JP4728264B2 - 発光ダイオードパッケージ、発光ダイオードパッケージ用回路基板およびその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 41
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 77
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 32
- 238000007743 anodising Methods 0.000 claims description 18
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 13
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 13
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 12
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 9
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 9
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 9
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 9
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 8
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 238000007716 flux method Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229920001690 polydopamine Polymers 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0132—Binary Alloys
- H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/641—Heat extraction or cooling elements characterized by the materials
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/05—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate
- H05K1/053—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate the metal substrate being covered by an inorganic insulating layer
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
- H05K3/0044—Mechanical working of the substrate, e.g. drilling or punching
- H05K3/0052—Depaneling, i.e. dividing a panel into circuit boards; Working of the edges of circuit boards
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
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Description
本発明は、発光ダイオードパッケージ及び発光ダイオードパッケージに適用される回路基板及びその製造方法に関し、より詳しくは、熱伝導が可能な基板の一部にアノダイジング(anodizing：陽極処理)工法で絶縁層を形成した後、導電性物質にメッキすることにより製造工法が簡単で、かつ放熱効率が改善された発光ダイオードパッケージおよび回路基板並びにその製造方法に関する。
携帯電話、ナビゲーション、ＰＤＡなどのバックライトには、寿命が長く製品の小型化が可能な発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｅｖｉｃｅ）を利用した発光装置が主に使用されるが、このように発光ダイオードを利用した発光装置は、冷陰極蛍光ランプ（Ｃｏｌｄ Ｃａｔｈｏｄｅ Ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｔ Ｌａｍｐ：ＣＣＦＬ）を利用する発光装置に比べ親環境的（環境に優しい）であり、回答速度（伝送速度、応答速度）が数ナノ秒と高速回答が可能であるため色再現性が高く、発光ダイオードの光量を調整し輝度及び色温度を任意に変更することができるという長所がある。
上記発光ダイオードを利用する発光装置は、大きく分け、電流パターンが形成された回路基板と上記回路基板に装着される発光ダイオードを含んで構成されるが、近年では高出力発光ダイオードが常用化されるにつれて発光ダイオードで発生する熱をより効果的に放出させることができるように構成される回路基板が要求されている。
以下、添付された図面を参照して従来の発光ダイオードを利用した発光装置について説明する。
図１４は、従来の発光装置の分解斜視図である。図１４に示すように発光装置５０１は、電流パターンが形成された回路基板５０３と、回路基板５０３の上面に装着される発光ダイオード５０６と、発光ダイオード５０６の光の発光方向をガイドするための反射部材５０２とを含んで構成される。
上記回路基板５０３は絶縁材で製作され、相互対向する両側面に一対の電極５０４ａ、５０４ｂが形成されて外部と電気的に接続されるように構成される。回路基板５０３の上面には銅箔などの導電パターン５０５ａ、５０５ｂが形成され、上記導電パターン５０５ａ、５０５ｂはそれぞれ上記電極５０４ａ、５０４ｂに電気的に接続され、回路基板５０３の上面中心部に向かって延長される。また、回路基板５０３の上面の各隅には銅箔などで製作される固定用の電極パターン５０７ａ、５０７ｂ、５０７ｃ、５０７ｄが備えられる。この際、上記電極５０４ａ、５０４ｂと導電パターン５０５ａ、５０５ｂは絶縁膜５０８によって上面が絶縁される。
上記反射部材５０２は、耐熱性の高性能プラスチックなどのような樹脂材、または銅、アルミニウムなどの金属材で製作され、中心部には発光ダイオード５０６が引込まれる反射貫通孔５０２ａが形成され、上記反射貫通孔５０２ａの内側壁面は発光ダイオード５０６で発光する光の反射効率が向上できるように銀やニッケルなどで光沢メッキする。この際、上記反射部材５０２は全面を光沢メッキすることも可能である。この際、反射部材５０２と回路基板５０３は一般的に外形サイズが類似して形成される。
上記発光ダイオード５０６は、回路基板５０３の上面の中部（中央部）に位置する実装領域５０３ａに装着され、本図面では図示しないが、両極端子とカソード端子が導電パターン５０５ａ、５０５ｂと電気的に繋がるように構成される。
従って、回路基板５０３に印加される電流は電極５０４ａ、５０４ｂと導電パターン５０５ａ、５０５ｂを通して発光ダイオード５０６に伝達され、上記発光ダイオード５０６は図中上側に光を発散するように動作される。
上記発光ダイオード５０６で発生する熱は発光ダイオード５０６の床面と繋がった部材、即ち、絶縁物質で製作された回路基板５０３を通して放出されるが、一般的に絶縁物質は熱伝導の効率が極めて低いため、上記のような構造で構成される従来の発光装置５０１は発光ダイオード５０６で発生する熱が効率的に放出できないという短所がある。
このような問題点を解決するために、上記発光ダイオード５０６が装着される地点に貫通孔が形成され、上記貫通孔に熱伝導物質で満たされるように構成された回路基板が提案されたが、このような構造は製造工程が複雑であるだけでなく、上記熱伝導物質が発光ダイオードの床面中の一部にだけ接触されるため、放熱効率を増大させるのに限界があるという問題点がある。
また、上記のような構造で構成される回路基板５０３は、電極５０４ａ、５０４ｂと導電パターン５０５ａ、５０５ｂ、絶縁膜５０８などをそれぞれ別途に製作しなければならないため、製造工程が難解（煩雑）であり、それによる製造原価が増加するだけでなく、生産性が非常に低くなるという短所がある。
本発明は、上記のような問題点を解決するために提案されたもので、発光ダイオードで発生する熱をより効果的に放出することができ、製造工程の単純化により製造原価を低減することが可能で、かつ生産性増大が可能な発光ダイオードパッケージ用回路基板及びその製造方法を提供するのに目的がある。
上記のような目的を達成するための本発明による発光ダイオードパッケージ用回路基板は、上面に発光ダイオードが装着される発光ダイオードパッケージ用回路基板において、熱伝導の可能な金属で製作される基板と、上記基板の上面に露出される面が導電パターンの形成が可能な形状を有するように、上記基板の左右側両端に形成される絶縁酸化層と、上記絶縁酸化層の上に形成される第１導電パターンと、上記第１導電パターンと離隔され、上記基板に接触されるように形成される第２導電パターンとを含んで構成される。
上記基板は、アルミニウム、チタン、タンタル、マグネシウム、ハフニウムのいずれか１種または２種以上の合金物質から製作される。上記絶縁酸化層は、アノダイジング工程により製作される。上記絶縁酸化層は、上記基板の左右側面と上記基板の左右側上面及び床面に形成されるか、または一定な厚さを有するように上記基板の左右側面に形成される。上記絶縁酸化層は、上記基板の上面に露出される部位の両端が上記基板の上面の前側及び後側の周縁に沿って延長されるように形成される。
本発明による発光ダイオードパッケージ用回路基板の製造方法は、熱伝導の可能な金属で製作される基板に２つ以上の貫通孔を形成する段階と、上記貫通孔の終端周辺と内側面に絶縁酸化層をそれぞれ形成する段階と、上記絶縁酸化層の表面に第１導電パターンをそれぞれ形成し、第１導電パターンの間に第２導電パターンを形成する段階と、両端に第１導電パターンが備えられ、中部に第２導電パターンが備えられるように上記基板を切断する段階とを含んで構成される。
上記貫通孔は、２つ以上の列を成すように形成され、上記絶縁酸化層は列を成す貫通孔を連結するように形成される。上記絶縁酸化層は、アノダイジング工法により形成される。上記基板は、アルミニウム、チタン、タンタル、マグネシウム、ハフニウムのいずれか１種または２種以上の合金物質から製作される。
本発明による発光ダイオードパッケージは、熱伝導が可能な金属で製作される基板と、上記基板の上面に露出される面が導電パターンの形成が可能な形状を有するように、上記基板の左右側両端に形成される絶縁酸化層と、上記絶縁酸化層の上に形成される第１導電パターンと、上記第１導電パターンと離隔され、上記基板に接触されるように形成される第２導電パターンと、上記第２導電パターンに装着され、第１導電パターンと電気的に連結される発光ダイオードと、上記発光ダイオードを覆う透明性樹脂とを含んで成る。
上記基板は、アルミニウム、チタン、タンタル、マグネシウム、ハフニウムのいずれか１種または２種以上の合金物質から製作される。上記絶縁酸化層は、アノダイジング工程により形成される。上記絶縁酸化層は、上記基板の左右側面と上記基板の左右側上面及び床面に形成されるか、または一定な厚さを有するように上記基板の左右側面に形成される。上記絶縁酸化層は、上記基板の上面に露出される部位の両端が上記基板の上面の前側及び後側の周縁に沿って延長されるように形成される。
本発明による発光ダイオードパッケージの製造方法は、熱伝導の可能な金属で製作される基板に２つ以上の貫通孔を形成する段階と、上記貫通孔の終端周辺と内側面に絶縁酸化層をそれぞれ形成する段階と、上記絶縁酸化層の表面に第１導電パターンをそれぞれ形成し、第１導電パターンの間に第２導電パターンを形成する段階と、２つの貫通孔の間の上記第２導電パターンの上に発光ダイオードを装着し、上記発光ダイオードと上記第１導電パターンを電気的に繋ぐ段階と、上記発光ダイオードを覆うように透明性樹脂を塗布する段階と、上記発光ダイオードがそれぞれ分離されるように上記基板を切断する段階とを含んで成る。
上記貫通孔は２つ以上の列を成すように形成され、上記絶縁酸化層は列を成す貫通孔を連結するように形成され、上記発光ダイオードは互いに異なる列の貫通孔の間に位置されるように熱を成して装着される。上記透明性樹脂は、列を成す発光ダイオードを全て覆うように長く形成される。上記絶縁酸化層は、アノダイジング工法により形成される。上記基板は、アルミニウム、チタン、タンタル、マグネシウム、ハフニウムのいずれか１種、または２種以上の合金物質で製作される。
本発明による発光ダイオードパッケージは、発光ダイオードで発生する熱をより速やかに且つ効果的に放出することができ、絶縁層が基板と一体に形成されるため耐久性が向上し、低電力の発光ダイオードのみならず高電力の発光ダイオードも使用することができるという効果を奏する。
また、本発明による発光ダイオードパッケージの製造方法を利用すると、製造工程の単純化により製造原価を低減することが可能で、かつ一度に多数の発光ダイオードパッケージを製作することができるので、生産性が増大されるという利点がある。
また、本発明による発光ダイオードパッケージの製造方法を利用すると、製造工程の単純化により製造原価を低減することが可能で、かつ一度に多数の発光ダイオードパッケージを製作することができるので、生産性が増大されるという利点がある。
以下、添付された図面を参照して本発明による発光ダイオードパッケージ、発光ダイオードパッケージ用回路基板及びその製造方法の実施形態を説明する。
図１乃至図６は、本発明による発光ダイオードパッケージの製造過程を順次に示す平面図である。
本発明による発光ダイオードパッケージに適用される回路基板を製作しようとする場合、先ず図１に示すように、熱伝導の可能な金属材質の基板１００に貫通孔１１０を列を成すように形成し、図２に示すように貫通孔１１０の周辺に絶縁酸化層１２０を形成する。
図３は図２に示されたＡ−Ａ線に沿って切断した基板１００の断面図であって、図３に示すように、上記絶縁酸化層１２０は貫通孔１１０の両端入口側と内側面に亘って形成される。この際、絶縁酸化層１２０の上面は以後第１導電パターン２１０（図外）が形成される領域であるため、貫通孔１１０の内側面から一定の深さまで均一な厚さで形成され、上記絶縁酸化層１２０の厚さは使用条件や使用者の選択に応じて自由に変更することができる。
上記絶縁酸化層１２０は、本実施例のように貫通孔１００の内側面から均一な厚さを有するように、即ち、貫通孔１１０の周辺全体を垂直方向に貫通する形状で形成することも可能であり、貫通孔１１０の内側と上側及び下側入口周辺の表面にだけ形成することも可能である。この際、上記絶縁酸化層１２０が貫通孔１１０の内側と、上側及び下側の入口周辺の表面にだけ形成される場合は、以下別途の図面を参照して説明する。
また、上記絶縁酸化層１２０は一度の工程で多数の貫通孔１１０を形成できるように貫通孔１１０の列方向に長く形成されることが好ましく、より容易に絶縁酸化層１２０が形成できるようにアノダイジング(anodizing：陽極処理)工程が活用されることが好ましい。このようにアノダイジング工程を利用して絶縁酸化層１２０を形成すると、絶縁層を別途製作して接着させる必要がないため、製造が簡便になり、絶縁層が基板１００と一体に形成されるため耐久性が向上するという長所がある。上記アノダイジング工程は酸化膜形成に広く活用されている工程であるため、これに対する詳細な説明は省略する。
また、上記基板１００はアノダイジング工程によって絶縁酸化層１２０が形成できるように、アルミニウム、チタン、タンタル、マグネシウム、ハフニウムのいずれか１つの金属または２つ以上の金属を合金した合金物質で製作されることが好ましい。
このように絶縁酸化層１２０が形成されると、図４に示すように互いに異なる絶縁酸化層１２０の表面にそれぞれ第１導電パターン２１０を形成し、互いに異なる第１導電パターン２１０の間に第２導電パターン２２０を形成する。上記第１導電パターン２１０には、以後発光ダイオード３００（図外）に電流を印加するワイヤが結合される部材であるため、ワイヤがより容易に結合できるように基板１００の上面と床面に延長されるように形成されることが好ましい。また、上記第２導電パターン２２０は以後発光ダイオード３００（図外）が装着される部材であるため、上面が扁平に形成されることが好ましい。
上記第１導電パターン２１０及び第２導電パターン２２０は、一般的なメッキ方法または金属沈澱方法など様々な方法によって形成することが可能であり、その他に様々な方法によって形成することもできる。
本実施例では、各第１導電パターン２１０及び第２導電パターン２２０が左右側両端で互いに繋がっているが、これは第１導電パターン２１０及び第２導電パターン２２０の形成をより容易にできるようにするためである。即ち、上記第１導電パターン２１０及び第２導電パターン２２０が互いに繋がる部分は以後に切断されて除去される部分であるため、それぞれの第１導電パターン２１０とそれぞれの第２導電パターン２２０は相互分離された構成として見做すことが妥当である。
また、本実施例で上記第１導電パターン２１０と第２導電パターン２２０は、製作上の便宜及び生産性向上のために貫通孔１１０の列方向に長く形成されているが、上記第１導電パターン２１０と第２導電パターン２２０の形状はこれに限定されない。例えば、各貫通孔１１０別に第１導電パターン２１０をそれぞれ形成し、互いに異なる第１導電パターン２１０の間に第２導電パターン２２０を形成するように変更することもできる。
上記第１導電パターン２１０及び第２導電パターン２２０の形成が完了すると、図５に示すように、１つの第１導電パターン２１０で繋がっていない２つの貫通孔１１０の間、即ち、互いに異なる第１導電パターン２１０が形成された２つの貫通孔１１０の間の第２導電パターン２２０の上に発光ダイオード３００を装着し、ワイヤなどを利用して上記発光ダイオード３００と上記第１導電パターン２１０を電気的に繋ぐ。
上記発光ダイオード３００を装着する方法は、第２導電パターン２２０の上にシルバーペースト、透明エポキシ、ソルダーなどを塗布した後、発光ダイオード３００をマウンティングし、一定の温度で熱処理を行ってダイボンディングする方法や、無フラックスまたはフラックスを利用した共融接合する方法など従来の発光装置の製造方法に使用されるあらゆる方法でも適用できる。
上記発光ダイオード３００の装着が完了すると、図６に示すように上記発光ダイオード３００を覆うように透明性樹脂４００を塗布した後、上記発光ダイオード３００がそれぞれ分離されるように切断線（Ｃ）に沿って上記基板１００を切断する。この際、透明性樹脂４００も第１導電パターン２１０及び第２導電パターン２２０と同様に製作上の便宜及び生産性向上のために貫通孔１１０の列方向に長く形成されているが、上記透明性樹脂４００は各発光ダイオード３００別にそれぞれ形成することができる。
このように本発明による発光ダイオードパッケージの製造方法を使用すると、１回の製造工程で多数の発光ダイオードパッケージを得ることができるので、生産性が向上し、従来のように絶縁層を別途に製作せず、アノダイジング工程を利用してより容易に絶縁層を形成することができるため、製造工程が簡便になり製造原価を低減することができるという長所がある。
この際、発光ダイオードパッケージに使用される回路基板のみを製作しようとする場合には、絶縁酸化層１２０が形成されて第１導電パターン２１０と第２導電パターン２２０が形成された状態で（図４参照）、図６に示した切断線（Ｃ, Ｃ’）に沿って基板１００を切断することによって、一度の製造工程を通じて多数の発光ダイオードパッケージ用回路基板を得ることができる。
図７は、本発明による発光ダイオードパッケージの平面図、図８は図７に示すＢ−Ｂ線に沿って切断した本発明による発光ダイオードパッケージの側断面図である。
図７及び図８に示すように本発明による発光ダイオードパッケージは、発光ダイオード３００が第２導電パターン２２０を介して熱伝導が可能な金属材質の基板１００に繋がっているので、発光ダイオード３００で発生される熱が基板１００を通して外部に放出される放熱効果が向上するという長所がある。この際、上記基板１００は放熱効果をより向上させることができるように熱伝導率の高い材質で製作されることが好ましく、熱伝導率が高いだけでなく安価なアルミニウムで適用されることがより好ましい。このように上記基板１００がアルミニウムで製作されると、上記言及したように発光ダイオード３００で発生する熱が外部に放出される放熱効率が向上するだけでなく、アノダイジング工程によってより容易に絶縁酸化膜であるＡｌ２Ｏ３が形成できるという利点もある。
上記発光ダイオードパッケージが他部材に実装された際、基板１００の床面を通じて他部材に熱が効果的に伝導できるように、即ち、基板１００の床面が他部材に接触できるように、上記基板１００の床面に第２導電パターン２２０が形成されることが好ましい。
このように本発明による発光ダイオードパッケージは、発光ダイオード３００で発生する熱をより速やかに且つ効果的に放出することができるため、発熱量が比較的少ない低電力発光ダイオード３００のみならず、発熱量が比較的大きい高電力の発光ダイオード３００も使用することができるという利点がある。
図９は、本発明による発光ダイオードパッケージの第２実施例の側断面図である。
本発明による発光ダイオードパッケージに適用される透明性樹脂４００は、図８に示すように上面が扁平な形状で形成することも可能であり、発光ダイオード３００の発光角度の調節のために、図９に示す半球型を含み様々な形状で形成することも可能である。
このような透明性樹脂４００の形状及び材質は様々な条件に応じて多様に実現されているので、これに対する詳細な説明は省略する。
図１０は本発明による発光ダイオードパッケージの第３実施例の側断面図である。
本発明による発光ダイオードパッケージは、図１０に示すように第２導電パターン２２０が基板１００の床面には備えられず、上面にだけ備えられるように構成することも可能である。
このような場合、発光ダイオードパッケージが他部材に実装された際、基板１００の床面が他部材と離隔されるため、空気循環方式により発光ダイオード３００から発光する熱を放出できるようになる。
また、図８及び図１０に示す発光ダイオードパッケージの場合には上面が扁平な部材にだけ装着できるが、図９に示された発光ダイオードパッケージは上面が不均一な部材にも装着できるという効果がある。
図１１は本発明による発光ダイオードパッケージ用回路基板の他の実施例の側断面図、図１２は本発明による発光ダイオードパッケージの第４実施例の側断面図である。
本発明による発光ダイオードパッケージ用回路基板は、図１１に示すように絶縁酸化層１２０が貫通孔１１０の両端入口側と内壁表面にだけ薄く塗布されるように形成できるようになる。この際、貫通孔１１０の入口側に形成される絶縁酸化層１２０は、図１０に示すように発光ダイオード３００のワイヤが繋がれるための空間を確保できるように基板１００の中心側に向かって一定の幅以上延長されなければならない。
図１１及び図１２に示すように上記絶縁酸化層１２０が薄く形成される場合、絶縁酸化層１２０の形成のためのアノダイジング工程がより短くなるだけでなく、熱が伝導できる部分、即ち、酸化されない部分が増大するため放熱効率がより一層向上されるという利点がある。
図１３は、本発明による発光ダイオードパッケージの第５実施例の平面図である。図１３に示すように本発明による発光ダイオードパッケージは、絶縁酸化層１２０中基板１００の上面に露出される部位の両端が基板１００の上面の前側及び後側の周縁に沿って延長されるように形成することもできる。
このように絶縁酸化層１２０の両端が延長されると、絶縁酸化層１２０の上側に備えられる第１伝導層（第１導電パターン）２１０も両端が基板１００の上面の前側及び後側の周縁に沿って延長できるようになるので、第１伝導層（第１導電パターン）２１０をより効果的に活用することができるという利点がある。また上記絶縁酸化層１２０を活用しようとする場合には、上記第１伝導層（第１導電パターン）２１０は第１乃至第４実施例のように平面形状が直線を成すように形成され、絶縁酸化層１２０だけが両端が延長される形状で形成することもできる。
上記絶縁酸化層１２０と第１導電パターン２１０及び第２導電パターン２２０の形状は、本実施例に表現された形状以外に多様に変更されて適用できるようになる。
以上、本発明を好ましい実施例を用いて詳しく説明したが、本発明の範囲は特定な実施例に限定されることではなく、添付された特許請求の範囲によって解釈されるべきである。また、この技術分野において通常の知識を習得した者であれば、本発明の範囲から外れず、かつ多くの修正及び変形が可能であることを理解すべきである。
１００ 基板
１１０ 貫通孔
１２０ 絶縁酸化層
２００ 導電パターン
２１０ 第１導電パターン
２２０ 第２導電パターン
３００ 発光ダイオード
４００ 透明性樹脂
１１０ 貫通孔
１２０ 絶縁酸化層
２００ 導電パターン
２１０ 第１導電パターン
２２０ 第２導電パターン
３００ 発光ダイオード
４００ 透明性樹脂
Claims (19)
- 上面に発光ダイオードが装着される発光ダイオードパッケージ用回路基板において、
熱伝導の可能な金属で製作される基板と、
前記基板の上面に露出される面が導電パターンの形成が可能な形状を有するように、前記基板の左右側両端に形成される絶縁酸化層と、
前記絶縁酸化層の上に形成される第１導電パターンと、
前記第１導電パターンと離隔され、前記基板に接触されるように形成される第２導電パターンと、
を含んで成ることを特徴とする発光ダイオードパッケージ用回路基板。 - 前記基板は、アルミニウム、チタン、タンタル、マグネシウム、ハフニウムのいずれか１種または２種以上の合金物質で製作されることを特徴とする、請求項１記載の発光ダイオードパッケージ用回路基板。
- 前記絶縁酸化層は、アノダイジング工程により製作されることを特徴とする、請求項１記載の発光ダイオードパッケージ用回路基板。
- 前記絶縁酸化層は、前記基板の左右側面と前記基板の左右側の上面及び床面に形成されるか、または一定の厚さを有するように前記基板の左右側面に形成されることを特徴とする、請求項１記載の発光ダイオードパッケージ用回路基板。
- 前記絶縁酸化層は、前記基板の上面に露出される部位の両端が前記基板の上面の前側及び後側の周縁に沿って延長されるように形成されることを特徴とする、請求項１記載の発光ダイオードパッケージ用回路基板。
- 熱伝導の可能な金属で製作される基板に２つ以上の貫通孔を形成する段階と、
前記貫通孔の終端周辺と内側面に絶縁酸化層をそれぞれ形成する段階と、
前記絶縁酸化層の表面に第１導電パターンをそれぞれ形成し、第１導電パターンの間に第２導電パターンを形成する段階と、
両端に第１導電パターンが備えられ、中部に第２導電パターンが備えられるように前記基板を切断する段階と、
を含むことを特徴とする発光ダイオードパッケージ用回路基板の製造方法。 - 前記貫通孔は２つ以上の列を成すように形成され、
前記絶縁酸化層は列を成す貫通孔を連結するように形成されることを特徴とする、請求項６記載の発光ダイオードパッケージ用回路基板の製造方法。 - 前記絶縁酸化層は、アノダイジング工法により形成されることを特徴とする、請求項７記載の発光ダイオードパッケージ用回路基板の製造方法。
- 前記基板は、アルミニウム、チタン、タンタル、マグネシウム、ハフニウムのいずれか１種または２種以上の合金物質で製作されることを特徴とする、請求項６記載の発光ダイオードパッケージ用回路基板の製造方法。
- 熱伝導の可能な金属で製作される基板と、
前記基板の上面に露出される面が導電パターンの形成が可能な形状を有するように、前記基板の左右側両端に形成される絶縁酸化層と、
前記絶縁酸化層の上に形成される第１導電パターンと、
前記第１導電パターンと離隔され、前記基板に接触されるように形成される第２導電パターンと、
前記第２導電パターンに装着され、前記第１導電パターンと電気的に連結される発光ダイオードと、
前記発光ダイオードを覆う透明性樹脂と、
を含んで成ることを特徴とする、発光ダイオードパッケージ。 - 前記基板は、アルミニウム、チタン、タンタル、マグネシウム、ハフニウムのいずれか１種または２種以上の合金物質で製作されることを特徴とする、請求項１０記載の発光ダイオードパッケージ。
- 前記絶縁酸化層は、アノダイジング工程により形成されることを特徴とする、請求項１０記載の発光ダイオードパッケージ。
- 前記絶縁酸化層は、前記基板の左右側面と前記基板の左右側上面及び床面に形成されるか、または一定の厚さを有するように前記基板の左右側面に形成されることを特徴とする、請求項１０記載の発光ダイオードパッケージ。
- 前記絶縁酸化層は、前記基板の上面に露出される部位の両端が前記基板の上面の前側及び後側の周縁に沿って延長されるように形成されることを特徴とする、請求項１０記載の発光ダイオードパッケージ。
- 熱伝導の可能な金属で製作される基板に２つ以上の貫通孔を形成する段階と、
前記貫通孔の終端周辺と内側面に絶縁酸化層をそれぞれ形成する段階と、
前記絶縁酸化層の表面に第１導電パターンをそれぞれ形成し、前記第１導電パターンの間に第２導電パターンを形成する段階と、
２つの貫通孔の間の前記第２導電パターンの上に発光ダイオードを装着し、前記発光ダイオードと前記第１導電パターンを電気的に繋ぐ段階と、
前記発光ダイオードを覆うように透明性樹脂を塗布する段階と、
前記発光ダイオードがそれぞれ分離されるように前記基板を切断する段階と、
を含むことを特徴とする発光ダイオードパッケージの製造方法。 - 前記貫通孔は２つ以上の列を成すように形成され、
前記絶縁酸化層は列を成す貫通孔を連結するように形成され、
前記発光ダイオードは互いに異なる列の貫通孔の間に位置されるように列を成して装着されることを特徴とする、請求項１５記載の発光ダイオードパッケージの製造方法。 - 前記透明性樹脂は、列を成す発光ダイオードを全て覆うように長く形成されることを特徴とする、請求項１５記載の発光ダイオードパッケージの製造方法。
- 前記絶縁酸化層は、アノダイジング工法により形成されることを特徴とする、請求項１５記載の発光ダイオードパッケージの製造方法。
- 前記基板は、アルミニウム、チタン、タンタル、マグネシウム、ハフニウムのいずれか１種、または２種以上の合金物質で製作されることを特徴とする、請求項１５記載の発光ダイオードパッケージの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020060018861A KR100780196B1 (ko) | 2006-02-27 | 2006-02-27 | 발광다이오드 패키지, 발광다이오드 패키지용 회로기판 및그 제조방법 |
| KR10-2006-0018861 | 2006-02-27 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2007235131A JP2007235131A (ja) | 2007-09-13 |
| JP4728264B2 true JP4728264B2 (ja) | 2011-07-20 |
Family
ID=38443765
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007039445A Active JP4728264B2 (ja) | 2006-02-27 | 2007-02-20 | 発光ダイオードパッケージ、発光ダイオードパッケージ用回路基板およびその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US7863640B2 (ja) |
| JP (1) | JP4728264B2 (ja) |
| KR (1) | KR100780196B1 (ja) |
| TW (1) | TWI362773B (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4438842B2 (ja) * | 2007-08-31 | 2010-03-24 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体発光素子のための駆動回路およびこれを用いた光源装置、照明装置、モニタ装置、画像表示装置 |
| KR100982986B1 (ko) * | 2008-04-17 | 2010-09-17 | 삼성엘이디 주식회사 | 서브마운트, 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법 |
| JP5116551B2 (ja) * | 2008-04-25 | 2013-01-09 | 京セラ株式会社 | 発光装置 |
| DE102008021435A1 (de) * | 2008-04-29 | 2009-11-19 | Schott Ag | Gehäuse für LEDs mit hoher Leistung |
| US9147812B2 (en) * | 2008-06-24 | 2015-09-29 | Cree, Inc. | Methods of assembly for a semiconductor light emitting device package |
| KR100958024B1 (ko) | 2008-08-05 | 2010-05-17 | 삼성엘이디 주식회사 | 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법 |
| KR101077264B1 (ko) * | 2009-02-17 | 2011-10-27 | (주)포인트엔지니어링 | 광소자용 기판, 이를 갖는 광소자 패키지 및 이의 제조 방법 |
| KR101124102B1 (ko) * | 2009-08-24 | 2012-03-21 | 삼성전기주식회사 | 발광 소자 패키지용 기판 및 이를 포함하는 발광 소자 패키지 |
| JP5485642B2 (ja) * | 2009-10-06 | 2014-05-07 | シチズン電子株式会社 | 発光ダイオード及びその製造方法 |
| WO2011098151A1 (en) * | 2010-02-15 | 2011-08-18 | Tomtom International B.V. | Driver cicruit apparatus for an led string, light source apparatus and integrated circuit |
| JP5912471B2 (ja) * | 2011-12-08 | 2016-04-27 | シチズンホールディングス株式会社 | 半導体デバイス |
| KR101268097B1 (ko) * | 2012-03-21 | 2013-05-29 | 주식회사 마이크로이즈 | 실리콘 기판을 이용한 발광다이오드 패키징 및 그 제조방법 |
| KR101348405B1 (ko) * | 2012-06-01 | 2014-01-10 | 주식회사 마이크로이즈 | 실리콘 기판을 이용한 발광다이오드 패키징 및 그 제조방법 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US259801A (en) * | 1882-06-20 | Back-strap for plow-harness | ||
| US5366459A (en) * | 1987-05-14 | 1994-11-22 | Inbae Yoon | Surgical clip and clip application procedures |
| JPH0388472U (ja) * | 1989-12-22 | 1991-09-10 | ||
| IL110431A (en) * | 1994-07-25 | 2001-08-08 | Microcomponents And Systems Lt | A method of manufacturing a composite structure designed for use in electronic assemblies and the structure produced by this method |
| JP3074264B2 (ja) | 1997-11-17 | 2000-08-07 | 富士通株式会社 | 半導体装置及びその製造方法及びリードフレーム及びその製造方法 |
| US7244965B2 (en) * | 2002-09-04 | 2007-07-17 | Cree Inc, | Power surface mount light emitting die package |
| US7824937B2 (en) * | 2003-03-10 | 2010-11-02 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Solid element device and method for manufacturing the same |
| JP4266738B2 (ja) * | 2003-07-02 | 2009-05-20 | オリンパス株式会社 | 結紮装置 |
| WO2005091389A1 (en) * | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Showa Denko K.K. | Compound semiconductor light-emitting device and production method thereof |
| JP4780939B2 (ja) | 2004-07-28 | 2011-09-28 | 京セラ株式会社 | 発光装置 |
| JP4142029B2 (ja) * | 2004-05-07 | 2008-08-27 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置および電子機器 |
| KR100613066B1 (ko) * | 2004-07-09 | 2006-08-16 | 서울반도체 주식회사 | 일체형 방열판을 갖는 발광 다이오드 패키지 및 그것을제조하는 방법 |
| KR100629521B1 (ko) * | 2005-07-29 | 2006-09-28 | 삼성전자주식회사 | Ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법과 이를 이용한 ｌｅｄ어레이 모듈 |
-
2006
- 2006-02-27 KR KR1020060018861A patent/KR100780196B1/ko active IP Right Grant
-
2007
- 2007-02-14 TW TW096105434A patent/TWI362773B/zh active
- 2007-02-20 JP JP2007039445A patent/JP4728264B2/ja active Active
- 2007-02-26 US US11/710,436 patent/US7863640B2/en active Active
-
2010
- 2010-11-23 US US12/952,760 patent/US8476090B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US7863640B2 (en) | 2011-01-04 |
| TWI362773B (en) | 2012-04-21 |
| JP2007235131A (ja) | 2007-09-13 |
| US20110065219A1 (en) | 2011-03-17 |
| KR100780196B1 (ko) | 2007-11-27 |
| US8476090B2 (en) | 2013-07-02 |
| KR20070088956A (ko) | 2007-08-30 |
| US20070201213A1 (en) | 2007-08-30 |
| TW200739967A (en) | 2007-10-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100406 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20100706 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20100709 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20100806 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20100811 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20100906 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20100909 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20101008 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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| S631 | Written request for registration of reclamation of domicile |
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| R371 | Transfer withdrawn |
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| S633 | Written request for registration of reclamation of name |
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| R350 | Written notification of registration of transfer |
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