JPH04171966A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH04171966A JPH04171966A JP30007390A JP30007390A JPH04171966A JP H04171966 A JPH04171966 A JP H04171966A JP 30007390 A JP30007390 A JP 30007390A JP 30007390 A JP30007390 A JP 30007390A JP H04171966 A JPH04171966 A JP H04171966A
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Links
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Landscapes
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関する。
従来半導体装置として、セラミ・ｙり基板上面の中央部
に半導体素子を搭載するための素子接着部を備え、その
周辺部に、内部リードがメタライズされ更にその外側に
封止部が固着され、前述の封止部上に、低融点硝子等の
封止材を有するセラミック蓋板が固着封止されていると
共に、前述のセラミック基板の側面又は下面に、内部リ
ードと電気的に接続された外部リードがロー付けされた
構造のものが知られている。
に半導体素子を搭載するための素子接着部を備え、その
周辺部に、内部リードがメタライズされ更にその外側に
封止部が固着され、前述の封止部上に、低融点硝子等の
封止材を有するセラミック蓋板が固着封止されていると
共に、前述のセラミック基板の側面又は下面に、内部リ
ードと電気的に接続された外部リードがロー付けされた
構造のものが知られている。
上述した従来の半導体装置は、セラミック基板とセラミ
ック蓋板を低融点ガラス等の封止材を介して気密封止す
る際、ベルト炉等の封入装置を使用して行なっているが
、封止材である低融点ガラスが封止部外側から溶ける為
、高温時、膨張により内部圧が高くなりシールパスが短
くなったり、貫通孔ができたり等の気密不良が多く発生
する問題点があった。
ック蓋板を低融点ガラス等の封止材を介して気密封止す
る際、ベルト炉等の封入装置を使用して行なっているが
、封止材である低融点ガラスが封止部外側から溶ける為
、高温時、膨張により内部圧が高くなりシールパスが短
くなったり、貫通孔ができたり等の気密不良が多く発生
する問題点があった。
本発明の半導体装置の製造方法は、セラミック蓋板の周
辺部を２つ以上の領域に区分し、一方の領域に低融点ガ
ラスをコーティングし、他方の領域にセラミック蓋板の
中央から外側へ向けてスリットを設け、前記低融点ガラ
スより軟化温度の高いガラスをコーティングする工程と
、前記コーティング済のセラミック蓋板を、半導体素子
を搭載したスラミック基板上にのせて所定温度で前記低
融点ガラスを融かしたのち温度を上昇させて軟化温度の
高いガラスを融かすことによって封止する工程とを有し
ている。
辺部を２つ以上の領域に区分し、一方の領域に低融点ガ
ラスをコーティングし、他方の領域にセラミック蓋板の
中央から外側へ向けてスリットを設け、前記低融点ガラ
スより軟化温度の高いガラスをコーティングする工程と
、前記コーティング済のセラミック蓋板を、半導体素子
を搭載したスラミック基板上にのせて所定温度で前記低
融点ガラスを融かしたのち温度を上昇させて軟化温度の
高いガラスを融かすことによって封止する工程とを有し
ている。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）および（ｂ）はそれぞれ本発明の一実施例
で使用するセラミック蓋板の平面図および側面図、第２
図は半導体装置の断面図である。
で使用するセラミック蓋板の平面図および側面図、第２
図は半導体装置の断面図である。
セラミツク基板１１上面の中央部に半導体素子１２を搭
載するための素子接着部１３を備え、その周辺部に内部
リード１４がモリブデン、タングステン等でメタライズ
され更にその外側にセラミック製の封止部１５が固着さ
れ、半導体素子１２は、Ａ’ｕ−Ｓ ｉ 、 Ａｕ−３
ｎ等のロー材により素子接着部１３に接着されＡｕ、Ａ
ρ等の細線１６により内部リード１４と接続されている
。又、封止部１５の表面には、軟化温度４００〜４２０
℃のＰｂＯ系の第１の低融点ガラスかコーティングされ
ている。
載するための素子接着部１３を備え、その周辺部に内部
リード１４がモリブデン、タングステン等でメタライズ
され更にその外側にセラミック製の封止部１５が固着さ
れ、半導体素子１２は、Ａ’ｕ−Ｓ ｉ 、 Ａｕ−３
ｎ等のロー材により素子接着部１３に接着されＡｕ、Ａ
ρ等の細線１６により内部リード１４と接続されている
。又、封止部１５の表面には、軟化温度４００〜４２０
℃のＰｂＯ系の第１の低融点ガラスかコーティングされ
ている。
正方形状のセラミック蓋板１７の周辺部に封止材をコー
ティングする。各辺の中央部には、スリット１９を設け
たＰｂＯ系の第２の低融点ガラスをコーティングする。
ティングする。各辺の中央部には、スリット１９を設け
たＰｂＯ系の第２の低融点ガラスをコーティングする。
第２の低融点ガラスの軟化温度は４５０〜４７０℃で、
第１の低融点ガラスのそれより高い。
