JPH08300397A - 封止材料をモールドキャビティに転送するための装置および方法 - Google Patents
封止材料をモールドキャビティに転送するための装置および方法Info
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Classifications
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
- B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- B29C45/2701—Details not specific to hot or cold runner channels
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 異なる厚さのリードフレームの封止に使用で
き、ランナおよびキャビティからの封止材料の漏れをな
くしたモールド装置を実現する。 【解決手段】 封止材料を転送する装置および方法はジ
ョイント封止のために封止材料をポット４４からリード
フレーム１６上に実装された半導体装置１８を含むモー
ルドキャビティ４３へ導くランナ４５を使用する。ラン
ナ４５に隣接して、第１のプレート４６上の突出部４７
が第２のプレート４９上の突出部３１と係合してランナ
４５に封止材料を包含しかつランナ４５からおよびモー
ルドキャビティ４３から生じるフラッシュ形成を防止す
る縦方向側部密閉部３５を形成する。縦方向側部密閉部
３９を使用することはモールド装置４１が異なる厚さの
リードフレーム１６の封止に使用できるようにする。
き、ランナおよびキャビティからの封止材料の漏れをな
くしたモールド装置を実現する。 【解決手段】 封止材料を転送する装置および方法はジ
ョイント封止のために封止材料をポット４４からリード
フレーム１６上に実装された半導体装置１８を含むモー
ルドキャビティ４３へ導くランナ４５を使用する。ラン
ナ４５に隣接して、第１のプレート４６上の突出部４７
が第２のプレート４９上の突出部３１と係合してランナ
４５に封止材料を包含しかつランナ４５からおよびモー
ルドキャビティ４３から生じるフラッシュ形成を防止す
る縦方向側部密閉部３５を形成する。縦方向側部密閉部
３９を使用することはモールド装置４１が異なる厚さの
リードフレーム１６の封止に使用できるようにする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、一般的には、製
品（ワークピース）の封止に関し、かつより特定的に
は、封止材料をモールドキャビティ内に転送するための
装置および方法に関する。
品（ワークピース）の封止に関し、かつより特定的に
は、封止材料をモールドキャビティ内に転送するための
装置および方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】パッケージングは半導体装置を、湿気、
腐食、および機械的ストレスおよび損傷を含む有害な環
境的影響から保護する。半導体装置および電気的に結合
されたリードフレームはパッケージング処理のためにモ
ールド装置の第１のプレートのキャビティ内に置かれ
る。モールド装置が閉じられたとき、該空洞は該空洞の
周辺部の周りで前記リードフレームに対して第１のプレ
ートおよび第２のプレートを強固に押圧することによっ
て密閉される。モールド装置の貯蔵器またはポット内の
封止材料が液化され、該ポットから溝またはランナを通
って前記空洞内に押し込まれ、かつ半導体装置を封止す
るために硬化される。
腐食、および機械的ストレスおよび損傷を含む有害な環
境的影響から保護する。半導体装置および電気的に結合
されたリードフレームはパッケージング処理のためにモ
ールド装置の第１のプレートのキャビティ内に置かれ
る。モールド装置が閉じられたとき、該空洞は該空洞の
周辺部の周りで前記リードフレームに対して第１のプレ
ートおよび第２のプレートを強固に押圧することによっ
て密閉される。モールド装置の貯蔵器またはポット内の
封止材料が液化され、該ポットから溝またはランナを通
って前記空洞内に押し込まれ、かつ半導体装置を封止す
るために硬化される。
【０００３】パッケージング処理の間に、前記封止材料
はランナから漏れ出しかつモールドプレート自体の上に
かつキャビティの外側のリードフレームの電気的リード
の端部に、フラッシュとして知られる、望ましくない薄
いシートまたはウエブを形成する。望ましくないフラッ
シュを除去することは時間を浪費しかつ費用がかかる。
除去処理は電気的リードを破壊しパッケージングされた
半導体装置を使用できなくしかつまた高価なモールドプ
レートを破壊することがある。
はランナから漏れ出しかつモールドプレート自体の上に
かつキャビティの外側のリードフレームの電気的リード
の端部に、フラッシュとして知られる、望ましくない薄
いシートまたはウエブを形成する。望ましくないフラッ
シュを除去することは時間を浪費しかつ費用がかかる。
除去処理は電気的リードを破壊しパッケージングされた
半導体装置を使用できなくしかつまた高価なモールドプ
レートを破壊することがある。
【０００４】フラッシュの有害な形成を防止するため、
前記ポット、ランナおよび半導体装置を含むキャビティ
はすべてパッケージング処理の間に適切に密閉されなけ
ればならない。ランナの適切な密閉を保証するため第１
および第２のモールドプレートのランナ領域に余分の力
が加えられる。しかしながら、厚すぎるリードフレーム
をパッケージングする場合に依然としてランナからフラ
ッシュ形成が発生する。薄すぎるリードフレームをパッ
ケージングする場合、フラッシュ形成はキャビティから
生じる。従って、異なる厚さのリードフレームをパッケ
ージングするために異なる組のモールドプレートが使用
される。
前記ポット、ランナおよび半導体装置を含むキャビティ
はすべてパッケージング処理の間に適切に密閉されなけ
ればならない。ランナの適切な密閉を保証するため第１
および第２のモールドプレートのランナ領域に余分の力
が加えられる。しかしながら、厚すぎるリードフレーム
をパッケージングする場合に依然としてランナからフラ
ッシュ形成が発生する。薄すぎるリードフレームをパッ
ケージングする場合、フラッシュ形成はキャビティから
生じる。従って、異なる厚さのリードフレームをパッケ
ージングするために異なる組のモールドプレートが使用
される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】パッケージング処理の
高い温度およびモールド組立てのために必要とされるア
ライメント精度のため、異なる厚さのリードフレームに
対してモールドプレートを変更することは時間を浪費す
る処理となる。各組についてほぼ＄８５，０００の値段
のモールドプレートを機械加工するのに必要な極めて高
い精度のため、半導体装置のパッケージング処理は、特
にフラッシュの問題が普通のことであるかまたは異なる
厚さのリードフレームをパッケージングする必要がある
場合に、維持するのが高価なものとなる。さらに、設計
書に記載された寸法に対するリードフレームの実際の厚
さは変化し、従って異なるモールドプレートを使用する
ことはフラッシュ形成の問題に対する万能薬を提供しな
い。
高い温度およびモールド組立てのために必要とされるア
ライメント精度のため、異なる厚さのリードフレームに
対してモールドプレートを変更することは時間を浪費す
る処理となる。各組についてほぼ＄８５，０００の値段
のモールドプレートを機械加工するのに必要な極めて高
い精度のため、半導体装置のパッケージング処理は、特
にフラッシュの問題が普通のことであるかまたは異なる
厚さのリードフレームをパッケージングする必要がある
場合に、維持するのが高価なものとなる。さらに、設計
書に記載された寸法に対するリードフレームの実際の厚
さは変化し、従って異なるモールドプレートを使用する
ことはフラッシュ形成の問題に対する万能薬を提供しな
い。
【０００６】従って、半導体装置のパッケージング処理
の間にランナからおよびキャビティから封止材料がリー
クすることから生じるフラッシュ形成を除去する必要性
が存在する。さらに、異なる厚さのリードフレームをパ
ッケージングするために異なる組のモールドプレートを
維持する資本的なコストを低減する必要性も存在する。
これらの必要性を満たすための方法および装置は古い方
法および装置と比較してより経済的でありかつ時間を浪
費しないものとすべきである。
の間にランナからおよびキャビティから封止材料がリー
クすることから生じるフラッシュ形成を除去する必要性
が存在する。さらに、異なる厚さのリードフレームをパ
ッケージングするために異なる組のモールドプレートを
維持する資本的なコストを低減する必要性も存在する。
これらの必要性を満たすための方法および装置は古い方
法および装置と比較してより経済的でありかつ時間を浪
費しないものとすべきである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の態様で
は、封止材料をモールドキャビティに転送するための装
置において、封止材料を前記モールドキャビティに転送
するための経路を提供する第１のランナ（４５）を備え
た第１の面（５１）を有する第１のモールドプレート
（４６）、前記第１の面（５１）から伸びる第１の突出
部（４７）であって、該第１の突出部（４７）は前記第
１のランナ（４５）に面する第１の内部面（２６）およ
び前記第１のランナ（４５）から向きがそれている第１
の外部面（２７）を有するもの、第２の面（５２）を有
する第２のモールドプレート（４９）、前記第２の面
（５２）から伸びる第２の突出部（３１）であって、該
第２の突出部（３１）は第２の内部面（３３）および第
２の外部面（３４）を有するもの、そして前記第１（４
７）および第２（３１）の突出部を係合させることによ
って形成される縦方向の側部密閉部（３９）であって、
該縦方向の側部密閉部（３９）は前記第１のランナ（４
５）を通り前記モールドキャビティへと封止材料を転送
する間の前記第１のランナ（４５）から前記封止材料が
漏れ出すのを防止するものを設ける。
は、封止材料をモールドキャビティに転送するための装
置において、封止材料を前記モールドキャビティに転送
するための経路を提供する第１のランナ（４５）を備え
た第１の面（５１）を有する第１のモールドプレート
（４６）、前記第１の面（５１）から伸びる第１の突出
部（４７）であって、該第１の突出部（４７）は前記第
１のランナ（４５）に面する第１の内部面（２６）およ
び前記第１のランナ（４５）から向きがそれている第１
の外部面（２７）を有するもの、第２の面（５２）を有
する第２のモールドプレート（４９）、前記第２の面
（５２）から伸びる第２の突出部（３１）であって、該
第２の突出部（３１）は第２の内部面（３３）および第
２の外部面（３４）を有するもの、そして前記第１（４
７）および第２（３１）の突出部を係合させることによ
って形成される縦方向の側部密閉部（３９）であって、
該縦方向の側部密閉部（３９）は前記第１のランナ（４
５）を通り前記モールドキャビティへと封止材料を転送
する間の前記第１のランナ（４５）から前記封止材料が
漏れ出すのを防止するものを設ける。
【０００８】本発明の第２の態様では、封止材料をモー
ルドキャビティに転送するための装置において、封止材
料を前記モールドキャビティに転送するためのランナ
（４５）を有する第１のモールドハーフ（４６）であっ
て、該第１のモールドハーフ（４６）は一つの面（５
１）を有し、前記ランナ（４５）は該面に沿ったエッジ
を有し、かつ前記ランナ（４５）は側壁（５３）を有す
るもの、突出部（５４）を有する第２のモールドハーフ
（４９）、そして封止材料が前記ランナ（４５）の前記
エッジから逃げるのを防止するための密閉部（３９）で
あって、前記突出部（５４）は前記ランナ（４５）内へ
と伸びて前記密閉部（３９）を形成するものを設ける。
ルドキャビティに転送するための装置において、封止材
料を前記モールドキャビティに転送するためのランナ
（４５）を有する第１のモールドハーフ（４６）であっ
て、該第１のモールドハーフ（４６）は一つの面（５
１）を有し、前記ランナ（４５）は該面に沿ったエッジ
を有し、かつ前記ランナ（４５）は側壁（５３）を有す
るもの、突出部（５４）を有する第２のモールドハーフ
（４９）、そして封止材料が前記ランナ（４５）の前記
エッジから逃げるのを防止するための密閉部（３９）で
あって、前記突出部（５４）は前記ランナ（４５）内へ
と伸びて前記密閉部（３９）を形成するものを設ける。
【０００９】本発明の第３の態様では、リードフレーム
上に実装された半導体装置にそのジョイント封止のため
に封止材料を導くための装置において、封止材料を含む
ポット（４４）、キャビティ（４３）、および前記封止
材料を前記ポット（４４）から前記キャビティ（４３）
へ導く経路を提供するランナ（４５）を備えた第１の面
（５１）を有する第１のプレート（４６）であって、前
記ランナ（４５）は前記第１の面（５１）上にエッジ
（４８）を有するもの、前記ランナ（４５）のエッジ
（４８）に隣接しかつ前記第１の面（５１）から伸びる
少なくとも一つの突出部（４７）であって、前記少なく
とも一つの突出部（４７）は前記ランナ（４５）から向
きがそれた外部面（２７）を有するもの、第２の面（５
２）および該第２の面（５２）に隣接するスロット（５
７）を有し、該スロット（５７）は側壁（３３）を備え
た第２のプレート（４９）、そして前記スロット（５
７）と係合する少なくとも一つの突出部（４７）によっ
て形成される密閉部（３９）であって、該密閉部（３
９）は前記ランナ（４５）のエッジ（４８）からの封止
材料の漏れを防止するものを設ける。
上に実装された半導体装置にそのジョイント封止のため
に封止材料を導くための装置において、封止材料を含む
ポット（４４）、キャビティ（４３）、および前記封止
材料を前記ポット（４４）から前記キャビティ（４３）
へ導く経路を提供するランナ（４５）を備えた第１の面
（５１）を有する第１のプレート（４６）であって、前
記ランナ（４５）は前記第１の面（５１）上にエッジ
（４８）を有するもの、前記ランナ（４５）のエッジ
（４８）に隣接しかつ前記第１の面（５１）から伸びる
少なくとも一つの突出部（４７）であって、前記少なく
とも一つの突出部（４７）は前記ランナ（４５）から向
きがそれた外部面（２７）を有するもの、第２の面（５
２）および該第２の面（５２）に隣接するスロット（５
７）を有し、該スロット（５７）は側壁（３３）を備え
た第２のプレート（４９）、そして前記スロット（５
７）と係合する少なくとも一つの突出部（４７）によっ
て形成される密閉部（３９）であって、該密閉部（３
９）は前記ランナ（４５）のエッジ（４８）からの封止
材料の漏れを防止するものを設ける。
【００１０】本発明の第４の態様では、リードフレーム
に電気的に結合された半導体装置にそのジョイント封止
のために封止材料を転送する方法において、第１の面
（５１）、該第１の面（５１）から伸びる第１の突出部
（４７）、ランナ（４５）、モールドキャビティ（４
３）、およびモールドポット（４４）を有する第１のモ
ールドプレート（４６）を提供する段階であって、前記
第１の突出部（４７）は前記ランナ（４５）に向かって
面する第１の内部面（２６）および前記ランナ（４５）
から向きがそれた第１の外部面（２７）を有し、かつ前
記ランナ（４５）は前記第１の面（５１）に沿ったエッ
ジ（４８）を有するもの、前記半導体装置およびリード
フレームを前記モールドキャビティ（４３）内に配置す
る段階、第２のモールドプレート（４９）と前記第１の
モールドプレート（４６）を係合させる段階であって、
前記第２のモールドプレート（４９）は第２の面（５
２）および該第２の面（５２）から伸びる第２の突出部
（３１）を有し、かつ前記第２の突出部（３１）は第２
の内部面（３３）および第２の外部面（３４）を有する
もの、前記第１（４６）および第２（４９）のモールド
プレートを係合させる間に前記第１（４７）および前記
第２（３１）の突出部を係合させることによって前記ラ
ンナ（４５）のための縦方向の側部密閉部（３９）を形
成する段階、封止材料を前記モールドポット（４４）に
入れる段階、前記封自材料を液化する段階、封止材料を
前記モールドポット（４４）から、前記ランナ（４５）
を通り、かつ前記モールドキャビティ（４３）内に転送
する段階、前記縦方向の側部密閉部（３９）を使用して
前記封止材料が前記ランナ（４５）のエッジ（４８）か
ら漏れ出すのを防止する段階、そして前記半導体装置お
よびリードフレームの封止のために前記モールドキャビ
ティ（４３）内の前記封止材料を硬化する段階を設け
る。
に電気的に結合された半導体装置にそのジョイント封止
のために封止材料を転送する方法において、第１の面
（５１）、該第１の面（５１）から伸びる第１の突出部
（４７）、ランナ（４５）、モールドキャビティ（４
３）、およびモールドポット（４４）を有する第１のモ
ールドプレート（４６）を提供する段階であって、前記
第１の突出部（４７）は前記ランナ（４５）に向かって
面する第１の内部面（２６）および前記ランナ（４５）
から向きがそれた第１の外部面（２７）を有し、かつ前
記ランナ（４５）は前記第１の面（５１）に沿ったエッ
ジ（４８）を有するもの、前記半導体装置およびリード
フレームを前記モールドキャビティ（４３）内に配置す
る段階、第２のモールドプレート（４９）と前記第１の
モールドプレート（４６）を係合させる段階であって、
前記第２のモールドプレート（４９）は第２の面（５
２）および該第２の面（５２）から伸びる第２の突出部
