JP2013171969A - Ｌｅｄパッケージ - Google Patents

Ｌｅｄパッケージ Download PDF

Info

Publication number
JP2013171969A
JP2013171969A JP2012034778A JP2012034778A JP2013171969A JP 2013171969 A JP2013171969 A JP 2013171969A JP 2012034778 A JP2012034778 A JP 2012034778A JP 2012034778 A JP2012034778 A JP 2012034778A JP 2013171969 A JP2013171969 A JP 2013171969A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
insulator
light
reflecting member
light reflecting
led package
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2012034778A
Other languages
English (en)
Inventor
Hajime Watari
元 渡
Tetsuo Komatsu
哲郎 小松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2012034778A priority Critical patent/JP2013171969A/ja
Publication of JP2013171969A publication Critical patent/JP2013171969A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/0132—Binary Alloys
    • H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

【課題】配光性を精密に制御できるＬＥＤパッケージを提供する。
【解決手段】実施形態に係るＬＥＤパッケージは、第１及び第２のリードフレームと、前記第１及び第２のリードフレームに接続されたＬＥＤチップと、前記ＬＥＤチップを覆い、前記第１及び第２のリードフレームのそれぞれの上面、下面の一部及び端面の一部を覆い、前記下面の残部及び前記端面の残部を露出させた絶縁体と、を備える。前記絶縁体は、前記ＬＥＤチップの直上域を含む部分に配置され、前記ＬＥＤチップから出射された光を透過させる光透過部材と、前記光透過部材の側方に配置され、前記ＬＥＤチップから出射された光を反射する光反射部材と、を有する。前記絶縁体の上面は前記光透過部材によって構成されている。前記光反射部材の上面には、凸部又は凹部が形成されている。
【選択図】図１

Description

本発明の実施形態は、ＬＥＤ（Light Emitting Diode：発光ダイオード）パッケージに関する。
従来、ＬＥＤチップを搭載するＬＥＤパッケージにおいては、配光性を高めることを目的として、白色樹脂からなる椀状の外囲器を設け、外囲器の底面上にＬＥＤチップを搭載し、外囲器の内部に透明樹脂を封入してＬＥＤチップを埋め込んでいた。一方、出射光を広く分散させることを目的として、外囲器を設けず、透明樹脂を外面に露出させたＬＥＤパッケージも提案されている。しかしながら、近年、ＬＥＤパッケージの用途の拡大に伴い、配光性をより精密に制御することが求められている。
特開２００４−２７４０２７号公報
本発明の目的は、配光性を精密に制御できるＬＥＤパッケージを提供することである。
実施形態に係るＬＥＤパッケージは、相互に離隔した第１及び第２のリードフレームと、前記第１及び第２のリードフレームの上方に設けられ、一方の端子が前記第１のリードフレームに接続され、他方の端子が前記第２のリードフレームに接続されたＬＥＤチップと、前記ＬＥＤチップを覆い、前記第１及び第２のリードフレームのそれぞれの上面、下面の一部及び端面の一部を覆い、前記下面の残部及び前記端面の残部を露出させた絶縁体と、を備える。前記絶縁体は、前記ＬＥＤチップの直上域を含む部分に配置され、前記ＬＥＤチップから出射された光を透過させる光透過部材と、前記光透過部材の側方に配置され、前記ＬＥＤチップから出射された光を反射する光反射部材と、を有する。前記絶縁体の上面は前記光透過部材によって構成されている。前記光反射部材の上面には、凸部又は凹部が形成されている。
第１の実施形態に係るＬＥＤパッケージを例示する斜視図である。 （ａ）は第１の実施形態に係るＬＥＤパッケージを例示する平面図であり、（ｂ）はリードフレームの配列方向に平行な断面図である。 第１の実施形態に係るＬＥＤパッケージのリードフレームを例示する平面図である。 第１の実施形態に係るＬＥＤパッケージの製造方法を例示するフローチャート図である。 （ａ）〜（ｈ）は、第１の実施形態におけるリードフレームシートの形成方法を例示する工程断面図である。 第１の実施形態におけるリードフレームシートを例示する平面図である。 第１の実施形態におけるリードフレームシート及び光反射部材を例示する平面図である。 第１の実施形態における蛍光体含有樹脂材料の封入方法を例示する図である。 第２の実施形態に係るＬＥＤパッケージを例示する斜視図である。 （ａ）は第２の実施形態に係るＬＥＤパッケージを例示する平面図であり、（ｂ）はリードフレームの配列方向に平行な断面図である。 （ａ）は第３の実施形態に係るＬＥＤパッケージを例示する平面図であり、（ｂ）はリードフレームの配列方向に平行な断面図である。 （ａ）は第４の実施形態に係るＬＥＤパッケージを例示する平面図であり、（ｂ）はリードフレームの配列方向に平行な断面図である。 第５の実施形態に係るＬＥＤパッケージを例示する斜視図である。 第６の実施形態に係るＬＥＤパッケージを例示する斜視図である。 第６の実施形態におけるリードフレームシート及び光反射部材を例示する平面図である。 第６の実施形態における蛍光体含有樹脂材料の封入方法を例示する図である。 第７の実施形態に係るＬＥＤパッケージを例示する斜視図である。 第８の実施形態に係るＬＥＤパッケージを例示する斜視図である。 第９の実施形態に係るＬＥＤパッケージを例示する斜視図である。 第１０の実施形態に係るＬＥＤパッケージを例示する斜視図である。 第１１の実施形態に係るＬＥＤパッケージを例示する斜視図である。
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施形態について説明する。
先ず、第１の実施形態について説明する。
図１は、本実施形態に係るＬＥＤパッケージを例示する斜視図であり、
図２（ａ）は本実施形態に係るＬＥＤパッケージを例示する平面図であり、（ｂ）はリードフレームの配列方向に平行な断面図であり、
図３は、本実施形態に係るＬＥＤパッケージのリードフレームを例示する平面図である。
図１〜図３に示すように、本実施形態に係るＬＥＤパッケージ１においては、一対のリードフレーム１１及び１２が設けられている。リードフレーム１１及び１２の形状は平板状であり、同一平面上に配置されており、相互に離隔している。リードフレーム１１及び１２は同じ導電性材料からなり、例えば、銅板の上面及び下面に銀めっき層が形成されて構成されている。なお、リードフレーム１１及び１２の端面には銀めっき層は形成されておらず、銅板が露出している。
以下、本明細書においては、説明の便宜上、ＸＹＺ直交座標系を導入する。リードフレーム１１及び１２の上面に対して平行な方向のうち、リードフレーム１１からリードフレーム１２に向かう方向を＋Ｘ方向とし、リードフレーム１１及び１２の上面に対して垂直な方向のうち、上方、すなわち、リードフレームから見て後述するＬＥＤチップが搭載されている方向を＋Ｚ方向とし、＋Ｘ方向及び＋Ｚ方向の双方に対して直交する方向のうち一方を＋Ｙ方向とする。なお、＋Ｘ方向、＋Ｙ方向及び＋Ｚ方向の反対方向を、それぞれ、−Ｘ方向、−Ｙ方向及び−Ｚ方向とする。また、例えば、「＋Ｘ方向」及び「−Ｘ方向」を総称して、単に「Ｘ方向」ともいう。
