JP6318644B2 - 光半導体用リードフレーム、光半導体用樹脂成形体及びその製造方法、並びに光半導体パッケージ - Google Patents
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Description
(3)集合体の周りに隙間を空けて枠体を設け、集合体のうち周端に配された単位実装領域と枠体とを連結し、枠体の内側に集合体を支持する支持部を設けてなる上記(1)又は(2)の光半導体用リードフレーム。
(4)支持部を、薄肉部より構成してなる上記(3)の光半導体用リードフレーム。
(5)支持部を、薄肉の支持片より構成してなる上記(4)の光半導体用リードフレーム。
(6)フレーム内部の単位実装領域のリード部周りの樹脂充填空間を、縦横に隣接する他の単位実装領域の同じく樹脂充填空間に連通させてなる上記(2)〜(5)の何れかの光半導体用リードフレーム。
(7)縦横の単位実装領域を薄肉の連結部で連結してなる上記(6)の光半導体用リードフレーム。
(9)排出口を、隣接する単位実装領域間の位置に対向する位置に開口させてなる上記(8)の光半導体用リードフレーム。
(10)ゲート部における注入路側端部の少なくとも一部を、底の無い貫通した溝とした上記(1)〜(9)の何れかの光半導体用リードフレーム。
(11)ゲート部における注入路と離反する側の端部の少なくとも一部を、有底溝とした上記(10)の光半導体用リードフレーム。
(12)溝部が、当該溝部を有する枠辺が延びている方向である幅方向に長い溝であり、且つ排出口が単又は複数の位置に開口している上記(1)〜(11)の何れかの光半導体用リードフレーム。
(13)溝部が、当該溝部を有する枠辺が延びている方向である幅方向に長い溝であり、且つゲート部が単又は複数の位置に設けられている上記(1)〜(12)の何れかの光半導体用リードフレーム。
(14)溝部が、当該溝部を有する枠辺が延びている方向である幅方向に長い溝であり、且つゲート部が、注入路を兼ねる幅方向に長い溝部分のうち単又は複数の所定領域とされている上記(1)〜(12)の何れかの光半導体用リードフレーム。
(15)排出口を構成する非貫通の溝を、当該溝部を有する枠辺が延びている方向である幅方向に長い溝とし、これにより排出口を当該幅方向に長い開口とした上記(1)〜(14)の何れかの光半導体用リードフレーム。
(16)非貫通の溝を、複数の単位実装領域にわたる長い溝とした上記(15)の光半導体用リードフレーム。
(18)ゲート部の内壁に、板厚方向に沿って溝広さが変化する段部を設けてなる上記(1)〜(17)の何れかの光半導体用リードフレーム。
(19)段部を、樹脂を供給する金型側ゲート部の溝広さに比べて、ゲート部の溝広さが大きくなる段部とした上記(18)の光半導体用リードフレーム。
(20)前記非貫通の溝に残された薄肉部が、枠体の表側又は枠体の厚み方向途中部に存在する上記(1)〜(19)の何れかの光半導体用リードフレーム。
(22)樹脂層を、リードフレームの板厚内の空間に充填される樹脂により該リードフレームに一体成形してなり、表裏に各リード部の上下面がそれぞれ露出し、且つリードフレームの板厚と同じ厚みを有する平板型の上記(21)の光半導体用樹脂成形体。
(23)上記(21)又は(22)の光半導体用樹脂成形体の製造方法であって、光半導体用リードフレームを上下から挟み込む上下金型のうち、一方の金型における前記リードフレームの枠体に設けられた溝部の当該金型側に開口するゲート部に対応する位置に、該ゲート部を通じて溝部の内部に連通する金型側ゲート部を設けるとともに、該金型側ゲート部に樹脂を供給するランナーを設け、これら上下金型を用いて樹脂層を前記リードフレームに一体成形することを特徴とする光半導体用樹脂成形体の製造方法。
