JP2855787B2 - 樹脂封止型半導体装置製造用金型並びにそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置製造用金型並びにそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法Info
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- JP2855787B2 JP2855787B2 JP12613190A JP12613190A JP2855787B2 JP 2855787 B2 JP2855787 B2 JP 2855787B2 JP 12613190 A JP12613190 A JP 12613190A JP 12613190 A JP12613190 A JP 12613190A JP 2855787 B2 JP2855787 B2 JP 2855787B2
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- resin
- gate
- semiconductor device
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置を樹脂封止にて製造する際に発
生する半導体素子載置部及び半導体素子が設計値と異な
り変動することを防止し、それに伴い半導体素子と内部
リードを接続するワイヤーが設計時以外の半導体素子載
置部や半導体素子に接触することを防止することに関す
るものである。
生する半導体素子載置部及び半導体素子が設計値と異な
り変動することを防止し、それに伴い半導体素子と内部
リードを接続するワイヤーが設計時以外の半導体素子載
置部や半導体素子に接触することを防止することに関す
るものである。
本発明は、半導体装置を樹脂封止にて製造する際、樹
脂封止型半導体装置製造用金型（以下、半導体装置製造
用樹脂封止金型ともいう）のゲートの幅を対向する半導
体素子載置部の辺の1/2以上の大きさにすることで、金
型のキャビティに充填する樹脂の圧力と流動する樹脂の
流動抵抗により、半導体素子載置部及び半導体素子が変
動することなく設計値となるようにしたものである。
脂封止型半導体装置製造用金型（以下、半導体装置製造
用樹脂封止金型ともいう）のゲートの幅を対向する半導
体素子載置部の辺の1/2以上の大きさにすることで、金
型のキャビティに充填する樹脂の圧力と流動する樹脂の
流動抵抗により、半導体素子載置部及び半導体素子が変
動することなく設計値となるようにしたものである。
従来は、第２図に示すように外枠４・パイロットホー
ル５・外部リード６・樹脂封止流れ止め部７・内部リー
ド８・半導体素子載置部の保持部９・半導体素子と内部
リードを接続するワイヤー10・半導体素子載置部11・半
導体素子12を持つリードフレームをランナー２・サブラ
ンナー３・ゲート１・キャビティ13を持つ半導体装置製
造用樹脂封止金型にセットし、樹脂封止が流れ出ないよ
うにリードフレームの両面より半導体装置製造用樹脂封
止金型にてクランプし、溶融した熱硬化性樹脂をランナ
ー２・サブランナー３を流動させ、ゲート１よりキャビ
ティ13に充填させていた。この時、ゲートはキャビティ
に充填させ易いようにキャビティの角付近に配置させて
いた。
ル５・外部リード６・樹脂封止流れ止め部７・内部リー
ド８・半導体素子載置部の保持部９・半導体素子と内部
リードを接続するワイヤー10・半導体素子載置部11・半
導体素子12を持つリードフレームをランナー２・サブラ
ンナー３・ゲート１・キャビティ13を持つ半導体装置製
造用樹脂封止金型にセットし、樹脂封止が流れ出ないよ
うにリードフレームの両面より半導体装置製造用樹脂封
止金型にてクランプし、溶融した熱硬化性樹脂をランナ
ー２・サブランナー３を流動させ、ゲート１よりキャビ
ティ13に充填させていた。この時、ゲートはキャビティ
に充填させ易いようにキャビティの角付近に配置させて
いた。
しかし、従来のキャビティの角付近に配置させていた
ゲートでは、第３図に示すようにサブランナー３よりゲ
ート１を通過した樹脂封止がいきおい良くキャビティ13
に流れ込む。さらにゲート側のキャビティから内部リー
ドの隙間や半導体素子載置部の隙間を通りゲートと反対
側のキャビティに樹脂封止が流れる。この時樹脂封止の
流動圧力によりゲート側からゲートと反対側に内部リー
ドや半導体素子載置部を移動させようとする。半導体素
子及び半導体素子載置部のサイズが大きい時、半導体素
子載置部の保持部がこの樹脂封止の流動圧力によって変
形し、半導体素子及び半導体素子載置部がゲートと反対
側に移動する。したがって半導体素子及び半導体素子載
置部がゲートと反対側に移動するとそれに伴い半導体素
子と内部リードを接続するワイヤー半導体素子載置部の
端や半導体素子の角部に接触することになり電気的にシ
ョートし、設計時以外の電気特性となる問題がある。つ
まり、本来第３図（ａ）となるべきであるが第３図
（ｂ）となってしまう。さらにワイヤーが引っ張られる
からワイヤーが切断される。そこで本発明は従来のこの
ような問題を解決するための金型構造で、半導体装置の
製造における樹脂封止時トラブルを防止することを目的
とする。
ゲートでは、第３図に示すようにサブランナー３よりゲ
ート１を通過した樹脂封止がいきおい良くキャビティ13
に流れ込む。さらにゲート側のキャビティから内部リー
ドの隙間や半導体素子載置部の隙間を通りゲートと反対
側のキャビティに樹脂封止が流れる。この時樹脂封止の
流動圧力によりゲート側からゲートと反対側に内部リー
ドや半導体素子載置部を移動させようとする。半導体素
子及び半導体素子載置部のサイズが大きい時、半導体素
子載置部の保持部がこの樹脂封止の流動圧力によって変
形し、半導体素子及び半導体素子載置部がゲートと反対
側に移動する。したがって半導体素子及び半導体素子載
置部がゲートと反対側に移動するとそれに伴い半導体素
子と内部リードを接続するワイヤー半導体素子載置部の
端や半導体素子の角部に接触することになり電気的にシ
ョートし、設計時以外の電気特性となる問題がある。つ
まり、本来第３図（ａ）となるべきであるが第３図
（ｂ）となってしまう。さらにワイヤーが引っ張られる
からワイヤーが切断される。そこで本発明は従来のこの
ような問題を解決するための金型構造で、半導体装置の
製造における樹脂封止時トラブルを防止することを目的
とする。
本発明の半導体装置製造用樹脂封止金型は、半導体素
子と、前記半導体素子が載置される半導体素子載置部
と、前記半導体素子載置部を構成する一対の辺の各々に
沿うように設けられた内部リードと、前記半導体素子と
前記内部リードとをつなぐ結線部と、を樹脂にて封止す
る樹脂封止型半導体装置製造用金型であって、 前記半導体素子、前記半導体素子載置部、前記内部リ
ード及び前記結線部の各部位がそれぞれ領域内に位置す
るように設けられたキャビティと、前記キャビティにつ
ながり前記キャビティ内に樹脂を注入する際の導入口と
なるゲートと、前記ゲートにつながり前記ゲートに樹脂
を導くランナーと、を有し、 前記ゲートは、前記内部リード及び前記結線部の延出
する方向とは異なる方向に設けられるとともに、前記半
導体素子載置部の一辺と平行になるように且つ前記ゲー
トの幅が前記半導体素子載置部の一辺の長さの1/2以上
の長さになるように設けられてなることを特徴とする。
子と、前記半導体素子が載置される半導体素子載置部
と、前記半導体素子載置部を構成する一対の辺の各々に
沿うように設けられた内部リードと、前記半導体素子と
前記内部リードとをつなぐ結線部と、を樹脂にて封止す
る樹脂封止型半導体装置製造用金型であって、 前記半導体素子、前記半導体素子載置部、前記内部リ
ード及び前記結線部の各部位がそれぞれ領域内に位置す
るように設けられたキャビティと、前記キャビティにつ
ながり前記キャビティ内に樹脂を注入する際の導入口と
なるゲートと、前記ゲートにつながり前記ゲートに樹脂
を導くランナーと、を有し、 前記ゲートは、前記内部リード及び前記結線部の延出
する方向とは異なる方向に設けられるとともに、前記半
導体素子載置部の一辺と平行になるように且つ前記ゲー
トの幅が前記半導体素子載置部の一辺の長さの1/2以上
の長さになるように設けられてなることを特徴とする。
また、上記構成において、更に前記半導体素子載置部
の前記一辺の長さを超えて前記ゲート幅が設けられてな
ることを特徴とする。
の前記一辺の長さを超えて前記ゲート幅が設けられてな
ることを特徴とする。
一方、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、
半導体素子と、前記半導体素子が載置される半導体素子
載置部と、前記半導体素子載置部を構成する一対の辺の
各々に沿うように設けられた内部リードと、前記半導体
素子と前記内部リードとをつなぐ結線部と、を樹脂にて
封止する樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、 前記樹脂による封止には、前記半導体素子、前記半導
体素子載置部、前記内部リード及び前記結線部の各部位
がそれぞれ領域内に位置するように設けられたキャビテ
ィと、前記キャビティにつながり前記キャビティ内に樹
脂を注入する際の導入口となるゲートと、前記ゲートに
つながり前記ゲートに樹脂を導くランナーと、を有し、 前記ゲートは、前記ゲートは、前記内部リード及び前
記結線部の延出する方向とは異なる方向に設けられると
ともに、前記半導体素子載置部の一辺と平行になるよう
に且つ前記ゲートの幅が前記半導体素子載置部の一辺の
長さの1/2以上の長さからなる樹脂封止型半導体装置製
造用金型を用いて行われることを特徴とする。
半導体素子と、前記半導体素子が載置される半導体素子
載置部と、前記半導体素子載置部を構成する一対の辺の
各々に沿うように設けられた内部リードと、前記半導体
素子と前記内部リードとをつなぐ結線部と、を樹脂にて
封止する樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、 前記樹脂による封止には、前記半導体素子、前記半導