（３１）を有し、かつ前記第２の突出部（３１）は第２
の内部面（３３）および第２の外部面（３４）を有する
もの、前記第１（４６）および第２（４９）のモールド
プレートを係合させる間に前記第１（４７）および前記
第２（３１）の突出部を係合させることによって前記ラ
ンナ（４５）のための縦方向の側部密閉部（３９）を形
成する段階、封止材料を前記モールドポット（４４）に
入れる段階、前記封自材料を液化する段階、封止材料を
前記モールドポット（４４）から、前記ランナ（４５）
を通り、かつ前記モールドキャビティ（４３）内に転送
する段階、前記縦方向の側部密閉部（３９）を使用して
前記封止材料が前記ランナ（４５）のエッジ（４８）か
ら漏れ出すのを防止する段階、そして前記半導体装置お
よびリードフレームの封止のために前記モールドキャビ
ティ（４３）内の前記封止材料を硬化する段階を設け
る。
【００１１】本発明の第５の態様では、封止材料をモー
ルドキャビティに転送するための方法において、一つの
面（５１）およびランナ（４５）を有する第１のモール
ドハーフ（４６）を提供する段階であって、前記ランナ
（４５）は前記面（５１）上にエッジ（４８）を有し、
かつ前記ランナ（４５）は側壁（５３）を有するもの、
突出部（５４）を有する第２のモールドハーフ（４９）
を提供する段階、前記第１（４６）および第２（４９）
のモールドハーフを係合させる段階、前記第１（４６）
および第２（４９）のモールドハーフの係合の間に前記
突出部（５４）を前記ランナ（４５）内に挿入すること
によって前記ランナ（４５）のための密閉部（３９）を
形成する段階、前記封止材料を前記ランナ（４５）を通
って導く段階、そして前記封止材料が前記ランナ（４
５）のエッジ（４８）から逃げるのを防止するため前記
密閉部（３９）を使用する段階を設ける。
ルドキャビティに転送するための方法において、一つの
面（５１）およびランナ（４５）を有する第１のモール
ドハーフ（４６）を提供する段階であって、前記ランナ
（４５）は前記面（５１）上にエッジ（４８）を有し、
かつ前記ランナ（４５）は側壁（５３）を有するもの、
突出部（５４）を有する第２のモールドハーフ（４９）
を提供する段階、前記第１（４６）および第２（４９）
のモールドハーフを係合させる段階、前記第１（４６）
および第２（４９）のモールドハーフの係合の間に前記
突出部（５４）を前記ランナ（４５）内に挿入すること
によって前記ランナ（４５）のための密閉部（３９）を
形成する段階、前記封止材料を前記ランナ（４５）を通
って導く段階、そして前記封止材料が前記ランナ（４
５）のエッジ（４８）から逃げるのを防止するため前記
密閉部（３９）を使用する段階を設ける。
【００１２】
【発明の実施の形態】従来技術のモールド装置３６のプ
レート１４の上から見た（ｔｏｐ−ｄｏｗｎ）図が図１
に示されている。プレート１４は貯蔵器またはポット１
２、くぼみ１１、モールド空洞またはモールドキャビテ
ィ１０、およびモールドポット１２をモールドキャビテ
ィ１０に接続する溝またはランナ１３を含んでいる。モ
ールドポット１２の構成例は米国特許第５，１２３，８
２６号に記載されており、この米国特許は参照のため本
明細書に導入される。固体エポキシまたはシリコン化合
物からなる封止材料がモールドポットまたはポット１２
内に入れられる。半導体装置が半導体リードフレーム上
に実装されかつモールドキャビティまたはキャビティ１
０内に配置され、該キャビティ１０はパッケージングさ
れた半導体装置を形成するような寸法および形状となっ
ている。くぼみ１１は半導体装置がその上に実装されて
いない半導体リードフレームの部分を保持するような大
きさおよび形状とされている。特に、くぼみ１１は封止
材料によって覆われるべきでないパッケージングされた
半導体装置の外部電気的リードを保持する。ランナ１３
は半導体装置およびリードフレームのジョイント封止
（ｊｏｉｎｔ ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｉｏｎ）のために
封止材料をポット１２からキャビティ１０に導くための
経路またはルートとして作用する。キャビティ１０、く
ぼみ１１、ポット１２およびランナ１３の寸法は一般に
技術上よく知られている。
レート１４の上から見た（ｔｏｐ−ｄｏｗｎ）図が図１
に示されている。プレート１４は貯蔵器またはポット１
２、くぼみ１１、モールド空洞またはモールドキャビテ
ィ１０、およびモールドポット１２をモールドキャビテ
ィ１０に接続する溝またはランナ１３を含んでいる。モ
ールドポット１２の構成例は米国特許第５，１２３，８
２６号に記載されており、この米国特許は参照のため本
明細書に導入される。固体エポキシまたはシリコン化合
物からなる封止材料がモールドポットまたはポット１２
内に入れられる。半導体装置が半導体リードフレーム上
に実装されかつモールドキャビティまたはキャビティ１
０内に配置され、該キャビティ１０はパッケージングさ
れた半導体装置を形成するような寸法および形状となっ
ている。くぼみ１１は半導体装置がその上に実装されて
いない半導体リードフレームの部分を保持するような大
きさおよび形状とされている。特に、くぼみ１１は封止
材料によって覆われるべきでないパッケージングされた
半導体装置の外部電気的リードを保持する。ランナ１３
は半導体装置およびリードフレームのジョイント封止
（ｊｏｉｎｔ ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｉｏｎ）のために
封止材料をポット１２からキャビティ１０に導くための
経路またはルートとして作用する。キャビティ１０、く
ぼみ１１、ポット１２およびランナ１３の寸法は一般に
技術上よく知られている。
【００１３】図２は、図１の従来技術に示されたプレー
ト１４のキャビティ１０、くぼみ１１およびランナ１３
の部分的断面図を示す。プレート１２に加えて、図２は
またモールド装置３６のプレート１９、半導体回路また
はデバイス１８、およびリードフレーム１６を示してい
る。半導体デバイス１８は、技術的に知られているよう
に、伝統的な半導体製造プロセスを使用して製造されか
つリードフレーム１６に電気的に結合されかつ該リード
フレーム１６上に実装される。この実装および電気的結
合は、ダイボンディング、ワイヤボンディング、フリッ
プチップボンディング、その他を含む、技術的に知られ
た伝統的な方法を使用して行われる。リードフレームま
たはワークピース（ｗｏｒｋｐｉｅｃｅ）１６はデュア
ルインラインパッケージ、クワドフラットパック（ｑｕ
ａｄ ｆｌａｔ ｐａｃｋ）、小型アウトライン集積回
路（ｓｍａｌｌ ｏｕｔｌｉｎｅ ｉｎｔｅｇｒａｔｅ
ｄｃｉｒｃｕｉｔ）、フリップチップパッケージ、表面
実装パッケージ、その他のために使用される伝統的なリ
ードフレームである。
ト１４のキャビティ１０、くぼみ１１およびランナ１３
の部分的断面図を示す。プレート１２に加えて、図２は
またモールド装置３６のプレート１９、半導体回路また
はデバイス１８、およびリードフレーム１６を示してい
る。半導体デバイス１８は、技術的に知られているよう
に、伝統的な半導体製造プロセスを使用して製造されか
つリードフレーム１６に電気的に結合されかつ該リード
フレーム１６上に実装される。この実装および電気的結
合は、ダイボンディング、ワイヤボンディング、フリッ
プチップボンディング、その他を含む、技術的に知られ
た伝統的な方法を使用して行われる。リードフレームま
たはワークピース（ｗｏｒｋｐｉｅｃｅ）１６はデュア
ルインラインパッケージ、クワドフラットパック（ｑｕ
ａｄ ｆｌａｔ ｐａｃｋ）、小型アウトライン集積回
路（ｓｍａｌｌ ｏｕｔｌｉｎｅ ｉｎｔｅｇｒａｔｅ
ｄｃｉｒｃｕｉｔ）、フリップチップパッケージ、表面
実装パッケージ、その他のために使用される伝統的なリ
ードフレームである。
【００１４】パッケージングの前に、ヒートシンク（図
示せず）を半導体装置１８からリードフレーム１６の反
対側に該リードフレーム１６に取り付けることができ
る。この構成では、ヒートシンクはプレート１９のキャ
ビティ２１によって包含され、一方半導体装置１８はプ
レート１４のキャビティ１０によって包含される。ある
いは、半導体装置１８およびリードフレームは、半導体
装置１８が図２に示されるキャビティ１０の代わりにキ
ャビティ２１内に包含されるように、モールド装置３６
内に配置することもできる。
示せず）を半導体装置１８からリードフレーム１６の反
対側に該リードフレーム１６に取り付けることができ
る。この構成では、ヒートシンクはプレート１９のキャ
ビティ２１によって包含され、一方半導体装置１８はプ
レート１４のキャビティ１０によって包含される。ある
いは、半導体装置１８およびリードフレームは、半導体
装置１８が図２に示されるキャビティ１０の代わりにキ
ャビティ２１内に包含されるように、モールド装置３６
内に配置することもできる。
【００１５】プレート１４および１９はくぼみ１１の領
域でリードフレーム１６に対して強固に押圧される。こ
の強固な押圧はプレート１４および１９の、それぞれ、
キャビティ１０および２１を密閉し半導体装置１８がそ
の中に包含されかつ封止されるパッケージング用キャビ
ティを形成する。余分の圧力がプレート１４および１９
に対しランナ１３の領域において加えられパッケージン
グ処理の間に確実にそれが適切に密閉されるようにす
る。
域でリードフレーム１６に対して強固に押圧される。こ
の強固な押圧はプレート１４および１９の、それぞれ、
キャビティ１０および２１を密閉し半導体装置１８がそ
の中に包含されかつ封止されるパッケージング用キャビ
ティを形成する。余分の圧力がプレート１４および１９
に対しランナ１３の領域において加えられパッケージン
グ処理の間に確実にそれが適切に密閉されるようにす
る。
【００１６】ポット１２からキャビティ１０へとランナ
１３を通して押し込まれる封止材料を液化するために熱
および圧力が使用される。リードフレーム１６はキャビ
ティ１０からキャビティ２１へ流体のモールド材料が進
行する孔１７を有する。封止材料はキャビティ１０およ
び２１を強固に密閉するくぼみ１１の領域におけるプレ
ート１４および１９の圧力によりキャビティ１０および
２１から漏れ出すことはできない。キャビティ１０およ
び２１が液化した封止材料によって満たされた後、該封
止材料は半導体装置１８およびリードフレーム１６をい
っしょにパッケージングするために硬化される。
１３を通して押し込まれる封止材料を液化するために熱
および圧力が使用される。リードフレーム１６はキャビ
ティ１０からキャビティ２１へ流体のモールド材料が進
行する孔１７を有する。封止材料はキャビティ１０およ
び２１を強固に密閉するくぼみ１１の領域におけるプレ
ート１４および１９の圧力によりキャビティ１０および
２１から漏れ出すことはできない。キャビティ１０およ
び２１が液化した封止材料によって満たされた後、該封
止材料は半導体装置１８およびリードフレーム１６をい
っしょにパッケージングするために硬化される。
【００１７】リードフレーム１６がくぼみ１１内に置か
れたとき、リードフレーム１６の露出面はプレート１４
の面２８と面一にされ（ｆｌｕｓｈ ｗｉｔｈ）プレー
ト１９の面２９が面２８と接触できるようにすべきであ
る。後に説明するように、面２８および２９の接触によ
ってランナ１３を密閉する。しかしながら、図２に示さ
れるように、リードフレーム１６がくぼみ１１内に完全
に包含されるには余りにも厚すぎる場合に、面２８およ
び２９は互いに接触せず、かつギャップ２２が存在する
ことになる。
れたとき、リードフレーム１６の露出面はプレート１４
の面２８と面一にされ（ｆｌｕｓｈ ｗｉｔｈ）プレー
ト１９の面２９が面２８と接触できるようにすべきであ
る。後に説明するように、面２８および２９の接触によ
ってランナ１３を密閉する。しかしながら、図２に示さ
れるように、リードフレーム１６がくぼみ１１内に完全
に包含されるには余りにも厚すぎる場合に、面２８およ
び２９は互いに接触せず、かつギャップ２２が存在する
ことになる。
【００１８】ギャップ２２はまた図３に見ることがで
き、図３は図２に対して、図１の従来技術の異なる部分
の部分的断面図を示す。図３はリードフレーム１６が厚
すぎる場合、キャビティ１０および２１がそれでも強固
に密閉されることを示している。技術的に知られている
ように、くぼみ１１に包含されるリードフレーム１６の
部分におけるダムバーはキャビティ１０および２１の密
閉を助ける。
き、図３は図２に対して、図１の従来技術の異なる部分
の部分的断面図を示す。図３はリードフレーム１６が厚
すぎる場合、キャビティ１０および２１がそれでも強固
に密閉されることを示している。技術的に知られている
ように、くぼみ１１に包含されるリードフレーム１６の
部分におけるダムバーはキャビティ１０および２１の密
閉を助ける。
【００１９】図４においては、ランナ１３の上に存在す
るギャップ２２の部分が図１の従来技術の部分的断面図
で示されている。リードフレーム１６が厚すぎる場合、
ランナ１３はプレート１４および１９の、それぞれ、面
２８および２９によって強固に密閉されない。従って、
液化した封止材料はエッジ２３からランナ１３の外へ流
れかつリードフレーム１６ならびにプレート１４および
１９の領域上に有害なフラッシュを形成する可能性があ
る。
るギャップ２２の部分が図１の従来技術の部分的断面図
で示されている。リードフレーム１６が厚すぎる場合、
ランナ１３はプレート１４および１９の、それぞれ、面
２８および２９によって強固に密閉されない。従って、
液化した封止材料はエッジ２３からランナ１３の外へ流
れかつリードフレーム１６ならびにプレート１４および
１９の領域上に有害なフラッシュを形成する可能性があ
る。
【００２０】リードフレーム１６が薄すぎると（図示せ
ず）、リードフレーム１６がくぼみ１１に置かれた場
合、リードフレーム１６の露出面はプレート１４の面２
８と面一にならない。その代わり、くぼみ１１の領域内
に小さなくぼみが存在することになる。プレート１４お
よび１９がリードフレーム１６を圧縮するためいっしょ
にされた場合、面２８および２９は互いに接触するが、
プレート１９の面２９はリードフレーム１６に接触しな
い。従って、キャビティ１０および２１は密閉されず、
かつ液化した封止材料はキャビティ２１からくぼみ１１
内に流れることができ、これはリードフレーム１６の電
気的リードを不必要に封止しかつ製品を破壊する。リー
ドフレーム１６が薄すぎる場合、ランナ１３は適切に密
閉されて封止材料がランナ１３のエッジ２３から漏れ出
すことを防止する。
ず）、リードフレーム１６がくぼみ１１に置かれた場
合、リードフレーム１６の露出面はプレート１４の面２
８と面一にならない。その代わり、くぼみ１１の領域内
に小さなくぼみが存在することになる。プレート１４お
よび１９がリードフレーム１６を圧縮するためいっしょ
にされた場合、面２８および２９は互いに接触するが、
プレート１９の面２９はリードフレーム１６に接触しな
い。従って、キャビティ１０および２１は密閉されず、
かつ液化した封止材料はキャビティ２１からくぼみ１１
内に流れることができ、これはリードフレーム１６の電
気的リードを不必要に封止しかつ製品を破壊する。リー
ドフレーム１６が薄すぎる場合、ランナ１３は適切に密
閉されて封止材料がランナ１３のエッジ２３から漏れ出
すことを防止する。
【００２１】プレート１４および１９は、カーボン、ク
ロミウム、モリブデン、タングステン、およびバナジウ
ムを含む高合金鋼（ｈｉｇｈ ａｌｌｏｙ ｓｔｅｅ
ｌ）を含む伝統的なモールドプレート材料から構成され
る。プレート１４および１９は技術的に知られた伝統的
な製造技術を使用して機械加工される。プレート１４お
よび１９の機械加工はランナ１３ならびにキャビティ１
０および２１の適切な密閉を保証するため極めて高い精
度が必要であり、モールド装置３６の高価な値段を生じ
させるのはこの極めて高い精度の要求である。
ロミウム、モリブデン、タングステン、およびバナジウ
ムを含む高合金鋼（ｈｉｇｈ ａｌｌｏｙ ｓｔｅｅ
ｌ）を含む伝統的なモールドプレート材料から構成され
る。プレート１４および１９は技術的に知られた伝統的
な製造技術を使用して機械加工される。プレート１４お
よび１９の機械加工はランナ１３ならびにキャビティ１
０および２１の適切な密閉を保証するため極めて高い精
度が必要であり、モールド装置３６の高価な値段を生じ
させるのはこの極めて高い精度の要求である。
【００２２】本発明では、図５の上面図に示されている
ように、モールド装置４１は半導体装置１８およびリー
ドフレーム１６を包含するモールドキャビティ４３、リ
ードフレーム１６の電気的リードを包含するくぼみ４
０、封止材料を含むためのポット４４、および封止材料
をポット４４からモールドキャビティまたはキャビティ
４３へと導くためのランナ４５を有するモールドプレー
ト４５を使用する。モールドプレートまたはプレート４
６はポット４４に結合された複数のランナ、くぼみ、お
よびキャビティを含むことができる。同様に、プレート
４６は複数のポットを含むことができる。プレート４６
はまた液化した封止材料が封止材料のポット４４からキ
ャビティ４３へランナ４５を通って転送する間にランナ
４５から流れ出しまたは逃げるのを防止する上での助け
となる突出部４７を含む。
ように、モールド装置４１は半導体装置１８およびリー
ドフレーム１６を包含するモールドキャビティ４３、リ
ードフレーム１６の電気的リードを包含するくぼみ４
０、封止材料を含むためのポット４４、および封止材料
をポット４４からモールドキャビティまたはキャビティ
４３へと導くためのランナ４５を有するモールドプレー