図３に示すように、リードフレーム１１においては、Ｚ方向から見て矩形のベース部１１ａが１つ設けられており、このベース部１１ａから６本の吊ピン１１ｂ、１１ｃ、１１ｄ、１１ｅ、１１ｆ、１１ｇが延出している。吊ピン１１ｂは、ベース部１１ａの＋Ｙ方向に向いた端縁の＋Ｘ方向側の部分から＋Ｙ方向に向けて延出している。吊ピン１１ｃは、ベース部１１ａの＋Ｙ方向に向いた端縁の−Ｘ方向側の部分から＋Ｙ方向に向けて延出している。吊ピン１１ｄは、ベース部１１ａの−Ｙ方向に向いた端縁の＋Ｘ方向側の部分から−Ｙ方向に向けて延出している。吊ピン１１ｅは、ベース部１１ａの−Ｙ方向に向いた端縁の−Ｘ方向側の部分から−Ｙ方向に向けて延出している。Ｘ方向における吊ピン１１ｂ及び吊ピン１１ｄの位置は相互に同一であり、吊ピン１１ｃ及び吊ピン１１ｅの位置は相互に同一である。
吊ピン１１ｆは、ベース部１１ａの−Ｘ方向に向いた端縁の＋Ｙ方向側の部分から−Ｘ方向に向けて延出している。吊ピン１１ｇは、ベース部１１ａの−Ｘ方向に向いた端縁の−Ｙ方向側の部分から−Ｘ方向に向けて延出している。このように、吊ピン１１ｂ〜１１ｇは、ベース部１１ａの相互に異なる３辺から相互に直交する３方向に向けてそれぞれ延出している。
リードフレーム１２は、リードフレーム１１と比較して、Ｘ方向の長さが短く、Ｙ方向の長さは同じである。リードフレーム１２においては、Ｚ方向から見て矩形のベース部１２ａが１つ設けられており、このベース部１２ａから４本の吊ピン１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ、１２ｅが延出している。吊ピン１２ｂは、ベース部１２ａの＋Ｙ方向に向いた端縁のＸ方向中央部から＋Ｙ方向に向けて延出している。吊ピン１２ｃは、ベース部１２ａの−Ｙ方向に向いた端縁のＸ方向中央部から−Ｙ方向に向けて延出している。Ｘ方向における吊ピン１２ｂ及び吊ピン１２ｃの位置は相互に同一である。
吊ピン１２ｄは、ベース部１２ａの＋Ｘ方向に向いた端縁の＋Ｙ方向側の部分から＋Ｘ方向に向けて延出している。吊ピン１２ｅは、ベース部１２ａの＋Ｘ方向に向いた端縁の−Ｙ方向側の部分から＋Ｘ方向に向けて延出している。このように、吊ピン１２ｂ〜１２ｅは、ベース部１２ａの相互に異なる３辺から相互に直交する３方向に向けてそれぞれ延出している。Ｙ方向における吊ピン１１ｆ及び吊ピン１２ｄの位置は相互に同一であり、吊ピン１１ｇ及び吊ピン１２ｅの位置は相互に同一である。
図２（ｂ）及び図３に示すように、リードフレーム１１の下面１１ｊにおけるベース部１１ａの中央部には、凸部１１ｐが形成されている。このため、リードフレーム１１の厚さは２水準の値をとり、ベース部１１ａの中央部、すなわち、凸部１１ｐが形成されている部分は相対的に厚い厚板部となっており、ベース部１１ａの周辺部及び吊ピン１１ｂ〜１１ｇは相対的に薄い薄板部となっている。Ｚ方向から見て、ベース部１１ａの周辺部（薄板部）は、中央部（厚板部）を囲んでいる。これにより、ベース部１１ａの周辺部の下面には、ベース部１１ａの全周を囲むように、切欠１１ｋが形成されている。
同様に、リードフレーム１２の下面１２ｊにおけるベース部１２ａの中央部には、凸部１２ｐが形成されている。このため、リードフレーム１２の厚さは２水準の値をとり、ベース部１２ａの中央部、すなわち、凸部１２ｐが形成されている部分は相対的に厚い厚板部となっており、ベース部１２ａの周辺部及び吊ピン１２ｂ〜１２ｅは相対的に薄い薄板部となっている。Ｚ方向から見て、ベース部１２ａの周辺部（薄板部）は、中央部（厚板部）を囲んでいる。これにより、ベース部１２ａの周辺部の下面には、ベース部１２ａの全周を囲むように、切欠１２ｋが形成されている。
図２（ｂ）に示すように、リードフレーム１１の上面１１ｈとリードフレーム１２の上面１２ｈは同一平面上にあり、リードフレーム１１の凸部１１ｐの下面とリードフレーム１２の凸部１２ｐの下面は同一平面上にある。Ｚ方向における各吊ピンの上面の位置は、ベース部１１ａ及び１２ａの上面の位置と一致している。従って、各吊ピンは同一のＸＹ平面上に配置されている。リードフレーム１１の上面１１ｈのうち、ベース部１１ａにおける吊ピン１１ｃと吊ピン１１ｅとの間の領域には、Ｙ方向に延びる溝１１ｍが形成されている。溝１１ｍは、Ｙ方向及びＺ方向において、リードフレーム１１を貫通していない。
リードフレーム１１の上面１１ｈのうち、凸部１１ｐの直上域であって溝１１ｍより＋Ｘ方向側の領域の一部には、ダイマウント材１３及び１４が被着されている。ダイマウント材１３及びダイマウント材１４は、相互に離隔しており、ダイマウント材１３は相対的に＋Ｘ＋Ｙ方向側に位置し、ダイマウント材１４は相対的に−Ｘ−Ｙ方向側に位置している。本実施形態においては、ダイマウント材１３及び１４は導電性であっても絶縁性であってもよい。ダイマウント材が導電性である場合、ダイマウント材は例えば、銀ペースト、半田又は共晶半田等により形成されている。ダイマウント材が絶縁性である場合、ダイマウント材は例えば、絶縁ペーストにより形成されている。
ダイマウント材１３上には、ＬＥＤチップ１５が設けられている。すなわち、ダイマウント材１３がＬＥＤチップ１５をリードフレーム１１に固着させることにより、ＬＥＤチップ１５がリードフレーム１１に搭載されている。同様に、ダイマウント材１４上には、ＬＥＤチップ１６が設けられている。すなわち、ダイマウント材１４がＬＥＤチップ１６をリードフレーム１１に固着させることにより、ＬＥＤチップ１６がリードフレーム１１に搭載されている。ＬＥＤチップ１５及び１６は、例えば、サファイア基板上に窒化ガリウム（ＧａＮ）等からなる半導体層が積層されたものであり、その形状は例えば直方体であり、その上面に一対の端子、すなわち、端子１５ａ及び１５ｂ並びに端子１６ａ及び１６ｂが設けられている。ＬＥＤチップ１５及び１６は、端子間に電圧が供給されることによって、例えば青色の光を出射する。
ＬＥＤチップ１５の−Ｘ方向側の端子１５ａにはワイヤ１７ａの一端が接合されている。ワイヤ１７ａは端子１５ａから略＋Ｚ方向（直上方向）に引き出され、−Ｘ方向と−Ｚ方向との間の方向に向けて湾曲し、ワイヤ１７ａの他端はリードフレーム１１の上面１１ｈにおける溝１１ｍよりも−Ｘ方向側の領域に接合されている。これにより、端子１５ａはワイヤ１７ａを介してリードフレーム１１に接続されている。一方、＋Ｘ方向側の端子１５ｂにはワイヤ１７ｂの一端が接合されている。ワイヤ１７ｂは端子１５ｂから略＋Ｚ方向に引き出され、＋Ｘ方向と−Ｚ方向との間の方向に向けて湾曲し、ワイヤ１７ｂの他端はリードフレーム１２の上面１２ｈに接合されている。これにより、端子１５ｂはワイヤ１７ｂを介してリードフレーム１２に接続されている。
同様に、ＬＥＤチップ１６の−Ｘ方向側の端子１６ａはワイヤ１８ａを介してリードフレーム１１に接続されており、ＬＥＤチップ１６の＋Ｘ方向側の端子１６ｂはワイヤ１８ｂを介してリードフレーム１２に接続されている。ワイヤ１８ａはリードフレーム１１の上面１１ｈにおける溝１１ｍよりも−Ｘ方向側の領域に接合されている。ワイヤ１７ａ、１７ｂ、１８ａ、１８ｂは、金属、例えば、金又はアルミニウムによって形成されている。
また、ＬＥＤパッケージ１には、絶縁体２０が設けられている。絶縁体２０の外形は直方体であり、リードフレーム１１及び１２、ダイマウント材１３及び１４、ＬＥＤチップ１５及び１６、ワイヤ１７ａ、１７ｂ、１８ａ、１８ｂを覆っており、絶縁体２０の外形がＬＥＤパッケージ１の外形となっている。但し、リードフレーム１１及び１２のそれぞれの下面の一部及び端面の一部は、絶縁体２０の下面及び側面において露出している。すなわち、絶縁体２０は、ＬＥＤチップ１５及び１６を覆い、リードフレーム１１及び１２のそれぞれの上面、下面の一部及び端面の一部を覆い、下面の残部及び端面の残部を露出させている。なお、本明細書において、「覆う」とは、覆うものが覆われるものに接触している場合と接触していない場合の双方を含む概念である。
より詳細には、リードフレーム１１の表面のうち、厚板部の下面、すなわち、凸部１１ｐの下面は絶縁体２０の下面において露出しており、薄板部の下面、すなわち、ベース部１１ａの周辺部及び各吊ピンの下面は、絶縁体２０によって覆われている。また、吊ピン１１ｂ〜１１ｇの先端面は絶縁体２０の相互に異なる３つの側面において露出しており、ベース部１１ａの側面及び吊ピン１１ｂ〜１１ｇの先端面以外の側面は絶縁体２０によって覆われている。従って、切欠１１ｋの内面は絶縁体２０によって覆われている。更に、上面１１ｈはその全体が絶縁体２０によって覆われている。