体素子載置部、前記内部リード及び前記結線部の各部位
がそれぞれ領域内に位置するように設けられたキャビテ
ィと、前記キャビティにつながり前記キャビティ内に樹
脂を注入する際の導入口となるゲートと、前記ゲートに
つながり前記ゲートに樹脂を導くランナーと、を有し、 前記ゲートは、前記ゲートは、前記内部リード及び前
記結線部の延出する方向とは異なる方向に設けられると
ともに、前記半導体素子載置部の一辺と平行になるよう
に且つ前記ゲートの幅が前記半導体素子載置部の一辺の
長さの1/2以上の長さからなる樹脂封止型半導体装置製
造用金型を用いて行われることを特徴とする。
更に上記に加えて、前記ゲート幅における中心位置と
前記半導体素子載置部における中心位置とが一致するよ
うに前記ゲートを設けてなることを特徴とする。
前記半導体素子載置部における中心位置とが一致するよ
うに前記ゲートを設けてなることを特徴とする。
第１図は、本発明の実施例を示すゲートの幅が対向す
る半導体素子載置部の辺の1/2以上の大きさを有する半
導体装置製造用樹脂封止金型のゲート付近図であり、外
枠４・パイロットホール５・外部リード６・樹脂封止流
れ止め部７・内部リード８・半導体素子載置部の保持部
９・半導体素子と内部リードを接続するワイヤー10・10
mm×7mmの大きさの半導体素子載置部11・9.5mm×6.5mm
の大きさの半導体素子12を１連として10連を持つ短尺状
の厚み0.125mmのリードフレームをランナー２・サブラ
ンナー３・本発明のゲート１・20mm×10mm深さ0.6mmの
大きさのキャビティ13を持つ半導体装置製造用樹脂封止
金型にセットし、樹脂封止が流れ出ないようにリードフ
レームの両面より半導体装置製造用樹脂封止金型にてク
ランプし、溶融した熱硬化性樹脂をランナー２・サブラ
ンナー３を流動させ、本発明のゲート１よりキャビティ
13に充填させる。この時のゲートの幅とゲートと対向す
る半導体素子載置部の幅の関係により樹脂封止時の半導
体素子載置部の変動量を表したものが第４図である。横
軸に金型ゲート幅、縦軸に半導体素子載置部の変動量を
とる。ゲートと対向する半導体素子載置部の幅が10mmに
対しゲートの幅が5mm以下では半導体素子載置部の変動
量が非常に大きくなり、本発明の5mm以上では半導体素
子載置部の変動量が安定する。
る半導体素子載置部の辺の1/2以上の大きさを有する半
導体装置製造用樹脂封止金型のゲート付近図であり、外
枠４・パイロットホール５・外部リード６・樹脂封止流
れ止め部７・内部リード８・半導体素子載置部の保持部
９・半導体素子と内部リードを接続するワイヤー10・10
mm×7mmの大きさの半導体素子載置部11・9.5mm×6.5mm
の大きさの半導体素子12を１連として10連を持つ短尺状
の厚み0.125mmのリードフレームをランナー２・サブラ
ンナー３・本発明のゲート１・20mm×10mm深さ0.6mmの
大きさのキャビティ13を持つ半導体装置製造用樹脂封止
金型にセットし、樹脂封止が流れ出ないようにリードフ
レームの両面より半導体装置製造用樹脂封止金型にてク
ランプし、溶融した熱硬化性樹脂をランナー２・サブラ
ンナー３を流動させ、本発明のゲート１よりキャビティ
13に充填させる。この時のゲートの幅とゲートと対向す
る半導体素子載置部の幅の関係により樹脂封止時の半導
体素子載置部の変動量を表したものが第４図である。横
軸に金型ゲート幅、縦軸に半導体素子載置部の変動量を
とる。ゲートと対向する半導体素子載置部の幅が10mmに
対しゲートの幅が5mm以下では半導体素子載置部の変動
量が非常に大きくなり、本発明の5mm以上では半導体素
子載置部の変動量が安定する。
以上述べたように本発明によれば、樹脂封止時におい
て半導体素子載置部及び半導体素子が変動することな
く、さらに半導体素子と内部リードを接続するワイヤー
と半導体素子載置部や半導体素子との接触を防止し、安
定した生産ができる。
て半導体素子載置部及び半導体素子が変動することな
く、さらに半導体素子と内部リードを接続するワイヤー
と半導体素子載置部や半導体素子との接触を防止し、安
定した生産ができる。
第１図は本発明の半導体装置製造用樹脂封止金型ゲート
部概略図。 第２図は従来の半導体装置製造用樹脂封止金型ゲート部
概略図。 第３図（ａ）は樹脂封止時における良品の状態を示す断
面図。 第３図（ｂ）は樹脂封止時における不良品の状態を示す
断面図。 第４図はゲートの幅と樹脂封止時の半導体素子載置部の
変動量の関係図。 １……ゲート ２……ランナー ３……サブランナー ４……外枠 ５……パイロットホール ６……外部リード ７……樹脂封止流れ止め部 ８……内部リード ９……半導体素子載置部の保持部 10……半導体素子と内部リードを接続するワイヤー 11……半導体素子載置部 12……半導体素子 13……キャビティ
部概略図。 第２図は従来の半導体装置製造用樹脂封止金型ゲート部
概略図。 第３図（ａ）は樹脂封止時における良品の状態を示す断
面図。 第３図（ｂ）は樹脂封止時における不良品の状態を示す
断面図。 第４図はゲートの幅と樹脂封止時の半導体素子載置部の
