JPS6327029A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS6327029A JPS6327029A JP17018286A JP17018286A JPS6327029A JP S6327029 A JPS6327029 A JP S6327029A JP 17018286 A JP17018286 A JP 17018286A JP 17018286 A JP17018286 A JP 17018286A JP S6327029 A JPS6327029 A JP S6327029A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- cut end
- semiconductor device
- cut
- sealed semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 35
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 35
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
−−の１
本発明は、リードフレーム上に取付けられた半導体素子
を、樹脂で封止するようにした樹脂封止型半導体装置の
製造方法に関するものである。
を、樹脂で封止するようにした樹脂封止型半導体装置の
製造方法に関するものである。
従オ≦Ｕ眉１
従来、この種半導体装置として、第２図及び第３図に示
すものがある。
すものがある。
すなわち、同図において、１は、放熱板ともなる素子取
付用基板２と、３本のリード線３とを一体にしたちの複
数個を、連結帯４により連結したり一ドフレーム、５は
、基板２上に取付けた半導体素子、６は、素子５の電極
とリード線３とをボンディング結線した金属細線、７は
、基板２とその上に取付けた素子５とを被覆して設けた
封止樹脂、８は、電気装置等への取付用の透孔である。
付用基板２と、３本のリード線３とを一体にしたちの複
数個を、連結帯４により連結したり一ドフレーム、５は
、基板２上に取付けた半導体素子、６は、素子５の電極
とリード線３とをボンディング結線した金属細線、７は
、基板２とその上に取付けた素子５とを被覆して設けた
封止樹脂、８は、電気装置等への取付用の透孔である。
上記構成よりなる半導体装置は、第２図に示す複数個連
結されたものを、その連結帯４を切断して個々に分離し
た場合、第３［Ｊ （ａ）に示すように、封止樹脂７よ
り、連結帯４の切断端４′が突出した状態となる。
結されたものを、その連結帯４を切断して個々に分離し
た場合、第３［Ｊ （ａ）に示すように、封止樹脂７よ
り、連結帯４の切断端４′が突出した状態となる。
この状態であると、半導体装置を電気装置のシャーシ等
に取付けた場合、シャーシと切断端４”が接近して、電
気的絶縁性が劣化することがあった。
に取付けた場合、シャーシと切断端４”が接近して、電
気的絶縁性が劣化することがあった。
これかため、従来より、この切断端４′に樹脂を被覆す
るのであるが、通常、液状の樹脂を塗布し、これを加熱
炉を通して硬化させるようにしていた。
るのであるが、通常、液状の樹脂を塗布し、これを加熱
炉を通して硬化させるようにしていた。
、Ｂが よ° １．■占
しかし、液状の樹脂を使用すると、その温度。
粘度等により吐出量が変り易（、適量を塗布するための
制御が、大変困難になる欠点があった。
制御が、大変困難になる欠点があった。
。８ ための
本発明は、上記欠点を改良除去するために提案されたも
ので、切断端に、樹脂タブレットを搭載して、これを加
熱溶融硬化させることにより、切断端に樹脂を′ｔＬ覆
するようにしたことを特徴とする。
ので、切断端に、樹脂タブレットを搭載して、これを加
熱溶融硬化させることにより、切断端に樹脂を′ｔＬ覆
するようにしたことを特徴とする。
実」１例−
以下、本発明の一実施例を第１図により説明すると、先
ず、連結帯を切断することにより個々に分［れた半導体
装置を用意し、第１図（ａ）に示すように、その切断端
１１が、頂部に来るよう、傾斜させて保持し、切断端Ｉ
＋に樹脂ダブレノ）１２を搭載する。次に、これを加熱
炉内に入れ、樹脂タブレット１２を加熱して、溶融させ
るとともに硬化させ、第１図（ｂ）に示すような半導体
装置を得る。次に、これを１８０°回転させ、同様にし
て、もう一方の切断端１１にも、樹脂を被覆する。
ず、連結帯を切断することにより個々に分［れた半導体
装置を用意し、第１図（ａ）に示すように、その切断端
１１が、頂部に来るよう、傾斜させて保持し、切断端Ｉ
＋に樹脂ダブレノ）１２を搭載する。次に、これを加熱
炉内に入れ、樹脂タブレット１２を加熱して、溶融させ
るとともに硬化させ、第１図（ｂ）に示すような半導体
装置を得る。次に、これを１８０°回転させ、同様にし
て、もう一方の切断端１１にも、樹脂を被覆する。
尚、樹脂タブレット１２としては、封止樹脂１３と同一
のものを用いることができる。この場合、封止樹脂１３
は、−旦加熱溶融硬化させであるので、樹脂タブレフＨ
２の加熱溶融時に、再度溶融することはない。
のものを用いることができる。この場合、封止樹脂１３
は、−旦加熱溶融硬化させであるので、樹脂タブレフＨ
２の加熱溶融時に、再度溶融することはない。
見匪Δ徒を
本発明は、以上のように、樹脂タブレットを加熱溶融硬
化させて、切断端に樹脂を被覆するようにしたから、樹
脂タブレットの量規制が簡単に実施でき、切断端への樹
脂被覆がきわめて簡単となって、生産性を大幅に拡大で
き、品質的にも優れた製品を提供できることが可能とな
った。
化させて、切断端に樹脂を被覆するようにしたから、樹
脂タブレットの量規制が簡単に実施でき、切断端への樹
脂被覆がきわめて簡単となって、生産性を大幅に拡大で
き、品質的にも優れた製品を提供できることが可能とな
った。
第１図は、本発明に係る製造方法を説明するための工程
簡略図、第２図は、連結帯切断前の半導体装置の平面図
、第３図は、連結帯切断後を示すもので、（ａ）は側面
図、（ｂ）は側断面図である。 ■・・・切断端、１２・・・樹脂タブレフ）、１３・・
・封止樹脂。
簡略図、第２図は、連結帯切断前の半導体装置の平面図
、第３図は、連結帯切断後を示すもので、（ａ）は側面
図、（ｂ）は側断面図である。 ■・・・切断端、１２・・・樹脂タブレフ）、１３・・
・封止樹脂。
Claims (1)
- 複数個連結された樹脂封止型半導体装置を、その連結帯
を切断することにより個々に分離した後、その封止樹脂
より突出した切断端を、樹脂で被覆するようにした樹脂
封止型半導体装置の製造方法において、切断端に樹脂ダ
ブレットを搭載して、加熱溶融硬化させることにより、
切断端に樹脂を被覆するようにしたことを特徴とする樹
脂封止型半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17018286A JPS6327029A (ja) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17018286A JPS6327029A (ja) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6327029A true JPS6327029A (ja) | 1988-02-04 |
| JPH0426781B2 JPH0426781B2 (ja) | 1992-05-08 |
Family
ID=15900204
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17018286A Granted JPS6327029A (ja) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6327029A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5729425A (en) * | 1995-05-22 | 1998-03-17 | Tdk Corporation | High voltage capacitor and magnetron having porcelain dielectric material |
| CN1042769C (zh) * | 1991-08-27 | 1999-03-31 | Tdk株式会社 | 高压穿心式陶瓷电容器 |
-
1986
- 1986-07-18 JP JP17018286A patent/JPS6327029A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1042769C (zh) * | 1991-08-27 | 1999-03-31 | Tdk株式会社 | 高压穿心式陶瓷电容器 |
| US5729425A (en) * | 1995-05-22 | 1998-03-17 | Tdk Corporation | High voltage capacitor and magnetron having porcelain dielectric material |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0426781B2 (ja) | 1992-05-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2972096B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH0528906B2 (ja) | ||
| US5314842A (en) | Resin-sealed type semiconductor device and method for manufacturing the same | |
| US4919857A (en) | Method of molding a pin holder on a lead frame | |
| JPS6327029A (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JPS6175549A (ja) | 半導体素子を含む電子回路及びその製造方法 | |
| JPH0269945A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPS5817646A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6313337A (ja) | 半導体素子の実装方法 | |
| JPS63177429A (ja) | 半導体部品の封止方法 | |
| JPS5961055A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0526761Y2 (ja) | ||
| JPS5933840A (ja) | 半導体装置の樹脂封止方法 | |
| JPS63177430A (ja) | 半導体装置の樹脂封止方法 | |
| JPS61285730A (ja) | 半導体装置の製造方法及びこれに用いる樹脂封止部材 | |
| US5237206A (en) | Low-melting point glass sealed semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| JPH11340373A (ja) | 薄小型樹脂封止パッケージ | |
| JPH04142042A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS62252155A (ja) | 混成集積回路 | |
| JPS63275147A (ja) | 気密封止形半導体装置の製造方法 | |
| JPH04171966A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS63177428A (ja) | 半導体装置の樹脂封止方法 | |
| JPH0379044A (ja) | 半導体素子の樹脂封止方法 | |
| JPS63213935A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH02143436A (ja) | フィルムキャリヤ半導体装置の樹脂封止方法 |