同様に、リードフレーム１２の表面のうち、厚板部の下面、すなわち、凸部１２ｐの下面は絶縁体２０の下面において露出しており、薄板部の下面、すなわち、ベース部１２ａの周辺部及び各吊ピンの下面は、絶縁体２０によって覆われている。また、吊ピン１２ｂ〜１２ｅの先端面は絶縁体２０の相互に異なる３つの側面において露出しており、ベース部１２ａの側面及び吊ピン１２ｂ〜１２ｅの先端面以外の側面は絶縁体２０によって覆われている。従って、切欠１２ｋの内面は絶縁体２０によって覆われている。更に、上面１２ｈはその全体が絶縁体２０によって覆われている。
絶縁体２０は、光反射部材２１及び光透過部材２２によって構成されている。光反射部材２１は、例えば白色の熱可塑性樹脂又はセラミック等の不透明な絶縁材料からなり、ＬＥＤチップ１５及び１６並びに後述する蛍光体２３から出射された光を反射する。光透過部材２２は、例えば透明樹脂等の透明な絶縁材料からなり、ＬＥＤチップ１５及び１６並びに蛍光体２３から出射された光を透過させる。なお、「透明」には半透明も含まれる。例えば、光反射部材２１は白色樹脂からなり、光透過部材２２は透明樹脂からなる。この場合、絶縁体２０は全体が樹脂からなる樹脂体である。後述するように、光透過部材２２は、各ＬＥＤチップの直上域を含む部分に配置されている。また、光反射部材２１は、光透過部材２２の側方に配置されており、本実施形態においては、光透過部材２２を囲んでいる。
以下、説明の便宜上、絶縁体２０をＺ方向に沿って仮想的に「下部」、「中部」、「上部」の３つの直方体部分に分け、「下部」を、リードフレーム１１の上面１１ｈ及びリードフレーム１２の上面１２ｈよりも下方（−Ｚ方向）の部分とし、「上部」を絶縁体２０の上面を含む部分とし、「中部」を「下部」と「上部」の間の部分とする。この場合、光反射部材２１は、絶縁体２０の下部全体及び中部における周辺部に配置されている。光反射部材２１におけるリードフレーム１１の上面１１ｈ及びリードフレーム１２の上面１２ｈよりも上方に配置された部分（以下、「側壁部２１ｆ」ともいう）は、絶縁体２０の中部において、絶縁体２０の４つの側面に沿って配置されており、その形状は枠状である。一方、光反射部材２１は、後述する凸部２１ｂを除き、絶縁体２０の上部には配置されていない。
光反射部材２１は、絶縁体２０の下部及び中部において、絶縁体２０の下面及び各側面に露出している。光反射部材２１の側壁部２１ｆの内側面は、上方に向かうほど相互に離隔するように傾斜した略平面であり、内側面間の境界部分は、内側面同士を連続的につなぐように湾曲している。また、光反射部材２１の側壁部２１ｆの上面２１ａには、凸部２１ｂが形成されている。凸部２１ｂは絶縁体２０の側面に沿って枠状に形成されている。但し、凸部２１ｂは絶縁体２０の側面からは離隔している。また、凸部２１ｂの上端は絶縁体２０の上面には到達しておらず、従って、絶縁体２０の外面には露出していない。
一方、光透過部材２２は、絶縁体２０の中部における光反射部材２１の側壁部２１ｆに囲まれた部分と、絶縁体２０の上部の略全体、すなわち、凸部２１ｂを除く部分に設けられている。これにより、光透過部材２２はＬＥＤチップ１５及び１６を覆い、ＬＥＤチップ１５及び１６の各直上域を含む部分に配置され、絶縁体２０の上面に達している。光透過部材２２の絶縁体２０の中部に配置された部分の形状は、稜線が丸められた略逆四角錐台形であり、絶縁体２０の上部に配置された部分の形状は、略平板状である。このため、光透過部材２２は、絶縁体２０の上部において、絶縁体２０の上面及び各側面に露出している。
光透過部材２２の内部には、多数の蛍光体２３が分散されている。各蛍光体２３は粒状であり、ＬＥＤチップ１５及び１６から出射された光を吸収して、より波長が長い光を発光する。例えば、蛍光体は、ＬＥＤチップから出射された青色の光の一部を吸収し、黄色の光を発光する。なお、図示の便宜上、図２（ｂ）においては、蛍光体２３を実際よりも大きく且つ少なく示している。他の断面図においても同様である。また、図１等の斜視図及び図２（ａ）等の平面図においては、蛍光体２３の図示を省略している。
蛍光体２３としては、例えば、黄緑色、黄色又はオレンジ色の光を発光するシリケート系の蛍光体を使用することができる。シリケート系の蛍光体は、以下の一般式で表すことができる。
（２−ｘ−ｙ）ＳｒＯ・ｘ（Ｂａｕ，Ｃａｖ）Ｏ・（１−ａ−ｂ−ｃ−ｄ）ＳｉＯ２・ａＰ２Ｏ５ｂＡｌ２Ｏ３ｃＢ２Ｏ３ｄＧｅＯ２：ｙＥｕ２＋
但し、０＜ｘ、０．００５＜ｙ＜０．５、ｘ＋ｙ≦１．６、０≦ａ、ｂ、ｃ、ｄ＜０．５、０＜ｕ、０＜ｖ、ｕ＋ｖ＝１である。
また、黄色蛍光体として、ＹＡＧ系の蛍光体を使用することもできる。ＹＡＧ系の蛍光体は、以下の一般式で表すことができる。
（ＲＥ１−ｘＳｍｘ）３（ＡｌｙＧａ１−ｙ）５Ｏ１２：Ｃｅ
但し、０≦ｘ＜１、０≦ｙ≦１、ＲＥはＹ及びＧｄから選択される少なくとも１種の元素である。
又は、蛍光体として、サイアロン系の赤色蛍光体及び緑色蛍光体を混合して使用することもできる。すなわち、蛍光体は、ＬＥＤチップから出射された青色の光を吸収して赤色の光を発光する赤色蛍光体、及び青色の光を吸収して緑色の光を発光する緑色蛍光体とすることができる。
サイアロン系の赤色蛍光体は、例えば下記一般式で表すことができる。
（Ｍ１−ｘ，Ｒｘ）ａ１ＡｌＳｉｂ１Ｏｃ１Ｎｄ１
但し、ＭはＳｉ及びＡｌを除く少なくとも１種の金属元素であり、特に、Ｃａ及びＳｒの少なくとも一方であることが望ましい。Ｒは発光中心元素であり、特にＥｕが望ましい。ｘ、ａ１、ｂ１、ｃ１、ｄ１は、０＜ｘ≦１、０．６＜ａ１＜０．９５、２＜ｂ１＜３．９、０．２５＜ｃ１＜０．４５、４＜ｄ１＜５．７である。
このようなサイアロン系の赤色蛍光体の具体例を以下に示す。
Ｓｒ２Ｓｉ７Ａｌ７ＯＮ１３：Ｅｕ２＋
サイアロン系の緑色蛍光体は、例えば下記一般式で表すことができる。
（Ｍ１−ｘ，Ｒｘ）ａ２ＡｌＳｉｂ２Ｏｃ２Ｎｄ２
但し、ＭはＳｉ及びＡｌを除く少なくとも１種の金属元素であり、特にＣａ及びＳｒの少なくとも一方が望ましい。Ｒは発光中心元素であり、特にＥｕが望ましい。ｘ、ａ２、ｂ２、ｃ２、ｄ２は、０＜ｘ≦１、０．９３＜ａ２＜１．３、４．０＜ｂ２＜５．８、０．６＜ｃ２＜１、６＜ｄ２＜１１である。
このようなサイアロン系の緑色蛍光体の具体例を以下に示す。
Ｓｒ３Ｓｉ１３Ａｌ３Ｏ２Ｎ２１：Ｅｕ２＋
次に、本実施形態に係るＬＥＤパッケージの製造方法について説明する。
図４は、本実施形態に係るＬＥＤパッケージの製造方法を例示するフローチャート図であり、
図５（ａ）〜（ｈ）は、本実施形態におけるリードフレームシートの形成方法を例示する工程断面図であり、
図６は、本実施形態におけるリードフレームシートを例示する平面図であり、
図７は、本実施形態におけるリードフレームシート及び光反射部材を例示する平面図であり、
図８は、本実施形態における蛍光体含有樹脂材料の封入方法を例示する図である。
先ず、図４及び図５（ａ）に示すように、銅板３１ａを用意し、これを洗浄する。次に、図５（ｂ）に示すように、銅板３１ａの両面に対してレジストコーティングを施し、その後乾燥させて、レジスト膜１１１を形成する。次に、図５（ｃ）に示すように、レジスト膜１１１上にマスクパターン１１２を配置し、紫外線を照射して露光する。これにより、レジスト膜１１１の露光部分が硬化し、レジストパターン１１１ａが形成される。次に、図５（ｄ）に示すように、現像を行い、レジスト膜１１１における硬化していない部分を洗い流す。これにより、銅板３１ａの上下面上にレジストパターン１１１ａが残留する。
次に、図５（ｅ）に示すように、レジストパターン１１１ａをマスクとしてエッチングを施し、銅板３１ａにおける露出部分を両面から除去する。このとき、エッチング深さは、銅板３１ａの板厚の半分程度とする。これにより、片面側からのみエッチングされた領域はハーフエッチングされ、両面側からエッチングされた領域は貫通する。次に、図５（ｆ）に示すように、レジストパターン１１１ａを除去する。次に、図５（ｇ）に示すように、銅板３１ａの端部をマスク１１３によって覆い、めっきを施す。これにより、銅板３１ａの端部以外の部分の表面上に、銀めっき層３１ｂが形成される。次に、図５（ｈ）に示すように、洗浄してマスク１１３を除去する。その後、検査を行う。このようにして、リードフレームシート３３が作製される。
図６に示すように、リードフレームシート３３においては、多数の素子領域Ｐがマトリクス状に配列されており、素子領域Ｐ間は格子状のダイシング領域Ｄとなっている。各素子領域Ｐにおいては、相互に離隔したリードフレーム１１及び１２を含む基本パターンが形成されている。ダイシング領域Ｄにおいては、リードフレームシート３３を形成する導電性材料が、隣り合う素子領域Ｐ間をつなぐように残留している。
すなわち、素子領域Ｐ内においては、リードフレーム１１とリードフレーム１２とは相互に離隔しているが、ある素子領域Ｐに属するリードフレーム１１は、この素子領域Ｐから見て−Ｘ方向に位置する隣の素子領域Ｐに属するリードフレーム１２に連結されており、両フレームは、Ｘ方向に延びるブリッジ３４ａ及び３４ｂを介して連結されている。また、Ｙ方向において隣り合う素子領域Ｐに属するリードフレーム１１同士は、ブリッジ３４ｃ及び３４ｄを介して連結されている。同様に、Ｙ方向において隣り合う素子領域Ｐに属するリードフレーム１２同士は、ブリッジ３４ｅを介して連結されている。これにより、リードフレーム１１のベース部１１ａから３方向に向けて６本のブリッジが延出すると共に、リードフレーム１２のベース部１２ａから３方向に向けて４本のブリッジが延出している。
また、下面側からのハーフエッチングにより、リードフレーム１１及び１２の下面にそれぞれ凸部１１ｐ及び１２ｐ（図２（ｂ）参照）が形成される。一方、上面側からのハーフエッチングにより、リードフレーム１１の上面に溝１１ｍ（図２（ａ）参照）が形成される。
次に、図４及び図７に示すように、不透明な絶縁材料、例えば白色樹脂を、リードフレームシート３３に被着させた上で、例えばモールド成形を行い、光反射部材２１を形成する。光反射部材２１は、シードフレームシート３３の下面を覆い、リードフレームシート３３におけるリードフレーム１１及び１２並びにブリッジ３４ａ〜３４ｅの相互間を埋め込むように形成する。また、光反射部材２１は、リードフレームシート３３の上方にも配置する。このとき、光反射部材２１には複数の凹部２１ｍを形成する。凹部２１ｍは素子領域Ｐごとに形成し、マトリクス状に配列させる。各凹部２１ｍの形状は、稜線が丸められた逆四角錐台形とする。これにより、リードフレーム１１及び１２のうち、素子領域Ｐの周辺部及びダイシング領域Ｄに配置された部分の上面は、光反射部材２１によって覆われる。一方、凹部２１ｍの底面において、リードフレーム１１及び１２のうち、素子領域Ｐの中央部に配置された部分の上面が露出される。また、光反射部材２１の上面２１ａには、各凹部２１ｍを囲むように、枠状の凸部２１ｂを形成する。
次に、図４及び図１に示すように、リードフレームシート３３における各リードフレーム１１の上面に、ダイマウント材１３及び１４を被着させる。次に、ダイマウント材１３上にＬＥＤチップ１５を載置し、ダイマウント材１４上にＬＥＤチップ１６を載置する。これにより、素子領域ＰごとにＬＥＤチップ１５及び１６が搭載（マウント）される。次に、ダイマウント材１３及び１４を加熱（マウントキュア）し、硬化させる。次に、例えば超音波接合により、ワイヤ１７ａの一端をＬＥＤチップ１５の端子１５ａに接合（ワイヤボンディング）し、他端をリードフレーム１１の上面１１ｈに接合する。また、ワイヤ１７ｂの一端をＬＥＤチップ１５の端子１５ｂに接合し、他端をリードフレーム１２の上面１２ｈに接合する。同様に、ワイヤ１８ａの一端をＬＥＤチップ１６の端子１６ａに接合し、他端をリードフレーム１１の上面１１ｈに接合する。また、ワイヤ１８ｂの一端をＬＥＤチップ１６の端子１６ｂに接合し、他端をリードフレーム１２の上面１２ｈに接合する。
次に、図４及び図８に示すように、透明な絶縁材料、例えば、シリコーン樹脂等の透明樹脂に、蛍光体２３（図２（ｂ）参照）を混合し、撹拌することにより、液状又は半液状の蛍光体含有樹脂材料２６を調製する。次に、ディスペンサ１１６から蛍光体含有樹脂材料２６を吐出し、蛍光体含有樹脂材料２６を凹部２１ｍ内に供給すると共に、凹部２１ｍから溢れさせる。これにより、蛍光体含有樹脂材料２６は、リードフレーム１１の溝１１ｍ内に侵入すると共に、凹部２１ｍ内においてダイマウント材１３及び１４、ＬＥＤチップ１５及び１６、並びにワイヤ１７ａ〜１８ｂを覆い、更に、凹部２１ｍから溢れて光反射部材２１を覆う。このようにして、蛍光体含有樹脂材料２６がモールドされる。
次に、図４に示すように、熱処理（モールドキュア）を行う。これにより、蛍光体含有樹脂材料２６が硬化して、光透過部材２２が形成される。光透過部材２２は光反射部材２１と共に樹脂板を構成する。
次に、図４に示すように、リードフレームシート３３及び樹脂板からなる結合体をダイシングする。これにより、リードフレームシート３３及び樹脂板におけるダイシング領域Ｄに配置された部分が除去される。この結果、リードフレームシート３３及び樹脂板における各素子領域Ｐに配置された部分が個片化され、図１〜図３に示すＬＥＤパッケージ１が製造される。
このとき、各ブリッジはその長手方向中央部が除去され、両端部が吊ピンになる。すなわち、ブリッジ３４ａは吊ピン１１ｆ及び吊ピン１２ｄに分断され、ブリッジ３４ｂは吊ピン１１ｇ及び吊ピン１２ｅに分断され、ブリッジ３４ｃは吊ピン１１ｃ及び吊ピン１１ｅに分断され、ブリッジ３４ｄは吊ピン１１ｂ及び吊ピン１１ｄに分断され、ブリッジ３４ｅは吊ピン１２ｂ及び吊ピン１２ｃに分断される。
次に、図４に示すように、ＬＥＤパッケージ１について、各種のテストを行う。このとき、吊ピン１１ｂ〜１１ｇ及び１２ｂ〜１２ｅの先端面をテスト用の端子として使用することも可能である。
次に、本実施形態の動作について説明する。
ＬＥＤパッケージ１の外部からリードフレーム１１とリードフレーム１２との間に電圧を印加することにより、ＬＥＤチップ１５及び１６から例えば青色の光が出射される。この光の一部は蛍光体２３に吸収され、蛍光体２３から黄色の光が出射される。このため、ＬＥＤパッケージ１から出射される光は、青色の光と黄色の光とが混合され、全体として白色となる。
ＬＥＤチップ１５及び１６から見て、＋Ｚ方向及びその周辺には、光透過部材２２のみが配置されており、光反射部材２１は配置されていないため、ＬＥＤチップ又は蛍光体から高い角度、すなわち、＋Ｚ方向又はそれに近い方向に出射された光は、光透過部材２２を透過して絶縁体２０の外部に出射される。一方、ＬＥＤチップ又は蛍光体から低い角度、すなわち、＋Ｚ方向から大きな角度をなす方向に出射された光は、光透過部材２２を透過した後、光反射部材２１によって反射され、その後、再び光透過部材２２を透過して、絶縁体２０から出射される。
次に、本実施形態の効果について説明する。
本実施形態に係るＬＥＤパッケージ１においては、光透過部材２２の側方に、白色樹脂からなる光反射部材２１の側壁部２１ｆが設けられている。光反射部材２１は、絶縁体２１の下部及び中部に設けられており、上部にはほとんど設けられていない。これにより、ＬＥＤチップ等から低い角度で出射された光を、光反射部材２１の側壁部２１ｆに反射させて、狭い角度範囲に集光することができる。一方、ＬＥＤチップ等から高い角度で出射された光は、光反射部材２１に遮られることなく、広い角度範囲に分散させることができる。そして、このような配光特性は、光反射部材２１の高さに依存する。すなわち、光反射部材２１を高く形成すれば、配光性を高め、光の出射範囲を狭くすることができる。逆に、光反射部材１を低く形成すれば、配光性を低め、光の出射範囲を広くすることができる。このように、本実施形態によれば、光反射部材２１の高さを選択することにより、出射光の配光性を精密に制御することができる。
また、本実施形態によれば、光反射部材２１の上面２１ａに凸部２１ｂを形成することにより、光反射部材２１と光透過部材２２との接触面積を増加させることができる。これにより、光反射部材２１と光透過部材２２との密着性が向上し、両部材間の剥離を抑制することができる。また、絶縁体２０の外面における光反射部材２１と光透過部材２２との界面を起点として剥離が発生した場合にも、凸部２１ｂによって剥離の進行を食い止めることができる。
更に、本実施形態においては、図８に示すように、ディスペンサ１１６から蛍光体含有樹脂材料２６を吐出し、光反射部材２１の凹部２１ｍから溢れさせることにより、一度の吐出で複数の素子領域Ｐに対して蛍光体含有樹脂材料２６を供給することができる。例えば、一度の吐出により、リードフレームシート３３に形成された全ての素子領域Ｐに蛍光体含有樹脂材料２６を供給することができる。これにより、リードフレームシート３３を用いて多数のＬＥＤパッケージを一度に製造する際に、素子領域Ｐごとに蛍光体含有樹脂材料２６を吐出する場合と比較して、蛍光体含有樹脂材料２６を吐出する回数を減らすことができる。この結果、蛍光体含有樹脂材料２６の封入に要する時間を短くして、ＬＥＤパッケージの生産性を向上させることができる。
