JPS59969B2

JPS59969B2 - 半導体装置の封止方法

Info

Publication number: JPS59969B2
Application number: JP9028675A
Authority: JP
Inventors: 猛清水; 邦彦西; 桂三大槻; 邦宏坪崎
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1975-07-25
Filing date: 1975-07-25
Publication date: 1984-01-10
Also published as: JPS5214359A

Description

【発明の詳細な説明】本発明は半導体装置の封止方法およびその方法において
用いるリードフレームに関する。

周知のように、半導体装置、半導体集積回路装置の製造
において、半導体素子、ワイヤ、リード内端部等の主要
部をレジンでモールドする工程がある。

ところで、このモールドをトランスファモールドで行な
う際、第１図で示すように、レジンはリードフレーム１
を挾持するモールド上型２およびモールド下型３からな
るモールド空間４内に向かつてモールド下型３の上部に
設けられた注入口（ゲート）５から勢いよく流入する°
しかし、注入口５は一般にモールド上型２またはモール
ド下型３の表面部分に設けられる。

したがつて、注入口５はリードフレーム１の一面に位置
することになわ、流人するレジンは注入口５に最も近い
リード６に対して斜方向に衝突する。この結果、リード
６の一面（図では上面）側に流れのかげができ、レジン
モールド後この位置に気胞（ボード）１が発生する。こ
の気胞□は水分の浸入の原因ともなわ半導体装置の耐湿
性の低下を来し好ましくない。したがつて、本発明の目
的は耐湿性の優れた半導体装置を形成することにある。
以下実施例により本発明を詳細に説明する。

第２図は本発明の半導体装置の封止に用いるリードフレ
ーム８とモールド型９との関係を示す。このリードフレ
ーム８は２本の平行な外枠１０と、この外枠１０に直交
しかつ両端をそれぞれの外枠１０に繋がる平行な２本の
内枠１１と、一方の内枠１１から延び内枠１１と外枠１
０とからなる枠の中心に位置する矩形のタブ１２を支持
する屈曲したタブリード１３と、このタブ１２に向かつ
てそれぞれ両側の内枠１１から延びる複数のリード１４
と、それぞれのリード１４および外枠１０とを直線的に
繋ぐタイバー１５とからなつている。また、このリード
フレーム８の一方の外枠１０の内周縁であつて、タイバ
ー１５とタイバー１５との間の部分にはレジン注人空間
１６となるように切欠部が外枠１０の外周縁近くまで形
成されている。このような形状のリードフレーム８のタ
ブ１２上に半導体素子１７を取り付けるとともに、この
半導体素子１７の電極とリード１４の内側とをワイヤ１
８で接続する。

つぎに、このリードフレーム８を第２図に鎖線で示すよ
うなモールド型９に装着する。このとき、第３図で示す
ように、リードフレーム８はモールド型９の上型１９と
下型２０との間に挟持される。そして、上型１９と下型
２０とによつて形成されるモールド空間２１は第２図で
示すように、平行な２本の外枠１０｝よび平行な２列の
タイバー１５とからなる矩形枠よシもわずかに小さく形
成されるようになつている。一方、前記下型２０の中央
上面には洛融状態のレジンが流れるランナー溝２２が設
けられている。そして、このランナー溝２２はリードフ
レーム８のレジン注人空間１６の設けられた外枠１０の
外縁部と重なるようになつている。この結果、ランナー
溝２２とリードフレーム８のレジン注入空間１６とは連
通するようになる。また、第３図で示すように、外枠１
０のレジン注人空間１６の両側壁と上型１９の下面卦よ
び下型の上面とによつてレジン注入口（ゲート）２３が
形成虹れる。ところで、このゲート２３はリードフレー
ム８の板を部分的に切欠いて形成され、その流出方向は
リード１４の側面に当たるようになつている。また、上
型１９の下面には溝が設けられ、下型２０と合せられる
とモールド空間２１内の空気抜孔２４を形作るようにな
つている。また、下型２０には上下動するノツクアウト
ピン２５が配置され、上昇してモールド空間２１内から
モールド製品を押し出すようになつている。つぎに、半
導体装置の封止方法について説明する。