(24)上金型が、その下面におけるゲート部に対応する位置に下方に突出する金型ブロック部を有し、光半導体用リードフレームを上下金型で挟み込んだ時に、金型ブロック部の先端部の少なくとも一部が、ゲート部の内壁面に接することなく、ゲート部内の空間に嵌入する上記(23)の光半導体用樹脂成形体の製造方法。
(25)上下金型を用いたトランスファモールド成形より熱硬化性樹脂を充填して樹脂層をリードフレームに一体成形する上記(23)又は(24)の光半導体用樹脂成形体の製造方法。
(27)上記(26)の光半導体パッケージを、光半導体素子ごとに個片化してなる光半導体装置。
上記した溝部17、18は、図7〜11に示す溝部14の変形例と同様の変形例を有することができる。
4、6 樹脂成形体
5、8 光半導体装置
7 リフレクタ
10、10x 単位実装領域
11 集合体
12 枠体
13 支持部
14、15、15A、15B、15C、16、16A、16B、17、18 溝部
20 第1のリード部
21 第2のリード部
22 スリット部
25 隙間
26 内側端面
27 第1の連結部
28 第2の連結部
29 第3の連結部
30 ゲート部
31 注入路
31a 排出口
32 薄肉部
32a 底部
33 第1ゲート部
34 第2ゲート部
35 段部
40、40A 成形金型
41、45 上金型
42、46 下金型
43 ランナー
44 金型側ゲート部
47、47A、47B 金型ブロック部
50、60 樹脂層
51 基板
52 光半導体素子
53、54 ワイヤボンディング
55 透光性樹脂層
61 凹部
62 底面
63 反射部
64 絶縁部
Claims (24)
- 2以上の互いに離隔するリード部からなり、半導体を実装するときに光半導体素子が前記リード部に通電可能に実装される単位実装領域が複数連設されてなる光半導体用リードフレームであって、
前記複数の単位実装領域の集合体の周りに、複数の枠辺からなり、隙間を介して前記集合体を支持する枠体を設け、
該枠体の少なくとも1つの前記枠辺に、樹脂が供給されるゲート部と、前記ゲート部に連続して前記枠辺の内側縁辺部に位置する排出口を有し、内側の集合体の隙間へ樹脂を供給する注入路と、よりなる空間で構成される溝部を設け、
前記ゲート部は、その注入路側端部の少なくとも一部を底の無い貫通した溝とし、
前記注入路は、前記溝部が設けられた前記枠辺の裏面における前記ゲート部の注入路側端面から前記枠辺の内側端面までの領域にハーフエッチングによる前記枠辺よりも薄肉化された薄肉部を前記枠辺の表側に残した非貫通溝である、光半導体用リードフレーム。 - 前記単位実装領域が、縦横に複数連設されてなる請求項1記載の光半導体用リードフレーム。
- 前記集合体のうち周端に配された単位実装領域と前記枠体とを連結し、枠体の内側に前記集合体を支持する支持部を設けてなる請求項1又は2記載の光半導体用リードフレーム。
- 前記支持部を、前記枠体よりも薄肉の支持片より構成してなる請求項3記載の光半導体用リードフレーム。
- 前記支持片が、前記注入路の底部となる前記薄肉部と、前記隙間を介して前記薄肉部に対向する前記単位実装領域と、を連結する請求項4記載の光半導体用リードフレーム。
- フレーム内部の前記単位実装領域のリード部周りの樹脂充填空間を、縦横に隣接する他の単位実装領域の同じく樹脂充填空間に連通させてなる請求項2〜5の何れか1項に記載の光半導体用リードフレーム。
- 縦横の単位実装領域を前記枠体よりも薄肉の連結部で連結してなる請求項6記載の光半導体用リードフレーム。
- 前記溝部を、前記枠体の前記集合体を囲む枠辺のうち、前記互いに離隔するリード部間の樹脂充填空間が延びる方向に対して交わる方向に延びている枠辺に設けてなる請求項1〜7の何れか1項に記載の光半導体用リードフレーム。
- 前記排出口を、隣接する単位実装領域間の位置に対向する位置に開口させてなる請求項8記載の光半導体用リードフレーム。
