JP2564104Y2 - 半導体装置封止用キヤツプ - Google Patents
半導体装置封止用キヤツプInfo
- Publication number
- JP2564104Y2 JP2564104Y2 JP1986179916U JP17991686U JP2564104Y2 JP 2564104 Y2 JP2564104 Y2 JP 2564104Y2 JP 1986179916 U JP1986179916 U JP 1986179916U JP 17991686 U JP17991686 U JP 17991686U JP 2564104 Y2 JP2564104 Y2 JP 2564104Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- adhesive layer
- groove
- semiconductor device
- cap
- adhesive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案は、半導体素子を収容したケースに蓋をし、内
部を気密に封止するためのキャップに関する。 〔従来の技術〕 従来の半導体装置封止用容器では、内部に半導体素子
を収容したケースと接着させる接着面に封止用接着剤を
均一な厚さに形成したキャップが使用される。この封止
工程は、通常、ケースとキャップの接着面に均一な圧力
を加えつつ一連の温度プロファイルで加熱処理すること
によって行なわれていた。接着すべきケースとキャップ
との接着面は、均一な加圧状態の下で接着剤の融点まで
徐々に加熱され、ついで流動性とするために、さらに高
温にした後自然冷却に移行する工程で行なわれる。 〔考案が解決しようとする問題点〕 この一連の温度プロファイルにおける接着面の様子を
調べてみると、従来のごとく均一な厚さの接着剤層をも
つキャップの場合には、接着剤が溶け始めた時点でケー
スとの間に残された僅かな隙間も埋まり容器内は、密封
状態となる。ここで、密封された容器に更に高い温度の
熱処理が加えられると容器内の圧力は急激に上昇して流
動状態にある接着剤を外部に向かって押し出すように働
く。特に封着すべき半導体チップが樹脂コーティングさ
れている場合は、コーティング樹脂の熱分解によりガス
が発生するので、この接着剤に対する押出し効果はより
一層助長される。このような容器内圧力の接着剤に対す
る押出し効果は、接着面の一部分に“引き下がり”と呼
ばれる薄くて弱い接着部を作ったり、または完全に突き
破って貫通孔を形成して気密不良を生じせしめ、封入歩
留りを低下させると共に製品の信頼性に著しい障害を与
えるという欠点があった。 〔問題点を解決するための手段〕 上述した従来の封止用キャップに対し、本考案では、
接着相手のケースとの接着面に形成した環状の接着剤層
に、予じめ環状の内外に通じる溝を設けておいて、前記
ケース内圧力による接着剤押出し効果を抑止して、最終
的には環状接着剤層の内外に通じる貫通孔の発生を防止
する。 〔実施例〕 つぎに本考案を実施例により説明する。 第１図（ａ）は、本考案の第１の実施例を示す平面
図、同図（ｂ）は第１図（ａ）を線Ａ−Ａに沿って切断
し矢印の方向に見たときの断面図である。これらの図に
おいて、封止用絶縁部材１の周辺部に封止用接着剤層２
が環状に設けられており接着剤層２の各辺の中央部に環
状を内外に垂直に横切る溝部３がある。このように環状
の接着剤層の一部に溝部３をもつキャップには、接着剤
が流動状態になるまでこの溝部３が通気孔として残る。
例えば、酸化鉛（PbO）を主成分とするガラス粉末に樹
脂材料をバインダとして加えた封止用接着剤の融点は、
390〜400℃、また、流動化温度は、420〜430℃である
が、融点に達し溶け始めたとしても直ちに原形を崩し去
ることはない。従って、通常の温度プロファイルによる
封着工程では、接着剤が溶け始めた時点では、まだ、溝
部による通気孔が残っているので容器は密封されない。
ここで加熱が第二段階に移り更に高い温度の熱処理が加
えられると、容器内の膨張した気体は残されたこの隙間
から外部に逃げるので、容器内の圧力は上昇せず、接着
剤に対する押出し効果の発生は有効に抑止される。この
場合、最終的に溝部が接着剤により塞がらないと不良に
なってしまうので、溝部を完全に塞ぐ必要がある。しか
し、塞がるのが早すぎると、“引き下がり”又は、貫通
孔が生じる。そこで、溝部の幅、シールパス、接着剤層
の厚さが重要な要因になる。溝部の幅は広くなるほど溝
部が塞がりにくくなり、シールパスは長いほど溝部が塞
がりやすく、接着剤層は厚いほど溝部が塞がりやすくな
る。これらの要因を封入工程の温度プロファイルに合わ
せて最適な条件にする必要がある。以上のことにより封
着工程において従来生じていた“引き下がり”または、
貫通孔の発生も有効に抑止され、それぞれの発生率を1/
100以下にまで改善し得る。 第２図は本考案の第２の実施例を示す平面図である。
第２図において、環状の接着剤層２の環状を内外に横切
る溝部４を封止用接着剤層２に対し斜めに設けてあるこ
とが第１の実施例と異なる。シールパスが短くなると溝
部が塞がりにくくなることは、第１の実施例の説明で述
べたが、半導体封止用容器の構造によっては、十分なシ
ールパスを得られない場合がある。さらに接着剤層の厚
さにも制限があり、溝部の幅だけでは十分な効果が得ら
れない場合がある。その場合でも十分な効果があるよう
にするためにシールパスは、同じ長さでも溝部を接着剤
層に対して斜めに設けることによりその角度で溝部の長
さを調整し最適な条件を出すことができる。これによ
り、シールパスが短い場合でも封着工程において従来生
じていた“引き下がり”または、貫通孔の発生を有効に
抑止できた。しかも、四辺形の絶縁部材１の周辺部に設
けた環状の接着剤層２の各辺に内外に横切る溝部３を形
成することにより、容器内の膨張した気体は各辺の溝部
３からそれぞれ外部に逃がすことができる。したがっ
て、環状の接着剤層の一箇所だけに溝部を設けた場合に
は、容器内の膨張した気体が逃げる前に唯一の溝部が塞
がれて引き下がりや貫通孔が発生するおそれがあった
が、このような引き下がりや貫通孔の発生を防止するこ
とができる。さらに、各辺に内外に横切る溝部３を形成
したことにより、キャップに圧力を加えると、環状の接
着剤層の各辺には均等に加重をかけることができるの
で、封止工程における加重の不均一性や接着剤層の厚さ
そのものに起因する引き下がりや貫通孔の発生を有効に
防止することができる。 〔考案の効果〕 本考案によれば、封止用接着剤層に生じる“引き下が
り”または、貫通孔の発生も有効に抑止され、それぞれ
の発生率を従来の1/100以下にとどめて容器封着を行な
い得るので、封入歩留りを著しく改善しかつ製品の信頼
性向上に顕著なる効果がある。
部を気密に封止するためのキャップに関する。 〔従来の技術〕 従来の半導体装置封止用容器では、内部に半導体素子
を収容したケースと接着させる接着面に封止用接着剤を
均一な厚さに形成したキャップが使用される。この封止
工程は、通常、ケースとキャップの接着面に均一な圧力
を加えつつ一連の温度プロファイルで加熱処理すること
によって行なわれていた。接着すべきケースとキャップ
との接着面は、均一な加圧状態の下で接着剤の融点まで
徐々に加熱され、ついで流動性とするために、さらに高
温にした後自然冷却に移行する工程で行なわれる。 〔考案が解決しようとする問題点〕 この一連の温度プロファイルにおける接着面の様子を
調べてみると、従来のごとく均一な厚さの接着剤層をも
つキャップの場合には、接着剤が溶け始めた時点でケー
スとの間に残された僅かな隙間も埋まり容器内は、密封
状態となる。ここで、密封された容器に更に高い温度の
熱処理が加えられると容器内の圧力は急激に上昇して流
動状態にある接着剤を外部に向かって押し出すように働
く。特に封着すべき半導体チップが樹脂コーティングさ
れている場合は、コーティング樹脂の熱分解によりガス
が発生するので、この接着剤に対する押出し効果はより
一層助長される。このような容器内圧力の接着剤に対す
る押出し効果は、接着面の一部分に“引き下がり”と呼
ばれる薄くて弱い接着部を作ったり、または完全に突き
破って貫通孔を形成して気密不良を生じせしめ、封入歩
留りを低下させると共に製品の信頼性に著しい障害を与
えるという欠点があった。 〔問題点を解決するための手段〕 上述した従来の封止用キャップに対し、本考案では、
接着相手のケースとの接着面に形成した環状の接着剤層
に、予じめ環状の内外に通じる溝を設けておいて、前記
ケース内圧力による接着剤押出し効果を抑止して、最終
的には環状接着剤層の内外に通じる貫通孔の発生を防止
する。 〔実施例〕 つぎに本考案を実施例により説明する。 第１図（ａ）は、本考案の第１の実施例を示す平面
図、同図（ｂ）は第１図（ａ）を線Ａ−Ａに沿って切断
し矢印の方向に見たときの断面図である。これらの図に
おいて、封止用絶縁部材１の周辺部に封止用接着剤層２
が環状に設けられており接着剤層２の各辺の中央部に環
状を内外に垂直に横切る溝部３がある。このように環状
の接着剤層の一部に溝部３をもつキャップには、接着剤
が流動状態になるまでこの溝部３が通気孔として残る。
例えば、酸化鉛（PbO）を主成分とするガラス粉末に樹
脂材料をバインダとして加えた封止用接着剤の融点は、
390〜400℃、また、流動化温度は、420〜430℃である
が、融点に達し溶け始めたとしても直ちに原形を崩し去
ることはない。従って、通常の温度プロファイルによる
封着工程では、接着剤が溶け始めた時点では、まだ、溝
部による通気孔が残っているので容器は密封されない。
ここで加熱が第二段階に移り更に高い温度の熱処理が加
えられると、容器内の膨張した気体は残されたこの隙間
から外部に逃げるので、容器内の圧力は上昇せず、接着
剤に対する押出し効果の発生は有効に抑止される。この
場合、最終的に溝部が接着剤により塞がらないと不良に
なってしまうので、溝部を完全に塞ぐ必要がある。しか
し、塞がるのが早すぎると、“引き下がり”又は、貫通
孔が生じる。そこで、溝部の幅、シールパス、接着剤層
の厚さが重要な要因になる。溝部の幅は広くなるほど溝
部が塞がりにくくなり、シールパスは長いほど溝部が塞
がりやすく、接着剤層は厚いほど溝部が塞がりやすくな
る。これらの要因を封入工程の温度プロファイルに合わ
せて最適な条件にする必要がある。以上のことにより封
着工程において従来生じていた“引き下がり”または、
貫通孔の発生も有効に抑止され、それぞれの発生率を1/