まず、第２図卦よび第３図で示すようにペレツトボンデ
イング卦よびワイヤボンデイングされたリードフレーム
８をモールド型９に取ジ付ける。その後、ランナー溝２
２に牌融したレジン２６を圧入すると、レジン注入口２
３を通つてモールド空間２１内にレジン２６が勢いよく
流入する。この際、前記ゲート２３から流入するレジン
２６は第３図の矢印２７，２８で示すように、リード１
４の上面卦よび下面に接触しながら流れる。また、リー
ド１４の板厚は０．２５ｍｍと薄いことから、流れのか
げとなるところ、すなわち渦を巻くところもない。この
ため、従来のようにモールドされたレジン内に気胞が発
生することはほとんどなくなる。一方、レジン２６がモ
ールド空間２１内を突き進むにしたがつて、モールド空
間２１内の空気は反対側の空気抜孔２４から抜けでる。
この場合、レジンはリード１４の側面から注入されてい
るため、リード１４の上側にレジンが注人されていくス
ピードと、その下側にレジンが注入されてい〈スピード
とがほぼ等しくなる。したがつて上記上側に注入される
レジンと上記下側に注入されるレジンとがほぼ同時に空
気抜孔２４に達することになる。したがつてモールド空
間２１に空気が残つている状態で、上記空気抜孔２４が
レジンによつてふさがれることがない。したがつて空気
抜を十分に行うことができる。このため、ボードのない
モールド部を形成することができる。その後、レジン２
６が凝固した後、上型１９を取り外すとともにノツクア
ウトピン２５を上昇させて、モールド製品を取り出す。

このような実施例によれば、モールド内部に気胞が生じ
ないので、耐湿性の優れた半導体装置を得ることかでき
る。

また、この実施例ではモールド型のランナー溝から支流
を設け、それぞれのモールド空間に連通するようにしな
くとも、単にランナー溝の一部とリードフレーム８のレ
ジン注入空間１６が部分的に重なジ合うようにすればよ
い。

したがつて、モールド型の単純化、統一化が図れること
から製造価格が安価となる実益がある。また、リードフ
レームの外枠に設けたレジン注入空間１６がゲートの一
部を分担しカリそれは常に新しいのを使うことになるか
ら、摩耗によつてゲートの大きさが大きく変化すること
はない。

さらに、リードフレームのレジン注人空間の幅を選択形
成することによつて、所望の注人条件を得ることができ
る。したがつて、モールド型の統一汎用性の増大を図る
ことができる〇な卦、本発明は前記実施例に限定されな
い。

以上のように、本発明によれば封止時、モールド内部に
気胞を発生することがないので、耐湿性の優れた半導体
装置を得ることができる。また、本発明によれば、モー
ルド型を安価に製造することができるとともに、汎用性
を増大することができるなどの効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の半導体装置の封止状態を示す一部断面図
、第２図は本発明の半導体装置の封止方法に用いるリー
ドフレームとモールド型との関係を示す一部平面図、第
３図は第２図−線に沿う断面図である。１・・・・・・リードフレーム、２・・・・・゜モール
ド上型、３゛゜゜゛゜゜モールドト型、４・・・・゜゜
モールド空間、５・・・・・・注入口（ゲート）、６・
・・・・・リード、７一・一気胞（ボード）、８・・・
・・・リードフレーム、９・・・・・・モールド型、１
０・・・・・外枠、１１・・・・・・内枠、１２・・・
・・・タブ、１３゛゜゜・゜゜タブリード、１４・・・
・・・リード、１５・・・・・・タイバー１６・・・
・・・レジン注入空間、１７・・・・・・半導体素子、
１８・・・・・・ワイヤ、１９・・・・・・上型、２０
・・・・・・下型、２１・・・・・・モールド空間、２
２・・・・・・ランナー溝、２３・・・・・・レジン注
入口（ゲート）、２４・・・・・・空気抜孔、２５・・
・・・・ノックアウトピン、２６・・・・・・レジン、
２７，２８・・・・・・矢印。

Claims

【特許請求の範囲】

１リードフレームをモールド上型およびモールド下型
で挾持し、上記モールド上型およびモールド下型で形成
されたモールド空間にレジンを注入する半導体装置の封
止方法において、あらかじめリードフレームの外枠の内
縁側にレジン注入用切込空間部を設け、このリードフレ
ームをモールド上型およびモールド下型で挾持すること
によりモールド上型およびモールド下型で形成されるレ
ジン流通孔と上記レジン注入用切込空間部とでレジン注
入口を形成し、その後、このレジン注入口からレジンを
注入して封止を行うことを特徴とする半導体装置の封止
方法。