変動量の関係図。 １……ゲート ２……ランナー ３……サブランナー ４……外枠 ５……パイロットホール ６……外部リード ７……樹脂封止流れ止め部 ８……内部リード ９……半導体素子載置部の保持部 10……半導体素子と内部リードを接続するワイヤー 11……半導体素子載置部 12……半導体素子 13……キャビティ
Claims (4)
- 【請求項１】半導体素子と、前記半導体素子が載置され
る半導体素子載置部と、前記半導体素子載置部を構成す
る一対の辺の各々に沿うように設けられた内部リード
と、前記半導体素子と前記内部リードとをつなぐ結線部
と、を樹脂にて封止する樹脂封止型半導体装置製造用金
型であって、 前記半導体素子、前記半導体素子載置部、前記内部リー
ド及び前記結線部の各部位がそれぞれ領域内に位置する
ように設けられたキャビティと、前記キャビティにつな
がり前記キャビティ内に樹脂を注入する際の導入口とな
るゲートと、前記ゲートにつながり前記ゲートに樹脂を
導くランナーと、を有し、 前記ゲートは、前記内部リード及び前記結線部の延出す
る方向とは異なる方向に設けられるとともに、前記半導
体素子載置部の一辺と平行になるように且つ前記ゲート
の幅が前記半導体素子載置部の一辺の長さの1/2以上の
長さになるように設けられてなることを特徴とする樹脂
封止型半導体装置製造用金型。 - 【請求項２】前記半導体素子載置部の前記一辺の長さを
超えて前記ゲート幅が設けられてなることを特徴とする
請求項１記載の樹脂封止型半導体装置製造用金型。 - 【請求項３】半導体素子と、前記半導体素子が載置され
る半導体素子載置部と、前記半導体素子載置部を構成す
る一対の辺の各々に沿うように設けられた内部リード
と、前記半導体素子と前記内部リードとをつなぐ結線部
と、を樹脂にて封止する樹脂封止型半導体装置の製造方
法であって、 前記樹脂による封止には、前記半導体素子、前記半導体
素子載置部、前記内部リード及び前記結線部の各部位が
それぞれ領域内に位置するように設けられたキャビティ
と、前記キャビティにつながり前記キャビティ内に樹脂
を注入する際の導入口となるゲートと、前記ゲートにつ
ながり前記ゲートに樹脂を導くランナーと、を有し、 前記ゲートは、前記ゲートは、前記内部リード及び前記
結線部の延出する方向とは異なる方向に設けられるとと
もに、前記半導体素子載置部の一辺と平行になるように
且つ前記ゲートの幅が前記半導体素子載置部の一辺の長
さの1/2以上の長さからなる樹脂封止型半導体装置製造
用金型を用いて行われることを特徴とする樹脂封止型半
導体装置の製造方法。 - 【請求項４】前記ゲート幅における中心位置と前記半導
体素子載置部における中心位置とが一致するように前記
ゲートを設けてなることを特徴とする請求項３記載の樹
脂封止型半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12613190A JP2855787B2 (ja) | 1990-05-16 | 1990-05-16 | 樹脂封止型半導体装置製造用金型並びにそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12613190A JP2855787B2 (ja) | 1990-05-16 | 1990-05-16 | 樹脂封止型半導体装置製造用金型並びにそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0425035A JPH0425035A (ja) | 1992-01-28 |
| JP2855787B2 true JP2855787B2 (ja) | 1999-02-10 |
Family
ID=14927437
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12613190A Expired - Fee Related JP2855787B2 (ja) | 1990-05-16 | 1990-05-16 | 樹脂封止型半導体装置製造用金型並びにそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2855787B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL1008488C2 (nl) | 1998-03-05 | 1999-09-07 | Fico Bv | Maldeel, mal en werkwijze voor het omhullen van op een drager bevestigde elektronische componenten. |
-
1990
- 1990-05-16 JP JP12613190A patent/JP2855787B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0425035A (ja) | 1992-01-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |