JPS63202945A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置の製造方法

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Publication number
JPS63202945A
JPS63202945A JP3645687A JP3645687A JPS63202945A JP S63202945 A JPS63202945 A JP S63202945A JP 3645687 A JP3645687 A JP 3645687A JP 3645687 A JP3645687 A JP 3645687A JP S63202945 A JPS63202945 A JP S63202945A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
sealing
cavity
mold
stopper
Prior art date
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Pending
Application number
JP3645687A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshiyasu Shimada
嶋田 利泰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP3645687A priority Critical patent/JPS63202945A/ja
Publication of JPS63202945A publication Critical patent/JPS63202945A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は樹脂封止型半導体装置の製造方法に関する。
〔従来の技術〕
従来、樹脂封止型の半導体装置の製造方法としては、第
6図(a)に示す様な半導体チップ12を搭載したリー
ドフレーム11を第5図(a)。
(b)に示す様な封止用金型31で上下から挟み、ラン
ナー34よりゲート35をへて、キャビティ32へ例え
ば熱硬化性のエポキシ系樹脂を充填することにより樹脂
封止型半導体装置を得ていた。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述したように、従来の方法では、第6図(b)のよう
に封止用金型31のキャビティ32のみでなく、外部リ
ード間の空所16にも封止用樹脂が流出する。これはリ
ードフレーム11を上下よりはさむ封止用金型31の面
が平になっている為、リードフレーム11の厚さだけ封
止用金型31が離れており、第5図(a)、(b)の封
止用金型のキャビティ32に入った封止用樹脂が第6図
(b)のリード間の空所16にも流出することによる。
この流出した封止用の樹脂はその後の工程において不具
合である為、除去しなければならなかった。この様な除
去工程を排除する為に、第6図(b)の空所16に樹脂
のキャビティ32がらの流出を止めるストッパーを第5
図の封止用金型31に設ける方法もあった。しかしなが
ら、この方法では同一の封止用金型31で外部リード数
の異なるリードフレーム11を使用することが不可能で
あり、又、封止用金型31の加工止金型代か高くなる欠
点があった。
本発明の目的は、封止用金型に樹脂ストッパーを設ける
ことにより、工数の節減と費用の低減か可能な樹脂封止
型半導体装置の製造方法を提供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕 本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、半導体チ
ップを搭載したリードフレームを樹脂にて成形封止する
キャビティと前記キャビティの両側に設けられたストッ
パー用渦と前記キャビティと前記ストッパー用溝に各々
のゲートを通して封止用樹脂を圧入するランナーを有す
る封止用金型を用意する工程と、前記り一トフレームの
り−■・間でかつ前記キャピテイの両方の端からそれぞ
れリードフレームのタイバーの内側の端部に対応する位
置にあらかじめ開穴部を設けたダミーフレームを用意す
る工程と、前記封止用金型にて上下から挟んで前記ラン
ナーから封止用樹脂を圧入し前記ストッパー用溝と前記
開穴部を充が、シて形成される樹脂ストッパーを設ける
工程と、前記樹脂ストッパーを形成した前記封止用金型
にて」1下から半導体チップを搭載した前記リードフレ
ームを挟み封止用樹脂を圧入して樹脂封止する工程とを
含んで構成されている。
〔実施例〕
第2図(a)、(b)は本発明の第1の実施例に使用す
る封止用金型の上面図及びC−C“断面図である。
この封止用金型1はキャビティ2の両側にストッパー溝
3を設け、その一端をランナー4に接続し、樹脂がゲー
ト5.6を通ってキャビティ2とストッパー溝3に流入
する構造になっている。その他は第5図(a)、(b)
に示した従来の封止用金型31と同しである。
第3図は本発明の第1の実施例に使用するダミーフレー
ムの平面図である。
ダミーフレーム7は金属板に開穴部8、通し六9を設け
たもので、開穴部8はリードフレーム11のり一ド13
の間で前記封止用金型1のキャビティ2の両方の端から
それぞれリードフレーム11のタイバー14の内側の端
部に対応する位置に設けられ封止用金型1の両方のスト
ッパー用溝を開穴部8内に含み、ゲート6から圧入され
た樹脂が開穴部8に流入するようになっている。
第1図(a)〜(e)は本発明の第1の実施例を説明す
るための工程順に示した上面図((a)図、(b)図)
、(b)図A−A’線、B−B’線断面図、(0図、(
d)図)及び゛平面図((e)図)である。
第1図(a)に示すように開穴部8がストッパー用溝3
の上に位置するようにダミーフレーム7を封止用金型1
にセットする。次に、第1図(b)、(c)、(d)に
示すように封止用金型1のランナー4から樹脂を圧入し
樹脂ストッパーの形成作業を行う。圧入された樹脂はゲ
ート6を経てストッパー用溝3に入り、ストッパー用溝
3からダミーフレーム7の開穴部8に入り開穴部8は樹
脂で充填され樹脂ストッパー10を形成する。
一方、ゲート5よりキャビティ2に入った樹脂は、通し
穴9を経てダミーフレーム7の上面にも達し、キャビテ
ィ2は樹脂で満たされる。しかる後、封止用金型1から
ダミーフレーム7を取り去ればキャビティ2の樹脂はタ
ミーフレーム\7と共に封止用金型1からはずれ樹脂ス
トッパー10のみが残る。
次に、第1図(e)に示すように封止ストッパー10を
形成した封止用金型1に半導体チップを搭載したリード
フレーム11をセットし、樹脂を圧入して封止する。充
填された樹脂は、キャビティ2の外側に樹脂ストッパー
10があるためキャビティ2の外側に流出することはな
く、リード13間の樹脂除去作業は不要となる。
第4図は本発明の第2の実施例に使用する封止用金型の
上面図である。
封止用金型21に設けられたストッパー用溝23は、ラ
ンナー24と接続せず閉じた構造となっている。この場
合は、タミーフレーム7を使用せず半導体デツプ]2を
搭載したリードフレーム11をそのまま使用する。ラン
ナー24から圧入された樹脂はゲート25を経てキャビ
ティ22に充填され、更にリード間に流出してストッパ
ー用溝23に充填された樹脂をストッパーとすることが
出来る。
第1の実施例および第2の実施例においてもリード13
の数が異なるリードフレーム]1を封止する場合には樹
脂ストッパー10を封止用金型]。
21からはずしリードフレーム11に応じた樹脂ストッ
パーを封止用金型1,21に形成すれは、新しいリード
フレーム11に容易に対応することが出来るので、費用
の低減と工数の節減が可能となる。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明は、封止用金型に樹脂スト
ッパーを設けることにより、外部リード間の樹脂の流出
を防止することが出来るので樹脂流出部の樹脂を除去す
る工程を無くすことが出来るとともに、同一封止用金型
にてダミーフレームを代えることにより多種類の樹脂ス
トッパーか形成出来るので一つの封止用金型で多品種の
樹脂封止型半導体装置が製造できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図(a)〜(e)は本発明の第1の実施例を説明す
るための工程順に示した上面図((a)図、(b)図)
、(b)図A−A’線、B−B’線断面図((C)図、
(d)図)及び平面図((e)図)、第2図(a)、(
bンは本発明の第1の実施例に使用する封止用金型の上
面図及びC−c’線断面図、第3図は本発明の第1の実
施例に使用するダミーフレームの上面図、第4図は本発
明の第2の実施例に使用する封止用金型の上面図、第5
図(a)、(b)は従来の封止用金型の−E面図及びD
−D’線断面図、第6図(a)。 (b)は従来の樹脂封止方法を説明するための工程順に
示した上面図である。 1・・・封止用金型、2・・・キャビティ、3・・・ス
トッパー用溝、4・・・ランナー、5・・・ゲート、6
・・・ゲート、7・・・ダミーフレーム、8・・・開穴
部、9・・・通し穴、10・・・樹脂ストッパニ、11
・・・リードフレーム、12・・・半導体チップ、13
・・・リード、14・・・タイバー、15・・・封止用
樹脂、16・・・空所、21・・・封止用金型、22・
・・キャビティ、23・・・ストッパー用溝、24・・
・ランナー、25・・・ゲート、31・・・封止用金型
、32・・・キャビティ、34・・・ランナー、35・
・・ゲート。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  半導体チップを搭載したリードフレームを樹脂にて成
    形封止するキャビティと前記キャビティの両側に設けら
    れたストッパー用溝と前記キャビティと前記ストッパー
    用溝に各々のゲートを通して封止用樹脂を圧入するラン
    ナーを有する封止用金型を用意する工程と、前記リード
    フレームのリード間でかつ前記キャビティの両方の端か
    らそれぞれリードフレームのタイバーの内側の端部に対
    応する位置にあらかじめ開穴部を設けたダミーフレーム
    を用意する工程と、前記封止用金型に前記ダミーフレー
    ムを位置合せし前記封止用金型にて上下から挟んで前記
    ランナーから封止用樹脂を圧入し前記ストッパー用溝と
    前記開穴部を充填して形成される樹脂ストッパーを設け
    る工程と、前記樹脂ストッパーを形成した前記封止用金
    型にて上下から半導体チップを搭載した前記リードフレ
    ームを挟み封止用樹脂を圧入して樹脂封止する工程を含
    むことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
JP3645687A 1987-02-18 1987-02-18 樹脂封止型半導体装置の製造方法 Pending JPS63202945A (ja)

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JP3645687A Pending JPS63202945A (ja) 1987-02-18 1987-02-18 樹脂封止型半導体装置の製造方法

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JP (1) JPS63202945A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5258331A (en) * 1989-10-20 1993-11-02 Texas Instruments Incorporated Method of manufacturing resin-encapsulated semiconductor device package using photoresist or pre-peg lead frame dam bars

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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