更にまた、ディスペンサ１１６から一度に吐出される蛍光体含有樹脂材料２６の量及び蛍光体２３の含有量は、吐出のタイミングごとにばらつくため、一度の吐出量を多くすることにより、ばらつきを相対的に小さくすることができる。また、複数の素子領域Ｐに対して一度に蛍光体含有樹脂材料２６を供給することにより、素子領域Ｐ間で蛍光体含有樹脂材料２６及び蛍光体２３が流通し、蛍光体含有樹脂材料２６の量及び蛍光体２３の含有量が均一化される。これにより、光透過部材２１のサイズ及び蛍光体２３の含有量が均一なＬＥＤパッケージを製造することができる。
次に、第２の実施形態について説明する。
図９は、本実施形態に係るＬＥＤパッケージを例示する斜視図であり、
図１０（ａ）は本実施形態に係るＬＥＤパッケージを例示する平面図であり、（ｂ）はリードフレームの配列方向に平行な断面図である。
図９及び図１０に示すように、本実施形態に係るＬＥＤパッケージ２は、前述の第１の実施形態に係るＬＥＤパッケージ１（図１〜図３参照）と比較して、光反射部材２１の上面に、凸部２１ｂの替わりに、凹部２１ｃが形成されている点が異なっている。凹部２１ｃ内には光透過部材２２が進入している。また、凹部２１ｃは光反射部材２１を貫通していない。
本実施形態の効果は、前述の第１の実施形態と同様である。すなわち、光反射部材２１の高さを選択することにより、配光性を精密に制御することができる。また、光反射部材２１の上面２１ａに凹部２１ｃを形成することにより、光反射部材２１と光透過部材２２との接触面積が増加するため密着性が向上し、剥離を抑制することができる。また、光反射部材２１と光透過部材２２との界面において剥離が発生した場合にも、凹部２１ｃによって剥離の進行を食い止めることができる。この結果、ＬＥＤパッケージの信頼性を向上させることができる。更に、一度に吐出により複数の素子領域Ｐに蛍光体含有樹脂材料２６を供給することができるため、ＬＥＤパッケージの製造コストを低減できる。更にまた、蛍光体含有樹脂材料２６の吐出回数を減らすことにより、蛍光体含有樹脂材料２６の量及び蛍光体２３の含有量を均一化し、光透過部材２１のサイズ及び蛍光体２３の含有量が均一なＬＥＤパッケージを製造することができる。本実施形態における上記以外の構成、製造方法、動作及び効果は、前述の第１の実施形態と同様である。
次に、第３の実施形態について説明する。
図１１（ａ）は本実施形態に係るＬＥＤパッケージを例示する平面図であり、（ｂ）はリードフレームの配列方向に平行な断面図である。
図１１（ａ）及び（ｂ）に示すように、本実施形態に係るＬＥＤパッケージ３は、前述の実施形態に係るＬＥＤパッケージ１（図１〜図３参照）と比較して、光反射部材２１の側壁部２１ｆが一回り内側の位置に配置されており、絶縁体２０の側面から離隔している点が異なっている。このため、絶縁体２０の中部において、光反射部材２１は外部に露出しておらず、光反射部材２１と光透過部材２２との界面も、絶縁体２０の外面には露出していない。
本実施形態によれば、光反射部材２１と光透過部材２２との界面が外部に露出していないため、この界面を起点として剥離が生じることを抑制できる。この効果は、光反射部材２１と光透過部材２２との密着性が低い場合に、特に大きい。また、リードフレーム１１及び１２と光透過部材２２との界面において剥離が発生した場合にも、光反射部材２１によって剥離の進行を食い止めることができる。この結果、ＬＥＤパッケージの信頼性を向上させることができる。
更に、本実施形態によれば、光透過部材２２を光反射部材２１よりも硬度が低い材料によって形成すると、ＬＥＤパッケージ３の製造工程において、樹脂板をダイシングして個片化する際に、ダイシングブレードが比較的硬度が低い光透過部材３２を切削することになる。これにより、ダイシングブレードの磨耗を抑制し、ダイシングブレードの長寿命化を図ることができる。この結果、ＬＥＤパッケージの製造コストを低減することができる。本実施形態における上記以外の構成、製造方法、動作及び効果は、前述の第１の実施形態と同様である。
次に、第４の実施形態について説明する。
図１２（ａ）は本実施形態に係るＬＥＤパッケージを例示する平面図であり、（ｂ）はリードフレームの配列方向に平行な断面図である。
本実施形態は、前述の第２の実施形態（図９及び図１０参照）と第３の実施形態（図１１参照）を組み合わせた例である。
すなわち、図１２（ａ）及び（ｂ）に示すように、本実施形態に係るＬＥＤパッケージ４においては、絶縁体２０の中部において、光反射部材２１の側壁部２１ｆが絶縁体２０の側面よりも内側の位置に配置されており、絶縁体２０の側面から離隔している。また、光反射部材２１の上面２１ａには、枠状の凹部２１ｃが形成されている。
本実施形態によっても、前述の第３の実施形態と同様に、光反射部材２１と光透過部材２２との界面が外部に露出していないため、この界面を起点として剥離が生じることを抑制できる。また、リードフレームと光透過部材２２との界面において剥離が発生した場合にも、光反射部材２１によって剥離の進行を食い止めることができる。本実施形態における上記以外の構成、製造方法、動作及び効果は、前述の第１の実施形態と同様である。
次に、第５の実施形態について説明する。
図１３は、本実施形態に係るＬＥＤパッケージを例示する斜視図である。
図１３に示すように、本実施形態に係るＬＥＤパッケージ５は、前述の第１の実施形態に係るＬＥＤパッケージ１（図１参照）と比較して、上方（＋Ｚ方向）から見て、光反射部材２１の側壁部２１ｆの形状が枠状ではなくコ字形状である点が異なっている。より具体的には、ＬＥＤパッケージ５においては、絶縁体２０の中部において、光反射部材２１が絶縁体２０の３つの側面、すなわち、＋Ｘ方向に向いた側面、−Ｘ方向に向いた側面及び＋Ｙ方向に向いた側面に沿って配置されている。一方、絶縁体２０における−Ｙ方向に向いた側面には光反射部材２１の側壁部２１ｆが配置されていない。
本実施形態によれば、絶縁体２０の中部において光反射部材２１が配置されていない−Ｙ方向に向けて、特に大量の光を出射させることができる。これにより、一方向に偏った配光性を実現することができる。本実施形態における上記以外の構成、製造方法、動作及び効果は、前述の第１の実施形態と同様である。
なお、ＬＥＤチップ１５及び１６から見て光反射部材２１の側壁部２１ｆを配置しない方向はＹ方向、すなわち、リードフレーム１１及び１２の配列方向に対して直交した方向には限定されず、Ｘ方向、すなわち、リードフレーム１１及び１２の配列方向であってもよい。また、本実施形態は、前述の第２〜第４の実施形態と組み合わせることもできる。すなわち、第２の実施形態のように、光反射部材２１の上面に凹部２１ｃを形成してもよく、第３及び第４の実施形態のように、光反射部材２１を絶縁体２２の側面から離隔させてもよい。後述する各実施形態についても同様である。
次に、第６の実施形態について説明する。
図１４は、本実施形態に係るＬＥＤパッケージを例示する斜視図である。
図１４に示すように、本実施形態に係るＬＥＤパッケージ６は、前述の第１の実施形態に係るＬＥＤパッケージ１（図１参照）と比較して、光反射部材２１の側壁部２１ｆの形状が、Ｘ方向に延びる２本のライン状である点が異なっている。より具体的には、ＬＥＤパッケージ６においては、絶縁体２０の中部において、光反射部材２１が絶縁体２０における対向する２つの側面、すなわち、＋Ｘ方向に向いた側面及び−Ｘ方向に向いた側面に沿って配置されている。一方、絶縁体２０の中部における＋Ｙ方向に向いた側面及び−Ｙ方向に向いた側面には光反射部材２１が配置されていない。これにより、絶縁体２０の中部において、光反射部材２１は光透過部分２２をＹ方向において挟んでいる。
次に、本実施形態に係るＬＥＤパッケージの製造方法について説明する。
図１５は、本実施形態におけるリードフレームシート及び光反射部材を例示する平面図であり、
図１６は、本実施形態における蛍光体含有樹脂材料の封入方法を例示する図である。
本実施形態に係るＬＥＤパッケージの製造方法において実施する工程及びその順序は、前述の第１の実施形態と同様であり、図４に示したとおりであるが、第１の実施形態とは、白色樹脂のモールド形状が異なっている。
先ず、図５（ａ）〜（ｈ）に示すように、銅板３１ａに対してハーフエッチング及び銀めっきを施す。これにより、図６に示すリードフレームシート３３が作製される。
次に、図１５に示すように、白色樹脂をリードフレームシート３３に被着させた上でモールド成形を行い、光反射部材２１を形成する。このとき、光反射部材２１を、シードフレームシート３３の下面を覆い、リードフレームシート３３におけるリードフレーム１１及び１２並びにブリッジ３４ａ〜３４ｅの相互間を埋め込むように形成する。また、光反射部材２１は、リードフレームシート３３の上方にも配置するが、光反射部材２１には複数本の溝２１ｎを形成する。溝２１ｎは、Ｘ方向に沿って配列された複数の素子領域Ｐからなる列ごとに形成し、Ｘ方向に延びる台形柱形とする。溝２１ｎの底面においては、リードフレーム１１及び１２の上面におけるＹ方向中央部、並びにブリッジ３４ａ及び３４ｂを露出させる。一方、リードフレーム１１及び１２の上面におけるＹ方向両端部並びにブリッジ３４ｃ、３４ｄ、３４ｅの上面は、光反射部材２１によって覆う。光反射部材２１における溝２１ｎ間の部分の形状は、Ｘ方向に延びるライン状になる。また、このライン状の部分のそれぞれの上面には、Ｘ方向に延びる２本の凸部２１ｂを形成する。
次に、第１の実施形態と同様に、リードフレームシート３３における各リードフレーム１１の上面に、ダイマウント材１３及び１４を被着させる。次に、ダイマウント材１３及び１４上にそれぞれＬＥＤチップ１５及び１６をマウントする。次に、ワイヤボンディングを行い、ＬＥＤチップ１５及び１６を、ワイヤを介してリードフレーム１１及び１２に接続する。
次に、図１６に示すように、ディスペンサ１１６から蛍光体含有樹脂材料２６を吐出する。このとき、蛍光体含有樹脂材料２６を溝２１ｎから溢れさせて、蛍光体含有樹脂材料２６を複数本の溝２１ｎの内部に供給すると共に、光反射部材２１の上方にも供給する。これにより、蛍光体含有樹脂材料２６は、ダイマウント材１３及び１４、ＬＥＤチップ１５及び１６、並びにワイヤ１７ａ〜１８ｂを覆う。このようにして、蛍光体含有樹脂材料２６がモールドされ、モールドキュアにより、光透過部材２２となる。光透過部材２２は光反射部材２１と共に樹脂板を構成する。その後、ダイシング及びテストを行うことにより、ＬＥＤパッケージ６が製造される。
本実施形態によれば、光反射部材２１が配置されていない＋Ｘ方向及び−Ｘ方向に、特に大量の光を出射させることができる。これにより、出射光の分布に異方性を持たせることができる。また、一度の吐出により、複数本の溝２１ｎ内に蛍光体含有樹脂材料２６を供給することができるため、ＬＥＤパッケージの製造コストを低減できる。本実施形態における上記以外の構成、製造方法、動作及び効果は、前述の第１の実施形態と同様である。
次に、第７の実施形態について説明する。
図１７は、本実施形態に係るＬＥＤパッケージを例示する斜視図である。
図１７に示すように、本実施形態に係るＬＥＤパッケージ７は、前述の第６の実施形態に係るＬＥＤパッケージ６（図１４参照）と第２の実施形態に係るＬＥＤパッケージ２（図９参照）とを組み合わせた例である。すなわち、本実施形態に係るＬＥＤパッケージ７においては、光反射部材２１の側壁部２１ｆの形状がＸ方向に延びるライン状であり、絶縁体２０における＋Ｘ方向に向いた側面及び−Ｘ方向に向いた側面に沿って配置されている。一方、絶縁体２０の中部における＋Ｙ方向に向いた側面及び−Ｙ方向に向いた側面には光反射部材２１が配置されていない。また、光反射部材２１の上面２１ａにはＸ方向に延びる凹部２１ｃが形成されている。本実施形態における上記以外の構成、製造方法、動作及び効果は、前述の第６の実施形態と同様である。
次に、第８の実施形態について説明する。
図１８は、本実施形態に係るＬＥＤパッケージを例示する斜視図である。
図１８に示すように、本実施形態に係るＬＥＤパッケージ８は、前述の第６の実施形態に係るＬＥＤパッケージ６（図１４参照）と比較して、光反射部材２１の側壁部２１ｆがＹ方向に延びている点が異なっている。より具体的には、ＬＥＤパッケージ８においては、絶縁体２０の中部において、光反射部材２１が絶縁体２０における＋Ｘ方向に向いた側面及び−Ｘ方向に向いた側面に沿って配置されている。一方、絶縁体２０の中部における＋Ｙ方向に向いた側面及び−Ｙ方向に向いた側面には光反射部材２１が配置されていない。このようなＬＥＤパッケージ８は、図１５に示す工程において、Ｙ方向に沿って配列された素子領域Ｐ（図６参照）の列ごとに、光反射部材２１に溝２１ｎを形成することによって、製造可能である。
本実施形態によれば、ＬＥＤチップ１５及び１６から見て光反射部材２１が配置されていない＋Ｙ方向及び−Ｙ方向に向けて、特に大量の光を出射させることができる。これにより、出射光の分布に異方性を持たせることができる。本実施形態における上記以外の構成、製造方法、動作及び効果は、前述の第６の実施形態と同様である。
次に、第９の実施形態について説明する。
図１９は、本実施形態に係るＬＥＤパッケージを例示する斜視図である。
図１９に示すように、本実施形態に係るＬＥＤパッケージ９は、前述の第６の実施形態に係るＬＥＤパッケージ６（図１４参照）と比較して、上方から見て、光反射部材２１の側壁部２１ｆの形状がＬ字形状である点が異なっている。すなわち、ＬＥＤパッケージ９においては、絶縁体２０の中部において、光反射部材２１が、絶縁体２０における隣り合う２つの側面、すなわち、−Ｘ方向に向いた側面及び＋Ｙ方向に向いた側面に沿って配置されている。一方、絶縁体２０の中部における＋Ｘ方向に向いた側面及び−Ｙ方向に向いた側面には光反射部材２１が配置されていない。
本実施形態によれば、ＬＥＤチップ１５及び１６から見て光反射部材２１が配置されていない＋Ｘ方向及び−Ｙ方向に向けて、特に大量の光を出射させることができる。本実施形態における上記以外の構成、製造方法、動作及び効果は、前述の第６の実施形態と同様である。
次に、第１０の実施形態について説明する。
図２０は、本実施形態に係るＬＥＤパッケージを例示する斜視図である。
図２０に示すように、本実施形態に係るＬＥＤパッケージ１０は、前述の第１の実施形態に係るＬＥＤパッケージ１（図１参照）と比較して、光反射部材２１の側壁部２１ｆの形状が、Ｘ方向に延びる１本のライン状である点が異なっている。すなわち、ＬＥＤパッケージ１０においては、絶縁体２０の中部において、光反射部材２１が絶縁体２０における１つの側面、すなわち、＋Ｙ方向に向いた側面に沿って配置されている。一方、絶縁体２０の中部における他の３つの側面、すなわち、−Ｙ方向に向いた側面、＋Ｘ方向に向いた側面、及び−Ｘ方向に向いた側面には、光反射部材２１が配置されていない。
本実施形態によれば、光反射部材２１が配置されている＋Ｙ方向への配光を抑制し、それ以外の方向に配光させることができる。これにより、出射光の分布に異方性を持たせることができる。本実施形態における上記以外の構成、製造方法、動作及び効果は、前述の第１の実施形態と同様である。
次に、第１１の実施形態について説明する。
図２１は、本実施形態に係るＬＥＤパッケージを例示する斜視図である。
図２１に示すように、本実施形態に係るＬＥＤパッケージ５１においては、前述の第１の実施形態に係るＬＥＤパッケージ１（図１参照）の構成に加えて、ツェナーダイオードチップ４１が設けられている。ツェナーダイオードチップ４１には上面端子４１ａ及び下面端子（図示せず）が設けられている。
リードフレーム１１の上面１１ｈにおけるＬＥＤチップ１５から見て＋Ｘ方向側の領域には、Ｙ方向に延びる溝１１ｎが形成されている。また、リードフレーム１２の上面１２ｈにおけるＹ方向中央部には、Ｘ方向に延びる溝１２ｍが形成されている。溝１１ｎ及び１２ｍは、それぞれリードフレーム１１及び１２を貫通していない。リードフレーム１２の上面１２ｈにおける溝１２ｍよりも＋Ｙ方向側の領域には、導電性のダイマウント材４２が被着されている。そして、ツェナーダイオードチップ４１は、ダイマウント材４２によりリードフレーム１２上に搭載されている。また、ＬＥＤチップ１５及び１６にそれぞれ接続されたワイヤ１７ｂ及び１８ｂは、リードフレーム１２の上面１２ｈにおける溝１２ｍよりも−Ｙ方向側の領域に接合されている。すなわち、上面１２ｈにおいて、ダイマウント材４２が被着されている領域と、ワイヤ１７ｂ及び１８ｂが接合されている領域とは、溝１２ｍによって区画されている。
ツェナーダイオードチップ４１の下面端子はダイマウント材４２を介してリードフレーム１２に接続されており、上面端子４１ａはワイヤ４３を介して、リードフレーム１１に接続されている。ワイヤ４３の一端は上面端子４１ａに接合されており、他端はリードフレーム１１の上面１１ｈにおける溝１１ｎよりも＋Ｘ方向側の領域に接合されている。すなわち、上面１１ｈにおいて、ダイマウント材１３が被着されている領域と、ワイヤ４３が接合されている領域とは、溝１１ｎによって区画されている。
本実施形態においては、リードフレーム１１とリードフレーム１２との間に、ツェナーダイオードチップ４１が、ＬＥＤチップ１５及び１６に対して並列に接続されている。これにより、ＥＳＤ（Electrostatic Discharge：静電気放電）に対する耐性を向上させることができる。
また、リードフレーム１２の上面１２ｈにおけるダイマウント材４２が被着されている領域とワイヤ１７ｂ及び１８ｂが接合されている領域とは、溝１２ｍによって区画されており、リードフレーム１１の上面１１ｈにおけるダイマウント材１３が被着されている領域とワイヤ４３が接合されている領域とは、溝１１ｎによって区画されている。これにより、ダイマウント材の流動が溝によって阻止されるため、ダイマウント材がワイヤの接合領域に到達して、ワイヤの接合を妨げることがない。
本実施形態における上記以外の構成、製造方法、動作及び効果は、前述の第１の実施形態と同様である。
なお、前述の各実施形態においては、光反射部材２１の上面に形成する凸部又は凹部の形状を直線状とする例を示したが、これには限定されず、凸部及び凹部は、例えば、蛇行していてもよく、破線状に分断されていてもよい。更に、光反射部材２１の上面に、凸部及び凹部を両方形成してもよい。これらにより、光反射部材２１と光透過部材２２の接触面積を更に増加させて、密着性を向上させることができる。
また、前述の各実施形態においては、ＬＥＤパッケージに２個のＬＥＤチップを設ける例を示したが、これには限定されず、ＬＥＤチップの個数は１個又は３個以上であってもよい。
更に、前述の各実施形態においては、ＬＥＤチップが上面端子型である例を示したが、これには限定されず、ＬＥＤチップは上下導通型又はフリップ型であってもよい。ＬＥＤチップ１５及び１６が上下導通型である場合は、ＬＥＤチップ１５及び１６の下面端子は導電性のダイマウント材１３及び１４を介してリードフレーム１１に接続されるため、ワイヤ１７ａ及び１８ａが不要になる。一方、ＬＥＤチップ１５及び１６がフリップ型である場合は、ＬＥＤチップ１５及び１６の各２つの下面端子は導電性のダイマウント材を介してリードフレーム１１及び１２に接続されるため、全てのワイヤが不要になる。
以上説明した実施形態によれば、配光性を精密に制御できるＬＥＤパッケージを実現することができる。
以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明及びその等価物の範囲に含まれる。また、前述の各実施形態は、相互に組み合わせて実施することができる。
１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０：ＬＥＤパッケージ、１１：リードフレーム、１１ａ：ベース部、１１ｂ〜１１ｇ：吊ピン、１１ｈ：上面、１１ｋ：切欠、１１ｊ：下面、１１ｍ、１１ｎ：溝、１１ｐ：凸部、１２：リードフレーム、１２ａ：ベース部、１２ｂ〜１２ｅ：吊ピン、１２ｈ：上面、１２ｋ：切欠、１２ｊ：下面、１２ｍ：溝、１２ｐ：凸部、１３、１４：ダイマウント材、１５：ＬＥＤチップ、１５ａ、１５ｂ：端子、１６：ＬＥＤチップ、１６ａ、１６ｂ：端子、１７ａ、１７ｂ、１８ａ、１８ｂ：ワイヤ、２０：絶縁体、２１：光反射部材、２１ａ：上面、２１ｂ：凸部、２１ｃ：凹部、２１ｆ：側壁部、２１ｍ：凹部、２１ｎ：溝、２２：光透過部材、２３：蛍光体、２６：蛍光体含有樹脂材料、３１ａ：銅板、３１ｂ：銀めっき層、３３：リードフレームシート、３４ａ〜３４ｅ：ブリッジ、４１：ツェナーダイオードチップ、４１ａ：上面端子、４２：ダイマウント材、４３：ワイヤ、５１：ＬＥＤパッケージ、１１１：レジスト膜、１１１ａ：レジストパターン、１１２：マスクパターン、１１３：マスク、１１６：ディスペンサ、Ｄ：ダイシング領域、Ｐ：素子領域

Claims (9)

  1. 相互に離隔した第１及び第２のリードフレームと、
    前記第１及び第２のリードフレームの上方に設けられ、一方の端子が前記第１のリードフレームに接続され、他方の端子が前記第２のリードフレームに接続されたＬＥＤチップと、
    前記ＬＥＤチップを覆い、前記第１及び第２のリードフレームのそれぞれの上面、下面の一部及び端面の一部を覆い、前記下面の残部及び前記端面の残部を露出させ、形状が直方体である絶縁体と、
    を備え、
    前記絶縁体は、
    前記ＬＥＤチップの直上域を含む部分に配置され、前記ＬＥＤチップから出射された光を透過させる光透過部材と、
    前記光透過部材の側方に前記絶縁体の４つの側面に沿って配置され、前記絶縁体の側面において露出し、前記ＬＥＤチップから出射された光を反射する光反射部材と、
    前記光透過部材内に配置された蛍光体と、
    を有し、
    前記絶縁体の上面は前記光透過部材によって構成されており、
    前記光反射部材の上面には、凸部及び凹部のうち少なくとも一方が形成されているＬＥＤパッケージ。
  2. 相互に離隔した第１及び第２のリードフレームと、
    前記第１及び第２のリードフレームの上方に設けられ、一方の端子が前記第１のリードフレームに接続され、他方の端子が前記第２のリードフレームに接続されたＬＥＤチップと、
    前記ＬＥＤチップを覆い、前記第１及び第２のリードフレームのそれぞれの上面、下面の一部及び端面の一部を覆い、前記下面の残部及び前記端面の残部を露出させた絶縁体と、
    を備え、
    前記絶縁体は、
    前記ＬＥＤチップの直上域を含む部分に配置され、前記ＬＥＤチップから出射された光を透過させる光透過部材と、
    前記光透過部材の側方に配置され、前記ＬＥＤチップから出射された光を反射する光反射部材と、
    を有し、
    前記絶縁体の上面は前記光透過部材によって構成されており、
    前記光反射部材の上面には、凸部又は凹部が形成されているＬＥＤパッケージ。
  3. 前記絶縁体の形状は直方体であり、
    前記光反射部材は、前記絶縁体の４つの側面に沿って配置されている請求項２記載のＬＥＤパッケージ。
  4. 前記絶縁体の形状は直方体であり、
    前記光反射部材は、前記絶縁体の３つの側面に沿って配置されている請求項２記載のＬＥＤパッケージ。
  5. 前記絶縁体の形状は直方体であり、
    前記光反射部材は、前記絶縁体の２つの側面に沿って配置されている請求項２記載のＬＥＤパッケージ。
  6. 前記絶縁体の形状は直方体であり、
    前記光反射部材は、前記絶縁体の１つの側面に沿って配置されている請求項２記載のＬＥＤパッケージ。
  7. 前記第１及び第２のリードフレームよりも上方において、前記光反射部材は、前記絶縁体の側面において露出している請求項２〜６のいずれか１つに記載のＬＥＤパッケージ。
  8. 前記第１及び第２のリードフレームよりも上方において、前記光反射部材は、前記絶縁体の側面において露出していない請求項２〜６のいずれか１つに記載のＬＥＤパッケージ。
  9. 前記絶縁体は、前記光透過部材内に配置された蛍光体をさらに有した請求項２〜８のいずれか１つに記載のＬＥＤパッケージ。
JP2012034778A 2012-02-21 2012-02-21 Ｌｅｄパッケージ Pending JP2013171969A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012034778A JP2013171969A (ja) 2012-02-21 2012-02-21 Ｌｅｄパッケージ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012034778A JP2013171969A (ja) 2012-02-21 2012-02-21 Ｌｅｄパッケージ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2013171969A true JP2013171969A (ja) 2013-09-02

Family

ID=49265743

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012034778A Pending JP2013171969A (ja) 2012-02-21 2012-02-21 Ｌｅｄパッケージ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2013171969A (ja)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015056591A (ja) * 2013-09-13 2015-03-23 株式会社カネカ 発光素子実装用リードフレーム、発光素子実装用樹脂成型体及び表面実装型発光装置
WO2017033890A1 (ja) * 2015-08-24 2017-03-02 京セラ株式会社 発光素子搭載用基板、発光装置および発光モジュール
US9627597B2 (en) 2014-12-26 2017-04-18 Nichia Corporation Package, light-emitting device, and method for manufacturing the same
JP2017118101A (ja) * 2015-12-22 2017-06-29 シチズン電子株式会社 Ｌｅｄ発光装置
JP2019080028A (ja) * 2017-10-20 2019-05-23 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN110178231A (zh) * 2017-12-19 2019-08-27 首尔半导体株式会社 发光元件及包括该发光元件的发光模块
US10615319B2 (en) 2017-10-20 2020-04-07 Nichia Corporation Light emitting device
JP2022052221A (ja) * 2020-09-23 2022-04-04 日機装株式会社 半導体発光装置
US11335840B2 (en) 2017-10-25 2022-05-17 Panasonic Inteilectual Property Management Co., Ltd. Optical semiconductor device package, optical semiconductor device, and manufacturing method for optical semiconductor device package
US11664479B2 (en) 2020-12-17 2023-05-30 Nichia Corporation Light emitting device and planar light source

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015056591A (ja) * 2013-09-13 2015-03-23 株式会社カネカ 発光素子実装用リードフレーム、発光素子実装用樹脂成型体及び表面実装型発光装置
US9627597B2 (en) 2014-12-26 2017-04-18 Nichia Corporation Package, light-emitting device, and method for manufacturing the same
US9978920B2 (en) 2014-12-26 2018-05-22 Nichia Corporation Package, light-emitting device, and method for manufacturing the same
US10174914B2 (en) 2015-08-24 2019-01-08 Kyocera Corporation Light-emitting-element mounting substrate, light emitting device, and light emitting module
WO2017033890A1 (ja) * 2015-08-24 2017-03-02 京セラ株式会社 発光素子搭載用基板、発光装置および発光モジュール
CN107690714A (zh) * 2015-08-24 2018-02-13 京瓷株式会社 发光元件搭载用基板、发光装置以及发光模块
JPWO2017033890A1 (ja) * 2015-08-24 2018-03-01 京セラ株式会社 発光素子搭載用基板、発光装置および発光モジュール
JP2017118101A (ja) * 2015-12-22 2017-06-29 シチズン電子株式会社 Ｌｅｄ発光装置
JP2019080028A (ja) * 2017-10-20 2019-05-23 日亜化学工業株式会社 発光装置
US10615319B2 (en) 2017-10-20 2020-04-07 Nichia Corporation Light emitting device
US11335840B2 (en) 2017-10-25 2022-05-17 Panasonic Inteilectual Property Management Co., Ltd. Optical semiconductor device package, optical semiconductor device, and manufacturing method for optical semiconductor device package
CN110178231A (zh) * 2017-12-19 2019-08-27 首尔半导体株式会社 发光元件及包括该发光元件的发光模块
JP2022052221A (ja) * 2020-09-23 2022-04-04 日機装株式会社 半導体発光装置
JP7307711B2 (ja) 2020-09-23 2023-07-12 日機装株式会社 半導体発光装置
US11664479B2 (en) 2020-12-17 2023-05-30 Nichia Corporation Light emitting device and planar light source

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2013171969A (ja) Ｌｅｄパッケージ
JP4764519B1 (ja) Ｌｅｄパッケージ
US8378347B2 (en) LED package
JP5753446B2 (ja) 半導体発光装置の製造方法
US20120161180A1 (en) Led package
JP5010693B2 (ja) Ｌｅｄパッケージ
TWI450424B (zh) 發光二極體封裝體
US20120132949A1 (en) Led package
JP2013143496A (ja) Ｌｅｄパッケージ及びその製造方法
US20110186886A1 (en) Led package and method for manufacturing the same
JP6387954B2 (ja) 波長変換部材を用いた発光装置の製造方法
JP2011253882A (ja) 発光装置及びその製造方法
JP2012114311A (ja) Ｌｅｄモジュール
JP2012114284A (ja) Ｌｅｄモジュール及び照明装置
US20120153335A1 (en) Semiconductor light-emitting device and method of manufacturing the same
JP2012113919A (ja) 照明装置
JP4929418B2 (ja) Ｌｅｄパッケージ
JP2013062416A (ja) 半導体発光装置およびその製造方法
JP7227474B2 (ja) 樹脂パッケージ及び発光装置
JP2011181603A (ja) Ｌｅｄパッケージ
JP2011171769A (ja) Ｌｅｄパッケージの包装材
TWI811723B (zh) 發光元件封裝結構及其製造方法
JP5039242B2 (ja) Ｌｅｄパッケージ
JP2013008979A (ja) 半導体パッケージ