KR101107590B1 - 발광소자 패키지의 제조방법 - Google Patents

발광소자 패키지의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101107590B1
KR101107590B1 KR1020110031121A KR20110031121A KR101107590B1 KR 101107590 B1 KR101107590 B1 KR 101107590B1 KR 1020110031121 A KR1020110031121 A KR 1020110031121A KR 20110031121 A KR20110031121 A KR 20110031121A KR 101107590 B1 KR101107590 B1 KR 101107590B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
heat sink
emitting device
insulating film
hole
Prior art date
Application number
KR1020110031121A
Other languages
English (en)
Inventor
안복만
Original Assignee
안복만
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 안복만 filed Critical 안복만
Priority to KR1020110031121A priority Critical patent/KR101107590B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101107590B1 publication Critical patent/KR101107590B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/642—Heat extraction or cooling elements characterized by the shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0075—Processes relating to semiconductor body packages relating to heat extraction or cooling elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

방열판, 절연막 및 도전막을 차례대로 적층된 발광소자 패키지의 도전막과 절연막을 에칭하여 방열판의 일부를 노출시키고, 방열판을 가압하여 방열판의 노출된 부분에 발광소자가 장착되는 발광소자 장착부를 형성하는 방식으로 발광소자 패키지를 제조함으로써 기존 제조방식에 비하여 발광소자 패키지를 보다 간단히 제조할 수 있으면서도 제조시간을 단축시킬 수 있고 불량률을 줄일 수 있는 발광소자 패키지의 제조방법을 개시한다.

Description

발광소자 패키지의 제조방법{LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE AND MANUFACTURING METHOD THE SAME}
본 발명은 발광소자 패키지의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 발광소자의 열을 방출하는 방열판을 가진 발광소자 패키지의 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 발광소자는 화합물 반도체 재료의 변경을 통해 발광원을 구성함으로써, 다양한 색의 빛을 구현할 수 있는 반도체 소자를 말한다.
반도체 발광소자로는 기존 광원에 비하여 에너지 절감 효과가 우수하고 반 영구적으로 사용할 수 있는 발광다이오드(Light Emitting Diode ; LED)가 주로 사용된다.
최근 들어 발광다이오드의 휘도 문제가 크게 개선되면서 백라이트 유닛(Backlight Unit)용, 자동차용, 광고판용, 교통신호등용, 조명용 등 산업 전반적으로 사용되고 있다.
이러한 발광소자를 가진 발광소자 패키지는 정보 통신기기의 소형화, 슬림화 추세에 따라 더욱 소형화, 슬림화되고 있다. 이에 따라, 발광소자도 인쇄회로기판(Printed Circuit Board, PCB)에 직접 실장 하기 위하여, 표면실장소자(Surface Mount Device ; SMD)형으로 만들어지고 있다.
이러한 발광소자 패키지는 기존의 단순한 점등 램프를 대체할 수 있으며, 이것은 다양한 칼라를 내는 점등표시기용, 문자표시기 및 영상표시기 등으로 사용된다.
따라서, 발광소자 패키지는 단층 구조 혹은 다층 구조로 이루어지며, 설계된 회로 패턴에 따라 발광소자들이 장착된다.
발광소자 패키지에 장착된 발광소자는 그 성능은 향상되면서도 점점 소형화되고 있다. 이것은 지속적으로 축소되어가고 있는 표면 영역 상에 더 많은 열이 방출됨을 의미한다.
최근에는 발광소자 패키지에 방열판을 부착하여 발광소자에 의해 발생된 열을 외부로 방출하고 있다.
기존에는 발광소자에 의해 발생된 열을 외부로 방출시키도록 일정한 두께의 방열판을 마련하는 공정, 이 방열판의 상부면에 발광소자가 장착되는 구조물에 삽입시키기 위한 돌기형태의 발광소자 장착부를 형성하는 과정, 절연막 상에 회로패턴층를 형성하여 구조물을 형성하는 과정, 이 구조물에 방열판에 형성된 발광소자 장착부가 삽입되어 발광소자에 접촉될 수 있도록 구조물의 발광소자 장착영역에 관통홀을 형성하는 과정, 방열판의 발광소자 장착부를 구조물의 관통홀에 삽입하는 과정, 구조물의 관통홀에 삽입된 방열판의 발광소자 장착부가 구조물의 표면에 튀어나오지 않도록 관통홀 밖으로 튀어 나온 부분의 발광소자 장착부를 연마하는 과정, 연마 후 도금 등의 후처리를 수행하는 일련의 제조 공정을 통하여 발광소자 패키지를 제조한다.
하지만, 기존 방식은 방열판에 에칭을 이용하여 발광소자 장착부를 형성하고, 절연막과 도전막이 적층된 구조물에 발광소자 장착부가 삽입되는 관통홀을 형성한 후 방열판의 발광소자 장착부를 구조물의 관통홀에 삽입시켜 발광소자 패키지를 제조함으로써 발광소자 장착부가 형성된 방열판을 준비하는 과정, 관통홀이 형성된 구조물을 준비하는 과정 및 방열판을 구조물에 삽입시키는 과정을 구분하여 제조해야 하기 때문에 제조공정이 복잡하고 제조시간이 많이 걸리는 문제점이 있다.
본 발명의 일 측면은 열 방출을 위한 방열판을 가진 발광소자 패키지를 보다 간단히 제조할 수 있으면서도 제조시간을 단축시킬 수 있고 불량률을 줄일 수 있는 발광소자 패키지의 제조방법을 제공한다.
이를 위해 본 발명의 일 측면에 따른 발광소자 패키지의 제조방법은 방열판, 절연막 및 도전막이 적층된 구조물에서 상기 방열판의 일부가 노출되도록 상기 도전막과 절연막을 관통하는 홀을 형성하고, 상기 형성된 홀에 의해 노출된 상기 방열판 부위에 발광소자가 장착되는 발광소자 장착부가 형성되도록 상기 방열판을 가압하여 상기 방열판을 변형시키는 것을 포함한다.
또한, 상기 방열판 변형은, 상기 형성된 홀에 의해 노출된 상기 방열판의 부위를 상기 홀 내로 진입시켜 상기 발광소자 장착부를 형성하도록 상기 방열판 중 상기 노출된 부위의 반대편을 가압하는 것을 포함한다.
또한, 상기 방열판 변형은, 상기 발광소자 장착부가 상기 절연막의 높이와 같아지거나 상기 절연막의 높이보다 높아질 때까지 상기 방열판 중 상기 노출된 부위의 반대편을 가압하는 것을 포함한다.
또한, 상기 방열판 변형은, 상기 발광소자 장착부가 상기 방열판 내부로 오목한 형태로 형성되도록 상기 형성된 홀에 의해 노출된 상기 방열판의 부위를 직접 가압하는 것을 포함한다.
본 발명의 다른 측면에 따른 발광소자 패키지의 제조방법은 방열판, 절연막 및 도전막을 차례대로 적층된 구조물에서 상기 방열판의 일부가 노출되도록 레이저 가공을 이용하여 상기 도전막과 절연막을 관통하는 홀을 형성하고, 상기 형성된 홀에 의해 노출된 상기 방열판 부위를 상기 홀 내로 진입시켜 발광소자가 장착되는 볼록한 형태의 발광소자 장착부를 형성하도록 상기 방열판 중 상기 노출된 부위의 반대편을 가압하여 상기 방열판을 변형시키고, 상기 방열판을 변형시키는 과정에서 상기 발광소자 장착부가 형성된 반대편에 높이가 달라진 방열판 부분을 평평하게 연마하고, 상기 발광소자 장착부에 장착되는 발광소자와 연결되도록 상기 도전막을 에칭하여 제1 전극 및 제2 전극 메탈을 형성하는 것을 포함한다.
본 발명의 또 다른 측면에 따른 발광소자 패키지의 제조방법은 방열판, 절연막 및 도전막을 차례대로 적층된 구조물에서 상기 방열판의 일부가 노출되도록 레이저 가공을 이용하여 상기 도전막과 절연막을 관통하는 홀을 형성하고, 발광소자가 장착되는 발광소자 장착부가 상기 방열판 내부로 오목한 형태로 형성되도록 상기 형성된 홀에 의해 노출된 상기 방열판의 부위를 직접 가압하여 상기 방열판을 변형시키고, 상기 방열판을 변형시키는 과정에서 상기 발광소자 장착부가 형성된 반대편에 높이가 달라진 방열판 부분을 평평하게 연마하고, 상기 발광소자 장착부에 장착되는 발광소자와 연결되도록 상기 도전막을 에칭하여 제1 전극 및 제2 전극 메탈을 형성하는 것을 포함한다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광소자 패키지의 개략적인 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광소자 패키지의 제조방법에 대한 제어흐름도이다.
도 3a 내지 도 3f는 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광소자 패키지의 제조공정순서를 보인 도면이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광소자 패키지의 개략적인 단면도이다.
도 5a 내지 도 5f는 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광소자 패키지의 제조공정순서를 보인 도면이다.
도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 발광소자 패키지의 개략적인 단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대해 설명한다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광소자(40) 패키지의 개략적인 단면을 나타낸 도면이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광소자(40) 패키지는 방열판(10), 절연막(20), 제1 및 제2 전극 메탈, 발광소자(40), 전도성 와이어(51,52)를 포함한다.
방열판(10)은 발광소자(40)에서 발생된 열을 외부로 방출하는 역할을 한다. 방열판(10)의 재료로는 방열능력이 높은 열 전도성 금속, 예를 들면, 구리나 알루미늄 혹은 이들의 합금이 사용된다.
또한, 방열판(10)에는 발광소자(40)를 장착하는 발광소자 장착부(11)가 형성되어 있다. 발광소자 장착부(11)는 방열판(10)의 중심부분에서 상부 측으로 미리 설정된 높이로 돌출된 형상이다. 따라서 발광소자(40)에서 발생된 열은 발광소자(40)와 접촉된 발광소자 장착부(11)를 통해 방열판(10)의 중심부측으로 빠르게 전달되고, 이 열은 방열판(10)의 하부면측과 함께 측면부측으로 빠르게 방출된다.
절연막(20)은 방열판(10)과, 제1 및 제2 전극 메탈을 전기적으로 절연시키는 역할을 한다. 절연막(20)의 재료는 유리섬유 강화 에폭시 수지 또는 유리섬유 강화 폴리이미드수지, 열 전도성 레진, 프리 프레그(Pre-preg) 등이 사용된다.
절연막(20) 상에는 제1 및 제2 전극 메탈(31,32)이 형성된다. 이 제1 및 제2 전극 메탈(31,32)에는 발광소자(40)가 와이어(51,52)에 의해 전기적으로 연결된다. 제1 및 제2 전극 메탈(31,32)은 예를 들면 구리로 이루어진다.
절연막(20) 중 제1 전극 메탈(31)과 제2 전극메탈(32)에 대응하는 영역사이에는 방열판(10)의 발광소자 장착부(11)가 일부 절연막(20)을 관통하여 절연막(20)과 동일한 높이까지 돌출된다.
이를 위해 절연막(20)은 발광소자 장착부(11)가 돌출된 영역에 대응하는 위치에는 발광소자 장착부(11)가 발광소자(40)에 접촉할 수 있도록 홀(21)이 형성되어 있다. 이 홀(21)에 의해 발광소자(40)에 의해 발생된 열이 절연막(20)을 거치지 않고 방열판(10) 몸체에 직접 전달되기 때문에 열전달이 효과적으로 이루어져 방열판(10)을 통해 보다 많은 양의 열을 신속히 방출할 수 있다. 이 홀(21)은 절연막(20) 상에서 발광소자(40)가 장착되는 영역에 복수 개 마련되거나, 발광소자(40)가 장착되는 영역에 임의의 간격으로 밀집된 형태로 조밀하게 배치될 수 있다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광소자(40) 패키지의 제조방법에 대한 개략적인 제어흐름을 나타낸 도면이다.
도 2를 살펴보면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광소자(40) 패키지의 제조공정은 발광소자(40)에 의해 발생된 열을 외부로 방출시키도록 일정한 두께의 방열판(10)을 마련하는 과정(100), 이 방열판(10) 상에 절연막(20)을 적층하는 과정(110), 이 절연막(20) 상에 도전막(30)을 적층하는 과정(120), 레이저를 이용하여 절연막(20)에 홀(21)을 형성하는 과정(130), 방열판(10)을 가압하여 절연막(20)에 형성된 홀(21)에 대응하는 방열판(10)의 부위에 발광소자 장착부(11)를 형성하는 과정(140), 방열판(10)의 후면을 연마하여 발광소자 장착부(11)를 형성하는 과정에서 높이가 달라진 방열판(10)의 후면을 평탄화하는 과정(150), 이 도전막(30)을 에칭하여 제1 및 제2 전극 메탈을 형성하는 과정(160), 전극 메탈 형성 후 도금 등의 후처리를 수행하는 과정(170)을 통하여 발광소자(40) 패키지를 제조한다.
이하에서는 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광소자(40) 패키지의 제조공정을 도 3a 내지 도 3f를 참조하여 상세히 설명한다.
도 3a 내지 3f는 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광소자(40) 패키지의 제조공정순서를 나타내고 있다.
도 3a에 도시된 바와 같이, 일정한 두께의 방열판(10)을 준비한 후 이 방열판(10) 상에 절연막(20)을 마련한다. 이때, 절연막(20)의 두께는 방열판(10)의 두께보다 얇은 두께이다. 예를 들면, 절연막(20)의 두께는 방열판(10)의 두께에 비해 아주 얇은 두께이다.
도 3b에 도시된 바와 같이, 방열판(10)에 절연막(20)을 마련한 후 절연막(20) 상에 도전막(30)을 마련한다. 이 도전막(30)은 발광소자(40)에 전원을 공급하는 전극을 형성하기 위한 것으로 예를 들면, 절연막(20)의 두께보다 얇은 두께이다.
도 3c에 도시된 바와 같이, 방열판(10), 절연막(20) 및 도전막(30)이 차례대로 적층된 구조물에서 발광소자(40)가 장착될 영역에 대응하는 위치에 방열판(10)의 일부 부위(10a)가 노출되도록 도전막(30)과 절연막(20)을 관통하는 홀(21)을 형성한다.
후술하겠지만, 이 홀(21)에 의해 노출된 방열판(10)의 부위(10a)에는 발광소자(40)가 장착되는 발광소자 장착부(11)가 형성된다. 이때, 절연막(20)에 형성된 홀(21)은 레이저 가공에 의해 형성될 수 있다. 이외에도 노광, 현상, 에칭 등의 공정을 통해 형성될 수 있다. 홀(21)의 형상은 돌기 형상과 실질적으로 동일하며, 원, 삼각형, 사각형 등 다각형 형상으로 이루어질 수 있다. 홀(21) 혹은 돌기의 직경은 발광소자(40)의 직경보다 큰 것도 가능하지만 발광소자(40) 패키지의 소형화를 위해서는 작은 것도 가능하다.
도 3d에 도시된 바와 같이, 도전막(30)과 절연막(20)을 관통하는 홀(21)을 형성한 후 이 홀(21)에 의해 노출된 방열판(10)의 부위(10a)가 홀(21) 내로 진입하여 돌출되도록 화살표처럼 방열판(10)의 노출 부위(10a)의 반대편을 가압하여 방열판(10)을 변형시킨다. 이에 따라, 방열판(10)의 노출 부위(10a)가 홀(21) 내부로 진입하여 발광소자 장착부(11)를 형성한다. 발광소자 장착부(11)는 방열판(10)을 가압할수록 절연막(20)의 상부면과 동일한 높이까지 돌출된다.
도 3e에 도시된 바와 같이, 도 3d에서 방열판(10)을 가압하는 과정에서 높이가 달라진 방열판 후면(도 3d의 B 참조)을 연마하여 방열판(10)의 후면부 높이가 같아지도록 평탄화한다.
도 3f에 도시된 바와 같이, 도 3e의 방열판 후면(도 3d의 B 참조)을 연마하여 방열판(10)의 후면부 높이가 같아지도록 평탄화한 후 발광소자(40)가 와이어(51,52)에 의해 전기적으로 연결되는 제1 전극 메탈(31)과 제2 전극 메탈(32)을 형성한다. 이때, 제1 전극 메탈(31)과 제2 전극 메탈(32)을 제외한 나머지 도전막(30)을 에칭하여 제1 전극 메탈(31)과 제2 전극 메탈(32)을 형성한다.
이후 후처리 과정을 거친 후 발광소자(40)를 발광소자 장착부(11)에 장착 후 와이어(51,52)를 연결함으로써 발광소자 패키지의 제조를 완료한다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광소자(40) 패키지의 개략적인 단면을 나타낸 도면이다.
도 4는 도 1과 마찬가지로, 방열판(10)에 발광소자 장착부(11)를 형성한다. 도 1에서는 방열판(10)을 가압하여 홀(21)에 의해 노출된 방열판(10)의 부위를 절연막(20)상의 홀(21) 내부로 진입시켜 볼록한 형태의 발광소자 장착부(11)를 형성하지만, 도 4에서는 절연막(20)에 형성된 홀(21)에 의해 노출된 방열판(10)의 부위를 직접 눌러 방열판(10)에 오목한 형태의 발광소자 장착부(12)를 형성한다.
도 4에 도시된 바와 같이, 발광소자(40) 패키지는 절연막(20)에 형성된 홀(21)에 의해 노출된 방열판(10)의 부위에 오목한 형태의 발광소자 장착부(12)가 형성되어 있다.
이하에서는 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광소자(40) 패키지의 제조공정을 도 5a 내지 도 5f를 참조하여 상세히 설명한다.
도 5a 내지 5f는 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광소자(40) 패키지의 제조공정순서를 보인 도면이다.
도 5a에 도시된 바와 같이, 일정한 두께의 방열판(10)을 준비한 후 이 방열판(10) 상에 방열판(10)의 두께보다 얇은 두께를 가진 절연막(20)을 마련한다.
도 5b에 도시된 바와 같이, 방열판(10)에 절연막(20)을 마련한 후 발광소자(40)에 전원을 공급하는 전극을 형성하기 위해 절연막(20) 상에 도전막(30)을 마련한다.
도 5c에 도시된 바와 같이, 방열판(10), 절연막(20) 및 도전막(30)이 차례대로 적층된 구조물에서 발광소자(40)가 장착될 영역에 대응하는 위치에 방열판(10)의 일부 부위(10a)가 노출되도록 도전막(30)과 절연막(20)을 관통하는 홀(21)을 형성한다.
도 5d에 도시된 바와 같이, 도전막(30)과 절연막(20)을 관통하는 홀(21)을 형성한 후 이 홀(21)에 의해 노출된 방열판(10)의 부위(10a)를 화살표처럼 가압하여 방열판(10)을 변형시킴으로써 오목한 형태의 발광소자 장착부(12)를 형성한다. 이때, 방열판(10)을 화살표 방향으로 가압하면, 가압면의 반대편인 방열판(10)의 후면이 일부 돌출되게 된다(도 5d의 C 참조). 이에 따라, 방열판(10)의 후면부가 평평하지 못하고 높이가 틀려지게 된다.
도 5e에 도시된 바와 같이, 절연막(20)에 형성된 홀(21)에 의해 노출된 방열판(10)의 부위(10a)를 가압하여 오목한 형태의 발광소자 장착부(11)를 형성한 후 도 5e에서 방열판(10)을 가압하는 과정에서 튀어나온 방열판(10)의 후면(도 5e의 C 참조)을 연마하여 방열판(10)의 후면부의 높이가 같아지도록 평탄화한다.
도 5f에 도시된 바와 같이, 도 5e의 방열판 후면(도 5e의 C 참조)을 연마하여 방열판(10)의 후면부 높이가 같아지도록 평탄화한 후 도전막(30)을 에칭하여 발광소자(40)가 와이어(51,52)에 의해 전기적으로 연결되는 제1 전극 메탈(31)과 제2 전극 메탈(32)을 형성한다.
이후 후처리 과정을 거친 후 발광소자(40)를 발광소자 장착부(12)에 장착 후 와이어(51,52)를 연결함으로써 발광소자 패키지의 제조를 완료한다.
도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 발광소자 패키지의 개략적인 단면을 나타낸 도면이다.
도 6에 도시된 바와 같이, 발광소자 패키지에서 발광소자 장착부(13)는 절연막(20)의 상단부 높이보다 높은 높이(예를 들면, 도전막(30)의 높이)로 형성될 수 있다.
이러한 경우, 방열판(10)의 후면을 가압하는 과정에서 발광소자 장착부(13)이 원하는 높이보다 높아진 경우, 원하는 높이보다 높아진 발광소자 장착부(13)의 부위를 연마하여 예를 들면 도전막(30)의 높이와 동일하게 평탄화할 수도 있다.
상술한 실시예에서는 방열판(10), 절연막(20) 및 도전막(30)을 차례대로 적층하는 과정을 포함하고 있지만, 이에 한정되지 않으며, 방열판(10), 절연막(20) 및 도전막(30)이 이미 적층된 구조물을 이용할 수 있다.
10 : 방열판 11 : 발광소자 장착부
20 : 절연막 21 : 홀
30 : 도전막 31 : 제1 전극 메탈
32 : 제2 전극 메탈 40 : 발광소자
51 : 제1 와이어 52 : 제2 와이어

Claims (6)

  1. 방열판, 절연막 및 도전막이 적층된 구조물에서 상기 방열판의 일부가 노출되도록 상기 도전막과 절연막을 관통하는 홀을 형성하고;
    상기 형성된 홀에 의해 노출된 상기 방열판 부위에 발광소자가 장착되는 발광소자 장착부가 형성되도록 상기 방열판을 가압하여 상기 방열판을 변형시키는; 것을 포함하는 발광소자 패키지의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 방열판 변형은, 상기 형성된 홀에 의해 노출된 상기 방열판의 부위를 상기 홀 내로 진입시켜 상기 발광소자 장착부를 형성하도록 상기 방열판 중 상기 노출된 부위의 반대편을 가압하는 것을 포함하는 발광소자 패키지의 제조방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 방열판 변형은, 상기 발광소자 장착부가 상기 절연막의 높이와 같아지거나 상기 절연막의 높이보다 높아질 때까지 상기 방열판 중 상기 노출된 부위의 반대편을 가압하는 것을 포함하는 발광소자 패키지의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 방열판 변형은, 상기 발광소자 장착부가 상기 방열판 내부로 오목한 형태로 형성되도록 상기 형성된 홀에 의해 노출된 상기 방열판의 부위를 직접 가압하는 것을 포함하는 발광소자 패키지의 제조방법.
  5. 방열판, 절연막 및 도전막이 차례대로 적층된 구조물에서 상기 방열판의 일부가 노출되도록 레이저 가공을 이용하여 상기 도전막과 절연막을 관통하는 홀을 형성하고;
    상기 형성된 홀에 의해 노출된 상기 방열판 부위를 상기 홀 내로 진입시켜 발광소자가 장착되는 볼록한 형태의 발광소자 장착부를 형성하도록 상기 방열판 중 상기 노출된 부위의 반대편을 가압하여 상기 방열판을 변형시키고;
    상기 방열판을 변형시키는 과정에서 상기 발광소자 장착부가 형성된 반대편에 높이가 달라진 방열판 부분을 평평하게 연마하고;
    상기 발광소자 장착부에 장착되는 발광소자와 연결되도록 상기 도전막을 에칭하여 제1 전극 및 제2 전극 메탈을 형성하는; 것을 포함하는 발광소자 패키지의 제조방법.
  6. 방열판, 절연막 및 도전막을 차례대로 적층된 구조물에서 상기 방열판의 일부가 노출되도록 레이저 가공을 이용하여 상기 도전막과 절연막을 관통하는 홀을 형성하고;
    발광소자가 장착되는 발광소자 장착부가 상기 방열판 내부로 오목한 형태로 형성되도록 상기 형성된 홀에 의해 노출된 상기 방열판의 부위를 직접 가압하여 상기 방열판을 변형시키고;
    상기 방열판을 변형시키는 과정에서 상기 발광소자 장착부가 형성된 반대편에 높이가 달라진 방열판 부분을 평평하게 연마하고;
    상기 발광소자 장착부에 장착되는 발광소자와 연결되도록 상기 도전막을 에칭하여 제1 전극 및 제2 전극 메탈을 형성하는; 것을 포함하는 발광소자 패키지의 제조방법.
KR1020110031121A 2011-04-05 2011-04-05 발광소자 패키지의 제조방법 KR101107590B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110031121A KR101107590B1 (ko) 2011-04-05 2011-04-05 발광소자 패키지의 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110031121A KR101107590B1 (ko) 2011-04-05 2011-04-05 발광소자 패키지의 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR101107590B1 true KR101107590B1 (ko) 2012-01-25

Family

ID=45614528

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110031121A KR101107590B1 (ko) 2011-04-05 2011-04-05 발광소자 패키지의 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101107590B1 (ko)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100626845B1 (ko) 2006-03-13 2006-09-20 이이근 방열회로기판의 제조 방법
JP2006261366A (ja) 2005-03-17 2006-09-28 Reimei Giken Kogyo Kk プリント配線板へのｌｅｄ実装方法およびｌｅｄ実装プリント配線板
JP2007165601A (ja) 2005-12-14 2007-06-28 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光ダイオード装置及び発光ダイオード装置の製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006261366A (ja) 2005-03-17 2006-09-28 Reimei Giken Kogyo Kk プリント配線板へのｌｅｄ実装方法およびｌｅｄ実装プリント配線板
JP2007165601A (ja) 2005-12-14 2007-06-28 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光ダイオード装置及び発光ダイオード装置の製造方法
KR100626845B1 (ko) 2006-03-13 2006-09-20 이이근 방열회로기판의 제조 방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100764388B1 (ko) 양극산화 금속기판 모듈
KR101305884B1 (ko) 발광 다이오드 패키지, 이의 제조 방법 및 이를 구비하는백라이트 유닛
JP4044078B2 (ja) 高出力発光ダイオードパッケージ及び製造方法
JP5156732B2 (ja) 発光素子パッケージ用基板の製造方法
JP4728264B2 (ja) 発光ダイオードパッケージ、発光ダイオードパッケージ用回路基板およびその製造方法
JP2007220925A (ja) モジュール基板と液晶表示装置、及び照明装置
US8487339B2 (en) Light-emitting diode chip package body and method for manufacturing same
JP2009054801A (ja) 放熱部材及びそれを備えた発光モジュール
US7838338B2 (en) Fabricating process of thermal enhanced substrate
KR101719692B1 (ko) 인쇄 회로 기판과 이의 제조방법 및 이를 이용한 ｌｅｄ 모듈과 ｌｅｄ 램프
KR101221568B1 (ko) Ｌｅｄ를 구비한 백라이트 유닛 및 그 제조방법
JP4759357B2 (ja) Ｌｅｄ光源モジュール
JP2008160032A (ja) 発光装置
KR101107590B1 (ko) 발광소자 패키지의 제조방법
KR20090033592A (ko) 방열 특성이 향상된 ｌｅｄ 어레이 모듈
US20160155727A1 (en) Light emitting diode device and light emitting device using the same
TW201123412A (en) A light emission module with high-efficiency light emission and high-efficiency heat dissipation and applications thereof
KR101768908B1 (ko) 메탈 인쇄회로기판 및 그 제조 방법, 엘이디 패키지 구조물 및 그 제조 방법
KR101766462B1 (ko) 인쇄회로기판
KR101216936B1 (ko) 발광 다이오드
KR101195015B1 (ko) 광패키지 및 그 제조방법
KR20140140672A (ko) 전기적으로 절연 고립된 방열 통로를 가진 방열기판의 제조 방법
KR101250405B1 (ko) 광패키지 및 그 제조방법
KR101197779B1 (ko) 필름 타입의 광소자 패키지 및 그 제조 방법
KR101856217B1 (ko) 필름 타입의 광소자 패키지 및 그 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150112

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160111

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170113

Year of fee payment: 6

LAPS Lapse due to unpaid annual fee