100以下にまで改善し得る。 第２図は本考案の第２の実施例を示す平面図である。
第２図において、環状の接着剤層２の環状を内外に横切
る溝部４を封止用接着剤層２に対し斜めに設けてあるこ
とが第１の実施例と異なる。シールパスが短くなると溝
部が塞がりにくくなることは、第１の実施例の説明で述
べたが、半導体封止用容器の構造によっては、十分なシ
ールパスを得られない場合がある。さらに接着剤層の厚
さにも制限があり、溝部の幅だけでは十分な効果が得ら
れない場合がある。その場合でも十分な効果があるよう
にするためにシールパスは、同じ長さでも溝部を接着剤
層に対して斜めに設けることによりその角度で溝部の長
さを調整し最適な条件を出すことができる。これによ
り、シールパスが短い場合でも封着工程において従来生
じていた“引き下がり”または、貫通孔の発生を有効に
抑止できた。しかも、四辺形の絶縁部材１の周辺部に設
けた環状の接着剤層２の各辺に内外に横切る溝部３を形
成することにより、容器内の膨張した気体は各辺の溝部
３からそれぞれ外部に逃がすことができる。したがっ
て、環状の接着剤層の一箇所だけに溝部を設けた場合に
は、容器内の膨張した気体が逃げる前に唯一の溝部が塞
がれて引き下がりや貫通孔が発生するおそれがあった
が、このような引き下がりや貫通孔の発生を防止するこ
とができる。さらに、各辺に内外に横切る溝部３を形成
したことにより、キャップに圧力を加えると、環状の接
着剤層の各辺には均等に加重をかけることができるの
で、封止工程における加重の不均一性や接着剤層の厚さ
そのものに起因する引き下がりや貫通孔の発生を有効に
防止することができる。 〔考案の効果〕 本考案によれば、封止用接着剤層に生じる“引き下が
り”または、貫通孔の発生も有効に抑止され、それぞれ
の発生率を従来の1/100以下にとどめて容器封着を行な
い得るので、封入歩留りを著しく改善しかつ製品の信頼
性向上に顕著なる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ）は、本考案の第一の実施例を示す平面図、
同図（ｂ）は第１図（ａ）を線Ａ−Ａに沿って切断し矢
印の方向から見たときの断面図、第２図は、本考案の第
２の実施例を示す平面図である。 １……封止用絶縁部材、２……封止用接着剤層、３……
溝部、４……斜め溝部。
同図（ｂ）は第１図（ａ）を線Ａ−Ａに沿って切断し矢
印の方向から見たときの断面図、第２図は、本考案の第
２の実施例を示す平面図である。 １……封止用絶縁部材、２……封止用接着剤層、３……
溝部、４……斜め溝部。
Claims (1)
- (57)【実用新案登録請求の範囲】 １．四辺形の絶縁部材の周辺部に封止用接着剤層が環状
に設けられた半導体装置封止用キャップにおいて、前記
環状の接着剤層の各辺に内外に横切る溝が形成されてい
ることを特徴とする半導体装置封止用キャップ。 ２．前記溝が前記環状の接着剤層を斜めに横切って形成
されていることを特徴とする実用新案登録請求の範囲第
１項記載の半導体装置封止用キャップ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986179916U JP2564104Y2 (ja) | 1986-11-21 | 1986-11-21 | 半導体装置封止用キヤツプ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986179916U JP2564104Y2 (ja) | 1986-11-21 | 1986-11-21 | 半導体装置封止用キヤツプ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6384956U JPS6384956U (ja) | 1988-06-03 |
| JP2564104Y2 true JP2564104Y2 (ja) | 1998-03-04 |
Family
ID=31123401
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1986179916U Expired - Lifetime JP2564104Y2 (ja) | 1986-11-21 | 1986-11-21 | 半導体装置封止用キヤツプ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2564104Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7177328B2 (ja) * | 2017-09-29 | 2022-11-24 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6365241U (ja) * | 1986-10-17 | 1988-04-30 |
-
1986
- 1986-11-21 JP JP1986179916U patent/JP2564104Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6384956U (ja) | 1988-06-03 |
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