ト４５を使用する。モールドプレートまたはプレート４
６はポット４４に結合された複数のランナ、くぼみ、お
よびキャビティを含むことができる。同様に、プレート
４６は複数のポットを含むことができる。プレート４６
はまた液化した封止材料が封止材料のポット４４からキ
ャビティ４３へランナ４５を通って転送する間にランナ
４５から流れ出しまたは逃げるのを防止する上での助け
となる突出部４７を含む。
【００２３】図６において、図５の部分断面図はランナ
４５を含むプレート４６の一領域を示している。プレー
トまたはモールドプレート４６はランナ４５を含み、該
ランナ４５はモールドプレート４６の面５１に沿ってエ
ッジ４８を有する。エッジ４８に隣接して、突出部４７
は面５１から遠ざかるように伸びている。あるいは、突
出部４７はエッジ４８から固定した距離とすることがで
きる。突出部４７はランナ４５に向かう外部面２６およ
びランナ４５と反対に向いた外部面２７を有する。
４５を含むプレート４６の一領域を示している。プレー
トまたはモールドプレート４６はランナ４５を含み、該
ランナ４５はモールドプレート４６の面５１に沿ってエ
ッジ４８を有する。エッジ４８に隣接して、突出部４７
は面５１から遠ざかるように伸びている。あるいは、突
出部４７はエッジ４８から固定した距離とすることがで
きる。突出部４７はランナ４５に向かう外部面２６およ
びランナ４５と反対に向いた外部面２７を有する。
【００２４】図６はさらにモールド装置４１のモールド
ハーフ４９の断面図を含む。モールドハーフまたはプレ
ート４９はプレート４９の面５２から伸びる突出部３１
を含む。突出部３１は該突出部３１が前記突出部４７と
つがい係合（ｍａｔｅ）されたときにランナ４５に向か
う内部面３３を有する。突出部３１は前記突出部４７と
つがい係合されたときにランナ４５と反対に向いた外部
面３４を有する。
ハーフ４９の断面図を含む。モールドハーフまたはプレ
ート４９はプレート４９の面５２から伸びる突出部３１
を含む。突出部３１は該突出部３１が前記突出部４７と
つがい係合（ｍａｔｅ）されたときにランナ４５に向か
う内部面３３を有する。突出部３１は前記突出部４７と
つがい係合されたときにランナ４５と反対に向いた外部
面３４を有する。
【００２５】プレート４６および４９ならびに突出部４
７および３１はプレート１４および１９を製造するため
に使用されるものと同じ材料および製造プロセスを使用
して製造される。突出部４７および３１はプレート４６
および４９から別個に製作しかつ個々の製作の後に取り
付けることもできるが、突出部４７および３１は、本発
明の好ましい実施形態では、それぞれ、プレート４６お
よび４９のもとの製作物の一部とされる。
７および３１はプレート１４および１９を製造するため
に使用されるものと同じ材料および製造プロセスを使用
して製造される。突出部４７および３１はプレート４６
および４９から別個に製作しかつ個々の製作の後に取り
付けることもできるが、突出部４７および３１は、本発
明の好ましい実施形態では、それぞれ、プレート４６お
よび４９のもとの製作物の一部とされる。
【００２６】突出部４７および３１はプレート４６およ
び４９がつがい係合されかつくぼみ４０に保持されたリ
ードフレーム１６に対して押圧されたとき、突出部４７
の外部面２７が突出部３１の内部面３３と面するように
構成される。外部面２７および内部面３３の係合構造は
ランナ４５のための縦方向の側部密閉部３９を構成す
る。面２７および３３は縦方向の側部密閉部３９を形成
するために互いに物理的に接触することは要求されな
い。実際に、面２７および３３の間にほぼ０．０１ｍｍ
〜０．０９ｍｍの間隔は存在してもよく、それでも適切
に縦方向の側部密閉部３９を維持することができる。前
記間隔の適切な寸法は液化した封止材料の粘性、パッケ
ージング処理の間に使用される圧力、および封止材料の
粒子サイズに依存する。より高い圧力、より粘性のある
封止材料、またはより小さな粒子サイズの封止材料を使
用することはより小さな間隔または縦方向の側部密閉部
３９の適切な形成のためにより厳密な公差を必要とす
る。縦方向の側部密閉部３９を使用することにより封止
材料のポット４４からキャビティ４３への転送の間にラ
ンナ４５が適切に密閉されることを保証するのにランナ
４５の領域においてプレート４６および４９に余分の圧
力を加える必要がなくなる。
び４９がつがい係合されかつくぼみ４０に保持されたリ
ードフレーム１６に対して押圧されたとき、突出部４７
の外部面２７が突出部３１の内部面３３と面するように
構成される。外部面２７および内部面３３の係合構造は
ランナ４５のための縦方向の側部密閉部３９を構成す
る。面２７および３３は縦方向の側部密閉部３９を形成
するために互いに物理的に接触することは要求されな
い。実際に、面２７および３３の間にほぼ０．０１ｍｍ
〜０．０９ｍｍの間隔は存在してもよく、それでも適切
に縦方向の側部密閉部３９を維持することができる。前
記間隔の適切な寸法は液化した封止材料の粘性、パッケ
ージング処理の間に使用される圧力、および封止材料の
粒子サイズに依存する。より高い圧力、より粘性のある
封止材料、またはより小さな粒子サイズの封止材料を使
用することはより小さな間隔または縦方向の側部密閉部
３９の適切な形成のためにより厳密な公差を必要とす
る。縦方向の側部密閉部３９を使用することにより封止
材料のポット４４からキャビティ４３への転送の間にラ
ンナ４５が適切に密閉されることを保証するのにランナ
４５の領域においてプレート４６および４９に余分の圧
力を加える必要がなくなる。
【００２７】突出部４７および３１はおのおのほぼ１ｍ
ｍの幅でありかつ異なるリードフレームに対する異なる
厚さの範囲に対し縦方向の側部密閉部３９を適切に維持
するために十分な高さとされる。この構造においては、
モールド装置４１はリードフレーム１６が厚すぎる場合
にエッジ４８またはランナ４５からのフラッシュの形成
の問題を除去する。図４の従来技術において示されたよ
うに、リードフレーム１６がくぼみ４０に対してあまり
にも厚すぎる場合は、ランナ４５は前記突出部４７およ
び３１が使用されない場合には適切に密閉されないこと
になる。しかしながら、図６に示されるように、突出部
４７および３１をつがい係合することにより縦方向の側
部密閉部３９が維持されかつモールド装置４１を異なる
厚さの異なるリードフレームを封止するために使用でき
るようにする。より厚いリードフレーム１６に対して
は、突出部３１は突出部４７のより小さな部分とオーバ
ラップし、かつより薄いリードフレーム１６に対して
は、突出部３１は突出部４７のより大きな部分にオーバ
ラップすることになる。あるいは、図６の縦方向の側部
密閉部３９は突出部４７の内部面２６とつがい係合する
突出部３１の外部面３４を備えて実施することもでき
る。
ｍの幅でありかつ異なるリードフレームに対する異なる
厚さの範囲に対し縦方向の側部密閉部３９を適切に維持
するために十分な高さとされる。この構造においては、
モールド装置４１はリードフレーム１６が厚すぎる場合
にエッジ４８またはランナ４５からのフラッシュの形成
の問題を除去する。図４の従来技術において示されたよ
うに、リードフレーム１６がくぼみ４０に対してあまり
にも厚すぎる場合は、ランナ４５は前記突出部４７およ
び３１が使用されない場合には適切に密閉されないこと
になる。しかしながら、図６に示されるように、突出部
４７および３１をつがい係合することにより縦方向の側
部密閉部３９が維持されかつモールド装置４１を異なる
厚さの異なるリードフレームを封止するために使用でき
るようにする。より厚いリードフレーム１６に対して
は、突出部３１は突出部４７のより小さな部分とオーバ
ラップし、かつより薄いリードフレーム１６に対して
は、突出部３１は突出部４７のより大きな部分にオーバ
ラップすることになる。あるいは、図６の縦方向の側部
密閉部３９は突出部４７の内部面２６とつがい係合する
突出部３１の外部面３４を備えて実施することもでき
る。
【００２８】図６のギャップ３８は突出部３１の末端と
面５１との間に存在する。リードフレーム１６の厚さに
かかわりなく、ギャップ３８は半導体装置１８のパッケ
ージング処理の間に存在すべきである。特定された厚さ
のリードフレームをパッケージングする場合にギャップ
３８が確実に存在するようにするため、モールド装置４
１のくぼみ４０は従来技術のモールド装置３６のくぼみ
１１よりも浅くすることができる。リードフレーム１６
がくぼみ４０に置かれたとき、より浅いくぼみ４０はリ
ードフレーム１６の露出面が面５１と面一にならず、面
５１から突出することを保証する。ギャップ３８の存在
により、薄すぎる異なるリードフレームを封止する間に
キャビティ４３から発生するフラッシュの問題が除去さ
れる。薄いリードフレームによりモールドキャビティか
ら生じるフラッシュに対する従来技術の処理は図４の説
明の後のパラグラフにおいて前に説明している。
面５１との間に存在する。リードフレーム１６の厚さに
かかわりなく、ギャップ３８は半導体装置１８のパッケ
ージング処理の間に存在すべきである。特定された厚さ
のリードフレームをパッケージングする場合にギャップ
３８が確実に存在するようにするため、モールド装置４
１のくぼみ４０は従来技術のモールド装置３６のくぼみ
１１よりも浅くすることができる。リードフレーム１６
がくぼみ４０に置かれたとき、より浅いくぼみ４０はリ
ードフレーム１６の露出面が面５１と面一にならず、面
５１から突出することを保証する。ギャップ３８の存在
により、薄すぎる異なるリードフレームを封止する間に
キャビティ４３から発生するフラッシュの問題が除去さ
れる。薄いリードフレームによりモールドキャビティか
ら生じるフラッシュに対する従来技術の処理は図４の説
明の後のパラグラフにおいて前に説明している。
【００２９】図６は、縦方向の側部密閉部３９を形成す
るためにランナ４５の両側における少なくとも１つの突
出部４７およびプレート４６の突出部とつがい係合する
ためにプレート４９上に同じ数の突出部を設けることを
示している。ランナ４５の両側に複数の突出部４７を設
けプレート４６の該複数の突出部４７の間に互いに入り
込むプレート４９の対応する複数の突出部３１を設ける
ことによって複数の密閉部３９を形成できる。この別の
実施形態はランナ４５のためのより厳重なエンクロージ
ャを提供する複数の密閉部３９を提供する。
るためにランナ４５の両側における少なくとも１つの突
出部４７およびプレート４６の突出部とつがい係合する
ためにプレート４９上に同じ数の突出部を設けることを
示している。ランナ４５の両側に複数の突出部４７を設
けプレート４６の該複数の突出部４７の間に互いに入り
込むプレート４９の対応する複数の突出部３１を設ける
ことによって複数の密閉部３９を形成できる。この別の
実施形態はランナ４５のためのより厳重なエンクロージ
ャを提供する複数の密閉部３９を提供する。
【００３０】図６の他の実施形態は縦方向の側部密閉部
または密閉部３９を形成するためにスロット５７を使用
する。この別の実施形態では、プレート４９の面５２が
突出部３１の末端と面一にされ、従って突出部３１を除
去する。スロット５７は突出部４７の外部面２７とつが
い係合する側壁３３を有し密閉部３９を形成する。従っ
て、ギャップ３８はプレート４６の面５１とプレート４
９の調整された面５２の間に存在する。
または密閉部３９を形成するためにスロット５７を使用
する。この別の実施形態では、プレート４９の面５２が
突出部３１の末端と面一にされ、従って突出部３１を除
去する。スロット５７は突出部４７の外部面２７とつが
い係合する側壁３３を有し密閉部３９を形成する。従っ
て、ギャップ３８はプレート４６の面５１とプレート４
９の調整された面５２の間に存在する。
【００３１】図７は、図６に示される縦方向の側部密閉
部３９の別の実施形態を示す。プレート４６の面５１は
側壁５３を有するランナ４５を含む。プレート４９の面
５２は縦方向の側部密閉部３９を形成するために側壁５
３と面しかつつがい係合する突出部５４を含む。側壁ま
たは側部５３は突出部５４の末端と適合する面５６を含
むよう構成できる。技術的に知られているように、突出
部５４が面５６に隣接するとき、封止材料が縦方向の側
部密閉部３９を通ってランナ４５から逃げるためにはよ
り高い圧力が必要とされる。ギャップ５５はプレート４
６および４９の、それぞれ、面５１および５２の間に存
在する。図６のギャップ３８と同様に、図７においてギ
ャップ５５が存在することはリードフレーム１６が薄す
ぎることにりよりキャビティ４３から生じるフラッシュ
の形成を除去する。
部３９の別の実施形態を示す。プレート４６の面５１は
側壁５３を有するランナ４５を含む。プレート４９の面
５２は縦方向の側部密閉部３９を形成するために側壁５
３と面しかつつがい係合する突出部５４を含む。側壁ま
たは側部５３は突出部５４の末端と適合する面５６を含
むよう構成できる。技術的に知られているように、突出
部５４が面５６に隣接するとき、封止材料が縦方向の側
部密閉部３９を通ってランナ４５から逃げるためにはよ
り高い圧力が必要とされる。ギャップ５５はプレート４
６および４９の、それぞれ、面５１および５２の間に存
在する。図６のギャップ３８と同様に、図７においてギ
ャップ５５が存在することはリードフレーム１６が薄す
ぎることにりよりキャビティ４３から生じるフラッシュ
の形成を除去する。
【００３２】図６および図７の双方において点線で示さ
れるように、ランナ３２はプレート４９に設けてランナ
４５と組み合わせ封止材料のための単一の経路を生成す
ることもできる。同様に、ランナ３２はランナ４５から
ずらしてランナ４５から別個の経路を形成することもで
き、かつランナ３２はそれ自身の縦方向の側部密閉部を
形成するためそれ自身の突出部を使用することもでき
る。
れるように、ランナ３２はプレート４９に設けてランナ
４５と組み合わせ封止材料のための単一の経路を生成す
ることもできる。同様に、ランナ３２はランナ４５から
ずらしてランナ４５から別個の経路を形成することもで
き、かつランナ３２はそれ自身の縦方向の側部密閉部を
形成するためそれ自身の突出部を使用することもでき
る。
【００３３】縦方向の側部密閉部３９を使用することは
リードフレームおよび半導体装置以外の他の封止または
モールドの用途に適用できることが理解されるべきであ
る。従って、ワークピース１６はリードフレーム以外の
物体とすることもできる。
リードフレームおよび半導体装置以外の他の封止または
モールドの用途に適用できることが理解されるべきであ
る。従って、ワークピース１６はリードフレーム以外の
物体とすることもできる。
【００３４】
【発明の効果】従って、本発明によれば、従来技術の不
都合を克服する半導体装置をパッケージングするための
改善されたモールド装置が提供されたことが明らかであ
る。ランナのための縦方向の側部密閉部を使用すること
により、本発明は異なる厚さのリードフレームの封止の
ために複数のモールドプレートの必要性を除去する。単
一の組のモールドプレートを使用することはより経済的
でありかつパッケージング処理のスループットを増大す
るが、それは異なる厚さのリードフレームの封止のため
にモールドプレートが異なる組のモールドプレートと置
き換える前に冷却するのを待つ間の時間が浪費されない
からである。
都合を克服する半導体装置をパッケージングするための
改善されたモールド装置が提供されたことが明らかであ
る。ランナのための縦方向の側部密閉部を使用すること
により、本発明は異なる厚さのリードフレームの封止の
ために複数のモールドプレートの必要性を除去する。単
一の組のモールドプレートを使用することはより経済的
でありかつパッケージング処理のスループットを増大す
るが、それは異なる厚さのリードフレームの封止のため
にモールドプレートが異なる組のモールドプレートと置
き換える前に冷却するのを待つ間の時間が浪費されない
からである。
【００３５】さらに、特定された厚さのリードフレーム
も変動するから、本発明は前記縦方向の側部密閉部を使
用することによって厚さの変動を補償する。そうするこ
とによって、リードフレームが厚すぎる場合にランナか
らのフラッシュが除去され、かつリードフレームが薄す
ぎる場合にキャビティからのフラッシュが除去される。
フラッシュの除去により、製品の歩留りおよびスループ
ットがより高くなり、フラッシュを除去するためにモー
ルドプレートをクリーニングする必要がなくなり、かつ
フラッシュの除去処理によってモールドプレートが損傷
されることがなくなる。
も変動するから、本発明は前記縦方向の側部密閉部を使
用することによって厚さの変動を補償する。そうするこ
とによって、リードフレームが厚すぎる場合にランナか
らのフラッシュが除去され、かつリードフレームが薄す
ぎる場合にキャビティからのフラッシュが除去される。
フラッシュの除去により、製品の歩留りおよびスループ
ットがより高くなり、フラッシュを除去するためにモー
ルドプレートをクリーニングする必要がなくなり、かつ
フラッシュの除去処理によってモールドプレートが損傷
されることがなくなる。
【図１】従来技術のモールド装置の第１のプレートを示
す上面図である。
す上面図である。
【図２】図１の第１のプレート、およびさらに半導体装
置、リードフレーム、および従来技術のモールド装置の
第２のプレートを示す部分的断面図である。
置、リードフレーム、および従来技術のモールド装置の
第２のプレートを示す部分的断面図である。
【図３】図１の第１のプレート、およびさらに半導体装
置、リードフレーム、および従来技術のモールド装置の
第２のプレートを示す部分的断面図である。
置、リードフレーム、および従来技術のモールド装置の
第２のプレートを示す部分的断面図である。
【図４】図１の第１のプレート、およびさらに半導体装
置、リードフレーム、および従来技術のモールド装置の
第２のプレートを示す部分的断面図である。
置、リードフレーム、および従来技術のモールド装置の
第２のプレートを示す部分的断面図である。
【図５】本発明に係わるモールド装置の第１のプレート
を示す上面図である。
を示す上面図である。
【図６】図５の第１のプレートと共に、半導体装置、リ
ードフレーム、および本発明に係わるモールド装置の第
２のプレートを示す部分的断面図である。
ードフレーム、および本発明に係わるモールド装置の第
２のプレートを示す部分的断面図である。
【図７】図６に示されるモールド装置の別の実施形態を
示す断面図である。
示す断面図である。
４０ くぼみ ４１ モールド装置 ４３ モールドキャビティ ４４ ポット ４５ ランナ ４６ モールドプレート ４７ 突出部 ４８ エッジ ４９ モールドハーフ ５１ モールドプレート４６の面 ５２ モールドプレート４９の面 ５３ 側壁 ５４ 突出部 ５７ スロット ２６ 突出部４７の内部面 ２７ 突出部４７の外部面 ３１ 突出部 ３２ ランナ ３３ 突出部３１の内部面 ３４ 突出部３１の外部面 ３９ 縦方向側部密閉部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 アルバート・ジェイ・ラニンガ、シニア アメリカ合衆国アリゾナ州85282、テンプ、 イースト・エリー・ドライブ 117
Claims (5)
- 【請求項１】 封止材料をモールドキャビティに転送す
るための装置であって、 封止材料を前記モールドキャビティに転送するための経
路を提供する第１のランナ（４５）を備えた第１の面
（５１）を有する第１のモールドプレート（４６）、 前記第１の面（５１）から伸びる第１の突出部（４７）
であって、該第１の突出部（４７）は前記第１のランナ
（４５）に面する第１の内部面（２６）および前記第１
のランナ（４５）から向きがそれている第１の外部面
（２７）を有するもの、 第２の面（５２）を有する第２のモールドプレート（４
９）、 前記第２の面（５２）から伸びる第２の突出部（３１）
であって、該第２の突出部（３１）は第２の内部面（３
３）および第２の外部面（３４）を有するもの、そして
前記第１（４７）および第２（３１）の突出部を係合さ
せることによって形成される縦方向の側部密閉部（３
９）であって、該縦方向の側部密閉部（３９）は前記第
１のランナ（４５）を通り前記モールドキャビティへと
封止材料を転送する間の前記第１のランナ（４５）から
前記封止材料が漏れ出すのを防止するもの、 を具備する、封止材料をモールドキャビティに転送する
ための装置。 - 【請求項２】 封止材料をモールドキャビティに転送す
るための装置であって、 封止材料を前記モールドキャビティに転送するためのラ
ンナ（４５）を有する第１のモールドハーフ（４６）で
あって、該第１のモールドハーフ（４６）は一つの面
（５１）を有し、前記ランナ（４５）は該面に沿ったエ
ッジを有し、かつ前記ランナ（４５）は側壁（５３）を
有するもの、 突出部（５４）を有する第２のモールドハーフ（４
９）、そして封止材料が前記ランナ（４５）の前記エッ
ジから逃げるのを防止するための密閉部（３９）であっ
て、前記突出部（５４）は前記ランナ（４５）内へと伸
びて前記密閉部（３９）を形成するもの、 を具備する封止材料をモールドキャビティに転送するた
めの装置。 - 【請求項３】 リードフレーム上に実装された半導体装
置にそのジョイント封止のために封止材料を導くための
装置であって、 封止材料を含むポット（４４）、キャビティ（４３）、
および前記封止材料を前記ポット（４４）から前記キャ
ビティ（４３）へ導く経路を提供するランナ（４５）を
備えた第１の面（５１）を有する第１のプレート（４
６）であって、前記ランナ（４５）は前記第１の面（５
１）上にエッジ（４８）を有するもの、 前記ランナ（４５）のエッジ（４８）に隣接しかつ前記
第１の面（５１）から伸びる少なくとも一つの突出部
（４７）であって、前記少なくとも一つの突出部（４
７）は前記ランナ（４５）から向きがそれた外部面（２
７）を有するもの、 第２の面（５２）および該第２の面（５２）に隣接する
スロット（５７）を有し、該スロット（５７）は側壁
（３３）を備えた第２のプレート（４９）、そして前記
スロット（５７）と係合する少なくとも一つの突出部
（４７）によって形成される密閉部（３９）であって、
該密閉部（３９）は前記ランナ（４５）のエッジ（４
８）からの封止材料の漏れを防止するもの、 を具備するリードフレーム上に実装された半導体装置に
そのジョイント封止のために封止材料を導くための装
置。 - 【請求項４】 リードフレームに電気的に結合された半
導体装置にそのジョイント封止のために封止材料を転送
する方法であって、 第１の面（５１）、該第１の面（５１）から伸びる第１
の突出部（４７）、ランナ（４５）、モールドキャビテ
ィ（４３）、およびモールドポット（４４）を有する第
１のモールドプレート（４６）を提供する段階であっ
て、前記第１の突出部（４７）は前記ランナ（４５）に
向かって面する第１の内部面（２６）および前記ランナ
（４５）から向きがそれた第１の外部面（２７）を有
し、かつ前記ランナ（４５）は前記第１の面（５１）に
沿ったエッジ（４８）を有するもの、 前記半導体装置およびリードフレームを前記モールドキ
ャビティ（４３）内に配置する段階、 第２のモールドプレート（４９）と前記第１のモールド
プレート（４６）を係合させる段階であって、前記第２
のモールドプレート（４９）は第２の面（５２）および
該第２の面（５２）から伸びる第２の突出部（３１）を
有し、かつ前記第２の突出部（３１）は第２の内部面
（３３）および第２の外部面（３４）を有するもの、 前記第１（４６）および第２（４９）のモールドプレー
トを係合させる間に前記第１（４７）および前記第２
（３１）の突出部を係合させることによって前記ランナ
（４５）のための縦方向の側部密閉部（３９）を形成す
る段階、 封止材料を前記モールドポット（４４）に入れる段階、 前記封自材料を液化する段階、 封止材料を前記モールドポット（４４）から、前記ラン
ナ（４５）を通り、かつ前記モールドキャビティ（４
３）内に転送する段階、 前記縦方向の側部密閉部（３９）を使用して前記封止材
料が前記ランナ（４５）のエッジ（４８）から漏れ出す
のを防止する段階、そして前記半導体装置およびリード
フレームの封止のために前記モールドキャビティ（４
３）内の前記封止材料を硬化する段階、 を具備することを特徴とするリードフレームに電気的に
結合された半導体装置にそのジョイント封止のために封
止材料を転送する方法。 - 【請求項５】 封止材料をモールドキャビティに転送す
るための方法であって、 一つの面（５１）およびランナ（４５）を有する第１の
モールドハーフ（４６）を提供する段階であって、前記
ランナ（４５）は前記面（５１）上にエッジ（４８）を
有し、かつ前記ランナ（４５）は側壁（５３）を有する
もの、 突出部（５４）を有する第２のモールドハーフ（４９）
を提供する段階、 前記第１（４６）および第２（４９）のモールドハーフ
を係合させる段階、 前記第１（４６）および第２（４９）のモールドハーフ
の係合の間に前記突出部（５４）を前記ランナ（４５）
内に挿入することによって前記ランナ（４５）のための
密閉部（３９）を形成する段階、 前記封止材料を前記ランナ（４５）を通って導く段階、
そして前記封止材料が前記ランナ（４５）のエッジ（４
８）から逃げるのを防止するため前記密閉部（３９）を
使用する段階、 を具備することを特徴とする封止材料をモールドキャビ
ティに転送するための方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US43199795A | 1995-05-01 | 1995-05-01 | |
| US08/431,997 | 1995-05-01 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08300397A true JPH08300397A (ja) | 1996-11-19 |
Family
ID=23714312
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8129161A Pending JPH08300397A (ja) | 1995-05-01 | 1996-04-25 | 封止材料をモールドキャビティに転送するための装置および方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5928595A (ja) |
| EP (1) | EP0740991A1 (ja) |
| JP (1) | JPH08300397A (ja) |
| KR (1) | KR960043138A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5833903A (en) | 1996-12-10 | 1998-11-10 | Great American Gumball Corporation | Injection molding encapsulation for an electronic device directly onto a substrate |
| US6472252B2 (en) * | 1997-07-23 | 2002-10-29 | Micron Technology, Inc. | Methods for ball grid array (BGA) encapsulation mold |
| DE69934153T2 (de) * | 1998-02-02 | 2007-09-20 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Verfahren zur Montage von Flip-Chip-Halbleiterbauelementen |
| US6310120B1 (en) | 1999-02-12 | 2001-10-30 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Flip-chip type semiconductor device sealing material |
| US6294271B1 (en) | 1999-02-12 | 2001-09-25 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Flip-chip type semiconductor device sealing material and flip-chip type semiconductor device |
| US6225704B1 (en) | 1999-02-12 | 2001-05-01 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Flip-chip type semiconductor device |
| US6372839B1 (en) | 1999-03-17 | 2002-04-16 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Flip-chip type semiconductor device underfill |
| US6376923B1 (en) | 1999-06-08 | 2002-04-23 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Flip-chip type semiconductor device sealing material and flip-chip type semiconductor device |
| US6376100B1 (en) | 1999-06-09 | 2002-04-23 | Shin Etsu-Chemical Co., Ltd. | Flip-chip type semiconductor device underfill material and flip-chip type semiconductor device |
| US6429238B1 (en) | 1999-06-10 | 2002-08-06 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Flip-chip type semiconductor device sealing material and flip-chip type semiconductor device |
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| US6483044B1 (en) * | 2000-08-23 | 2002-11-19 | Micron Technology, Inc. | Interconnecting substrates for electrical coupling of microelectronic components |
| US6979595B1 (en) | 2000-08-24 | 2005-12-27 | Micron Technology, Inc. | Packaged microelectronic devices with pressure release elements and methods for manufacturing and using such packaged microelectronic devices |
| US6838760B1 (en) * | 2000-08-28 | 2005-01-04 | Micron Technology, Inc. | Packaged microelectronic devices with interconnecting units |
| US7833456B2 (en) | 2007-02-23 | 2010-11-16 | Micron Technology, Inc. | Systems and methods for compressing an encapsulant adjacent a semiconductor workpiece |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1246446A (en) * | 1967-09-23 | 1971-09-15 | British United Shoe Machinery | Improvements in or relating to the moulding of shoe bottom units |
| US4370122A (en) * | 1980-02-05 | 1983-01-25 | Occidental Chemical Corporation | Apparatus for runnerless injection compression molding of thermosetting materials |
| JPS5933838A (ja) * | 1982-08-19 | 1984-02-23 | Toshiba Corp | 半導体樹脂封止用金型装置 |
| JPS6256111A (ja) * | 1985-09-05 | 1987-03-11 | Sony Corp | 樹脂封止金型 |
| JPH01293523A (ja) * | 1988-05-20 | 1989-11-27 | Mitsubishi Electric Corp | 樹脂封止型半導体装置用封止金型 |
| US5123826A (en) * | 1990-02-13 | 1992-06-23 | Motorola, Inc. | Molding pot having configured bottom |
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| SE470169B (sv) * | 1992-04-27 | 1993-11-22 | Ericsson Telefon Ab L M | Gjutform för gjutning av ferruler |
| US5344296A (en) * | 1993-07-06 | 1994-09-06 | Motorola, Inc. | Method and apparatus for forming a runner in a mold assembly |
-
1996
- 1996-04-25 JP JP8129161A patent/JPH08300397A/ja active Pending
- 1996-04-29 EP EP96106732A patent/EP0740991A1/en not_active Withdrawn
- 1996-04-30 KR KR1019960013587A patent/KR960043138A/ko not_active Application Discontinuation
-
1997
- 1997-09-22 US US08/934,797 patent/US5928595A/en not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
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