JPH05326732A - ガラス封止型容器 - Google Patents

ガラス封止型容器

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JPH05326732A
JPH05326732A JP15441692A JP15441692A JPH05326732A JP H05326732 A JPH05326732 A JP H05326732A JP 15441692 A JP15441692 A JP 15441692A JP 15441692 A JP15441692 A JP 15441692A JP H05326732 A JPH05326732 A JP H05326732A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
glass
amorphous
fixing
container
insulating
Prior art date
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Pending
Application number
JP15441692A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuyuki Maruyama
和之 丸山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Niterra Co Ltd
Original Assignee
NGK Spark Plug Co Ltd
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Publication date
Application filed by NGK Spark Plug Co Ltd filed Critical NGK Spark Plug Co Ltd
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Publication of JPH05326732A publication Critical patent/JPH05326732A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【構成】容器本体をなす絶縁基体、この絶縁基体の表面
にガラスにて固着される金属リード及びガラスにて固着
され容器内部を気密封止する絶縁蓋体を備えているもの
において、前記金属リードを固着するガラスは、半結晶
質の部分と非晶質の部分とで構成されていることを特徴
とするガラス封止型容器。 【効果】金属リードの表面膜の厚さを1.5μ程度にし
ても、ワイヤーボンド精度、ワイヤーボンド特性、半田
接合特性を劣化させることなく、気密封止できる。従っ
て、工数の大幅軽減かつコスト低下を達成することがで
きる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、ガラス封止型容器に
関し、特にサーディップ、セラミッククワッドパッケー
ジなどの半導体パッケージに好適に利用され得る。
【0002】
【従来の技術】いわゆるサーディップ、セラミッククワ
ッドパッケージなどと称する半導体パッケージは、一般
に、IC(半導体チップ)を搭載し容器本体をなす絶縁
基体、この絶縁基体の表面にガラスにて固着されてIC
と外部回路との電気的接続をなす金属リード及びガラス
にて固着され容器内部を気密封止する絶縁蓋体を備えて
いる。
【0003】そして、前記金属リードのインナーリード
部とICとは、ワイヤーボンディングにて接続され、ま
た、金属リードのアウターリード部と外部回路のプリン
ト基盤やマザーボードとは、半田付け等にて接続され
る。
【0004】従って、金属リード本体は,42Ni−F
e合金(42アロイ)やFe−Ni−Co合金(コバー
ル)で形成されるものの、金属リードのインナーリード
部は、ボンディングをしやすくするためにアルミニウム
や金などが表面に蒸着もしくは鍍金され、アウターリー
ド部は、半田付け等をしやすくするために金やニッケル
等が鍍金されている。
【0005】ところで、このようなガラス封止型容器に
