JP6255825B2 - 発光素子実装用リードフレーム、発光素子実装用樹脂成型体及び表面実装型発光装置 - Google Patents
発光素子実装用リードフレーム、発光素子実装用樹脂成型体及び表面実装型発光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6255825B2 JP6255825B2 JP2013190526A JP2013190526A JP6255825B2 JP 6255825 B2 JP6255825 B2 JP 6255825B2 JP 2013190526 A JP2013190526 A JP 2013190526A JP 2013190526 A JP2013190526 A JP 2013190526A JP 6255825 B2 JP6255825 B2 JP 6255825B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- light emitting
- region
- unit mounting
- lead frame
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/93—Batch processes
- H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
Description
(3)周縁部に、厚み方向に貫通する1以上の貫通孔を設けてなる上記(2)の発光素子実装用リードフレーム。
(4)リード部における樹脂層が形成される位置に、厚み方向に貫通する1以上の貫通孔を設けてなる上記(1)〜(3)のいずれかの発光素子実装用リードフレーム。
(5)貫通孔は、リード部における発光素子が実装される表面からその反対側の裏面に向かう方向において、内径が次第に拡径するテーパ状に設けられてなる上記(3)または(4)の発光素子実装用リードフレーム。
(6)切断予定部を、周縁部よりも薄肉に構成してなる上記(2)の発光素子実装用リードフレーム。
(7)リード部の絶縁領域を臨む縁辺部に、絶縁領域に沿って延びる所定幅の薄肉部を段差状に設けてなる上記(1)〜(6)のいずれかの発光素子実装用リードフレーム。
図3(a)に示す繋がり形態では、周縁部15の表面が第1、第2のリード部20、21の表面と同一平面になり、かつ周縁部15の裏面が第1、第2のリード部20、21の裏面と段差を有するように構成されている。薄肉部20d、21dも周縁部15と同様に構成されている。この構成によれば、単位実装領域10の裏面や周縁部15の裏面にも樹脂層が形成されるので、単位実装領域10と樹脂層との密着面積をさらに増大させることができ、樹脂層における亀裂や欠けの発生、樹脂層の剥離などを一層抑制できる。
10、12 単位実装領域
11、11A、13、14 連結領域
15、15A、15B 周縁部
16 切断予定部
20、24 第1のリード部
21、25 第2のリード部
22 スリット部(絶縁領域)
22a 対応領域
26、27 アンカーホール
28 連結片
30 樹脂成型体
31 樹脂層
32 凹部
33 底面
34 反射部
35 絶縁部
36 リフレクタ
40 発光装置
41 発光素子
42、43 ワイヤーボンディング
Claims (9)
- 互いに離隔して絶縁される2以上のリード部からなる単位実装領域と、複数の前記単位実装領域を縦横に連結し、個片化の際に切断により分離される連結領域とを備え、
前記連結領域の少なくとも前記切断される予定の領域が、
前記単位実装領域における前記リード部間の絶縁領域の延長上の対応領域を除いて、切断方向に沿って連続した板状に構成され、
前記連結領域は、周縁部から切断予定部にわたる、厚みがほぼ均一な連続した平板状の領域であり、
前記周縁部は、前記リード部の前記絶縁領域を臨む縁辺を除く周縁から外側に連続して設けられ、前記リード部よりも薄肉であり、
前記切断予定部は、前記周縁部の外側にさらに連続して設けられ、前記リード部よりも薄肉であることを特徴とする、発光素子実装用リードフレーム。 - 前記周縁部の表面が前記リード部の表面とは段差を有し、かつその裏面が前記リード部の裏面と同一平面になるように構成されるか、または、前記周縁部の表面が前記リード部の表面と同一平面になり、かつその裏面が前記リード部の裏面と段差を有するように構成されるか、または、前記周縁部の表面および裏面がそれぞれ前記リード部の表面および裏面と段差を有するように構成される、請求項1に記載の発光素子実装用リードフレーム。
- 前記周縁部に、厚み方向に貫通する1以上の貫通孔を設けてなる請求項1に記載の発光素子実装用リードフレーム。
- 前記リード部における樹脂層が形成される位置に、厚み方向に貫通する1以上の貫通孔を設けてなる請求項1〜3のいずれか1項に記載の発光素子実装用リードフレーム。
- 前記貫通孔は、
前記リード部における発光素子が実装される表面からその反対側の裏面に向かう方向において、内径が次第に拡径するテーパ状に設けられてなる請求項3または4に記載の発光素子実装用リードフレーム。 - 前記切断予定部を、前記周縁部よりも薄肉に構成してなる請求項1に記載の発光素子実装用リードフレーム。
- 前記リード部の前記絶縁領域を臨む縁辺部に、前記絶縁領域に沿って延びる所定幅の薄肉部を段差状に設けてなる請求項1〜6のいずれか1項に記載の発光素子実装用リードフレーム。
- 請求項1〜7のいずれか1項に記載の発光素子実装用リードフレームと、
前記リードフレームへの一体成型により、前記リードフレームに備わる各単位実装領域の表面が底面として露出する凹部を形成する複数の穴を有する樹脂層と、
を備えてなることを特徴とする発光素子実装用樹脂成型体。 - 請求項1〜7のいずれか1項に記載の発光素子実装用リードフレームの単位実装領域と、
前記単位実装領域への一体成型により、前記単位実装領域の表面が底面として露出する凹部を形成する穴を有する樹脂層と、
前記凹部の底面として露出する前記単位実装領域表面に各リード部と通電可能に実装される発光素子と、
前記凹部に充填される透明性樹脂からなる透明性樹脂層と、
を備えてなることを特徴とする表面実装型発光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013190526A JP6255825B2 (ja) | 2013-09-13 | 2013-09-13 | 発光素子実装用リードフレーム、発光素子実装用樹脂成型体及び表面実装型発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013190526A JP6255825B2 (ja) | 2013-09-13 | 2013-09-13 | 発光素子実装用リードフレーム、発光素子実装用樹脂成型体及び表面実装型発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015056591A JP2015056591A (ja) | 2015-03-23 |