第１の低融点ガラスのそれより高い。
このようにして準備されたセラミック基板１１の上に、
セラミック蓋板１７をのせ、約４３０℃に加熱し、次に
約４８０℃の温度に加熱して封止する。
セラミック蓋板１７をのせ、約４３０℃に加熱し、次に
約４８０℃の温度に加熱して封止する。
約４３０℃の加熱時にはスリット１９を通してガスが抜
ける。次に約４８０℃に温度を上げても、内部圧の上昇
はわずかですむから気密不良の発生は防止される。
ける。次に約４８０℃に温度を上げても、内部圧の上昇
はわずかですむから気密不良の発生は防止される。
第２の低融点ガラスのコーティングを第１の低融点ガラ
スのコーティングよりやや薄くしておけば、スリットを
設ける必要はない。
スのコーティングよりやや薄くしておけば、スリットを
設ける必要はない。
なお、第１．第２の低融点ガラスの膨張係数は、封止材
として許容される範囲内で一致していることはいうまで
もない。
として許容される範囲内で一致していることはいうまで
もない。
以上説明したように本発明は、セラミック基板上の封止
材に軟化温度の異なる少なくとも２つの領域を設け、ま
ず先に軟化温度の低い封止材を溶かし、その後、内部空
気圧が外部と同圧となった所で、軟化温度の高い封止材
を溶かし、気密封止することにより、従来からの問題点
であった、気密不良の発生を防止することができる効果
を有する。
材に軟化温度の異なる少なくとも２つの領域を設け、ま
ず先に軟化温度の低い封止材を溶かし、その後、内部空
気圧が外部と同圧となった所で、軟化温度の高い封止材
を溶かし、気密封止することにより、従来からの問題点
であった、気密不良の発生を防止することができる効果
を有する。
第１図（ａ）および（ｂ）は、それぞれセラミック蓋板
の上面図および側面図、第２図は半導体装置の断面図で
ある。 １１・・・セラミック基板、１２・・・半導体素子、１
３・・・素子接着部、１４・・内部リード、１５・・・
封止材、１６・・・細線、１７・・・セラミック蓋板、
１８・・・封止材、１８−１・・・第１の低融点ガラス
、１つ・・・スリット、２０・・・第２の低融点ガラス
。
の上面図および側面図、第２図は半導体装置の断面図で
ある。 １１・・・セラミック基板、１２・・・半導体素子、１
３・・・素子接着部、１４・・内部リード、１５・・・
封止材、１６・・・細線、１７・・・セラミック蓋板、
１８・・・封止材、１８−１・・・第１の低融点ガラス
、１つ・・・スリット、２０・・・第２の低融点ガラス
。
Claims (1)
- セラミック蓋板の周辺部を２つ以上の領域に区分し、
一方の領域に低融点ガラスをコーティングし、他方の領
域にセラミック蓋板の中央から外側へ向けてスリットを
設け、前記低融点ガラスより軟化温度の高いガラスをコ
ーティングする工程と、前記コーティング済のセラミッ
ク蓋板を、半導体素子を搭載したセラミック基板上にの
せて所定温度で前記低融点ガラスを融かしたのち温度を
上昇させて軟化温度の高いガラスを融かすことによって
封止する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30007390A JPH04171966A (ja) | 1990-11-06 | 1990-11-06 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30007390A JPH04171966A (ja) | 1990-11-06 | 1990-11-06 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04171966A true JPH04171966A (ja) | 1992-06-19 |
Family
ID=17880382
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30007390A Pending JPH04171966A (ja) | 1990-11-06 | 1990-11-06 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04171966A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013041970A (ja) * | 2011-08-15 | 2013-02-28 | Seiko Epson Corp | パッケージの封止方法、電子デバイスの筐体及びセル |
| JP2013065819A (ja) * | 2011-08-29 | 2013-04-11 | Seiko Epson Corp | パッケージの封止方法 |
-
1990
- 1990-11-06 JP JP30007390A patent/JPH04171966A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013041970A (ja) * | 2011-08-15 | 2013-02-28 | Seiko Epson Corp | パッケージの封止方法、電子デバイスの筐体及びセル |
| JP2013065819A (ja) * | 2011-08-29 | 2013-04-11 | Seiko Epson Corp | パッケージの封止方法 |
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