おいて、金属リードを固着するガラスと絶縁蓋体で気密
封止するガラスとで同一の軟化点のものを使用すると、
気密封止の際に金属リードを固着するガラスも軟化して
しまうため、せっかく絶縁基体にたいして所定の位置に
固着されていた金属リードが位置ズレを生じ、ボンディ
ングの精度を低下させてしまう。
【0006】また、絶縁蓋体で気密封止する際は、絶縁
蓋体と絶縁基体とをクリップなどで押圧して密着させる
必要上、金属リードを固着するガラスが軟化してインナ
ーリード部先端側にはみ出し、ボンディングワイヤーの
断線を招いてしまう。半導体パッケージの中には、絶縁
基体と絶縁蓋体との間に枠体を介在させるタイプのもの
があるが、これらの点に付いては、共通の課題を有して
いる。そこで、金属リードを固着するガラスを結晶質と
し、気密封止するガラスを低融点の非晶質とする技術が
提案されている(実公昭63−3166号)。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ように金属リードを固着するガラスを結晶質とすると、
実用の結晶化ガラスの結晶化温度が500℃付近という
高温であることから、金属リード内部の元素(たとえば
Ni)が表面のアルミニウム膜や金膜に拡散し、これら
表面膜の性質を変化させて、インナーリード部において
はワイヤーボンド特性を、アウターリード部においては
半田接合特性を、それぞれ著しく劣化させてしまう。し
たがって、この劣化を防止するためには、表面のアルミ
ニウム膜や金膜の厚さを3.5μ以上にしなければなら
ず、工数、材料費の増大となり、全体的にコストが高く
なってしまう。また、結晶化ガラスは、気密性に劣るか
ら、金属リードの固着を非晶質ガラスで行っているもの
に比して容器全体の気密性に劣る。
【0008】すなわち、従来技術では、ワイヤーボンデ
ィングの精度、ワイヤーボンド特性、半田接合特性、コ
スト及び気密性の少なくとも1つを犠牲にしなければな
らなかった。本発明は、これらの課題を解決し、上記の
犠牲を払うことのない優れたガラス封止型容器を提供す
ることを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】その第一の手段は、容器
本体をなす絶縁基体、この絶縁基体の表面にガラスにて
固着される金属リード及びガラスにて固着され容器内部
を気密封止する絶縁蓋体を備えているものにおいて、前
記金属リードを固着するガラスは、半結晶質の部分と非
晶質の部分とで構成されていることを特徴とするガラス
封止型容器。にある。
【0010】第二の手段は、容器が半導体パッケージで
ある上記ガラス封止型容器。にある。第三の手段は、金
属リードを固着するガラスのうち、少なくとも半結晶質
の部分が、金属リードのインナーリード部と接触してい
る上記ガラス封止型容器。にある。第4の手段は、金属
リードを固着するガラスのうち、少なくとも非晶質の部
分が、絶縁基体の主面と平行な断面において、容器内部
を囲み且つ閉じている上記ガラス封止型容器。にある。
【0011】
【作用】金属リードを固着するガラスのうち、半結晶質
の部分は、実用結晶化ガラスの半結晶化の温度が結晶化
ガラスよりも約50℃ほど低いので、金属リードの表面
膜の性質を変化させることなく、半結晶化と同時に金属
リードを固着させる。しかも半結晶化しているので、そ
の後にガラスで絶縁蓋体を固着する際には軟化すること
がなく、金属リードの位置ズレを防止する。この作用
は、金属リードのインナーリード部が半結晶質部分と接
触しているときに顕著である。
【0012】また、通常、半結晶化ガラスと非晶質ガラ
スとでは、非晶質ガラスの方が気密性に優れているか
ら、仮に半結晶質の部分を通過する気体があっても、金
属リードを固着するガラスのうち、非晶質の部分が、半
結晶質の部分より漏れる気体の堤防となり、容器全体の
気密性を確保する。この作用は、特に、少なくとも非晶
質の部分が、絶縁基体の主面と平行な断面において、容
器内部を囲み且つ閉じているときに顕著である。
【0013】
【実施例】本発明の一実施例に係わるガラス封止型容器
を、図1及び図2を参照しながら説明する。図1は、サ
ーディップと称する半導体パッケージの斜視図を示し、
絶縁蓋体で気密封止する直前の状態にある。図2は、図
1のイ−イ’線に沿う縦断面図である。
【0014】図において、半導体パッケージ1は、半導
体素子を搭載するセラミックス製の絶縁基体2、この絶
縁基体2の主面上に半導体搭載部を除いて形成される固
着用下側ガラス3、絶縁基体2の表面に固着されてIC
(図示省略)と外部回路(図示省略)との電気的接続を
なす金属リード4、この金属リードの上方に形成される
固着用上側ガラス5、さらにその上方に位置して絶縁基
体2と後述の絶縁蓋体とで半導体素子収納空間を形成す
るセラミックス製の枠体6、この枠体6と相まって半導
体素子収納空間を気密封止するセラミックス製の絶縁蓋
体7、並びに枠体6と絶縁蓋体7とを封着する封着用ガ
ラス8で構成されている。
【0015】絶縁基体2は、半導体素子を搭載する凹部
2aを有し、アルミナを主成分とする。金属リード4
は、42Ni−Fe合金製で、多数本の線条体が半導体
パッケージ1の内部から外部に向かって放射状に広がる
ように導出されており、半導体パッケージ1の外に露出
しているアウターリード部分には金鍍金がなされ、内側
のインナーリード部分にはアルミニウム蒸着がなされて
いる。
【0016】固着用下側ガラス3は、絶縁基体2の凹部
2aを挟んで2カ所対称に形成されている半結晶質の部
分3aと凹部2aを除く残りの面に形成されている非晶
質の部分3bとからなり、特に半結晶質の部分3aは、
絶縁基体2の外周のいずれの稜線にも接しないようにこ
れらの稜線よりも内側に形成され、逆に非晶質の部分3
bは、外周のいずれの稜線にも接するように形成されて
いる。
【0017】固着用上側ガラス5は、枠体6の孔部を挟
んで2カ所対称に形成されている半結晶質の部分5aと
孔部を除く残りの面に形成されている非晶質の部分5b
とからなり、特に半結晶質の部分5aは、枠体6の外周
のいずれの稜線にも接しないようにこれらの稜線よりも
内側に形成され、逆に非晶質の部分5bは、いずれの稜
線にも接するように形成されている。
【0018】従って、金属リードを固着する固着用下側
ガラス3及び固着用上側ガラス5のうち、少なくとも半
結晶質の部分が、金属リードのインナーリード部と接触
しており、他方、金属リードを固着するガラスのうち、
少なくとも非晶質の部分が、絶縁基体2の主面と平行な
断面において、容器内部の凹部2aを囲み且つ閉じてい
る構造となっている。
【0019】枠体6は、その孔部の大きさが凹部2aの
大きさよりも大きくなっており、金属リード4のインナ
ーリード部先端を凹部2a側に露出させている。次に半
導体パッケージ1の製造法を説明する。 [工程1] まず、焼結した絶縁基体2の主面に非晶質
ガラスのペーストを図3のようにスクリーン印刷する。
但し、凹部2aを挟んで2カ所対称に孔部3cが形成さ
れ、しかも絶縁基体2の外周及び凹部内周いずれの稜線
にも接するような一部孔あきパターンとする。
【0020】[工程2] 同様に枠体6の主面にも、中
央の孔部を挟んで2カ所対称に孔部5c(図示省略)が
形成され、しかも枠体6の外周及び孔部内周いずれの稜
線にも接するような一部孔あきパターンでスクリーン印
刷する。 [工程3] 結晶化ガラスのペーストをディスペンサー
により孔部3c及び孔部5cに注入し、乾燥及び焼き付
けをする。 [工程4] 絶縁基体2、金属リード4及び枠体6を位
置合わせして積層し、ベルト炉中に搬入し、結晶化ガラ
スの結晶化温度よりも50℃低い温度にて加熱処理を施
す。これによって、結晶化ガラスのペーストは半結晶質
となり、非晶質ガラスのペーストは軟化し、両者で金属
リード4を絶縁基体2と枠体6との間に固定する。
【0021】[工程5] 絶縁蓋体7の主面周縁部に低
融点ガラスのペーストをスクリーン印刷する。 [工程6] 絶縁基体2の凹部に半導体素子を搭載し、
半導体素子のパッド部と金属リード4のインナーリード
部先端とをボンディングワイヤーにて連結する。その
後、絶縁蓋体7のガラス印刷面を枠体6に重ね合わせ、
加熱することにより、低融点ガラスを軟化させて絶縁蓋
体7と枠体6とを封着する。これによって、半導体素子
を収納した半導体パッケージが完成される。
【0022】なお、ガラスが非晶質の状態であるか半結
晶質の状態であるかは、同一組成のガラスペーストにつ
き、予め示差熱分析を行うことにより同定できる。非結
晶状態の場合は、結晶化温度にて発熱ピークを生じ、他
方、完全結晶状態の場合は、発熱ピークを生じないとこ
ろ、そのピーク面積にて半結晶質状態を判定できるから
である。金属リードの固着強度及び気密性を勘案すれ
ば、ピーク面積が非結晶状態の場合の30〜70%程度
が望ましい。
【0023】[実験例]結晶化ガラスのペーストとし
て、熱膨張係数84×10-7/℃の2PbO−ZnO−
23系結晶化ガラスとなるガラス成分をターピネオル
(溶剤)で分散混合したものを用い、工程4における加
熱処理の条件を450℃とし、上記工程1〜6を実施し
たところ、インナーリード部のアルミニウム蒸着膜及び
アウターリード部の金鍍金膜の厚さがそれぞれ1.5μ
でも、インナーリード部にあってはワイヤーボンドが、
アウターリード部にあっては半田づけがそれぞれ支障な
くできた。そして、金属リードのどこにも変色が生じて
いなかった。また、絶縁蓋体7を枠体6に封着する温度
を450℃としたが、金属リード4は、位置ズレしなか
った。
【0024】
【他の実施例】上記の例では、絶縁基体2と枠体6とで
金属リード4を固着し、半導体素子搭載後に絶縁蓋体7
で封着したが、絶縁基体2に金属リード4を固着し、半
導体素子搭載後に絶縁蓋体7及び枠体6が一体形となっ
たもので封着しても良い。結晶化ガラスのペーストに代
えて、結晶化ガラス成分を円柱形にプレス成形したもの
を孔部3c及び5cに挿入しても良い。また、非晶質ガ
ラスペーストと結晶化ガラスペーストとを同時に加熱処
理したが、非晶質ガラスペーストを印刷し乾燥後に結晶
化ガラスペーストを印刷もしくは挿入することもできる
し、非晶質ガラスペーストを印刷し乾燥し一旦加熱処理
(焼き付け)後に結晶化ガラスペーストを印刷もしくは
挿入することもできる。
【0025】
【発明の効果】金属リードの表面膜の性質を変化させる
ことなく、半結晶化と同時に金属リードを固着させるこ
とができるから、インナーリード部においてはワイヤー
ボンド特性を、アウターリード部においては半田接合特
性を良好に保つ。また、ガラスで絶縁蓋体を固着する際
に、半結晶質の部分が軟化することがないので、金属リ
ードが位置ズレを生じることもなく、ボンディング精度
が向上する。以上の通りであるから、金属リードの表面
膜の厚さを1.5μ程度にしても、ワイヤーボンド精
度、ワイヤーボンド特性、半田接合特性を劣化させるこ
となく、気密封止できる。従って、工数の大幅軽減かつ
コスト低下を達成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例に係わるガラス封止型容器で
ある半導体パッケージの斜視図を示す。
【図2】図1のイ−イ’線に沿う縦断面図である。
【図3】半導体パッケージの製造方法の一過程を示す斜
視図である。
【符号の説明】
1・・・半導体パッケージ、2・・・絶縁基体、3・・
・固着用下側ガラス、4・・・金属リード、5・・・固
着用上側ガラス、6・・・枠体、7・・・絶縁蓋体、8
・・・封着用ガラス

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】容器本体をなす絶縁基体、この絶縁基体の
    表面にガラスにて固着される金属リード及びガラスにて
    固着され容器内部を気密封止する絶縁蓋体を備えている
    ものにおいて、前記金属リードを固着するガラスは、半
    結晶質の部分と非晶質の部分とで構成されていることを
    特徴とするガラス封止型容器。
  2. 【請求項2】容器が半導体パッケージである請求項1記
    載のガラス封止型容器。
  3. 【請求項3】金属リードを固着するガラスのうち、少な
    くとも半結晶質の部分が、金属リードのインナーリード
    部と接触している請求項1記載のガラス封止型容器。
  4. 【請求項4】金属リードを固着するガラスのうち、少な
    くとも非晶質の部分が、絶縁基体の主面と平行な断面に
    おいて、容器内部を囲み且つ閉じている請求項1記載の
    ガラス封止型容器。
JP15441692A 1992-05-20 1992-05-20 ガラス封止型容器 Pending JPH05326732A (ja)

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