- 前記ゲート部における前記注入路と離反する側の端部の少なくとも一部を、有底溝とした請求項1〜9の何れか1項に記載の光半導体用リードフレーム。
- 前記溝部が、当該溝部を有する枠辺が延びている方向である幅方向に長い溝であり、且つ前記排出口が単又は複数の位置に開口している請求項1〜10の何れか1項に記載の光半導体用リードフレーム。
- 前記溝部が、当該溝部を有する枠辺が延びている方向である幅方向に長い溝であり、且つ前記ゲート部が単又は複数の位置に設けられている請求項1〜11の何れか1項に記載の光半導体用リードフレーム。
- 前記溝部が、当該溝部を有する枠辺が延びている方向である幅方向に長い溝であり、且つ前記ゲート部が、注入路を兼ねる前記幅方向に長い溝部分のうち単又は複数の所定領域とされている請求項1〜11の何れか1項に記載の光半導体用リードフレーム。
- 前記排出口を有し、注水路を構成する非貫通の溝を、当該溝部を有する前記枠辺が延びている方向である幅方向に長い溝とし、これにより前記排出口を当該幅方向に長い開口とした請求項1〜13の何れか1項に記載の光半導体用リードフレーム。
- 前記非貫通の溝を、複数の単位実装領域にわたる長い溝とした請求項14記載の光半導体用リードフレーム。
- 前記ゲート部の内壁に、板厚方向に沿って溝広さが変化する段部を設けてなる請求項1〜15の何れか1項に記載の光半導体用リードフレーム。
- 前記段部を、樹脂を供給する金型側ゲート部の溝広さに比べて、前記ゲート部の溝広さが大きくなる段部とした請求項16記載の光半導体用リードフレーム。
- 前記非貫通の溝に残された前記薄肉部が、前記枠体の表側又は前記枠体の厚み方向途中部に存在する請求項1〜17の何れか1項に記載の光半導体用リードフレーム。
- 請求項1〜18の何れか1項に記載の光半導体用リードフレームと、
該リードフレームに一体成形される樹脂層とよりなり、
表裏に各リード部の上下面がそれぞれ露出した光半導体用樹脂成形体。 - 前記樹脂層を、前記リードフレームの板厚内の空間に充填される樹脂により該リードフレームに一体成形してなり、表裏に各リード部の上下面がそれぞれ露出し、且つ前記リードフレームの板厚と同じ厚みを有する平板型の請求項19記載の光半導体用樹脂成形体。
- 請求項19又は20記載の光半導体用樹脂成形体の製造方法であって、
前記光半導体用リードフレームを上下から挟み込む上下金型のうち、一方の金型における前記リードフレームの枠体に設けられた前記溝部の当該金型側に開口する前記ゲート部に対応する位置に、該ゲート部を通じて溝部の内部に連通する金型側ゲート部を設けるとともに、該金型側ゲート部に樹脂を供給するランナーを設け、これら上下金型を用いて前記樹脂層を前記リードフレームに一体成形することを特徴とする光半導体用樹脂成形体の製造方法。 - 前記上金型が、その下面における前記ゲート部に対応する位置に下方に突出する金型ブロック部を有し、前記光半導体用リードフレームを上下金型で挟み込んだ時に、前記金型ブロック部の先端部の少なくとも一部が、前記ゲート部の内壁面に接することなく、前記ゲート部内の空間に嵌入する請求項21記載の光半導体用樹脂成形体の製造方法。
- 前記上下金型を用いたトランスファモールド成形より熱硬化性樹脂を充填して前記樹脂層を前記リードフレームに一体成形する請求項21又は22記載の光半導体用樹脂成形体の製造方法。
- 請求項19又は20記載の光半導体用樹脂成形体と、
前記単位実装領域の各々に対応して設けられ、それぞれ前記光半導体用樹脂成形体の表面に露出している各リード部に通電可能に実装される光半導体素子と、
各光半導体素子を透光性樹脂で封止してなる透光性樹脂層と、
よりなる光半導体パッケージ。
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