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- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は半導体装置の製造方法、特にモールド樹脂封止
を行なう半導体装置の製造方法に関する。
を行なう半導体装置の製造方法に関する。
モールド樹脂封止型の半導体装置は、一般にリードフレ
ームのベッド部に半導体ペレットを載せ、モールド樹脂
封止する構造を有する。第2図に従来の製造方法におけ
るこのモールド樹脂封止する前の状態を示す。第2図(
a)はその正面図、同図(b)はその上面図である。リ
ードフレーム1の中央に設けられたベッド部2の上に半
導体ペレット3がマウントされ、この半導体ペレット3
とリードフレーム1′のインブリード部4とは、ボンデ
ィングワイヤ5によって電気的に接続されている。イン
ナリード部4には、リードの浮き沈み′防止のため、0
.125m厚程度0ポリイミドテープが貼付される場合
もある。
ームのベッド部に半導体ペレットを載せ、モールド樹脂
封止する構造を有する。第2図に従来の製造方法におけ
るこのモールド樹脂封止する前の状態を示す。第2図(
a)はその正面図、同図(b)はその上面図である。リ
ードフレーム1の中央に設けられたベッド部2の上に半
導体ペレット3がマウントされ、この半導体ペレット3
とリードフレーム1′のインブリード部4とは、ボンデ
ィングワイヤ5によって電気的に接続されている。イン
ナリード部4には、リードの浮き沈み′防止のため、0
.125m厚程度0ポリイミドテープが貼付される場合
もある。
(背景技術の問題点)
上述のような構造の装置にモールド樹脂剤を流して封止
することになるが、この樹脂封止時に、樹脂剤の流れに
よってボンディングワイヤ5に加えられる圧力が悪影響
を与えるという問題点がある。即ち、この圧力によって
ボンディングワイヤ5がワイヤ流れという現象を生じ、
隣接したワイヤどうしが接触したり、あるいはワイヤオ
ーブンと呼ばれているワイヤの断線が生じたりするので
ある。近年、ボンディングワイヤの強度を増強させる等
の対応策が採られてきているが、依然としてワイヤ流れ
、ワイヤオーブンという現象が発生し、ICの歩留まり
が低下するという問題があった。
することになるが、この樹脂封止時に、樹脂剤の流れに
よってボンディングワイヤ5に加えられる圧力が悪影響
を与えるという問題点がある。即ち、この圧力によって
ボンディングワイヤ5がワイヤ流れという現象を生じ、
隣接したワイヤどうしが接触したり、あるいはワイヤオ
ーブンと呼ばれているワイヤの断線が生じたりするので
ある。近年、ボンディングワイヤの強度を増強させる等
の対応策が採られてきているが、依然としてワイヤ流れ
、ワイヤオーブンという現象が発生し、ICの歩留まり
が低下するという問題があった。
そこで本発明はモールド樹脂封止時のワイヤ流れ、ワイ
ヤオーブンという現象を防止し、歩留まりを向上しうる
半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
ヤオーブンという現象を防止し、歩留まりを向上しうる
半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
本発明の特徴は、リードフレームのベッド部に半導体ペ
レットを載せ、リードフレームのインナリード先端部と
半導体ペレットとをワイヤボンディングし、これらをモ
ールド樹脂封止する半導体装置の製造方法において、リ
ードフレームのインナリード上に、モールド樹脂封止時
にワイヤボンディング部をモールド樹脂剤の圧力から保
護するのに十分な突起部を設けるようにし、モールド樹
脂封止時のワイヤ流れ、ワイヤオーブンという現象を防
止し、歩留まりを向上させた点にある。
レットを載せ、リードフレームのインナリード先端部と
半導体ペレットとをワイヤボンディングし、これらをモ
ールド樹脂封止する半導体装置の製造方法において、リ
ードフレームのインナリード上に、モールド樹脂封止時
にワイヤボンディング部をモールド樹脂剤の圧力から保
護するのに十分な突起部を設けるようにし、モールド樹
脂封止時のワイヤ流れ、ワイヤオーブンという現象を防
止し、歩留まりを向上させた点にある。
以下本発明を図示する実施例に基づいて説明する。第1
図に本発明に係る製造方法におけるモールド樹脂封止前
の状態を示す。第1図<a>はその正面図、同図(b)
はその上面図である。ここで第2図に示す従来例と同一
構成要素については同一符号を付し、説明を省略する。
図に本発明に係る製造方法におけるモールド樹脂封止前
の状態を示す。第1図<a>はその正面図、同図(b)
はその上面図である。ここで第2図に示す従来例と同一
構成要素については同一符号を付し、説明を省略する。
本発明の特徴となる点は、リードフレーム1.のインナ
リード上に突起部6を設けた点である。この突起部は、
厚み0.5m以上のポリイミドテープとするのが好まし
く、図示する実施例では、厚み0.25as+のり一ド
フレーム1上に、幅2 all %厚み1aiのポリイ
ミドテープをベッド部20両側に貼付けている。
リード上に突起部6を設けた点である。この突起部は、
厚み0.5m以上のポリイミドテープとするのが好まし
く、図示する実施例では、厚み0.25as+のり一ド
フレーム1上に、幅2 all %厚み1aiのポリイ
ミドテープをベッド部20両側に貼付けている。
このような突起部6を設けることにより、モールド封止
時にモールド樹脂剤の圧力が緩和され、ボンディングワ
イヤ5が保護されるため、ワイヤ流れ、ワイヤオーブン
の発生を防止できる。突起部の厚みは、ボンディングワ
イヤ5を保護するのに十分な厚みを有していればよく、
半導体ペレット3の厚みおよびボンディングワイヤ5の
ループ高に依存して定められる。例えば図の実施例では
、半導体ペレット厚0.35m、ワイヤループ高0.2
amを加えると0.55mとなるので、上述のように突
起部の厚みを1雌とするのが適当である。また、突起部
6を設ける位置は、ボンディングワイヤ5を保護する上
ではできるだけベッド部2に近い方がよいが、ワイヤボ
ンディングの支障にはならないよう、ある程度内側に余
裕が必要である。また、上述の実施例では突起部6とし
てポリイミドテープを用いたが、耐熱性と絶縁性とを兼
ね備えた材質のものであれば何でもかまわない。
時にモールド樹脂剤の圧力が緩和され、ボンディングワ
イヤ5が保護されるため、ワイヤ流れ、ワイヤオーブン
の発生を防止できる。突起部の厚みは、ボンディングワ
イヤ5を保護するのに十分な厚みを有していればよく、
半導体ペレット3の厚みおよびボンディングワイヤ5の
ループ高に依存して定められる。例えば図の実施例では
、半導体ペレット厚0.35m、ワイヤループ高0.2
amを加えると0.55mとなるので、上述のように突
起部の厚みを1雌とするのが適当である。また、突起部
6を設ける位置は、ボンディングワイヤ5を保護する上
ではできるだけベッド部2に近い方がよいが、ワイヤボ
ンディングの支障にはならないよう、ある程度内側に余
裕が必要である。また、上述の実施例では突起部6とし
てポリイミドテープを用いたが、耐熱性と絶縁性とを兼
ね備えた材質のものであれば何でもかまわない。
第3図は本発明の別な実施例で、突起部をポリイミドテ
ープでなく、インナリードの屈曲部7によって形成した
例である。この方法では、リードの引扱は防止という別
な効果も生ずる。第4図に示す実施例は、ボンディング
ワイヤ5の保護効果を高めるため、ベッド部2の四方を
ポリイミドテープから成る突起部6で囲い、更にその上
にキャップ8を載せた例である。
ープでなく、インナリードの屈曲部7によって形成した
例である。この方法では、リードの引扱は防止という別
な効果も生ずる。第4図に示す実施例は、ボンディング
ワイヤ5の保護効果を高めるため、ベッド部2の四方を
ポリイミドテープから成る突起部6で囲い、更にその上
にキャップ8を載せた例である。
以上のとおり本発明によれば、モールド樹脂封止による
半導体装置の製造方法において、インナリード上にワイ
ヤボンディング部を保護するための突起部を設けるよう
にしたため、モールド樹脂封止時のワイヤ流れ、ワイヤ
オーブンという現象が防止され、歩留まりを向上するこ
とができる。
半導体装置の製造方法において、インナリード上にワイ
ヤボンディング部を保護するための突起部を設けるよう
にしたため、モールド樹脂封止時のワイヤ流れ、ワイヤ
オーブンという現象が防止され、歩留まりを向上するこ
とができる。
第1図(a)、(b)は本発明に係る方法の説明図、第
2図(a>、(b)は従来の方法の説明図、第3図およ
び第4図は本発明の別な実施例の説明図である。 1・・・リードフレーム、2・・・ベッド部、3・・・
半導体ペレット、4・・・インナリード、5・・・ボン
ディングワイヤ、6・・・突起部、7・・・屈曲部、8
・・・キャップ。 出願人代理人 猪 股 清 (a) (b) 61 図 (b) も 2 図 84 図
2図(a>、(b)は従来の方法の説明図、第3図およ
び第4図は本発明の別な実施例の説明図である。 1・・・リードフレーム、2・・・ベッド部、3・・・
半導体ペレット、4・・・インナリード、5・・・ボン
ディングワイヤ、6・・・突起部、7・・・屈曲部、8
・・・キャップ。 出願人代理人 猪 股 清 (a) (b) 61 図 (b) も 2 図 84 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、リードフレームのベッド部に半導体ペレットを載せ
、前記リードフレームのインナリード先端部と前記半導
体ペレットとをワイヤボンディングし、これらをモール
ド樹脂封止する半導体装置の製造方法において、前記リ
ードフレームのインナリード上に、前記モールド樹脂封
止時に前記ワイヤボンディング部をモールド樹脂剤の圧
力から保護するのに十分な突起部を設けることを特徴と
する半導体装置の製造方法。 2、突起部がインナリード上に貼付けられたポリイミド
テープから成ることを特徴とする特許請求の範囲第1項
記載の半導体装置の製造方法。 3、ポリイミドテープの厚みが、0.5mm以上である
ことを特徴とする特許請求の範囲第2項記載の半導体装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60135175A JPS61292945A (ja) | 1985-06-20 | 1985-06-20 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60135175A JPS61292945A (ja) | 1985-06-20 | 1985-06-20 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61292945A true JPS61292945A (ja) | 1986-12-23 |
Family
ID=15145585
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60135175A Pending JPS61292945A (ja) | 1985-06-20 | 1985-06-20 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61292945A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5098863A (en) * | 1990-11-29 | 1992-03-24 | Intel Corporation | Method of stabilizing lead dimensions on high pin count surface mount I.C. packages |
US5106784A (en) * | 1987-04-16 | 1992-04-21 | Texas Instruments Incorporated | Method of making a post molded cavity package with internal dam bar for integrated circuit |
-
1985
- 1985-06-20 JP JP60135175A patent/JPS61292945A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5106784A (en) * | 1987-04-16 | 1992-04-21 | Texas Instruments Incorporated | Method of making a post molded cavity package with internal dam bar for integrated circuit |
US5098863A (en) * | 1990-11-29 | 1992-03-24 | Intel Corporation | Method of stabilizing lead dimensions on high pin count surface mount I.C. packages |
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