JP2664945B2 - 半導体装置の樹脂封止金型 - Google Patents

半導体装置の樹脂封止金型

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JP2664945B2
JP2664945B2 JP63201257A JP20125788A JP2664945B2 JP 2664945 B2 JP2664945 B2 JP 2664945B2 JP 63201257 A JP63201257 A JP 63201257A JP 20125788 A JP20125788 A JP 20125788A JP 2664945 B2 JP2664945 B2 JP 2664945B2
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semiconductor device
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元秋 松田
好成 福本
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九州日本電気株式会社
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  • Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
  • Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置の樹脂封止金型に関する。
〔従来の技術〕
従来、半導体装置の組立工程には、安価であり、量産
性に優れた樹脂封止金型による樹脂封止方法が広く適用
されている。
この種の金型は、上部金型と下部金型とが対で組立て
られている。上部金型には窪みが製作されており、下部
金型にも上部金型の窪みと同一の窪み2が形成され、上
部金型の窪みと下部金型の窪みとでキャビティを形成し
ている。このキャビティに溶融樹脂を注入する注入口で
あるゲートと溶融樹脂を送る湯道であるランナが下部金
型に形成されている。この上部金型と下部金型との間に
半導体チップが搭載されたリードフレームを挟み、溶融
樹脂をメインランナからランナを経てゲートからキャビ
ティに注入して半導体装置の樹脂封止を完了する。
第2図は従来の第1の例を示すリードフレームを含め
た下部金型の部分平面図、第3図は従来の第2の例を示
すリードフレームを含めた下部金型の部分平面図であ
る。これらの金型のゲート及びランナの位置及び大きさ
は半導体装置の形状及び大きさでそれぞれ異なる。例え
ば、第2図に示す金型は、下部金型1の窪み2の角部に
ゲート7を設け、リードフレーム3のリード5及びタイ
バー4にかからないようにランナ6が形成された金型で
ある。また、第3図に示す金型は、ゲート7を窪みの一
辺の角に接した位置にゲート7の幅を大きく設けて、こ
のゲート7に連なるランナ6がタイバー4及びリードを
含むように形成された金型である。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した金型では、以下に述べる問題点がある。ま
ず、前者の金型ではゲート口が大きく出来ないので、溶
融樹脂の注入が円滑に行かなくなり樹脂体に気泡が発生
し易くなるという問題がある。後者の金型では、ゲート
口は広くとれるので、溶融樹脂の注入は円滑に出来る
が、リードフレームのリードの表面とか隣接するリード
間に樹脂ばりが付着し、この樹脂ばりを取り除くのに多
大の工数がかかるという問題がある。
本発明の目的は樹脂ばりの少ない、気泡発生のない半
導体装置の樹脂封止金型を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の特徴は、一主面上に四角形状の第1の窪みを
有する上部金型と、前記第1の窪みと同形状の第2の窪
みと該第2の窪みと通ずる開口であるゲートと該ゲート
と通じ溶融樹脂が流れるランナとが一主面上に形成され
る下部金型を具備し、半導体装置が載置される載置面の
四辺より並んで外方に伸びる複数のリードとこれらリー
ド交差し該リードを連結するタイバーとをもつリードフ
レームを前記上部金型と前記下部金型と挟み固定すると
ともに前記第1および第2の窪みとでなる空間部に前記
ランナおよび前記ゲートを経て該溶融樹脂を流しこみ樹
脂封止する半導体装置の樹脂封止金型において、前記第
2の窪みのいずれかの一角部と該一角部と連なるいずれ
かの辺に跨がる幅を有する前記ゲートと該ゲートに連な
るとともに前記タイバーと前記半導体装置との間にある
前記リード部分を含みかつ前記タイバーの外側の前記リ
ード部分を含まないように湾曲し外方に伸びる前記ラン
ナとが形成される前記下部金型を備える半導体装置の樹
脂封止金型である。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例を示すリードフレームを含
めた下部金型の部分平面図である。この金型のゲート7
は窪み2の角と窪み2の辺上に跨がって形成されてい
る。また、ゲート7の幅は溶融樹脂が円滑に注入される
ように所定の幅をもっている。このゲート7に連なるラ
ンナは、ゲート7の幅をもつ溝から始まる。この溝であ
るランナ6はタイバー4上で曲ってタイバー4が伸びる
方向にタイバー4上を伸び、再び、タイバー4と連結す
る最側端のリード5がはずれた位置で前述の曲り方向と
逆方向に曲る。更に、この溝でなるランナ6はタイバー
4の外側にある最側端のリード5を溝内に含まないよう
にしてその溝の一方の側壁を最側端のリード5の側面に
沿って外方に伸び、他方の溝の側壁は徐々にその溝幅を
拡げるように伸びてメインランナ(図示せず)に連な
る。ここで、ランナ6の溝底については、図示されてい
ないが、従来と同じように、ゲート7とメインランナと
の間を緩やかな傾斜をもたせて円滑な壁面で連なってい
る。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、下部金型の面にゲート
とランナをリードフレームのタイバーの外側にあるリー
ドが位置する面を避けて製作したので、タイバーの外側
のリードに樹脂が付着しない、樹脂体に気泡が生じない
半導体装置の樹脂封止金型が得られるという効果があ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示すリードフレームを含め
た下部金型の部分平面図、第2図は従来の第1の例を示
すリードフレームを含めた下部金型の部分平面図、第3
図は従来の第2の例を示すリードフレームを含めた下部
金型の部分平面図である。 1……下部金型、2……窪み、3……リードフレーム、
4……タイバー、5……リード、6……ランナ、7……
ゲート。

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】一主面上に四角形状の第1の窪みを有する
    上部金型と、前記第1の窪みと同形状の第2の窪みと該
    第2の窪みと通ずる開口であるゲートと該ゲートと通じ
    溶融樹脂が流れるランナとが一主面上に形成される下部
    金型を具備し、半導体装置が載置される載置面の四辺よ
    り並んで外方に伸びる複数のリードとこれらリード交差
    し該リードを連結するタイバーとをもつリードフレーム
    を前記上部金型と前記下部金型と挟み固定するとともに
    前記第1および第2の窪みとでなる空間部に前記ランナ
    および前記ゲートを経て該溶融樹脂を流しこみ樹脂封止
    する半導体装置の樹脂封止金型において、前記第2の窪
    みのいずれかの一角部と該一角部と連なるいずれかの辺
    に跨がる幅を有する前記ゲートと該ゲートに連なるとと
    もに前記タイバーと前記半導体装置との間にある前記リ
    ード部分を含みかつ前記タイバーの外側の前記リード部
    分を含まないように湾曲し外方に伸びる前記ランナとが
    形成される前記下部金型を備えることを特徴とする半導
    体装置の樹脂封止金型。
JP63201257A 1988-08-12 1988-08-12 半導体装置の樹脂封止金型 Expired - Fee Related JP2664945B2 (ja)

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