JPS6053060A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

半導体装置およびその製造方法

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JPS6053060A
JPS6053060A JP58160514A JP16051483A JPS6053060A JP S6053060 A JPS6053060 A JP S6053060A JP 58160514 A JP58160514 A JP 58160514A JP 16051483 A JP16051483 A JP 16051483A JP S6053060 A JPS6053060 A JP S6053060A
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semiconductor device
resin
pellet
sealed
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Takayuki Okinaga
隆幸 沖永
Kanji Otsuka
寛治 大塚
Masatoshi Seki
関　正俊
Hiroshi Ozaki
尾崎　弘
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Hitachi Microcomputer System Ltd
Hitachi Ltd
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Hitachi Ltd
Hitachi Microcomputer Engineering Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［技術分野］ 本発明は半導体装置およびその製造技術、特に、樹脂封
止型のパッケージよりなる半導体装置およびその製造技
術に関する。
［背景技術］ ８」脂封止型の半導体装置においては、半導体ペレット
を封止する樹脂とリードフレームとの界面あるいは樹脂
自体の中を通って水分が内部に浸透し易いという傾向が
ある。
そこで、この種の半導体装置においては、第１図に示す
ように、リードフレーム１のタブ２上にペレット ィングパノドをワイヤ４でリードフレーム１の・インナ
ーリード部５と電気的に接続した後、ペレット３上にシ
リコン（Ｓｉ）ゲル６をコーティングし、樹脂のパンケ
ージ７で封止することが考えられる。
しかしながら、この方式では、シリコンゲル６をベレノ
１−３上にコーティングする際にシリ：ノンゲル６がベ
レット３上から周囲に流れ落ちるので一十分な？のゲル
コーティングを行・うことができない。さらに、ワイヤ
４のペレソ１−側とリードフレーム・側が互いに熱膨張
率の異なるシリコンゲル６と樹脂７で覆われるので、半
導体装置を実際に使用ずろ際に受ける熱サイクル等の影
響によっＣ、シリコンゲル６とパッケージの樹脂７との
界面でソイート４が１折線し易く、信頼性が低くなると
いう問題点があることを本発明者゛は明らかにした。ま
た、ゲルコーティングの量が十分でないことにより、耐
湿性も不十分であるということも本発明者によって解明
された。
［発明の目的］ 本発明の目的は、ワイヤの断線による信頼性の低下を阻
止することのできる半導体装置およびその製造技術を提
供することにある。
本発明の他の目的は、パッケージの耐湿性を向上させる
ことのできる半導体装置およびその製造技術を提供する
ことにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
［発明の概要］ 本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、樹脂封止型半導体装置のパッケージがゲル状
物質を保持できるキャビティを有するようにすることに
より、ゲル状物質でワイヤを十分に覆い、前記目的を達
成するものである。
［実施例１］ 第２図〜第４図は本発明による半導体装置およびその製
造方法の実施例１を製造工程順に示す断面図である。
この実施例においては、半導体装置を製造するため、ま
ず、第２図に示す如く、たとえば４２７０イ等で作られ
たリードフレーム１のタブ２およびインナーリート部５
の一部、さらにはアウターリーｌ′部８を除く部分を樹
脂９でモールドする。
この場合、タブ２およびインナーリード部５は図示しな
い型で上下から挟まれているので、この部分には樹脂９
がモールドされず、キャビティ１０が樹脂９の中央部に
形成された状態となる。
次に、キャピテイ１０内におけるタブ２ににシＩＪ　：
）ン（Ｓｉ）のペレット３を金−シリコ１ンＪ’−Ｍま
たは接着剤、金−シリコンろう祠、銀ペースト等で固着
する。
その後、第３図に示す１１−うに、キャビティ１０のタ
ブ２の下＋１１１１　ｒｉｌ♂分に樹脂の蓋１１を接着
剤１２等で固着し、キャビティ１０の底部側を封止し、
ペレット３のボンディングツマノドとイン−Ｊ−　−　
ＩＪ　−ド部５とを金またはアルミニウム等のワイヤ４
で電気的に接続する。
次いで、キャビティ１０の中にシリコンゲＪし６の如き
耐湿性のゲル状物質をワイヤ４が全体的に覆われてしま
うまで供給する（第４図）。この場合、キャビティ１０
の底部側が蓋１１で閉塞されているので、シリコンゲル
６がキャビティ１０力＼ら漏れ出すことはない。
さらに、キャビティ１０の上側を樹脂製の蓋１３と接着
剤１４とで封止する。
したがって、本実施例１では、第４図に示すように、樹
脂４、蓋１１および１４で封止され力）つペレット３お
よびワイヤ４の全体が完全Ｇこシリコンゲル６で覆われ
た構造よりなる半導体装置力＜製造される。
［実施例２］ 第５図は本発明の他の実施例による半導体装置の断面図
である。
この実施例では、リードフレーム１の素材として折り曲
げ部１ａを予め折り曲げたものが使用され、この折り曲
げ状態のリードフレーム１に対して樹脂９を封止するも
のである。
したがって、本実施例によれば、シリコンゲルがワイヤ
とペレットの全体を覆い樹脂９が折り曲げ部１ａを覆う
ことにより、折り曲げ時の樹脂９のクラック発生がなく
なり、パンケージの耐湿性を大中に向上させることがで
きる。
［実施例３］ 第６図は本発明の他の実施例を示す断面図である。
この場合、蓋１１がキャビティ１０の底部のみを部分的
に封止した構造で、該キャビティ１０はタブ２の下方に
まで形成されている。このキャビティ１０の中には、シ
リコンゲル６が一杯に満たされており、上側の蓋１３と
シリコンゲル６との間には隙間が全く残されていない。
したがって、本実施例では、タブ２およびインナーリー
ド部５の下側までシリコンゲル６で覆われ、しかもキャ
ビティ１０内の全体にシリコンゲル６が満たされている
ので、パッケージの耐湿性がより向上する。勿論、ワイ
ヤ４は全体的にシリコンゲル６で覆われているので、熱
膨張率の差に起因するワイヤ４の断線を阻止できること
は他の実施例と同様である。
［効果コ （１）、樹脂封止型のパッケージの外枠部分内にキャビ
ティが形成されかつ該キャビティの底部が密封されてい
るので、キャビティ内にシリコンゲル等のゲル状物質を
十分に満たずことができる。
（２）、前記（１）により、ワイヤをゲル状物質で全体
的に近うことができる結果、ワイヤが複数の異物質で覆
われている場合のように熱膨張率の差に起因するワイヤ
の断線が生じず、信頼性を向上させることができる。
（３）、前記（１）により、パッケージの耐湿性が向上
し、信頼性が増大する。
（４）、リードフレームを予め折り曲げ成形した後に該
折り曲げ部を樹脂内に封止することにより、折り曲げ時
に樹脂に発生するクラックを未然に防き゛パッケージの
耐湿性をより向上させることができる。したがって、よ
り大きなタブを形成でき、より大きなペレットが搭載可
能となる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例Ｇこ基づき
具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されろ
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもス（い。
たとえば、キャビティ内に満たされるゲル状物質の例と
してはシリコンゲルの他に、エポキシ樹脂の如く、低温
で硬化しにくい各種ゲル状の物質を使用することができ
る。
［利用う３野］ 以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるデュアルインライン
型パッケージよりなる半導体装置に適用した場合につい
て説明したが、それに限定されるものではなく、たとえ
ば、シングルインライン型パッケージよりなる半導体装
置等に広く適用できる。
【図面の簡単な説明】
第１図は考えられる樹脂封止型半導体装置の一例を示す
断面図、 第２図〜第４図は本発明による半導体装置およびその製
造方法の実施例１を製造工程順に示す断面図、 第５図は本発明の実施例２を示す断面図、第６図は本発
明の実施例３を示す断面図である。 １・・・リードフレーム、１ａ・・・折り曲げ部、２・
・・タブ、３・・・ペレット、４・・・ワイヤ、５・・
・インナーリード部、６・・・シリコンゲル（ゲル状物
質）、７・・・樹脂、８・・・アウターリード部、９・
・・樹脂（外枠部分）、１０・・・キャビティ、１１・
・・蓋（底蓋部分）、１２・・・接着剤、１３・・・蓋
（上蓋部分）、１４・・・接着剤。 代理人　弁理士　高　橋　明　〆−−一）第　１　図 第　２　図 第　３　図 第　４　図 第　５　図 第　６　図 第１頁の続き ０発　明　者　関　正　俊　小平市上水木町１４５（発
センタ内 ０発　明　者　尾　崎　弘　小平市上水本町１４７（ジ
ニアリング株式会 ２９０− 盾地　株式会社日立製作所デバイス開 盾地　日立マイクロコンピュータエン ｊ社内

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、樹脂封止型のパンケージよりなる半導体装置にこお
    いて、パッケージが、リードフレームのペレット取り付
    は部の外側、あるいはインナーリード部の外側を封止し
    かつ中央部にキャビティを存在せしめる外枠部分と、前
    記キャビティの底部を密封する底蓋部分と、前記キャビ
    ティの上部を密封してペレットおよびワイヤを封止する
    上蓋部分とからなることを特徴とする半導体装置。 ２、前記キャビティ内のペレットおよびワイヤはゲル状
    物質で覆われていることを特徴とする特許請求の範囲第
    １項記載の半導体装置。 ３、前記外枠部分が、リードフレーＪ・の折れ曲がり部
    分を封止していることを特徴とする特許請求の範囲第１
    項記載の半導体装置。 ４、樹脂封止型のパッケージよりなる半導体装置の’Ｍ
    　Ｍ　７Ｊ−法において、リードフレームのペレット取
    りイづＬ）部あるいはインナーリード部の外側を樹脂材
    料で封止した後、ペレット取り付は部上にペレットを取
    り付けかつ該ペレットのボンディングバンドとインナー
    リード部とをワイヤで電気的に接続し、前記ペレット取
    り付は部の底部側を封止し、さらに樹脂材料で形成され
    るキャビティにゲル状の物質を満たし、前記ペレット取
    り付は部の上部側を封止することを特徴とする半導体装
    置の製造方法。 ５、リードフレームがそのアウターリード部を予め折り
    曲げた後に樹脂材料で封止されることを特徴とする特許
    請求の範囲第４項記載の半導体装置の製造方法。
JP58160514A 1983-09-02 1983-09-02 半導体装置およびその製造方法 Pending JPS6053060A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0245145A (ja) * 1988-08-04 1990-02-15 Ig Tech Res Inc 複合パネルの製造方法
US5026667A (en) * 1987-12-29 1991-06-25 Analog Devices, Incorporated Producing integrated circuit chips with reduced stress effects
JP6045749B2 (ja) * 2014-04-03 2016-12-14 三菱電機株式会社 半導体装置

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