JP6255825B2 true JP6255825B2 (ja) | 2018-01-10 |
Family
ID=52820745
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013190526A Expired - Fee Related JP6255825B2 (ja) | 2013-09-13 | 2013-09-13 | 発光素子実装用リードフレーム、発光素子実装用樹脂成型体及び表面実装型発光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6255825B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6751554B2 (ja) * | 2015-08-20 | 2020-09-09 | 株式会社カネカ | 発光素子実装用樹脂成形体、表面実装型発光装置、及び発光素子実装用樹脂成形体に用いるリードフレーム |
JP6975916B2 (ja) * | 2018-08-09 | 2021-12-01 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5587625B2 (ja) * | 2010-02-01 | 2014-09-10 | アピックヤマダ株式会社 | リードフレーム及びledパッケージ用基板 |
WO2011125346A1 (ja) * | 2010-04-07 | 2011-10-13 | シャープ株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
JP2012209367A (ja) * | 2011-03-29 | 2012-10-25 | Toppan Printing Co Ltd | Led素子用リードフレーム基板 |
JP6015231B2 (ja) * | 2011-08-26 | 2016-10-26 | 大日本印刷株式会社 | Led素子搭載用基板及びその製造方法、並びにled素子搭載用基板を用いた半導体装置 |
JP2013171969A (ja) * | 2012-02-21 | 2013-09-02 | Toshiba Corp | Ledパッケージ |
-
2013
- 2013-09-13 JP JP2013190526A patent/JP6255825B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2015056591A (ja) | 2015-03-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5175488B2 (ja) | 多層反射面構造を有するledパッケージ | |
JP5367668B2 (ja) | 発光装置およびその製造方法 | |
WO2013024560A1 (ja) | 発光装置 | |
JP5834467B2 (ja) | 発光装置 | |
JP2010532925A (ja) | パワーledの放熱基板の構造及び該構造によって製造される装置 | |
JP4728264B2 (ja) | 発光ダイオードパッケージ、発光ダイオードパッケージ用回路基板およびその製造方法 | |
JP2007281468A (ja) | アノダイジング絶縁層を有するledパッケージおよびその製造方法 | |
KR101400271B1 (ko) | 광디바이스 제조 방법 및 이에 의해 제조된 광디바이스 | |
JP2009054801A (ja) | 放熱部材及びそれを備えた発光モジュール | |
JP2006190814A (ja) | 発光素子用の配線基板 | |
JP6241238B2 (ja) | 発光素子実装用リードフレーム、樹脂成型体及び表面実装型発光装置 | |
JP5708766B2 (ja) | 発光装置 | |
JP6255825B2 (ja) | 発光素子実装用リードフレーム、発光素子実装用樹脂成型体及び表面実装型発光装置 | |
JPWO2012029911A1 (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
JP2008103401A (ja) | 上下電極型発光ダイオード用パッケージおよび上下電極型発光ダイオード用パッケージの製造方法 | |
JP2007317803A (ja) | 発光装置およびその製造方法 | |
JP2010129870A (ja) | 半導体発光装置及びその製造方法 | |
JP5721797B2 (ja) | 発光ダイオードパッケージ及びその製造方法 | |
JP2016039321A (ja) | リードフレーム、樹脂成型体、表面実装型電子部品、表面実装型発光装置、及びリードフレーム製造方法 | |
JP2014064006A (ja) | 発光ダイオードパッケージ及びその製造方法 | |
JP2009260395A (ja) | 配線基板及びその製造方法 | |
JP2008147512A (ja) | 発光装置およびその製造方法 | |
JP2006237049A (ja) | 発光素子実装用配線基板 | |
JP2016018990A (ja) | パッケージ構造及びその製法並びに搭載部材 | |
JP2006073842A (ja) | 配線基板 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160720 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170619 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170704 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170831 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20171107 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20171120 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6255825 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |